RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17373 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Антонова Ирина Вениаминовна

Научная тема: « ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ СОСТОЯНИЯ В ГЕТЕРОСИСТЕМАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ, СФОРМИРОВАННЫЕ В ДЕФОРМАЦИОННЫХ ПОЛЯХ »

Научная биография   « Антонова Ирина Вениаминовна »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 01.04.10

Год: 2009

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Гидростатическое сжатие ~1 ГПа, используемое при отжиге кремния и гетероструктур на его основе, является методом контролируемого изменения конфигураций, диффузионных параметров и концентраций дефектов и их комплексов.
  2. Давление во время отжига гетероструктур позволяет управлять типом аккумулируемых дефектов и эффективностью их геттерирования. В результате зону локализации дефектов можно переместить из одного слоя гетероструктуры в другой.
  3. Проводимость слоев гетероструктур, созданных с использованием имплантации, определяется введением комплексов радиационных дефектов с мелкими уровнями донорного или акцепторного типа. Варьирование дозы имплантации и давления при их отжиге позволяет регулировать тип и концентрацию преобладающих центров.
  4. На границе Si/SiO2, созданной сращиванием, за счет релаксации напряжений формируются структурные дефекты с относительно узким энергетическим спектром состояний, характерные только для данного способа создания границы.
  5. Монослой 1-октадецена толщиной 2 нм, образующий химическую связь с поверхностью кремния, германия или гетероструктур Si/SiGe/Si, обеспечивает электрическую пассивацию, стабилизацию поверхности, является изолятором, может быть использован для создания МДП структур и исследования локализованных состояний в нанометровых слоях.
  6. При формировании кремниевых нанокристаллов в слоях SiOj^ в условиях анизотропных температурных и деформационных полей, возникающих в треках ионов высоких энергий, можно создавать необычную по оптическим и электрическим свойствам систему пространственно упорядоченных нанокристаллов с одинаковой ориентацией атомных плоскостей.

Список опубликованных работ

A1. Антонова И.В., Шаймеев С.С., Температурная зависимость амплитуды пика DLTS в кремнии с глубокими центрами, ФТП, 1991, т.25, в.5, с.847-851.

A2. Антонова И.В., Васильев А.В., Панов В.И., Шаймеев С.С., Применение емкостной методики DLTS к исследованию п/п с неоднородным распределением примеси (дефектов), ФТП, 1988, т.22, в.6, с.998-1003.

A3.Antonova I.V., Popov V.P. Plotnikov A.E. Misiuk A., Thermal donor and oxygen precipitate formation in silicon during 450C treatments under atmospheric and enhanced pressure, J. Electrochim. Soc., 1999, v.146 p.1575-1578.

A4.Antonova I.V., Popov V.P., Shaimeev S.S., DLTS study of oxygen precipitate formation in silicon, Physica B, 1998, v.253, n1-2, p.123-130.

A5. Антонова, И.В., Мисюк А., Попов В.П., Шаймеев С.С., Исследование формирования кислородных преципитатов в кремнии, ФТП, 1997, т.31 в.8, с.852-856.

A6.Antonova, I.V., Misiuk A., Popov V., Plotnikov A.E., Surma B., Oxygen precipitate nucleation process in silicon with different oxygen concentration and structural perfection, Solid State Phenom. 1997, v.57-58, p.161-166.

A7.Antonova I.V., Misiuk A., Popov V.P., Plotnikov A.E., Surma B., Nucleation and formation of oxygen precipitates in Gz grown silicon annealed under uniform stress conditions Physica. B, 1998, v.253, p.131-137.

A8.Antonova, I.V., Misiuk A., Popov V.P., Fedina L.I., Shaimeev S.S., DLTS study of oxygen precipitates in silicon annealed at high pressure, PhysicaB, 1996, v.225, n3-4, p.251-257.

