RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17317 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Барбащов Вячеслав Михайлович

Научная тема: « МЕТОДЫ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПОВЕДЕНИЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПРИ РАДИАЦИОННЫХ И ЭЛКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ НА ОСНОВЕ АППАРАТА НЕЧЕТКИХ ФУНКЦИЙ »

Научная биография   « Барбащов Вячеслав Михайлович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 05.13.05

Год: 2011

Отрасль науки: Технические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Метод расчетно-экспериментального моделирования радиационного поведения ЭКБ на основе иерархически организованной структуры уровней модельного описания, включающей автомат Брауэра для формирования нечетких логических функций с целью повышения достоверности моделирования радиационной стойкости.
  2. Метод построения функционально-логических моделей радиационного поведения ЭКБ, дающий возможность формализовать задания межуровневых связей (функционально-логического и электрического) и позволяющий учесть особенности радиационного поведения электрических характеристик ЭКБ на функционально-логическом уровне моделирования.
  3. Модели и результаты моделирования радиационного поведения ЭКБ различных типов и сложностей при описании остаточных, переходных радиационных эффектов и эффектов воздействия электромагнитного излучения. Методики расчета КФП, которые определяются раздельно для каждого вида излучения и учитывают характер протекания физических процессов в ЭКБ.
  4. Функционально-логические модели цифровых устройств (автоматы Брауэра), которые отличаются от традиционных, введением дополнительных истинностных переменных - КФП, приводящих к расширению набора базисных операторов. Это позволило перейти к модели, где значения переменных принадлежат непрерывному множеству [0, 1] и обеспечить возможность задания в них в явной форме зависимостей радиационного поведения ЭКБ цифровых устройств от режима работы, конструктивно-технологических, схемотехнических и архитектурных особенностей их реализации.
  5. Новый класс параметров - индексы сравнения, характеризующие радиационную стойкость ЭКБ с позиции их функционально-логического описания.
  6. Алгоритмы расчета КФП логических элементов ЭКБ: при стационарном и импульсном облучении, послерадиационном «отжиге» и алгоритм расчета КФП, отражающих динамические процессы, для обеспечения заданных уровней показателей стойкости полупроводниковой компонентной базы.
  7. Методику определения и уточнения параметров моделей с помощью использования имитационных методов моделирования стационарного, импульсного ИИ и электромагнитного излучения, включающих: анализ работы ЭКБ, основанный на использовании аппарата нечетких функций с целью определения параметрических и функциональных отказов ЭКБ, рекомендации по обеспечению адекватности моделирования с использованием данной методики.
  8. Результаты применения расчетно-экспериментальных методов определения стойкости ЭКБ к воздействию ионизирующих и электромагнитных излучений, подтверждающие обоснованность применения предложенных методов и моделей на широком классе ЭКБ.

Список опубликованных работ

1. Барбашов В.М. Использование метода критериальных функций принадлежности для прогнозирования функциональной безопасности БИС при воздействии радиационных и электромагнитных излучений// Безопасность информационных технологий (БИТ). 2009, Вып. 1, с. 62 – 68.

2. Барбашов В.М. Моделирование информационных сбоев для обеспечения функциональной безопасности электронных систем при воздействии одиночного импульса напряжения// Безопасность информационных технологий (БИТ). 2009, Вып. 3, с. 69 – 75.

3. Барбашов В.М. Нечеткое функциональное моделирование качества функционирования электронных систем при воздействии радиационных факторов// Датчики и системы. 2009, Вып. 9, с. 56 – 61.

4. Барбашов В.М. Методы построения КФП для прогнозирования функциональных отказов БИС при воздействии радиационных и электромагнитных излучений// Микроэлектроника. 2010, том. 39, № 2, с.113 - 125.

5. Аствацатурьян Е.Р., Барбашов В.М., Годовицын В.А., Чумаков А.И. Устройство для контроля плотности потока быстрых нейтронов// Приборы и техника эксперимента (ПТЭ), 1983 вып. 3, с. 31-32.

6. Барбашов В.М., Белянов А.А., Чумаков А.И. Основные механизмы отказов в биполярных микросхемах при остаточных повреждениях// Вопросы атомной науки и техники, Серия 3 «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру», 1987, вып. 1, с. 10-14.

7. Барбашов В.М., Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К. Система контроля электрической прочности функционально сложных интегральных схем// Вопросы атомной науки и техники, Серия 3 «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру».1998, Вып. 3-4, с. 121-130.

8. Барбашов В.М., Трушкин Н.С. Прогнозирование безопасности функционирования микропрограммных БИС в условиях возникновения информационных сбоев// Безопасность информационных технологий (БИТ). 2008, Вып. 2, с. 61-64.

