- Диэлектрический отклик сегнетоэлектрических пленочных структур на основе S112P2S6, PZT и P(VDF-TrFE) свидетельствует о существовании двух участков дисперсии. Низкочастотная дисперсия диэлектрической проницаемости (до 104 Гц) обусловлена проводимостью, носящей прыжковый характер. В высокочастотном диапазоне (до 109 Гц) дисперсия связана с наличием барьеров типа Шоттки в приповерхностных интерфейсных областях.
- Пироэлектрический отклик тонкопленочных сегнетоэлектриков определяется вкладом как тепловых характеристик составляющих гетероструктуры, так и механических, определяющих деформации (сопровождающие нагрев пленки при пироэффекте) в системе сегнетоэлектрическая пленка-подложка.
- Нестационарный фототок короткого замыкания в пленках Sn2P2S6 связан с наличием локальных внутренних электрических полей в приповерхностных слоях и оптической перезарядкой локальных уровней. Наличие спонтанной поляризации вызывает аномалии НФТКЗ в области фазового перехода.
- Разделение вкладов пироэлектрической и фотовольтаической составляющих суммарного электрического отклика, наблюдаемого при воздействии модулированного светового потока на сегнетоэлектрические пленочные гетероструктуры, можно реализовать путем варьирования интенсивности постоянной подсветки или фокусировкой модулированного потока излучения.
- Процесс старения в самополяризованных пленках PZT вызывает изменение механизма стационарного фотовольтаического эффекта из объемного аномального в барьерный, на величину которого в незначительной степени влияет остаточная поляризация. Появление изменяющегося во времени фотовольтаического отклика после воздействия внешнего постоянного электрического поля вызвано релаксацией объемного заряда, обусловленного неравновесными носителями, экранирующими внешнее поле.
- Электронная эмиссия из сегнетоэлектрических катодов на основе тонких пленок PZT, которые рассматриваются в качестве функциональных элементов тепловизоров, при возбуждении переменными электрическими полями с амплитудой, близкой к значению коэрцитивного поля, существенно увеличивается за счет движения 90° доменных границ.
- Фазовый переход из параэлектрической в сегнетоэлектрическую фазы в пленках P(VDF-TrFE) и матрицах композитов на его основе носит релаксорный характер, который обусловлен конкуренцией двух механизмов молекулярной динамики: флуктуациями поляризации, которая перпендикулярна полимерной цепочке, и большими флуктуациями дипольных моментов вдоль полимерной цепочки благодаря колебательному движению TGTG звеньев полимерной цепочки и ее вращению независимо от соседних цепочек.
- В неоднородных средах, содержащих как пироэлектрически активные, так и приповерхностные пассивные слои (включения), электрический отклик на воздействие теплового потока, модулированного импульсами прямоугольной формы, характеризуется наличием начального выброса тока, вызванного тепловыми деформациями пассивного слоя (включений), механически связанного с пьезоэлектрически активными элементами структуры.
- Воздействие внешнего переменного переполяризующего электрического поля на исходные образцы релаксорных материалов SBN, PMN, PMN-PT и PLZT, не обладающих естественной униполярностью, приводит к формированию области со встречной поляризацией типа «голова-к-голове», локализованной в приповерхностном слое образцов.
- Размытие максимумов температурных зависимостей пироэлектрического коэффициента кристаллов ДТГС при наличии стационарного градиента температуры, их смещение в область более низких температур и уменьшение максимального значения пирокоэффициента вызвано неоднородным распределением поляризации. Переменный температурный градиент увеличивает максимальное значение пироэлектрического коэффициента кристалла ДТГС за счет вклада третичного пироэффекта, обусловленного неоднородностью пьезоэлектрических характеристик в объеме образца.
2.Богомолов А.А., Малышкина О.В., Солнышкин А.В., Раевский И.П., Проценко Н.П., Санджиев Д.Н. Температурная зависимость пиро- и фотоэлектрического отклика в пленках Sn2P2S6 // Изв. РАН. Сер.физ. 1997. Т. 61. № 3. С. 375 – 378.
