RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17196 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Швец Василий Александрович

Научная тема: « ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ ПРОЦЕССОВ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ CD1-XHGXTE »

Научная биография   « Швец Василий Александрович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 01.04.01

Год: 2010

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Ошибки измерения эллипсометрических параметров, обусловленные несовершенствами оптических элементов эллипсометра и погрешностями их юстировки, можно устранить (полностью или частично) проведением измерений при симметричных азимутальных положениях поляризатора Р=±45°, а также путем комбинации измерений для различных конфигураций элементов: A1=0, 45°, A2=0, 45°, С=0, 45°.
  2. Разработанный комплекс эллипсометрических методик позволяет контролировать ключевые параметры гетероструктур КРТ в процессе их выращивания: качество термической очистки подложек, структурное совершенство слоев и их морфологию, состав слоев Hg1-xCdxTe с точностью ±0.001 и CdzZn1-zTe с точностью ±0.006, скорость роста и температуру роста.
  3. Экспериментальным критерием для оценки качества оптической поверхности тонких слоев, служит амплитуда интерференционных осцилляций псевдодиэлектрической функции <e2> в области полупрозрачности, которая для резкой границы раздела должна соответствовать среднему по периоду значению <e2>. Нарушение этого условия свидетельствует о размытии оптической границы.
  4. Профили оптических постоянных n(z) и k(z) для слабо градиентного неоднородного слоя ( l|dN/dz|<<1 ) восстанавливаются по кинетическим зависимостям эллипсометрических параметров Y(t), D(t), измеренным в процессе роста этого слоя.
  5. При формировании периодической слоистой структуры эллипсометрические параметры циклически изменяются между предельными точками (Y1, D1) и (Y2, D2), для которых получены аналитические выражения через оптические константы слоев и их толщины.
  6. Отражение света от многослойной структуры эквивалентно отражению от однородной среды, если коэффициенты отражения структуры удовлетворяют условию  (j - угол падения света). Такая замена упрощает численные расчеты и объясняет отсутствие накопления ошибок при итерационных вычислениях для большого числа слоев.
  7. Относительная производная для эллипсометрических параметров  (или ), измеренных в процессе выращивании градиентных слоев, является независимой измеряемой величиной и ее использование для интерпретации эллипсометрического эксперимента увеличивает точность измерения состава и его градиента.

Список опубликованных работ

1. Дагман Э.Е., Любинская Р.И., Мардежов А.С., Свиташев К.К., Семененко А.И., Швец В.А. О решении обратной задачи эллипсометрии для неоднородных систем // Укр.физ.журн. – 1984. - Т. 29. - №2. - С.187 - 193.

2. Ржанов А.В., Свиташев К.К., Мардежов А.С., Швец В.А. Контроль параметров сверхрешеток в процессе их получения методом эллипсометрии // ДАН. – 1987. - Т. 297. - N3. - С. 604 - 607.

3. Ржанов А.В., Свиташев К.К., Мардежов А.С., Швец В.А. Основное уравнение эллипсометрии для сверхрешеток // ДАН. – 1988. - Т. 298. - №4. - С. 862 -868.

4. Гутаковский А.К., Елисеев В.М., Любинская Р.И., Лях Н.В., Мардежов А.С., Петренко И.П., Покровский Л.Д., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Швец В.А. Исследование состояния поверхности CdTe // Поверхность. – 1988. - №9. - С. 80 - 87.

5. Мардежов А.С., Швец В.А., Свешникова Л.Л., Данилова М.Г. Исследование системы HgCdTe – анодный окисел методом эллипсометрии // Поверхность. – 1989. - №7. - С. 125 - 130.

6. Мардежов А.С., Михайлов Н.Н., Швец В.А. Эллипсометрический контроль предэпитаксиальной подготовки подложек GaAs и роста эпитаксиальных пленок CdTe // Поверхность. – 1990. - №12. - С. 92 - 96.

7. Корнюшкин Н.А., Курдина Т.И., Мардежов А.С., Нис И.Е., Остаповский Л.М., Придачин Н.Б., Ремесник В.Г., Чикичев С.И., Швец В.А. Оптические и электрические свойства тонких пленок HgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Поверхность. – 1991. - №8. - С. 94 – 100.

