Галеев Андрей Петрович

Галеев Андрей Петрович родился 9 марта 1947 года в г. Москва.

В 1972 г. окончил Московский инженерно-физический институт, получил квалификацию "Инженер-физик" по специальности "Электроника и автоматика".

В 1987 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему: "Отбраковка методом тестового облучения для обеспечения однородности полупроводниковых структур по чувствительности к ионизирующим излучениям" по специальности "Твердотельная электроника и микроэлектроника" в Московском институте радиотехники, электроники и автоматики.

Работал на технических и инженерных должностях в Институте Физики Земли им. О.Ю. Шмидта, ВНИИ ядерной геофизики и геохимии, НИИДАР, Центральном научно-исследовательский институт применения электронных изделий.

С марта 1982 г. - начальник лаборатории в ЦНИИ «Циклон».

С декабря 1982 г. - начальник отдела во Фрязинском филиале ЦНИИ «Циклон».

В 2005 г. избран действительным членом Международной академии информатизации, заслуженный деятель науки и образования РАЕ, почетный профессор МИИГАиК, решением президиума Российской Академии Естествознания награжден медалью имени Альфреда Нобеля за значительный вклад в развитие изобретательства в области неразрушающего контроля, диагностики и выявления физико-технологических дефектов в полупроводниковых приборах и структурах.

Галеев Андрей Петрович начал педагогическую деятельность в 1987 году в МИРЭА.

Начал преподавать курс "Тепломассобмен в РЭА" на кафедре "Конструирования радиоэлектронной аппаратуры" в должности старшего преподавателя. В МИРЭА преподавал следующие курсы на дневном и вечернем факультете "Физические основы конструирования РЭА и ЭВА", "Проектирование РЭС в жестких условиях", "Физические основы микро- и нанотехнологии". С 1987 по 2006 гг. под его руководством защитили диплом инженера-конструктора 16 выпусников. 7 лет Андрей Петрович преподавал в Филиале МИРЭА в г. Жуковский, где под его руководством защитили диплом 7 студентов.

В Московском институте стали и сплавов (МИСиС) с 1989 по 2009 гг. работал в должности ведущего научного сотрудника и на полставки доцента. Преподавал курсы: "Основы метрологии, стандартизации и измерительной техники" на дневном и вечернем факультете. В 1996 г. получил ученое звание доцента по кафедре полупроводниковой электроники и физики полупроводников. За время преподавания в МИСиС под его руководством защитили диплом инженера 30 человек и 4 аспиранта.

В МИИГАиК Андрей Петрович работал в должности профессора с 2004 по 2016 гг. на кафедре "Прикладной информатики". Преподавал курсы : "Элементная база информационных систем", "Надежность информационных систем", "Надежность геодезических и навигационных искусственных спутников Земли (ИСЗ)", "Управление качеством продукции", "Менеджмент информационных продуктов и услуг", "Информационные системы в управлении", "Анализ и обработка результатов наблюдения" и другие (всего 16 различных курсов). Читал лекции и вел практические занятия на факультетах: "Геодезический факультет", "Факультет прикладной космонавтики", "Оптико-информационный факультет", "Факультет экономики и управление территориями". За время работы под его руководством защитили диплом инженера информационных технологий 10 человек, и защитили магистерские диссертации 5 человек.

Общие стаж преподавательской деятельности: 29 лет.

Количество подготовленных учеников: 72 человека.

– в МИРЭА - 23 дипломника;

- в МИСиС - 30 дипломников и 4 аспиранта;

- в МИИГАиК - 10 дипломников и 5 человек защитили магистерские диссертации.

Основные научные направления:

- обеспечение длительных сроков эксплуатации изделий электронной техники в космической аппаратуре с длительным сроком эксплуатации;

- обеспечение радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники в условиях космического пространства, моделирование и прогнозирование процессов взаимодействия космического излучения с полупроводниковыми структурами;

- надежность изделий электронной техники, применяемых в информационных системах;

- методы неразрушающего контроля;

- диагностика и испытания полупроводниковых приборов.

В рамках этих научно-технических направлений Галеев А.П. принимал участие в разработке межведомственных программ по обеспечению длительных сроков активного существования спутников радиовещания, телевизионных и навигационных спутников. Эти работы проводились по Постановлениям Президиума ЦК КПСС и решениям ВПК Совета Министров СССР. Участвовал в разработке специального группового дополнения СГД-Ц3-76 к техническим условиям (ТУ) по применению изделий электронной техники в аппаратуре спутников связи и ретрансляции "Молния-3" и "Грань", направленных на увеличение с 3-х до 5-ти лет сроков их эксплуатации. Участвовал в реализации межведомственной программы «Квазар» по обеспечению 7-летнего срока эксплуатации изделий электронной техники в спутниках связи и телевизионного вещания, в том числе ИСЗ "Горизонт", запущенного для обеспечения трансляции соревнований Олимпиады-80 в Москве в 1980.

За успешное выполнение этой программы, в числе других участников работ, решением Президиума Верховного Совета ССССР награжден медалью "За трудовую доблесть".

Принимал участие в работах по спутникам наблюдения, проводимых совместно с НПО им Лавочкина.