3.Bogomolov A.A., Malyshkina O.V., Solnyshkin A.V. Effect of temperature gradient on the surface domain structure in DTGS crystals // Ferroelectrics. 1997. V. 191. P. 313 – 317.
4.Bogomolov A.A., Malyshkina O.V., Solnyshkin A.V., Raevsky I.P., Protzenko N.P., Sanjiev D.N. Pyroresponse of Sn2P2S6 films on aluminum substrate // Journal of the Korean Physical Society. 1998. V. 32. P. S251 – S252.
5.Bogomolov A.A., Malyshkina O.V., Solnyshkin A.V. Pyroelectric effect in DTGS crystals under stationary temperature gradient // Journal of the Korean Physical Society. 1998. V. 32. P. S219 – S220.
6.Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Sergeeva O.N., Ershov S.V., Major M.M. Polarization distribution in ferroelectric-semiconductor Sn2P2S6 in the phase transition region // Ferroelectrics. 1998. V. 214. P. 125 – 129.
7.Bogomolov A.A., Malyshkina O.V., Solnyshkin A.V., Raevsky I.P., Protzenko N.P., Sandjiev D.N. Characteristic behaviour of non-stationary shorted photocurrent in Sn2P2S6 films in the phase transition region // Ferroelectrics. 1998. V. 214. P. 131 – 135.
8.Солнышкин А.В. Вклад третичного пироэлектрического эффекта в пироотклик кристаллов группы ТГС в районе фазового перехода // Изв. РАН. Сер. физ. 2003. Т. 67. № 8. С. 1185 – 1187.
9.Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Lazarev A.Yu. Distribution of polarization in PLZT relaxor ceramics // Ferroelectrics. 2004. V. 299. P. 179 – 184.
10.Suchaneck G., Solnyshkin A.V., Suchaneck A., Gerlach G. Polarization profiling of metal-ferroelectric-semiconductor structures by LIMM // Journal of the European Ceramic Society. 2005. V. 25. P. 2369 – 2372.
11.Suchaneck G., Solnyshkin A.V., Kiselev D.A., Bogomolov A.A., Gerlach G. The LIMM problem for ferroelectric thin films comprising space charge layers // Journal of the European Ceramic Society. 2005. V. 25. P. 2363 – 2368.
12.Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V. Polarization Distribution in DTGS Crystals under Nonequilibrium Thermal Conditions // Crystallography Reports. 2005. V. 50. Supp l. P. 53 – 57.
13.Богомолов А.А., Солнышкин А.В., Киселев Д.А., Герхард-Мултхаупт Р., Раевский И.П., Проценко Н.П., Санджиев Д.Н. Диэлектрические свойства пленок сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2P2S6, подвергнутых старению //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006. № 1. С. 21 – 25.
14.Богомолов А.А., Солнышкин А.В., Киселев Д.А., Раевский И.П., Проценко Н.П., Санджиев Д.Н. Особенности нестационарного фототока короткого замыкания в пленках сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2P2S6 // ФТТ. 2006. Т. 48. № 6. С. 1121 – 1122.
15.Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Kiselev D.A., Raevsky I.P., Protzenko N.P., Sandjiev D.N. Nonstationary photocurrent and pyroelectric response in aged Sn2P2S6 films // Journal of the European Ceramic Society. 2007. V.27. N 13. P. 3835 – 3838.
16.Solnyshkin A.V., Suchaneck G., Kislova I.L., Gerlach G. Modeling of a Pyroelectric Thin Film IR Imager // Ferroelectrics. 2007. V. 353. Р.225 – 232.
17.Suchaneck G., Vidyarthi V.S., Gerlach G., Solnyshkin A.V., Kislova I.L. Electron emission from ferroelectric thin films enhanced by the presence of 90° ferroelectric domains // IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control. 2007. V. 54. N 12. P. 2555 – 2561.
18.Солнышкин А.В., Wegener M., Kьnstler W., Gerhard-Multhaupt R. Аномалии диэлектрических свойств пленок сополимера P(VDF-TrFE) // ФТТ. 2008. Т. 50. № 3. С. 542 – 546.
