- Разработка технологии получения высококачественных туннельных структур Al/d-легированный GaAs, при которой Al-электрод выращивается in situ в камере молекулярно-лучевой эпитаксии.
- Исследование изменений спектра незаполненных 2D-подзон в d‑слое туннельной структуры Al/d-легированный GaAs после ее засветки излучением видимого или инфракрасного диапазонов и установление связи изменений в спектре с параметрами областей пространственного заряда вблизи d-слоя.
- Обнаружение межподзонного полярона в приповерхностном d‑слое GaAs, проявляющегося в туннельных спектрах в условиях, когда разность энергий заполненной и пустой 2D-подзон оказывается кратной энергии LO-фонона.
- Обнаружение эффекта отражения электронов при туннелировании в двумерную электронную систему, связанного с включением в процесс туннелирования новой 2D-подзоны, расстояние от которой до заполненной подзоны превышает энергию LO-фонона.
- Экспериментальное доказательство связи собственно-энергетического поляронного эффекта при туннелировании из двумерной электронной системы с величиной отношения энергии Ферми к энергии LO-фонона.
- Обнаружение формирования мягкой щели в туннельной плотности состояний на поверхности Ферми двумерной электронной системы вблизи перехода проводящего канала d-слоя в диэлектрическое состояние.
- Обнаружение роста подвижности 2D электронов в приповерхностном d-слое при увеличении их концентрации за счет изменения потенциала на Al-затворе.
- Обнаружение эффекта возрастания туннельного сопротивления структуры Al/d-легированныйGaAs под действием импульсного лазерного излучения субмиллиметрового диапазона.
А2. Kotel´nikov I.N., Shul´man A.Ya., Effects of electron-electron and electron-phonon interactions on tunneling spectra of quasi-classical barrier systems // Proc. of 19th Intern. conf. on the physics of semiconductors, Volume 1, Ed.: W. Zawadzki, Warsaw, Poland, August 15-19, 1988, pp. 681-684.
А3. Анохина С.П., Котельников И.Н., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Туннельная проводимость структур на основе GaAs с дельта-легированными слоями // 1-я Всесоюзная конференция по физическим основам твердотельной электроники, Тезисы докладов, Ленинград, 25-29 сентября 1989 г., Т. А, с. 79-80.
А4. Ганичев С.Д., Глух К.Ю., Котельников И.Н., Мордовец Н.А., Шульман А.Я., Ярошецкий И.Д., Точечный быстродействующий фотоприемник лазерного субмиллиметрового излучения // Письма в ЖТФ, Т. 15, вып. 8, с. 8-10 (1989).
А5. Shul´man A.Ya., Kotel´nikov I.N., Voronovsky A.N., Dizhur E.M., Itskevich E.S., Effects of DX-center occupation and band structure change on tunneling current in self-consistent Shottky-barrier n-GaAs/Au junctions // Proc. of 20th Intern. conf. on the physics of semiconductors, Volume 2, Thessaloniki, Greece, August 6-10, 1990, World Scientific Publishing, Editors by E.M.Anastasakis and J.D. Joannopoulos, pp. 1242-1245.
А6. Gulyaev Yu.V., Medvedev B.K., Mokerov V.G., Kotel´nikov I.N., Rzhanov Yu.A., Molecular beam epitaxy of delta-doped GaAs and GaAs/AlGaAs heterostructure for electronic devices and integrated circuits // Proc. of 18th USSR-Japan Electronics symposium on "General Electronics", Dec. 12-13, 1991, Tokyo, Japan, pp. 221-236, Tokai University General Res. Organization.
А7. Дижур Е.М., Вороновский А.Н., Ицкевич Е.С., Котельников И.Н., Шульман А.Я., Осцилляции туннельной проводимости перехода n GaAs/Au с барьером Шоттки // ЖЭТФ, Т. 102, в.5(11), с. 1553-1562 (1992).
А8. Котельников И.Н., Кокин В.А., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Ржанов Ю.А., Анохина С.П., Характеристики и особенности проводимости приповерхностных дельта-легированных слоев GaAs при изменении концентрации двумерных электронов // ФТП, Т. 26, в. 8, с. 1462-1470 (1992).
А9. Ганичев С.Д., Глух К.Ю., Котельников И.Н., Мордовец Н.А., Шульман А.Я., Ярошецкий И.Д., Туннелирование при плазменном отражении излучения в переходах металл-полупроводник с самосогласованным барьером Шоттки // ЖЭТФ, Т. 102, с. 907-924 (1992).
А10. Dizhur E.M., Voronovskii A.N., Itskevich E. S., Shul´man A.Ya., Kotel´nikov I.N., Oscillations on tunneling conductance of Schottky-barrier n-GaAs/Au junctions // High Pressure Researches, V. 9-10, No 1-2, pp. 370-373 (1992).