A9. Антонова И.В., Федина Л.И., Мисюк А., Попов В.П., Шаймеев С.С., Исследование методом DLTS эволюции кислородных преципитатов в Cz-Si при высоких температурах и высоком давлении, ФТП, 1996, т.30, в.8, с.1446-1454.

A10. Antonova I.V., Misiuk A., Bak-Misiuk J., Popov V.P., Plotnikov A.E., Surma B., Dependence of oxygen precipitate size and strain on external stress at annealing of Cz-Si, Journal of Alloys and Compounds, 1999, v.286, p. 241-245.

A11. Antonova I.V., Neustroev E.P., Misiuk A., Skuratov V.A., Formation of shallow donors in stress-annealed silicon implanted with high-energy ions, Solid State Phenomena 2002, v.82- 84, p.243-248.

A12. Антонова И.В., Неустроев Е.П., Попов В.П., Киланов, Д.В., Мисюк А., Формирование донорных центров при различных давлениях в кремнии, облученном ионами кислорода, ФТП, 1999, v.33, n10, p.1153-1157.

A13. Londos C.A., Antonova I.V., Potsidou M., Misiuk A., Bak-Misiuk J., Gutacovskii A.K., A study of the conversion of the VO to the VO2 defect in heat-treated silicon under uniform stress conditions, J. Appl. Phys., 2002, v.91, n3, p.1198 - 1203.

A14. Antonova I.V., Neustroev E.P., Popov V.P., Stas V.F., Obodnikov V.I., Donor center formation in hydrogen implanted silicon., Physica B, 1999, v,270, n1&2, p.1-5.

A15. Антонова И.В., Неустроев Е.П., Попов В.П., Стась В.Ф., Влияние облучения различными ионами на формирование донорных центров в кремнии., Перспективные материалы, 2001, т.1, с.43-48.

A16. Neustroev E.P., Antonova I.V., Popov V.P., Stas V.F., Skuratov V.A., Dyduk A.Yu., Thermal donor formation in crystalline silicon irradiated by high energy ions, Nucl. Inst. Meth. B. 2000, v. 171, n4, p.443-447.

A17. Смагулова С.А., Антонова И.В., Неустроев Е.П., Скуратов В.А., Релаксация дефектной подсистемы кремния, модифицированной облучением тяжелых ионов высоких энергий, ФТП, 2003, т.37, в.5, 565-569.

A18. Antonova I.V., Gulyev M.B., Safronov L.N., Smagulova S.A., Competition between Thermal Donors and thermal acceptors in electron irradiated Silicon annealed at temperatures 400-700oC, Microelectronic Engineering, 2003, v. 66, n.1-,4 p 385 - 391

A19. Антонова И.В., Стась В.Ф., Неустроев Е.П., Попов В.П., Смирнов Л.С., Термоакцепторы в облученном кремнии, ФТП, 2000, т.34, в.2, с.162 - 167..

A20. Antonova I.V., Smagulova S.A., Formation of the Shallow donors and acceptors in Silicon irradiated with either electron or high energy ions and annealed at temperatures 400- 700oC, SLCS, Phys. Stat. Sol. (с), 2003, v.0, n.2, p.639 - 644.

A21. Неустроев Е.П., Смагулова С.А., Антонова И.В., Сафронов Л.Н., Формирование электрически активных центров в кремнии, облученном электронами, в интервале температур 400-700° C ФТП, 2004, т.38, п.7, с.791-795.

A22. Antonova I.V., Londos C.A., Bak-Misiuk J., Gutakovskii A.K., Potsidou M., Misiuk A., Defects in silicon heat-treated under uniform stress and irradiated with high dose of fast neutrons, Phys. Stat. Sol.fr), 2003, v.199, g. 2, p.207-213.

A23. Londos C. A., Antonaras G. J., Potsidi M. S., Misiuk A., Antonova I. V., Emtsev V. V., Production and evolution of defects in neutron-irradiated Si subjected to thermal pretreatments under hydrostatic pressure, J. Phys. Condensed matter, 2005, v.17, p.1-9.

