- Использование эффектов низкоэнергетического (до 5 кэВ) ионного воздействия на поверхность в процессе вакуумного ионно-плазменного формирования и травления тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков и гетерокомпозиций на их основе (индуцированные токи, эмиссия электронов, распыление и активирование гетерогенных реакций) позволяет с высокой эффективностью управлять их химическим и фазовым составами, атомной структурой и электрофизическими свойствами.
- Регистрация ионно-индуцированного тока в тонкопленочных гетерокомпо-зициях в процессе их ионно-плазменной обработки обеспечивает возможность использования его в качестве информационного сигнала для эффективного управления процессами очистки поверхности, определения продолжительности и окончания травления и нанесения тонких пленок.
- Вторичная электронная эмиссия в процессе ионно-лучевой обработки поверхности слоистых материалов позволяет не только фиксировать все стадии процесса: очистка, момент окончания травления, включая переход травления от одного слоя к другому, но и изменение химического состава приповерхностной области при практически любой толщине слоев, применяемых в микро- и наноэлектронике.
- Применение адаптивно-управляемых процессов на основе интеллектуальных систем управления позволяет обеспечить одновременный контроль нескольких технологических параметров, повысить разрешающую способность методов контроля, производительность, точность, быстродействие вакуумного ионно-плазменного оборудования.
- Разработанные методики регистрации ионно-индуцированного тока и электронной эмиссии позволяют с высокой точностью определять момент окончания процессов ионно-плазменной обработки тонкопленочных гете-рокомпозиций.
- Разработанные элементы и устройства технологического вакуумного оборудования с непрерывным контролем состояния обрабатываемой поверхности позволяют реализовать адаптивно-управляемые ионно-плазменные процессы нанесения и травления микро- и наноразмерных гетерокомпози-ций из металлов, полупроводников и диэлектриков с повышенной эффективностью.
2.Симакин С.Б. Контроль процессов очистки поверхностей металлов и полу¬проводников / С.Б. Симакин, В.И. Петров // Электронная техника. Сер. 7. -1986. - Вып.3 (136). - С. 52-55.
3.Симакин С.Б. Исследование электропроводности диэлектриков при ионно-плазменной обработке /С.Б. Симакин, В.И. Петров, Г.Ф. Ивановский // Электроника - М.: ЦНИИ «Электроника». Сер. 3.-1984. - Вып.2(201). - С. 97.
4.Симакин С.Б. Контролируемое травление направленным потоком ионов пленок Та, Мо и С при формировании топологии ИС / С.Б. Симакин, В.И. Петров, О.Г. Ломакина, Е.Д. Пожидаев // Электронная техника. Сер. 7. - 1986.- Вып.3 (136). - С. 42-44.
5.Симакин С.Б. Контроль чистоты поверхностей металлов и полупроводников при ионной обработке / С.Б. Симакин, В.И. Петров// Тез.докл. V отраслевая научно-техническая конференции «Тонкие пленки в производстве ПП и ИС» - Нальчик, 1983. - С. 179.
6.Симакин С.Б. Блок контроля процесса ионно-плазменного нанесения пле¬нок металлов и диэлектриков / С. Б. Симакин, В. И. Петров, В. В. Панюшин, В.А.Скворцов //Электроника - М.: ЦНИИ «Электроника». Сер. 7. - 1986. - Вып.1 (233). - С.28.
7.Симакин С.Б. Управление ионно-плазменными процессами при формиро¬вании топологии / С. Б. Симакин, В. И. Петров, Г. Ф. Ивановский // Электро¬ника - М.: ЦНИИ «Электроника». Сер. 7. - 1986. - Вып.2 (234). - С. 33-34.
8.А.С.1364151 СССР Способ определения толщины пленки диэлектрика / С.Б. Симакин, В.И. Петров, Г.Ф. Ивановский (СССР) №1364151/ заяв.от 04.11.87, опубл. в БИ.- 1987. - №47.
9.Симакин С.Б. Установка нанесения пленочных структур ЦМД СБИС ион¬ным распылением /Г.Ф. Ивановский, С.Б. Симакин, В.И. Петров, А.А. Ка¬занский, Н.С. Перов // Электроника - М.: ЦНИИ «Электроника». Сер. 3. - 1987.- Вып.4 (233). - С.79.