А11. Котельников И.Н., Рылик А.С., Шульман А.Я., Магнитоосцилляции и анизотропия аномалии при нулевом смещении в туннельных переходах n-GaAs/Au в квантующем магнитном поле // Письма в ЖЭТФ, Т. 58, в. 10, с. 831-835 (1993).
А12. Kotel´nikov I.N., Kokin V.A., Medvedev B.K., Mokerov V.G., Rzhanov Yu.A., Additional opportunities for control of two-dimensional channel coductance in delta-layer structures // Proc. 1993 Semiconductor Device Reserch Symposium, Charlottesville, Virginia, USA, December 1- 3, 1993, V.1, pp.217-220.
А13. Мокеров В.Г., Медведев Б.К., Котельников И.Н., Федоров Ю.В., Влияние состояния поверхности GaAs перед осаждением Si на процесс дельта-легирования // Доклады Академии Наук, Т. 332, No 5, c. 575-577 (1993).
А14. Котельников И.Н., Шульман А.Я., Мод Д.К., Порталь Ж.-К., Туннелирование в квантующем магнитном поле и многочастичные особенности в туннельных спектрах переходов с барьером Шоттки // Письма в ЖЭТФ, Т. 60, в. 12, c. 849-853 (1994).
А15. Котельников И.Н., Шульман А.Я., Варванин Н.А., Ганичев С.Д., Майерхофер Б., Преттл В., Фоторезистивный эффект в туннельных переходах дельта-легированный GaAs/металл // Письма в ЖЭТФ, Т. 62, в. 1, с. 48-53 (1995).
А16. Kotel´nikov I.N., Shul´man A.Ya., Mordovets N.A., Ganichev, S.D., Prettl W., Effect of Pulsed FIR Laser Radiation on Tunnel and Channel Resistance of Delta-Doped GaAs // Physics of Low-Dimensional Structures, V. 12, pp. 133-140 (1995).
А17. Kotel´nikov I.N., Shul´man A.Ya., Mordovets N.A., Ganichev S.D., Mayerhofer B., Prettl W., Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs // Proceedings of Int. Semic. Dev. Res. Symp. (ISDRS-95), Charlottesville, USA., 1995, V. 1, pp. 99-102.
А18. Kotel´nikov I.N., Shul´man A.Ya., Ganichev S.D., Varvanin N.A., Mayerhofer B., Prettl W., Heating of Two-Dimensional Electron Gas and LO Phonons in Delta-Doped GaAs by Far-Infrared Radiation // Sol. State Comm., V. 97, No. 10, pp. 827-832 (1996).
А19. Ganichev S.D., Kotel´nikov I.N., Shul´man A.Ya., Mordovets N.A., Prettl W., Response of tunnel Schottky-barrier junctions to radiation pressure of FIR laser radiation // Int. Journal of IR and MM Waves, V. 17, No. 8, pp. 1353-1364 (1996).
А20. Shul´man A.Ya., Kotel´nikov I.N., Magnetoresistance and Zero-Bias Anomaly in Tunnel Schottky-Barrier Junctions at Quantizing Magnetic Fields // Proc. of 12th Int. Conf. on High Magnetic Fields in Semiconductors, WeP-76, Aug. 1996, Wurzburg, Germany, High Magnetic Field in the Physics of Semiconductors II, World Scientific Publ., Singapore, 1997, pp. 461-464.
А21. Shul´man A.Ya., Kotel´nikov I.N., Ganichev S.D., Dizhur E.M., Zepezauer E., Prettl W., Effect of electron heating and radiation pressure on tunneling across Schottky barrier due to giant near field of FIR laser radiation // Physica B, V. 272, pp. 442-447 (1999).
А22. Kotel´nikov I.N., Volkov V.A., Intersubband resonant polaron in near- surface delta-doped GaAs // Proc. of 7th Intern. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", TP-07p, St.Petersburg, Russia, June 14-18, 1999, pp. 272-275.
А23. Shul´man A.Ya., Kotel´nikov I.N., Ganichev S.D., Dizhur E.M., Prettl W., Ormont A.B., Fedorov Yu.V., Zepezauer E., Near-Zone Field Effect of FIR Laser Radiation on Tunnel Current through the Schottky Barrier under Plasma Reflection Condition // Physica Status Solidi (a), V.175, pp. 289-296 (1999).
А24. Котельников И.Н., Кокин В.А., Федоров Ю.В., Гук А.В., Талбаев Д.Т., Межподзонные резонансные поляроны в туннельных переходах Al/delta-GaAs // Письма в ЖЭТФ, Т. 71, в. 9, с. 564-569 (2000).