A24. Misiuk A., Barcz A., Ratajczak J., Lopez M., Romano-Rodriguez A., Bak-Misiuk J., Surma H.B., Jung J., Antonova I.V., Popov V.P., Effect of external stress on creation of buried SiC2 layer in silicon implanted with oxygen, Mater. Sci. Eng. 2000, v.73, p.134-138.

A25. Bak-Misiuk J., Domagala J., Misiuk A., Sadowski J., Zytkiewicz Z.R., Trela J., Antonova I.V., Effect of stress on interface transformation in thin semiconductor layers", Thin Solid Films, 2000, v.380, p.117-119.

A26. Misiuk A., Surma H.B., Antonova I.V., Popov V.P., Bak-Misiuk J., Lopez M., Romano-Rodriguez A., Barcz A., Jun J., Effect of External Stress Applied during Annealing on Hydrogen- and Oxygen-Implanted Silicon, Solid State Phenom., 1999, v.69-79, p.345-350.

A27. Misiuk, A. Barcz, J. Ratajczak, Bak-Misiuk J., Antonova I.V., and Popov V.P., Microstructure of Czochralski silicon implanted with deuterium and annealed under high pressure, Physica B: Condensed Matter, 2003, v 340-342, p.687-691.

A28. Misiuk A., Ratajczak J., Katcki J., Antonova I.V., Impact of Enhanced Hydrostatic Pressure Applied during Annealing of Si:O on Creation of SIMOX-like structures, Science and Technology of Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices Operating in a harsh environment, D. Flandre, A. Nazarov (eds), Kluwer Academic Publisher, Netherlands, 2005, p.91-96.

A29. Antonova I.V., Misiuk A., Londos C.A., Electrical Characteristics of SOI-Like Structures Formed in Nitrogen or Oxygen Implanted Silicon Treated under High Pressure, Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII, PV-2005-03, Editors: G.K. Celler, S. Cristoloveanu, J.G. Fossum, F. Ganiz, K. Izumi, Y.W. Kim, 2005, p.325-330.

A30. Misiuk A., Surma B., Barcz A., Orlinska K., Bak-Misiuk J., Antonova I.V., Dub S., Strain and defect engineering in Si/Si3N4/Si by high temperature-pressure treatment, Materials Science & Engineering B, 2005, v.124&125, p.174-178.

A31. Antonova I. V., Misiuk A., Londos C. A., Electrical properties of multiple-layer structures formed by implantation of nitrogen or oxygen and annealed under high pressure, J. Appl.

Phys., 2006, v.99, 033506.

A32. А.с. N 2166814 (РФ), 7H01L21/324, Антонова И.В., Попов В.П, Мисюк А., Ратайчак Я., Способ уменьшения структурных нарушений, формирующихся при отжиге кремния, имплантированного кислородом (структуры типа SIMOX)., Опубл. в БИ, 2001, № 13.

A33. Surma В., Misiuk A., Hartwig J., Wnuk A., Bukowski A., Antonova I.V., Modification of the SOI-like structures by annealing under high hydrostatic pressure, J. Alloys and Compounds, 2004, v.362, n.1-2, p.269-274,.

A34. Antonova I.V, Pressure related defect engineering in silicon-on-insulator-like structures produced by either oxygen or nitrogen ion implantation, Phys. St. Sol. B, 2007, v.244, N1,

p.443-447..

A35. A.c.N2164719 (РФ), 7PH01L21/324, Попов В.П., Антонова И.В., Стась В.Ф., Миронова Л.В., Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе, Опубл. в БИ.

2001, №9.

A36. А.с. N№2003136457/28 (РФ), 7H01L21/324, Антонова И.В., Дудченко Н.В., Николаев Д.В., Попов В.П, Способ получения структур кремний- на -изоляторе, Опубл. в БИ.

2005, № 33, с.260..

A37. Наумова О.В., Антонова И.В., Попов В.П., Настаушев Ю.В., Гаврилова Т.А., Литвин Л.В., Асеев А.Л., КНИ нанотранзисторы: перспективы и проблемы реализации, ФТП, 2003, т.37, в.10, c.1253-1259.