8. Баютова О.Р., Мардежов А.С., Покровский Л.Д., Чикичев С.И., Швец В.А. Исследование микрорельефа поверхности пленок HgTe методом эллипсометрии // Автометрия. – 1993. - №1. - С. 98 - 105.

9. Швец В.А. Определение профилей оптических постоянных неоднородных слоев из эллипсометрических измерений in situ // Автометрия. - 1993. - №6. - С. 25 - 33.

10. Svitashev K.K., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Shvets V.A., Mardezhov A.S., Nis I.E., Varavin V.S., Liberman V., Remesnik V.G. The growth of high-quality MCT films by MBE using in situ ellipsometry // Cryst.Res.Technol. – 1994. - V. 29. - N7. - P.931 - 937.

11. Свиташев К.К., Швец В.А., Мардежов А.С., Дворецкий С.А., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С. Эллипсометрия in situ при выращивании твердых растворов кадмий-ртуть-теллур методом МЛЭ // ЖТФ. – 1995. - Т. – 65. - вып. 9. С.110 - 120.

12. Свиташев К.К., Швец В.А., Мардежов А.С., Дворецкий С.А., Сидоров Ю.Г., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Чикичев С.И., Придачин Д.Н. Метод эллипсометрии в технологии синтеза соединений кадмий-ртуть-теллур // Автометрия. – 1996. - №4. – С. 100 - 109.

13. Svitashev K.K., Shvets V.A., Mardezhov A.S., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Mikhailov N.N., Spesivtsev E.V., Rykhlitsky S.V. Ellipsometry as a powerful tool for the control of epitaxial semiconductor structures in-situ and ex-situ // Mat.Sci.Engin.B. – 1997. - V. B44. - Nos. 1-3. - P. 164 - 167.

14. Shvets V.A., Chikichev S.I., Pridachin D.N., Yakushev M.V., Sidorov Yu.G., Mardezhov A.S. Ellipsometric study of tellurium molecular beam interaction with dehydrogenated vicinal silicon surfaces // Thin Sol Films. – 1998. - V. 313-314. - P. 561 - 564.

15. Придачин Д.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г., Швец В.А. Изучение процессов адсорбции теллура на кремнии методами эллипсометрии, дифракции быстрых электронов и Оже-спектроскопии // Автометрия. - 1998. - №4. - С.96 - 104.

16. Якушев М.В., Швец В.А. Использование эллипсометрических измерений для высокочувствительного контроля температуры поверхности. // Письма в ЖТФ. – 1999. - Вып. 14. - С.65 - 71.

17. Швец В.А., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г. Применение метода эллипсометрии in situ для контроля гетероэпитаксии широкозонных полупроводников и характеризации их оптических свойств // Автометрия. – 2001. - №3. - С. 20 - 29.

18. Якушев М.В., Швец В.А., Кеслер В.Г., Сидоров Ю.Г. Изучение эпитаксиальных слоев ZnTe на подложке GaAs(310) методом эллипсометрии и методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. // Автометрия. – 2001. - №3. - С. 30 - 38.

19. Якушев М.В., Швец В.А. Высокочувствительный эллипсометрический метод контроля температуры. // Автометрия. – 2002. - №1. - С. 95 - 106.

20. Швец В.А., Якушев М.В. Влияние поверхностного слоя на определение диэлектрической функции пленок ZnTe методом эллипсометрии // Опт. и спектр. – 2002. - Т.92. - №5. - С. 847 - 850.

21. Михайлов Н.Н., Швец В.А., Дворецкий С.А., Спесивцев Е.В., Сидоров Ю.Г., Рыхлицкий С.В., Смирнов Р.Н. Эллипсометрический контроль роста наноструктур на основе CdxHg1-xTe // Автометрия. - 2003, Т.39. - №2 – С.71 - 80.

22. Shvets V.A., Rykhlitski S.V., Spesivtsev E.V., Aulchenko N.A., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Smirnov R.N. In situ ellipsometry for control of Hg1-xCdxTe nanolayer structures and inhomogeneous layers during MBE growth // Thin Sol.Films. – 2004. - Vs. 455-456. - P. 688 - 694.

23. Швец В.А., Чикичев С.И., Прокопьев В.Ю., Рыхлицкий С.В., Спесивцев Е.В. Эллипсометрический комплекс для исследования быстропротекающих температурных процессов // Автометрия. - 2004. - Т.40. - №6. - С.61 - 69.