А25. Котельников И.Н., Дижур С.Е., Туннельная спектроскопия 2D подзон дельта-слоя в режиме замороженной туннельной фотопроводимости // Материалы совещания "Нанофотоника", Нижний Новгород 26-29 марта 2001 г., Институт физики микроструктур РАН, с. 236-239.
А26. Котельников И.Н., Дижур С.Е., Межподзонный резонансный полярон в приповерхностном дельта-легированном слое GaAs // Материалы совещания "Нанофотоника", Нижний Новгород 26-29 марта 2001 г., Институт физики микроструктур РАН, с. 159-162.
А27. Шульман А.Я., Котельников И.Н., Варванин Н.А., Миргородская Е.Н., Туннельная спектроскопия обменно-корреляционного взаимодействия электронов в барьере Шоттки в квантующем магнитном поле: переходы n-GaAs/Me // Письма в ЖЭТФ, Т. 73, вып.9-10, с.643-648 (2001).
А28. Kotel´nikov I.N., Dizhur S.E., Persistent 2D states of -layer quantum well and resonant polaron in -GaAs/Al structures // Proceedings of 9th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 17-22, 2001, pp.286-289.
А29. Dizhur E.M., Shulman A.Ya., Kotelnikov I.N., Voronovsky A.N., Pressure dependence of the barrier height in tunnel n-GaAs/Au junctions // Phys. stat. sol. (b), V. 223, pp. 129-137 (2001).
А30. Dizhur S.E., Kotel´nikov I.N., Kokin V.A., Shtrom F.V., 2D-subband spectra variations under persistent tunnelling photoconductivity condition in tunnel delta-GaAs/Al structures // Physics of Low-Dimensional Structures, V 11/12, pp. 233-244 (2001).
А31. Kotel´nikov I.N., Dizhur S.E., Shtrom F.V., Many-body lines in tunneling spectra of Al/-GaAs junctions near resonant polaron threshold // Proceedings of 10th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 17-21, 2002, pp.323-326.
А32. Dizhur E.M., Voronovsky A.N., Kotelnikov I.N., Dizhur S.E., Feiginov M.N., Experimental study of pressure influence on tunnel transport into 2DEG // Phys. Stat. Sol. (b), V. 235, No 2, pp. 531-535 (2003).
А33. Kotel´nikov I.N., Dizhur E.M., Voronovsky A.N., Dizhur S.E., Kokin V.A. Feiginov M.N., Tunneling spectroscopy of near-surface delta-layer in GaAs at high pressure // Proceedings of the 11th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, June 23-28, 2003, pp.117-118.
А34. Kotel´nikov I.N., Dizhur S.E., Polaron singularities in tunnelling spectra of high density 2D electron system in delta-layer // Proceedings of 12th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, pp. 366-367.
А35. Дижур Е.М., Вороновский А.Н., Федоров А.В., Котельников И.Н., Дижур С.Е., Переход приповерхностного -слоя туннельной структуры Al/(Si)-GaAs в диэлектрическое состояние под давлением // Письма в ЖЭТФ, Т. 80, № 6, с. 489-492 (2004).
А36. Котельников И.Н., Дижур С.Е., Рассеяние с участием LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему дельта-слоя // Письма в ЖЭТФ, Т. 81, Вып. 9, с. 574-577 (2005).
А37. Kotel´nikov I.N., Dizhur S.E., Mordovets N.A., Decrease of tunnelling conductance near LO-phonon emission threshold in Al/delta-GaAs junctions // Proceedings of 13th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 20-25, 2005, pp.171-172.
А38. Dizhur E.M., Voronovsky A.N., Fedorov A.V., Kotel´nikov I.N., Dizhur S.E., Pressure Induced Transition of 2DEG in -doped GaAs to Insulating State // Proceedings of 13th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 20-25, 2005, pp. 409-410.
А39. Дижур С.Е., Котельников И.Н., Дижур Е.М., Отражение электронов при туннелировании и межподзонный резонансный полярон в двумерной электронной системе дельта-слоя в GaAs // Радиотехника и электроника, Т. 51, №5, с. 625-632 (2006).
А40. Котельников И.Н., Дижур С.Е., Фейгинов М.Е., Мордовец Н.М., Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/delta-GaAs // ФТП, Т..40, Вып.7, с. 839-845 (2006).
А41. Kotel´nikov I.N., Dizhur E.M., Voronovsky A.N., Dizhur S.E., Tunnel density of states at the Fermi level in the two-dimensional electron system of the delta-doped layer in GaAs // Proceedings of 14th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 26-30, 2006, pp. 352-353.
А42. Kotel´nikov I.N., Dizhur E.M., Voronovsky A.N., Dizhur S.E., Tunnel density of states at the Fermi level in the two-dimensional electron system // Abstracts of International Conference of the Physics of Semiconductors, July 24-28, 2006, Vienna, Austria, WeA2h.4, p.185.