В кооперации с ВНИИЭМ принимал участие в работах по увеличению с 2-3 до 5 лет сроков эксплуатации спутников дистанционного зондирования Земли "Метеор-3" и "Электро".

Принимал участие в совместных с НПО "Энергия" работах по увеличению сроков эксплуатации изделий электронной техники в орбитальной космической станции "Салют".

В рамках указанных выше программ на предприятиях МЭП СССР были разработаны методы отбраковочных испытаний и дополнительные методы отбора высоконадежных изделий с учетом их применения в конкретной аппаратуре, методы прогнозирования срока службы и ускоренных испытаний на долговечность изделий электронной техники (ИЭС).

Галеевым А.П. разработаны методики радиационной отбраковки ИЭС с помощью рентгеновских установок и установок на основе радиоактивного изотопа Co 60.

Галеев А.П. выступил инициатором экспериментальной проверки разработанных методик в условиях космического пространства при расположении экспериментального оборудования как внутри так и вне гермоконтейнера. Эксперимент был проведен на борту ИСЗ «Метеор-3» под научным руководством Семенова В.Т. (ВНИИЭМ) и Галеева А.П. (ЦНИИ «Циклон») при участии ИКФИА Сибирского отделения АН СССР, (г. Якутск).

При подготовке кандидатской диссертации Андреем Петровичем, впервые в СССР, были разработаны методики радиационной отбраковки для конкретных типов кремниевых полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов, полевых транзисторов с изолированным затвором, а также кремниевых фотоприемников, инфракрасных светодиодов на основе арсенида галлия и диодных оптронов.

Количество научных работ, патентов, изобретений, наград и грантов: 2 авторских свидетельства, 1 патент, общее количество научных работ 74.

Научные публикации

Галеев А.П., Чернышев А.А., Ведерников В.В., Горюнов Н.Н. "Радиационная отбраковка полупроводниковых приборов и ИС (статья)", Зарубежная электронная техника, вып. 5, 1979

Галеев А.П., Ладыгин Е.А., Крылов Д.К. "Модель радиационного накопления в системе кремней-оксид кремния (статья)", Физика и техника полупроводников, т. 26, № 7.

Галеев А.П., Чернышев А.А., Ведерников В.В., Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н. "Использование ионизирующих излучений для испытаний полупроводниковых приборов (статья)", Электронная техника, сер.2, вып 7(142), 1980

Галеев А.П., Ладыгин Е.А., Крылов Д.К., Горюнов Н.Н., Паничкин А.В. "Способ отбраковки полупроводниковых приборов и ИС на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник (авторское свидетельство)", Патент № 200951701, 1994 г.

Галеев А.П., Ладыгин Е.А., Курунова Т.Ю., Хаустов В.В., Эмишян М.С. "Модель деградации фотоприемников при воздействии электронного излучения высоких энергий (статья)", Надежность и контроль качества, № 11, приложение к журналу "Стандарты и качество", 1994 г.

Галеев А.П., Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н., Паничкин А.В., Мурашев В.Н. "Основы радиационных технологий микроэлектроники. Раздел: Механизмы образования и физическая природа радиационных процессов в полупроводниковых структурах (Учебное пособие)", МИСиС, 1994 (внутривузовский)

Галеев А.П., Ладыгин Е.А., Мурашев В.Н., Мельников А.Л., Паничкин А.В., Прохоцкий Ю.М., Юрчук С.Ю. "Проектирование СБИС. Раздел: Элементная база СБИС (учебное пособие)", МИСиС, 2001 г. (внутривузовский)

Зацепина Г.Н., Горюнов Н.Н., Балашова Л.М., Галеев А.П., Лукашов Н.В., Чарыков Н.А. "Некоторые вопросы исследования метода измерения тонкой структуры постоянного электрического поля человека". Материалы докл. междунар. науч.-техн. семинара (Москва, 3-6 декабря 2002 г.) М. МНТОРЭС им. А.С.Попова. МЭИ, 2003, С. 288-294

Чернышов А.А., Шульгин Е.И., Галеев А.П., Сухоруков А.Г. "Проблемы развития научных исследований по обеспечению надежности приборов полупроводниковой электроники". Материалы докл. междунар. науч.-техн. семинара (Москва, 1-5 декабря 2003 г.) М. МНТОРЭС им. А.С.Попова. МЭИ, 2004, С. 110-117

Галеев А.П."Отбор электронных изделий для аппаратуры, работающей в космосе", Электроника. Наука, технология, бизнес. № 1, изд. РИЦ "ТЕХНОСФЕРА", 2009

«Менеджмент информационных продуктов и услуг». Галеев А.П. Международный электронный научный журнал «Перспективы науки и образования» №2 (14), 2015 г.

«К вопросу применения термина «Надежность» в технике». Галеев А.П., Назарова Г.С. Материалы докладов международного научно-технического семинара "Флуктационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" МНТОРЭС им. А.С. Попова, Москва, стр. 149- 151, 2016 г.

Галеев А.П., Геллер М.И., Назарова Г.С. "ABOUT THE USAGE OF THE TERM “RELIABILITY” IN TECHNIQUE", Журнал «Евразийский союз ученых» № 2(59), стр. 10 / 2019 г.

 

---