10.Симакин С.Б. Управление процессами ионно-лучевого травления пленок металлов/ С.Б. Симакин, В.И. Петров, Н.С. Перов //Электроника - М.: ЦНИИ «Электроника». Сер. 3. - 1987. - Вып.5 (234) . - С. 306.
11.Симакин С.Б. и др. Блок выделения информативного сигнала / С.Б. Сима-кин, В. А. Скворцов, В. И. Петров // В кн.: Физические основы и новые на¬правления плазменной технологии в микроэлектронике. - М: Физика, 1987. - С. 245-249.
12.Симакин С.Б. и др. Микропроцессорный блок контроля процессов ионно-лучевого травления / С. Б. Симакин, М. К. Виноградов, Г.Ф. Ивановский, В.И. Петров // В кн.: Физические основы и новые направления плазменной технологии в микроэлектронике. - М: Физика,1987. - С. 228 -234.
13.Симакин С.Б. и др. Устройства ионно-лучевого нанесения пленок на под¬ложки различных размеров/ С.Б. Симакин, Г.Ф. Ивановский, В.И. Петров, В.И. Фролов // В кн.: Физические основы и новые направления плазменной технологии в микроэлектронике. - М: Физика,1987. - С. 178 -181.
14.Симакин С.Б. Многопучковая установка синтеза пленок сложного состава ионным распылением / С.Б. Симакин, Г.Ф. Ивановский, В.И. Петров, С.В. Панин // Электронная промышленность. - 1989. - №11. - С. 23-24.
15.Симакин С.Б. Микропроцессорная система контроля ионного травления функциональных слоев СБИС/ С. Б. Симакин, М. К. Виноградов, Г.Ф. Ива¬новский, В.И. Петров // Электронная промышленность. - 1989. - №11. - С. 22-23.
16.Симакин С.Б. Автоматическая установка нанесения пленочных структур ионным распылением / С.Б. Симакин, Г.Ф. Ивановский, В.И. Петров, А.А. Казанский // Электронная промышленность. - 1990. - №4. - С. 6-7.
17.Симакин С.Б. Устройство ионно-лучевого нанесения пленок / С.Б. Сима-кин, Г. Ф. Ивановский, В. И. Петров, С. В. Панин, В. И. Фролов // Электрон¬ная промышленность. - 1990. - №4. - С. 13-14.
18.А. С.1501898 СССР Устройство для контроля процессов ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого травления / С.Б. Симакин, В.А. Скворцов, В.И. Петров, Г.Ф. Ивановский (СССР) / № 1501898 заяв. 12.06.87, опубл. в БИ. - 1989. - №30.
19.А.С.1551232 СССР Устройство для ионного травления / С.Б. Симакин, М.К. Виноградов, В .А. Скворцов (СССР) / № 1551232 СССР заяв. 23.09.88, опубл. в БИ.- 1990. - №10.
20.А.С.1531764 СССР Способ управления процессом ионной очистки поверх¬ностей полупроводников и металлов/ С.Б. Симакин, В.А. Скворцов (СССР) / № 1531764 СССР заяв. 09.03.88, опубл. в БИ. - 1989. - № 47.
21.Симакин С.Б.Установка двустороннего формирования многослойных пле¬ночных структур жестких магнитных дисков/ Г. Ф. Ивановский, В. И. Петров, С.Б. Симакин, С.В. Панин, В.И. Фролов // Тез. докл.. 7-ой отраслевой кон¬ференции «Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем» - Махачкала, 1990. - С. 139.
22.Симакин С.Б. Повышение воспроизводимости процессов формирования пленок ионно-лучевым распылением / С. Б. Симакин, // Тез. докл. 7-ой от¬раслевая конференция «Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем»: - Махачкала, 1990. - С. 177.