A38. Bak-Misiuk J., Antonova I.V., Misiuk A., Domagala J., Popov V.P., Obodnikov V.I., Hartwig J., Romano-Rodriguez A., Bachrouri A., Strain in hydrogen and oxygen implanted silicon and SOI structures annealed at high pressure, J.Alloys and Compounds, 2001, v.328

p.181-186.

A39. Antonova I.V., Popov V.P. Bak-Misiuk J., Domagala J.Z., Characterization of the silicon -on - insulator structures by high-resolution x-ray diffraction, J. Electrochem. Soc., 2002, v.149, n.8, p.490-493.

A40. Bak-Misiuk J., Misiuk A., Ratajczak J., Shalimov A., Antonova I.V., Trela J., Effect of high pressure-temperature on silicon layered structures as determined by X-ray diffraction and electron microscopy, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004, v.27, p.415-418.

A41. Антонова И.В., Стась В.Ф., Бак-Мисюк Я., Ободников В.И.,Спесивцев Е.В., Попов В.П., Электрофизические и структурные свойства тонких отсеченных слоев кремния в структурах кремний -на -изоляторе, Известия РАН, 2003, т.67, в.2, с.175-178.

A42. Popov V.P., Antonova I.V., Stas V.F., Mironova L.V., Gutakovskii A.K., Spesivtsev E.V., Franzusov A.A., Mardegov A.S., Feofanov G.N., Properties of extremely thin silicon layer in silicon-on-insulator structure formed by smart-cut technology, J. Mater. Sci. Eng. B, 2000, v.73, p.82-86.

A43. Antonova I.V. Popov V.P., Stas V.F., Mironova L.V., Neustroev E.P., Gutakovskii A.K., Franzusov A.A., Feofanov G.N., Structural and electrical properties of silicon on isolator structures manufactured on Fz- and Cz-silicon by Smart-Cut technology, "Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, P.L.F. Hemment at al. 2000, p.47-54, Kluwer Academic Publisher, Netherlands.

A44. Антонова И.В., Стась В.Ф., Попов В.П., Ободников В.И., Гутаковский А.К., Проводимость КНИ структур, полученных сращиванием пластин кремния с использованием имплантации водорода, ФТП, 2000, т.34, в.9, с. 1054-1057.

A45. Antonova I.V., Popov V.P., Stas V.F., Gutakovskii A.K., Plotnikov A.E., Obodnikov V.I., Splitting and electrical properties of the SOI structure formed from the heavily boron doped Silicon with Using of the smart-Cut technology, Microelectronic Engineering 1999,

v.48, p.383-386.

A46. Попов В.П, Антонова И.В., Французов А.А., Сафронов Л.Н., Наумова О.В., Киланов Д.В., Свойства структур и приборов на кремний-на-изоляторе, ФТП, 2001, т.35, с.1075- 1083.

A47. Antonova I.V., Nikolaev D.V, Naumova O.V., Popov V.P., Hydrogen-related phenomena in SOI fabricated by using H+ ion implantation, Solid State Phenom. 2002, v.82-84, p.491-496.

A48. Antonova I.V., Stano J., Naumova O.V., Nikolaev D.V., Popov V.P., Skuratov V.A., Deep levels in SOI - structures investigated by charge and capacitance DLTS, Intern. Confer. of Ion Implantation Techno-logy Proceedings , Austria Eds: H. Ryssel, L. Frey, J. Gyulai, H. Glawischnic., 2000, p.273-276.

A49. Антонова И.В., Стано И.., Николаев Д.В, Наумова О.В., Попов В.П., Скуратов В.А., Состояния на границах и центры с глубокими уровнями в структурах фемний на изоляторе., ФТП. 2001, т.35, с.948-957.