9. Барбашов В.М., Трушкин Н.С. Взаимосвязь вероятностных и порядковых моделей при моделировании функциональной безопасности БИС// Безопасность информационных технологий (БИТ). 2008, Вып. 3, с. 90-95.

10. Барбашов В.М., Трушкин Н.С. Функционально-логическое моделирование качества функционирования ИС при воздействии радиационных и электромагнитных излучений// Микроэлектроника. 2009, том 38, № 1, с. 34-47.

11. Барбашов В.М. Логическое моделирование процессов релаксации в КМДП БИС ОЗУ// В сб. докладов Российской научной конференции «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-98», М.: СПЭЛС-НИИП, 1998, с. 59-60.

12. Барбашов В.М. Оценка качества функционирования БИС при воздействии ионизирующих излучений// В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2001», М.: Паимс, 2001, вып.4, с. 27-28.

13. Барбашов В.М. Использование функционально-логического моделирования для оценки качества функционирования БИС при воздействии ионизирующего излучения// В сб.: Электроника, микро- и наноэлектроника -2001: тез. докл. Всерос. научно-техн. конф., Пушкинские Горы, 25-28 июня 2001 г., с. 181-183.

14. Барбашов В.М. Логическое моделирование информационных сбоев цифровых устройств при воздействии одиночного импульса напряжения// В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2009». М.: Паимс, 2009, вып. 12, с. 49-50.

15. Барбашов В.М. Особенности построения магнитно-транзисторных ОЗУ работающих в полях импульсного высокоинтенсивного ионизирующего излучения// В сб. тез. докладов «Вопросы обеспечения радиационной стойкости ЭРИ, элементов и материалов к воздействию ИИ ЯВ» - М.: ЦНТИ «Поиск», 1986, с. 62-63.

16. Барбашов В.М. Стойкость специализированных блоков памяти на основе магнитных элементов типа «БИАКС» к мощности дозы высокоинтенсивного ионизирующего излучения// В сб. тез. докладов «Вопросы обеспечения радиационной стойкости электрорадиоизделий, элементов и материалов к воздействию ионизирующего излучения ядерного взрыва» - М.: 1987, с. 87-88.

17. Барбашов В.М. Функционально-логическое моделирование информационных повреждений импульсом электрического перенапряжения// В сб. докладов научной сессии «МИФИ-98». ч. 5, «Электроника», М.: МИФИ, 1998, с. 227-229.

18. Барбашов В.М. Моделирование функциональных отказов ИС при воздействии одиночного импульса напряжения// В сб.: Аппликативные вычислительные системы (АВС`2008). М.: НОУ Институт Актуального образования «ЮринфоР-МГУ», 2008, http//jurinfop.exponenta.ru/ACS2008, ABC`2008, с. 220-222.

19. Barbashov V.M., Nikiforov A.Y., Skorobogatov P.K. Electrical Overstress Hardness of Electron Components// Proceedings of the Third Workshop on Electronics for LHC Experiments. London, September 22-26, 1997, pp. 546-549.

20. Барбашов В.М., Скоробогатов П.К. Функционально-логическое моделирование ионизационной реакции в цифровых устройствах// В сб. докладов Российской научной конференции «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-98», М.: СПЭЛС-НИИП, 1998, с. 57-58.

21. Аствацатурьян Е.Р., Архангельский А.Я., Барбашов В.М., Левшин Н.Г., Приходько П.С. Многоуровневая система иерархического моделирования и проектирования ИМС с повышенным качеством и безотказностью// В сб. докладов VII международной конференции по микроэлектроники «Микроэлектроника-90» т. 3 «Моделирование приборов и технологических процессов системы автоматизированного проектирования интегральных схем». Минск, 1990, с. 166.

22. Барбашов В.М., Зайцев В.Л., Чумаков А.И. Особенности появления рекомбинационных свойств разупорядоченных областей на характеристики биполярных полупроводниковых структур// В сб. тез. докладов Всесоюзного совещания-семинара «Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах интегральных схем». -М.: «Радио и связь», 1983, с. 70-71.

23. Барбашов В.М., Пронин С.А., Раткин А.В., Скоробогатов П.К. Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости биполярных цифровых интегральных микросхем// В сб. докладов межотр. совещания «Создание полупроводниковых приборов и интегральных микросхем устойчивых к воздействию внешних факторов не резервируемой РЭА». - М.: ЦНТИ «Поиск», 1984, с. 65-74.

24. Барбашов В.М., Голотюк О.Н., Соколов В.А. Проектирование систем электронно-вычислительной аппаратуры, устойчивых к массовым сбоям// В сб. научных трудов «Электроника в экспериментальной физике»/ Под. ред. Т.М. Агаханяна – М.: «Энергоатомиздат», 1985, 25-28.