23.А.С. 1251574 СССР Способ управления процессами ионного травления ди-электрических пленок / С.Б.Симакин, В.И.Петров, Г.Ф.Ивановский (СССР)/ №1251574 заяв.23.06.91, опубл. в БИ - 1992.- №48
24.А.С.1400465 Устройство для контроля процессов ионно-лучевого травления /С.Б. Симакин, В.И. Петров, Г.Ф. Ивановский, В.А. Скворцов / №1400465 заяв.12.02.91, опубл. в БИ -1992. - № 2
26.А.С.1407385 Устройство для контроля процессов ионно-лучевого травления пленок металлов на металлах/ С.Б. Симакин, В.И. Петров/№ 1407385 заяв. 28.10.91, опубл. в БИ - 1992 . - №24
27.Симакин С.Б. Вакуумные технологии для нефтегазовой промышленности / С.Б.Симакин, И.А. Рябов, О.К. Курбатов, В.Т. Гринченко, В.Т. Кузьмина // Тез. докл.1 - ого Межд. Конгр. «Новые высокие технологии для нефте¬газовой промышленности и энергетики будущего» - Тюмень, 1996. - С. 136
28.СимакинС.Б. Повышение эффективности излучения многоцветных свето-диодов для электротехнических устройств / С.Б. Симакин, В.П. Сушков, Г.Д. Кузнецов, С.П. Курочка, В.И.Делян // Тез. докл. 5-й Межд. конф. «Электромеханика, электротехнологии и электроматериаловедение» -
Алушта, 2003. - С. 45-48.
29.Симакин С.Б. Электронно-эмиссионный контроль процесса ионно-лучевого травления слоистых покрытий/ С. Б. Симакин, В. П. Сушков, Г.Д. Кузнецов, С.П.Курочка, В.И.Делян // Тез. докл. 5-й Межд. конф. «Электромеханика, электротехнологии и электроматериаловедение» - Алушта, 2003. - С. 32-34.
30.Кузнецов Г.Д. Состояние и проблемы ионно-плазменного травления нитридов элементов третьей группы / Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, В.П. Сушков, А.Р. Кушхов, А.И. Делян // Изв. ВУЗов. Материалы электрон¬ной техники. - 2003. - № 4. - С. 126.
31.Симакин С.Б. Геттерирование примесей в кремнии для СВЧ-техники / Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, А.В. Еремеев., Г.П. Фурманов, С.П. Курочка // Тез. докл. 3-й Межд. конф. по материаловедению и физико-химическим ос¬новам технологий получения легированных кристаллов кремния и прибор¬ных структур на их основе - Москва, 2003. - С. 156.
32.Симакин С.Б. Моделирование кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности полупроводников и металлов/ Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, А. И. Делян, А. А. Сергиенко // Тез. докл. 3-й Межд. конф. по материалове¬дению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе - Москва, 2003. - С.124.
33.Симакин С.Б. Технология и оборудование для травления и напыления пленок ионным распылением в вакууме / Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, С.П. Курочка, Ю.Г. Полистанский // Тез. докл. 3-й Межд. науч. конф. «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» - Кисловодск, 2003. - С. 69.
34.Симакин С.Б. Моделирование кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности полупроводников и металлов / Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, Н.М. Кислов, А.А. Сергиенко, А.И. Делян.// Тез.докл. 3-й Межд. науч. конф. «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» - Кисло¬водск, 2003. - С. 34.
35.Симакин С.Б. Признаки самоорганизации на поверхности роста пленок на основе кремния с неупорядоченной структурой / Г.Д. Кузнецов, С.Б. Сима¬кин, В.А. Филиков, Р.Ш. Тешев, В.А. Лигачев // Тез. докл. 3-й Межд. науч. конф. «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» -Кисловодск, 2003. - С.56.
36.Симакин С.Б. Ионно - стимулированное плазмохимическое травление GaAs и InP/ Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, В.П. Сушков, А.Р. Кушхов, В.И. Делян // Тез. докл. 4-й Межд. науч. конф. «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» - Кисловодск, 2004. - С.82
37.Симакин С.Б. Использование ионно-электронной эмиссии для контроля процесса травления многослойных термоэлементов/ С.Б.Симакин, Г.Д.Кузнецов, Ю.Г.Полистанский, И.В.Лобачев, Н.М.Кислов, А.А. Сергиен-ко // Тез.докл. 2-й Межд. конф. «Термоэлектрики» - С.- Петербург, 2004. - С. 35.
38.Симакин С.Б. К модели выхода вторичных электронов из металлов и полупроводников при ионной обработке поверхности / С.Б. Симакин, Н.М. Кислов, Г.Д. Кузнецов, А.А. Сергиенко // Материалы электронной техники. - 2004. - №4. - С. 63-67.
39.Симакин С.Б. К модели выхода вторичных электронов из металлов при ионной обработке поверхности / Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, Н.М. Кислов, А.А. Сергиенко // Материалы электронной техники. - 2004.- №4. - С. 63-67.
