Учёная степень: доктор химических наук
Ученое звание: профессор
Член-корреспондент
Научное направление: Химические науки
Регион: Казахстан
Рейтинг: 24 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)
СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Известные Ученые"
Научная школа «Термодинамика и электрохимия амальгам щелочных металлов и тонкопленочных полупроводников».
С 1994г М.Б.Дергачева являлась заведующей лабораторией электрохимии металлов и полупроводников, возглавляла направление исследований и являлась руководителем программ фундаментальных исследований. «Создание новых электродных материалов, сенсоров, фотопреобразователей» (1994-1996гг); «Теория электрохимического осаждения, как основа для создания новой технологии получения гетероструктурных полупроводниковых композиций и электродных материалов» (1997-1999гг); «Электрохимический метод создания пленочных композиций для использования в каскадных системах преобразования солнечного излучения» (2000-2002гг).», «Разработка теоретических основ современных электрохимических методов получения тонкопленочных полупроводниковых соединений»(2003-2005гг): «Разработка теоретических основ электрохимических процессов для создания нанотехнологий производства тонкопленочных полупроводников» (2006-2008гг) и прикладной темы «Создание базового фотопреобразователя для автономного источника электропитания»(2001-2003гг).
Исследования, выполненные в лаборатории электрохимии металлов и полупроводников ИОКЭ МОН РК под руководством М.Б.Дергачевой, по использованию теории электроосаждения для получения пленок двойных и тройных полупроводниковых соединений, позволяют прогнозировать условия для получения большого количества соединений, содержащих халькогениды металлов CdTe, СdSe, CdS, HgTe, CdxHg1-xTe, CuInSe2, CuInGaSe2, Cu2ZnSnS(Se)4 и другие. Метод электроосаждения пленок на твердых подложках позволяет получать каскадные структуры, в состав которых входят двойные и тройные полупроводниковые соединения, обладающие фоточувствительностью. Основной задачей исследований является определение оптимальных условий электрохимического получения пленочных слоев этих соединений и доказательство их структурных и полупроводниковых свойств.
Высокий уровень разработок позволил коллективу лаборатории под руководством М.Б.Дергачевой участвовать в выполнении прикладных и инновационных программ по темам:
• «Тонкопленочные фотоэлементы для Казахстанских космических аппаратов» по реализации заданий Государственной программы “Развитие космической деятельности в Республике Казахстан на 2005-2007 годы
• «Создание опытного образца солнечной батареи с использованием тонкопленочных структур» 2006-2007 годы по гранту Национального Инновационного фонда РК
• рискового проекта на 2008г «Тонкопленочный солнечный элемент»
• в 2007-2010гг была выполнена работа по гранту МНТЦ “Развитие и исследование электроосаждения полупроводниковых тонких пленок для производства высокоэффективных солнечных элементов.”
В дальнейшем М.Б.Дергачева является руководителем проектов, выполняемых по грантам МОН РК 2012-2020г по темам
• «Фотоэлектрические элементы с CdSe электродами для возобновляемой энергетики»
• «Новый перспективный полупроводниковый материал Cu2ZnSnS(Se)4 для тонкопленочных фотоэлементов».
• «Повышение энергоэфективности фотоэлектрохимических солнечных элементов за счет применения новых CuBi2O4 полупроводниковых материалов»).
Научная деятельность М.Б.Дергачевой связана с исследованием электрохимических и термодинамических свойств металлических сплавов и полупроводниковых систем и созданием тонкопленочных фотоэлементов с использованием электрохимических процессов. Все исследования направлены на создание новых технологий получения материалов для металлургии, светотехнической промышленности, фотовольтаики.
Дергачева М.Б. имеет большой опыт работы на предприятиях по внедрению новых технологий. Она участвовала во внедрении амальгамных методов получения сверхчистых индия, кадмия и висмута на Чимкентском свинцовом заводе. На Полтавском заводе газоразрядных ламп (Украина) под ее руководством и при непосредственном участии внедрена технология и запущена установка по получению сверхчистой амальгамы натрия для производства натриевых ламп высокого давления Днат-400 с высоким экономическим эффектом. Дергачева М.Б. с группой сотрудников разработала способ и внедрила на Полтавском заводе установку для промышленного производства амальгамы натрия высокой чистоты. В 1975-1985 гг эта установка обеспечивала производственный цикл по выпуску натриевых ламп высокого давления по лицензии фирмы «General Electric» США. На Павлодарском химическом заводе и на предприятии НПО АСКБ «Алатау» ею совместно с сотрудниками организованы участки электролиза и внедрены новые электролизеры для производства полупроводниковых материалов для солнечных модулей.
В результате предложены технологии получения тонких пленок селена, теллура, сульфидов и селенидов кадмия, многокомпонентных сульфидов и селенидов меди, оксидов CuBi2O4 с использованием процессов электрохимии и фотостимулированного переноса заряда. Разработан метод получения коллоидных растворов CdS с использованием фото и электрохимических процессов на границе раздела полупроводник/электролит. Эти процессы позволяют решить ряд фундаментальных и прикладных задач современной электрохимии и физики поверхности полупроводников. Исследованы закономерности строения межфазной границы раздела и кинетики электрохимических реакций, стимулированных освещением.
В течение 2018-2019гг разработаны новые методы изготовления полупроводниковых светочувствительных фотоанодов и фотокатодов с целью применения в электрохимических преобразователях монохроматического и полихроматического излучения и повышения энергоэффективности производства альтернативной электроэнергии и «солнечного водорода».
Дергачева М.Б. с сотрудниками и учениками достигла значительных успехов в развитии нового в Казахстане направления «Фотоэлектрохимия» и разработке технологий создания новых материалов для фотовольтаики и фотоэлектрохимических преобразователей.
Высокий научный уровень разработок достигнут в том числе благодаря успешной интеграции с научными центрами в г. Москве, г.Минске, г. Шеффилде (UK).
В качестве официального научного руководителя Дергачева М.Б. подготовила 8 кандидатов химических наук, одного PhD-докторанта (2018г), а также магистров и бакалавров Казахстанско-Британского технического Университета и Казахского Национального Университета им. Аль-Фараби.
М.Б.Дергачева является активным членом Международного Электрохимического Общества (ISE) Швейцария с 1998г. Она участник большого числа международных конференций этого общества, а также конференций по термодинамике сплавов и фотовольтаике. (Франция, Испания, Россия, Швейцария, Германия)
Всего М.Б.Дергачевой опубликовано 325 научных статей и тезисов докладов, 2 монографии, получено 44 Авторских свидетельств и патентов СССР и РК. Она заслуженный изобретатель СССР. М.Б.Дергачева имеет работы, опубликованные казахстанскими, российскими и зарубежными издательствами.
В 2017г избрана чл-корр. Российской Академии Естествознания. Награждалась медалями и почетными грамотами АН РК, медалью Сократа РАЕ.
