Аскеров Шахлар Гачай оглы

Родился 15 июня 1941 года в Кельбаджарском районе Азербайджанской Республики. В период 1964 – 1967 выполнял диссертационную работу в НИИ Постоянного тока в г.Ленинград под руководством проф. Л.А.Сена. В 1970 году защитил кандидатскую диссертацию, а 1992 году докторскую диссертацию. В 1991 году организовал и руководил НИЛ- «Аморфные пленки ». В период 1994 - 1995 проректор БГУ, а в 1995 – 2005 член Парламента Азербайджана. Опубликовал более 200 работ в области точных, более 60 в области общественных наук. Количество патентов 4. Под руководством Ш.Г. Аскерова защитились 16 аспирантов и докторов наук. Заслуженный деятель науки. Академик РАЕ, АП и СН и ряд других академий. Имеет Орден «Славы». Женат, имеет двух детей и троих внуков.

ОСНОВНЫЕ НАУЧНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

1. В области эмиссионной электроники изучал катодное распыление ряд металлов при пороговой (20 - 300) еV энергии ионами ртути [1]. Cконструировал установку позволяющая регистрировать одного атома выбитых 10 000 ионами. Уникальность установки позволял ему определить значения пороговой энергии ряд металлов ионами ртути. Эти результаты хорошо известны и в течении последних 40 лет регулярно используется специалистами NASA и AIAA (H. Wilhelm, M. Mantenieks ) работающие в области ионных двигателей космических аппаратов. Выявил влияния поверхностной микроструктуры на распыляемость металлов и предложил геометрической модель распыления.

2. В области микроэлектроники изучил процессы, происходящие в контакте металл-полупроводник. Выявил выявления микроструктуры металла на свойства контакта металл – полупроводник. Установил, что основные параметры (высота барьера, напряжение пробоя) диодов Шоттки зависит от размера контактной площади. Для объяснения полученных результатов предложил неоднородную модель, согласно которому контакт представляется как параллельно соединенных многочисленных элементарных контактов [3]. Предложил геометрическую модель пробоя диодов Шоттки. Изучил влияние микроструктуры контакта на омические поведения контакта. Для увеличения качества диодов Шоттки предложил использовать аморфные металлы.

3. Для эмиссионных параметров (работа выхода металла Ф, постоянной Ричардсона A ) металл-вакуум (и металл-полупроводник) установил корреляционную зависимость[ 2] :

A i ekp  - Ф i / kТ = const

4. В области педагогики, для оценки знаний, предложил новый критерий, новая нелинейная шкала и модель [4- 5]. В предлагаемой одномерной модели объем изучаемого учебного материала представляется как прямая линия с длиной Lo. Объемы усвоенных и неусвоенных материалов, соответственно обозначены отрезками Lз и Lн. В качестве критерия принято отношение усвоенной части изучаемого материала (Lз) к не изученному (Lн) и названо фактором качества. Отношение изученной части материала к общему объему материала названо относительной усвоением. Создавал новую шкалу оценки знаний используясь, взаимосвязь между фактором качества и относительным усвоением.

Научные публикации

1. Аскеров Ш.Г., Сена Л.А., Исследование катодного распыления некоторых металлов медленными ионами, Физика твердого тела, т.11, 1951, 1968

2. Аскеров Ш.Г., Связь между параметрами, характеризующими термоэлектронную эмиссию, Радиотехника и Электроника, т.31, № 11, с. 2296-2299, 1986

3. Аскеров Ш.Г., Джафарова Р.Г., Гасанов М.Г., Свойства диодов Шоттки, изготовленных аморфных сплавов, Микроэлектроника, №5,стр.20, 1996

4. Аскеров Ш.Г., Оценка знаний: поиск рационального варианта. Народное образование. №1, с.141-144, Москва, 2004

5. Аскеров Ш.Г., Философские основы оценки знаний, Актуальные проблемы психологического знания, №3 (16), стр.47-51, 2010

6. Аскеров Ш.Г., Взаимосвязь между принимаемым решением и знанием, Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований, №5, стр.200-202, 2010.

Аскеров Шахлар Гачай оглы имеет награды

---