25. Барбашов В.М., Ахабаев Б.А., Скоробогатов П.К. Математическая модель электрической релаксации заряда в полупроводниковых структурах ИМС при воздействии лазерного излучения// В сб. докладов II Всесоюзного совещания–семинара «Математическое моделирование и экспериментальные исследования электрической релаксации в элементах интегральных схем», Одесса - М.: 1986, с. 91-92.

26. Аствацатурьян Е.Р., Барбашов В.М., Пронин С.А. Методы повышения радиационной стойкости биполярных цифровых ИМС// В сб. статей «Вопросы создания радиационно-стойких полупроводниковых приборов и ИС» - М.: ЦНТИ «Поиск», 1988, с.16-19.

27. Барбашов В.М., Галкин А.С. Организация энергонезависимого ОЗУ на основе магнитных элементов типа «БИАКС»// В сб. научных трудов «Электроника и автоматизация в научных исследованиях» / Под. ред. В.М. Рыбина - М.: «Энергоатомиздат», 1988, 95-97.

28. Барбашов В.М., Годовицын В.А. Анализ предельных возможностей специальных запоминающих устройств с использованием магнитных элементов типа «БИАКС» при воздействии нейтронного излучения// В сб. тез. докладов «XV Всесоюзное совещание по использованию ИЯР» - М.: 1988, с. 5.

29. Барбашов В.М., Китаев С.С., Раткин А.В. Исследования релаксации заряда в КМДП/КНС БИС ОЗУ// В сб. «Экспериментальные устройства предварительной обработки данных»/ Под. ред. Т.М. Агаханяна – М.: «Энергоатомиздат», 1990, с. 13-17.

30. Аствацатурьян Е.Р., Барбашов В.М., Беляев В.А., Гурарий А.Л. Моделирование остаточных радиационных эффектов в БИС на функционально-логическом уровне// В сб. докладов V межотраслевого семинара «Проблемы создания полупроводниковых приборов, ИС и РЭА на их основе, стойких к ВВФ». – М.: АДС «Радтех-СССР», 1991, с. 30-31.

31. Аствацатурьян Е.Р., Барбашов В.М., Ахабаев Б.А., и др. Лабораторный имитационный комплекс// В сб. докладов V межотраслевого семинара «Проблемы создания полупроводниковых приборов, ИС и РЭА на их основе, стойких к ВВФ». – М.: АДС «Радтех-СССР», 1991, с. 89-90.

32. Аствацатурьян Е.Р., Барбашов В.М. Анализ эффекта отжига в БИС ЗУ на функционально-логическом уровне// В сб. докладов VI межотраслевого семинара «Радиационные процессы в электронике». – М.: 1994, с. 159-161.

33. Аствацатурьян Е.Р., Барбашов В.М., Беляев В.А. и др Система расчетного функционально-логического моделирования радиационных отказов// В сб. докладов VI межотраслевого семинара «Радиационные процессы в электронике». – М.: 1994, с. 161-163.

34. Аствацатурьян Е.Р., Барбашов В.М., Никифоров А.Ю., Поляков И.В., Григорьев Н.Г. Основные механизмы отказов и методы оценки стойкости КМДП/КНС ИС к переходным и дозовым эффектам// Петербургский журнал электроники – Санкт-Петербург, РНИИ «Электронстандарт», 1994, с. 27-36.

35. Барбашов В.М., Никифоров А.Ю., Вавилов В.А. и др. Опыт контроля стойкости КМОП ИС в ходе освоения их производства// В сб. докладов Российской научной конференции «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-98», М.: СПЭЛС-НИИП, 1998, с. 19-20.

36. Барбашов В.М., Попов М.Ю., Скоробогатов П.К. Система параметров для оценки стойкости современных ИС к воздействию импульсов электрического перенапряжения// В сб. докладов научной сессии «МИФИ-98». ч. 5, «Электроника», М.: МИФИ, 1998, с. 229-231.

37. Барбашов В.М., Скоробогатов П.К. Система контроля стойкости сложных ИС к импульсным электрическим перенапряжениям// В сб. докладов Российской научной конференции «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-98», М.: СПЭЛС-НИИП, 1998, с. 91-92.

38. Барбашов В.М., Скоробогатов П.К. Особенности функционально-логического моделирования переходных ионизационных эффектов в цифровых больших ИС// В сб. докладов научной сессии «МИФИ-1999». том 6, М.: МИФИ, 1999, с. 130-131.

39. Барбашов В.М., Малюдин С.А., Скоробогатов П.К. Аддитивные эффекты воздействия одиночных импульсов напряжения на ИС// В сб. докладов Российской научной конференции «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-99», М.: СПЭЛС-НИИП, 1999, с. 143-144.

