Бадалов Ариф Зейнал оглы

Родился в 1941 году в Геранбойском районе (Азербайджан) в интеллигентной семье. В 1958 году поступил на физический факультет Бакинского Государственного Университета. В 1963 году окончил университет и получил направление в Институт Физики Академии Наук Азербайджана, и начал свою трудовую деятельность на должности младшего научного сотрудника. В 1965 году поступил в аспирантуру и был командирован в Санкт-Петербург, в Физико-Технический институт для проведения научно-исследовательской работы под руководством академика В.М.Тускевича. В этом институте, с целью изготовления высокочастотных тиристоров на основе кремния, занимался изучением диффузии, оседания примеси золота в кремнии и электрофизических свойств кремния с примесью золота. Так же исследовал возможности применения кремния с примесью золота в полупроводниковых приборах. Подводя итоги проводимой мной научно-исследовательской работы, написал диссертацию на соискание степени кандидата на тему «Исследование поведения золота в кремнии» по специальности 01.049 «Физика полупроводников и диэлектриков» и защитил ее в 1971 году. В том же году вернулся в Баку и продолжил свою научно-исследовательскую работу в институте Физики АН Аз.ССР. Научно-исследовательская работа, проводимая мной в данном институте, посвящена исследованию эффектов переключения и памяти структуры металл-диэлектрик-полупроводник, а так же эффектов переключения и памяти структуры МДП с туннельным диэлектриком и их электрических, фотоэлектрических свойств.

В 1971-73 гг работал на должности младшего, а в 1973-75 гг – старшего научного сотрудника.

В 1975 г, в связи с основанием Института космических исследований при Академии Наук Азербайджана, был приглашен в данный институт на должность заведующего лабораторией и, начиная с этого года, работал в институте на должности заведующего лабораторией. В период работы в институте, под моим руководством была создана лаборатория, которая занималась получением и исследованием фотоприемников. В этот период я руководил многими работами на основании хозяйственного договора (в том числе с ИКИ АН СССР). Особый интерес представляют научно-исследовательские работы, проводимые совместно с лабораторией лауреата нобелевской премии Ж.И.Алферова в Санкт-Петербургском Физико-Техническом институте (получение и исследование фотоэлемента на основе гетероперехода InP-CdS с высоким к.п.д.). Так же создавалось множество связей с Институтом космических исследований, Институтом физики полупроводников в Киеве (с лабораторией профессора Р.И.Конаковой), и с другими институтами. Полученные научные результаты оценивались в монографиях и статьях очень многих ученых зарубежных стран.

А.Милнис «Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках» 1977, «Гетеро переходы и переходы металл-полупроводник» 1975, Б.И.Болтаке «Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках» 1972, «Компенсированный кремний» 1972 и др.

Наряду с научно-исследовательской работой, я продолжал свою педагогическую деятельность. В 1980 г был приглашен на чтение лекций по «Квантовой электронике и оптоэлектронике» на кафедру «Промышленной электроники» Азербайджанского Технического Университета. В 1985-1992 гг работал доцентом на кафедре «Электроники» в данном Университете. Обобщив свои научно-исследовательские труды, в 1992 году защитил докторскую диссертацию на тему «Особенности неравновесных электронно-ионных процессов в МДП и гетероструктурах на основе кремния и фосфида индия» по специальности 01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков. Четыре человека получили ученую степень кандидата наук под моим руководством и еще несколько человек накануне защиты. В 1992 году я был избран на должность заведующего кафедрой «Физики и химии» Мингечаурского Политехнического института и в 1992-2000 гг работал в этом же институте на должности проректора по научной работе. В 1994 г получил ученое звание профессора. Является автором более 70 научных статей, четырех авторских свидетельств, семи учебных пособий и методических руководств. Принимал участие в ряде международных и республиканских конференций и выступал на этих конференциях. Являюсь организатором и связником по Мингечаурскому Политехническому Институту проекта Темпус под названием «Современное инженерное образование в высших учебных заведениях Азербайджана», организованного при участии Европейского Союза и при поддержке Кельнского Университета Прикладных Наук Германии. С 17.04.04 по 24.04.04 гг побывал в Кельнской Академии Прикладных Наук Германии и в Зюдском Университете Голландии и выступал с отчетом о ходе проекта.

С 09.02.2007 по 08.04.09 гг работал на должности профессора на кафедре «Авиационная радиотехника и радиоэлектроника» Национальной Авиационной Академии. В настоящее время работает на должности заведующего кафедрой «Автоматики и авиационных приборов» Академии. Является оппонентом 15 кандидатских и 5 докторских диссертаций.

Научные публикации

Некоторые статьи, опубликованных в центральных журналах.

1.А.З.Бадалов. Фотопроводимость п-кремие, содержанщего золото. Физика и техника полупроводников Т.3. б.11. ст.1707.1969.

2.А.З.Бадалов. Кинетина распада твердого раствора золто в креминии п-тира. ФТП Т.6. б.5. ст.789.1972.

3.Г.Б.Абдуллаев, З.А.Искендер-заде, М.Р.Ахундов, А.З.Бадалов, Э.А.Джафарова, С.И.Рагимов, Р.М.Мамедов. Эффект перелючение и памяти в структуре Аl-Si-SiO2-Al. Микроэлектроника Т.6,в. 5, ст. 462. 1977.

4.А.З.Бадалов, З.А.Искендер-заде, Э.А.Джафарова, А.З.Масимов, Г.М.Исмаилов. Фотоэлектрические свойства электрообработанных МДПДМ структур. ЖТФ Т.54. в. 3. ст. 645. 1984.

5.А.Ш.Мехтиев, А.З.Бадалов, И.А.Гусейнов. Фотопреобразователы на основе CdS-InP гетероструктуры. Письма в ЖТФ, Т.9,в.3. ст. 170, 1983.

6.А.З.Бадалов, В.Б.Шуманов. Диффузия золота сквозь слой SiO2. ФТП, Т. 11. ст.741-742, 1968.

7.А.З.Бадалов, В.Б.Шуманов. Диффузия золота в кремнии п-типа. ФТП, Т.3. ст. 1366-1369, 1969.

8.З.А.Искендер-заде, , А.З.Бадалов. Электроника твердого тела (учебное пособие) Баку-1992. 200ст.

9.А.З.Бадалов, М.Р.Ахундов. Физика твердого тела Мингечаур-2003. 110ст.

Бадалов Ариф Зейнал оглы имеет награды

---