A50. Antonova I.V., Naumova O.V., Stano J., Nikolaev D.V., Popov V.P., Skuratov V.A., Traps at bonded interface in SOI structures, Appl. Phys. Lett., 2001, v.79, n27, p.4539 -4540.

A51. Антонова И.В., Попов В.П., Поляков В.И., Рукавишников А.И., Ловушки с энергиями вблизи середины запрещенной зоны на границе Si/SiO2, созданной сращиванием, в структурах кремний - на - изоляторе, ФТП, 2004, т.38, п.12, с.1439-1444.

A52. Antonova I.V., Nikolaev D.V., Naumova O.V., Popov V.P., Comparison of electrical properties of silicon-on-insulator structures fabricated with use of hydrogen slicing and BESOI, Electrochem&Solid State Letters, 2004, v.7, n.3, F21-F23.

A53. Antonova I.V., Stano J., Nikolaev D.V., Naumova O.V., Popov V.P., Skuratov V.A., Traps at the bonded Si/SiO2 interface in silicon-on-insulator structures, Electrochemical Society Proceedings, PV-2003-19, Semiconductor wafer bonding VII: Science, technology and applications, . 2003, p.64-69.

A54. Антонова И.В., Стано И.,.Николаев Д.В, Наумова О.В., Попов В.П., Скуратов В.А., Трансформация при отжиге в водороде состояний на границах раздела КНИ структур ФТП, 2002, т.36 в.1, с.65-69.

A55. Antonova I.V., Naumova O.V., Popov V.P., Stano J., Skuratov V.A., Modification of the bonded interface in silicon-on-insulator structures under thermal treatment in hydrogen ambient, J. Appl. Phys, 2003, v.93, n.1, p.426-431.

A56. Antonova I.V., Stano J., Naumova O.V., Popov V.P., Skuratov V.A., DLTS study of bonded interface in silicon-on-insulator structures annealed in hydrogen atmosphere, Microelectronic Engineering, 2003, v.66, n.1-4, p. 547-552.

A57. Антонова И.В., Стучинский В.А., Наумова О.В., Николаев Д.В., Попов В.П., Флуктуации заряда на границе сращивания в структурах кремний на изоляторе, ФТП, 2003, т.37б в.11, c.1341-1345.

A58. Попов В.П., Антонова И.В., Французов А.А., Наумова О.В., Сапожникова Н.В., Кремний-на-изоляторе: материал и приборные структуры, Микросистемная техника, 2001, т.10, с.35-40.

A59. Antonova I.V., Stano J., Naumova O.V., Skuratov V.A., Popov V.P., Radiation Effects in SOI: Irradiation by High Energy Ions and Electrons, in Science and Technology of Semiconductor-on-insulator Structures and Devices Operating in a harsh environment, D.Flandre, A.Nazarov (eds), Kluwer Academic Publisher, Netherlands, 2005, p.215-220.

A60. Antonova I.V., Stano J., Naumova O.V., Skuratov V.A., and Popov V.P., DLTS study of silicon-on-insulator structures irradiated with electrons or high energy ions, IEEE Trans. Nucl. Science, 2004, v.51, n.3, p.1257-1261

A61. Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А., Поведение заряда в скрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе в электрических полях, ФТП, 2002, т.36, в7, с.853-857.

A62. Антонова И.В., Стабилизация заряда на границе со скрытым диэлектриком структур КНИ, ФТП, 2005, т.39, п.10, з. 1195-1199.

A63. Antonova I.V., Modification of Si/SiO2 interface in SOI structures by hydrogen implantation: radiation tolerance, in Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII, PV-2005-03, Editors: G.K.Celler, S.Cristoloveanu, J.G.Fossum, F.Ganiz, K.Izumi, Y.W.Kim, 2005, p.137-142.

A64. Antonova I.V., Kagan M.S., Obodnikov V.I., Troeger R.T., Ray S.K., Kolodzey J., Capacitance study of SiGe/Si heterostructures, Semicond. Science and Technology, 2005, 20, p.335-339.