24. Швец В.А., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В. Анализ статической схемы эллипсометрических измерений // Опт. и спектр. – 2004. - Т. 97. - №3. - С. 514 - 525.

25. Mikhailov N.N., Smirnov R.N., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Shvets V.A.,. Spesivtsev E.V, Rykhlitski S.V. Growth of Hg1–xCdxTe nanostructures by molecular beam epitaxy with ellipsometric control // Int. Journ. of Nanotechnology. – 2006. – V. 3. - No. 1. - P.120 - 130.

26. Придачин Д.Н., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В., Швец В.А. Кинетика начальных стадий роста пленок ZnTe на Si(013) // Автометрия. – 2005. - Т. 41. - № 1. - С. 104 - 114.

27. Швец В.А., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В. Измерение нормированной матрицы Джонса анизотропных образцов методом статической эллипсометрии // Опт. и спектр. – 2008. - Т. 105. - №4. - С. 689 – 695.

28. Дворецкий С.А., Икусов Д.Г., Квон Д.Х., Михайлов Н.Н., Дай Н., Смирнов Р.Н., Сидоров Ю.Г., Швец В.А. Выращивание квантовых ям HgTe/Cd0.735Hg0.265Te методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Автометрия. – 2007. - Т.43. - №4. - С.104 - 111.

29. Dvoretsky S.A., Ikusov D.G., Kvon Z.D., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Smirnov R.N., Sidorov Yu.G., Shvets V.A. HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy // Semicond. Phys., Quant. Electr. And Optoelectronics. – 2007. – V. 10. - N4. – P.47 – 53.

30. Швец В.А. Влияние остаточного напряжения в оптических окнах на точность эллипсометрических измерений. // Автометрия. – 2008. - Т. 44. - №2. - С.119 - 126.

31. Швец В.А., Рыхлицкий С.В., Спесивцев Е.В., Михайлов Н.Н. Эллипсометрический контроль параметров выращиваемых наноразмерных гетероструктур. // Известия вузов. Серия Приборостроение. – 2009. - Т. 52. - №6. - С. 78 - 88.

32. Дворецкий С.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Швец В.А, Виттман Б., Данилов С.Н., Ганичев С.Д., Асеев А.Л. Наноструктуры на основе CdHgTe для фотоприемников // Оптический журнал. – 2009. – Т. 76. - №12. – С. 69 – 73.

33. Швец В.А., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н.. Эллипсометрический in situ контроль квантовых наноструктур с градиентными слоями. // ЖТФ. – 2009. - Т. 79. - Вып. 11. - С.41 - 44.

34. Швец В.А. О точности эллипсометрического контроля при выращивании полупроводниковых наноструктур // Опт. и спектр. – 2009. - Т.107. - №5. - С.822 - 825.

35. Якушев М.В., Швец В.А., Азаров И.А., Рыхлицкий С.В., Сидоров Ю.Г., Спесивцев Е.В., Шамирзаев Т.С. Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd1-zZnzTe методом спектральной эллипсометрии // ФТП. – 2010. Т. 44. - Вып. 1. - С. 62 - 68.

36. Швец В.А. Анализ оптически неоднородных слоев методом in situ эллипсометрии // Опт. и спектр. – 2010. - Т. 108. - №6. - С. 1042 - 1048.

37. Михайлов Н.Н., Смирнов Р.Н., Дворецкий С.А., Сидоров Ю.Г., Швец В.А., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Бахтин П.А., Варавин В.С., Кравченко А.Ф., Латышев А.В., Сабинина И.В., Якушев М.В. Выращивание структур Hg1–xCdxTe с горизонтальным и вертикальным расположением нанослоев методом МЛЭ // Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / Отв. ред. А.Л. Асеев. – Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2007.– С. 13 – 33.

Кроме этого имеются публикации в тезисах и сборниках российских и международных конференций, в различных нерецензируемых изданиях (всего 29 наименований).

Комментарии:

Если вы считаете, что какое-то сообщение нарушает Правила, оскорбляет Вас как личность, несёт заведомо ложную информацию, и должно быть удалено, сообщите нам по адресу sergey@rae.ru

Ваше имя
Текст комментария
Введите число с изображения

Антиспам защита

При добавлении комментария Вы соглашаетесь с пользовательским соглашением