19.Богомолов А.А., Солнышкин А.В., Лазарев А.Ю., Киселев Д.А., Холкин А.Л. Инициирование поляризованного состояния в релаксорной керамике ЦТСЛ-10 // Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники. 2008. № 2. С. 57 – 60.
20.Богомолов А.А., Солнышкин А.В., Киселев Д.А., Раевский И.П., Проценко Н.П., Санджиев Д.Н.. Температурное поведение фотовольтаического и пироэлектрического отклика пленок сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2P2S6 // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008. № 6. С. 98 – 104.
21.Солнышкин А.В., Киселев Д.А., Богомолов А.А., Холкин А.Л., Kьnstler W., Gerhard R. Исследование сегнетоэлектрических пленок сополимера P(VDF-TrFE) и композитов на его основе методом атомной силовой микроскопии // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008. № 9. С. 18 – 21.
22.Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Lazarev A.Yu., Kiselev D.A., Kholkin A.L. Polarization of surface layers in PLZT relaxor ceramics // Ferroelectrics. 2008. V. 374. P. 144 – 149.
23.Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Lazarev A.Yu., Salobutin V.Yu, Ivleva L.I. Anomalies of pyroelectric hysteresis loops in relaxor ferroelectric SBN // Ferroelectrics. 2008. V. 374. P. 128 – 135.
24.Solnyshkin A.V., Troshkin A.S., Bogomolov A.A., Raevski I.P., Sandjiev D.N., Shonov V.Yu. Current-Voltage Characteristics and Photostimulated Conductivity in Ferroelectric Heterogeneous Structure Al/Sn2P2S6/Al // Integrated Ferroelectrics. 2009. V. 106. P. 61 – 69.
25.Solnyshkin A.V., Kislova I.L. Analysis of the Relaxor-Like Behavior in a Ferroelectric Copolymer P(VDF-TrFE) // Ferroelectrics. 2010. V. 398. P. 77 – 84.
26.Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Troshkin A.S., Raevsky I.P., Sandjiev D.N., Shonov V.Yu. Effect of Polarization State on Photovoltaic Properties of Ferroelectric Semiconductor Sn2P2S6 Films // Ferroelectrics. 2010. V. 399. P. 76 – 82.
27.Солнышкин А.В., Морсаков И.М., Канарейкин А.Г., Богомолов А.А. Пироэлектрический эффект в композитах на основе сополимера P(VDF-TrFE) и сегнетоэлектрической керамики ЦТБС // Изв. РАН. Сер. физ. 2010. Т. 74. № 9. С. 1343 – 1346.
28.Богомолов А.А., Солнышкин А.В., Шилов М.В., Суханек Г. Фотовольтаический и пироэлектрический эффекты в самополяризованных сегнетоэлектрических пленках PZT(25/75) // Изв. РАН. Сер. физ. 2010. Т. 74. № 9. С. 1363 – 1366.
29.Богомолов А.А., Солнышкин А.В., Киселев Д.А., Раевский И.П., Санджиев Д.Н., Шонов В.Ю. Пироэлектрический отклик и нестационарный фототок короткого замыкания в пленках сегнетоэлектрика–полупроводника Sn2P2S6 // Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники. 2010. № 2. С. 13 – 17.
30.Богомолов А.А., Солнышкин А.В., Калгин А.В., Горшков А.Г., Гриднев С.А. Пироэлектрический эффект в магнитоэлектрических композитах 0.8 PZT–0.2 MZF и 0.8 PZT–0.2 NZF // Изв. РАН. Сер. физ. 2011. Т. 75. № 10. С. 1452 – 1455.
31.Шилов М.В., Богомолов А.А., Солнышкин А.В. Релаксация фотоэлектрического и фотовольтаического откликов тонкопленочного сегнетоэлектрика Pb(Zr0.25,Ti0.75)O3 // Изв. РАН. Сер. физ. 2011. Т. 75. № 10. С. 1488 – 1490.
32.Каменщиков М.В., Солнышкин А.В., Богомолов А.А., Пронин И.П. Проводимость и вольт-амперные характеристики тонкопленочных гетероструктур на основе ЦТС // ФТТ. 2011. Т. 53, № 10. С. 1975 – 1979.