A65. Antonova I.V., Kagan M.S., Polyakov V.I., Golik L.L. and Kolodzey J., Effect of interface states on population of the quantum wells in SiGe/Si structures, Phys. St. Sol. C, 2005, 2, p.1924-1928.

A66. Antonova I.V., Golik L.L., Kagan M.S., Polyakov V.I., Rukavischnikov A.I., Rossukanyi N.M. and Kolodzey J., Quantum well related conductivity and deep traps in SiGe/Si structures, Sol. State Phenom. 2005, v.108&109 p.489-496.

A67. Антонова И.В., Соотс Р.А., Селезнев В.А., Принц В.Я. Электрическая пассивация поверхности кремния органическими монослоями 1 -октадецена, ФТП, 41 (8), 1010 - 1016, 2007.

A68. Antonova I.V., Soots R.A., Guliaev M.B., Prinz V.Ya., Kagan M.S., Kolodzey J., Electrical passivation of Si/SiGe/Si structures by 1-octadecene monolayers, Appl. Phys. Let., 91, 102116, 2007.

A69. Antonova I.V., Gulyaev M.B., Skuratov V.A., Soots R.A., Obodnikov V.I., Misiuk A., Zaumseil P., Pressure-assisted lateral nanostructuring of the epitaxial silicon layers with SiGe quantum wells, Sol. State Phenomena, 2006 v.114, p.291-296.

A70. Antonova I.V., Neustroev E.P., Smagulova S.A., Kagan M.S., Alekseev P.S., Ray S.K. , Sustersic N., Kolodzey J., Deep Level Spectroscopy studies of confinement levels in SiGe quantum wells, J. Appl. Phys., v.105, 2009.

A71. Antonova I.V., Bak-Misiuk J., Romanowski P., Skuratov V.A., Zaumseil P., Sustersic N., Kolodzey J., Vacancy - Assisted Redistribution of Ge in SiGe/Si Multilayer Structures Irradiated with High Energy Ions, IEEE Transactions, 2006, v.3, N7, SiGe and Ge: Materials, Processing, and Devices, p.145-153.

A72. Патент №RU2341848C1 И.В.Антонова, Р.А.Соотс, М.Б.Гуляев, В.Я.Принц, Способ электрической пассивации поверхности полупроводника. Опубл. в БИ. 2008, № 35.

A73. Антонова И.В., Гуляев М.Б., Яновицкая З.Ш., Володин В.А., Марин Д.В., Ефремов М.Д., Goldstein Y., Jedrzejewski J., Сопоставление электрических свойств и фотолюминесценции в зависимости от состава слоев SiO, содержащих нанокристаллы кремния, ФТП, 2006, т.40, в.10, с.1229-1235.

A74. Antonova I.V., Gulyaev M.B., E. Savir, J. Jedrzejewski I. Balberg, Charge storage, photoluminescence and cluster statistics in ensembles of Si quantum dots, 2008, Phys. Rev.B, v.77, 125318.

A75. Antonova I.V., Gulyaev M.B., Skuratov V.A., Marin D.V., Zaikina E.V., Yanovitskaya Z.S., Jedrzejewski J., Balberg I., Modification of silicon nanocrystals embedded in an oxide by high energy ion implantation, Solid State Phenomena, 2008, v.131-133, p.541-546.

A76. Антонова И.В., Шаймеев С.С., Смагулова С.А., Трансформация при отжиге электрически активных дефектов в кремнии, имплантированном ионами высоких энергий, ФТП, 2006, т.40, в.5, с.557-562.

A77. Antonova I.V., Gulyaev M.B., Cherkov A.G., Marin D.V., Skuratov V.A., Jedrzejewski J., Balberg I., Modification of Si nanocrystallites embedded in a dielectric matrix by high energy ion irradiation, Nanotechnology, 2009, v.20, 095205.

A78. Antonova I.V., Kagan M.S., Cherkov A.G., Skuratov V.A., Jedrzejewski J., Balberg I., Nanotechnology, 2009, v. 20, 185401.