40.Симакин С.Б. Адантивное управление технологическими процессами ионно-лучевого травления / С.Б. Симакин, Г.Д. Кузнецов, А.А. Сергиенко, В.Н. Пилишкин // Тез. докл. 2-ого Межд. симпозиум «Нанотехнология» - Прага, 2005.- С. 135.
41.Симакин С.Б. Низкоэнергетическое ионное стимулирование процессов формирования тонкопленочных кремнийсодержащих материалов и многослойных структур на их основе/ Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин // Изв. вузов. Материалы электронной техники. - 2005. - №4. - С. 22-31.
42.Симакин С.Б.Особенности структурных превращений и диффузионных процессов в перекристаллизующихся пленках аморфного гидрогенези-рованного кремния / С.Б.Симакин, В.А.Филипов, Г.Д.Кузнецов, Ю.В. Осипов // Вестник МЭИ. - 2006. - №2. - С.57-66.
43.Симакин С.Б. Закономерности изменения ионно-индуцированных то¬ков в тонкопленочных гетерокомпозициях при ионно-лучевом травле¬нии/ Г.Д.Кузнецов, С.Б.Симакин, В.А.Филипов, А.А. Сергиенко // Вестник МЭИ. - 2006. - №4. - С. 50-55.
44.Симакин С.Б. Получение пленок твердых растворов (SiC)1-x (AlN) 1-x ионным распылением /С.Б. Симакин, Г.К. Сафаралиев, Г.Д. Кузнецов, Б.А. Билалов, М.А. Курбанов // Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники. - 2006. - № 1 .- С. 48-52.
45.Симакин С.Б. Возможности ионного распыления для получения пленок твердых растворов на основе карбида кремния / С.Б. Симакин, Б.А. Билалов, Г. Д. Кузнецов, Г.К. Сафаралиев // Тез. докл. 4-ого Российско-японский се¬минар «Перспективные технологии и оборудование для материаловедения, микро- и наноэлектроники» - Астрахань: АГУ, 2006. - С.285-290.
46.Симакин С.Б. Рассеяние потока низкоэнергетических электронов поверхностью многокомпонентных кремнийсодежращих мишеней / Г.Д.Кузнецов, С.Б.Симакин, Б.А.Билалов, Д.Н.Демченкова // Тез. докл. 4-й Межд. Науч конф. «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» - Кисловодск, 2006.- С.45.
47.Симакин С.Б. Способ поддержания и управления стабильностью давления в вакуумной технологической камере в процессе ионно-плазменной обработки материалов электронной техники с повышенной эффективностью/ Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, А. А. Сергиенко // Свидетельство о регистрации НОУ ХАУ. Депозитарий МИСиС №204-219-2006 ОЦС от 17.01.2006.
46. Симакин С.Б. Устройство для повышения точности регистрации мо¬мента окончания процесса ионного травления тонкопленочных гете-рокомпозиций / Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, Е.А. Митрофанов // Ва¬куумная техника и технология.- 2007. - Т.17. - №3. - С.219-224.
48.Симакин С.Б. Неразрушающие методы контроля ионно-плазменных процессов осаждения и травления микро- и наноразмерных гетерокоипозиций/ С.Б.Симакин, Г.Б.Кузнецов // Тез. докл. 3-й Межд. научно-техническая конф. «Вакуумная техника, материалы и технология» - Москва, 2008. - С. 119-120.
49.Симакин С.Б. Особенности структурных, фазовых и морфологических изменений в поверхностных слоях материалов электронной техники при низкоэнергетических внешних воздействиях / Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, Д.Н. Демченкова, Б.А. Билалов // Вакуумная техника и технология. - 2008 - Т.18. - №1. - С. 17-22.
50.Симакин С.Б. Неразрушающие методы контроля в процессах ионно-плазменной обработки / С.Б.Симакин // Тез. докл. 18-й Межд. научно-техническая конф. « Неразрушающий контроль и техническая диагности¬ка» - Н. Новгород, 2008. - С. 234.
51.Симакин С . Б. Пленки с регулируемыми оптическими и электрофизи¬ческими параметрами / И.С.Борисов, Ю.А.Концевой, Е.А.Митрофанов, С.Б.Симакин // Электронная техника. Сер. 2. - 2008.- Вып. 1 (220). - С.33-37.
52.Симакин С.Б.Микро- и нанотехнологии пленочных гетерокомпозиций/ Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, Д.Н. Демченкова: Курс. лекций. - М.: Изд.Дом МИСиС - 2008.