40. А.С. Артамонов, В.М. Барбашов, Д.В. Громов и др. Лабораторный практикум по курсу «Организация микропроцессорных систем»: Учебно-методическое пособие. М.:МИФИ, 2000. – 40 с.

41. Барбашов В.М., Скоробогатов П.К. Влияние длительности одиночных импульсов напряжения на импульсную электрическую прочность ИС серии 1554// В сб. докладов научной сессии «МИФИ-2002», том 1, М.: МИФИ, 2002, с. 201-202.

42. Барбашов В.М., Герасимчук О.А., Скоробогатов П.К. Результаты испытаний ИС серии 1554ТБМ на импульсную электрическую прочность// В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2003». М.: Паимс, 2003, вып.6, с. 105-106.

43. Барбашов В.М., Герасимчук О.А., Скоробогатов П.К. Исследования совместного воздействия одиночных импульсов напряжения и ионизации на полупроводниковые структуры// В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2003». М.: Паимс, 2003, вып.6, с. 127-128.

44. Барбашов В.М., Герасимчук О.А., Скоробогатов П.К., и др. Сравнение импульсной электрической прочности КМОП ИС, выполненных по эпитаксиальной и КНС технологиям// В сб.докладов научной сессии «МИФИ-2004», том 1, М.: МИФИ, 2004, с. 183-184.

45. Барбашов В.М., Герасимчук О.А. Оценка качества функционирования БИС при воздействии импульсов электрического перенапряжения// В сб. докладов научной сессии «МИФИ-2005», том 1, М.: МИФИ, 2005, с. 175-176.

46. Барбашов В.М., Герасимчук О.А., Скоробогатов П.К., и др. Влияние технологии исполнения на импульсную электрическую прочность КМОП ИС// В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2005». М.: Паимс, 2005, вып. 8, с. 131-132.

47. Барбашов В.М., Герасимчук О.А., Епифанцев К.А. Влияние длительности одиночного импульса напряжения на отказы ИС в следствие вторичного пробоя// В сб.: Электроника, микро- и наноэлектроника-2006: тез. докл. Всерос. научно-техн. конф., Гатчина, июнь 2006 г., с. 200-201.

48. Барбашов В.М., Герасимчук О.А., Епифанцев К.А. Сравнение импульсной электрической прочности КМОП ИС одного типа, выполненных по КНС технологии различными производителями// В сб. докладов научной сессии «МИФИ-2006», том 1, М.: МИФИ, 2006, с. 187-188.

49. Барбашов В.М., Герасимчук О.А., Епифанцев К.А., Скоробогатов П.К. Анализ взаимосвязи нечеткости и неопределенности в оценки качества функционирования БИС при воздействии одиночного импульса напряжения// В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2006». М.: Паимс, 2006, вып. 9, с. 121-122.

50. Барбашов В.М., Герасимчук О.А., Муравьева О.В. Повышение достоверности испытаний ИС на импульсную электрическую прочность// В сб.докладов научной сессии «МИФИ-2008», том 8, М.: МИФИ, 2008, с. 79-80.

51. Барбашов В.М., Трушкин Н.С. Функционально-логическое моделирование качества функционирования ИС при воздействии одиночного импульса напряжения// В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2008». М.: Паимс, 2008, вып. 11, с. 133-134.

52. Барбашов В.М., Трушкин Н.С. Моделирование функциональных отказов ИС при воздействии одиночного импульса напряжения// В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2008». М.: Паимс, 2008, вып. 11, с. 135-136.

53. Барбашов В.М., Трушкин Н.С. Прогнозирование качества функционирования микропрограммных БИС в условиях возникновения долговременных изменений статических параметров// В сб.: Электроника, микро- и наноэлектроника - 2008: докл. Всерос. научно-техн. конф., Петрозаводск, 6-11 июля 2008 г., с. 213-219.

54. Барбашов В.М. Логическое моделирование информационных сбоев цифровых устройств при воздействии одиночного импульса перенапряжения// В сб.докладов научной сессии «МИФИ-2009», том 1, М.: МИФИ, 2009, с. 187.

55. В.М. Барбашов, А.А. Краснюк, В.М. Онищенко Лабораторный практикум по курсу «Общая электротехника и электроника»: Учебно-методическое пособие. М.:НИЯУ МИФИ, 2009. – 100 с.

56. Першенков В.С., Барбашов В.М., Будкин В.А. и др. Опыт подготовки кадров для новейших областей науки и техники на факультете «Автоматика и электроника» НИЯУ МИФИ// Датчики и системы. 2010, Вып. 3 (130), с. 3 – 8.

57. Барбашов В.М. Методы прогнозирования поведения интегральных схем при радиационных воздействиях на основе аппарата нечетких функций// В сб. докладов научной сессии