RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17373 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Максимов Михаил Викторович

Научная тема: « КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ КАК АКТИВНАЯ СРЕДА ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ »

Научная биография   « Максимов Михаил Викторович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 01.04.10

Год: 2009

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Варьирование постоянной решетки материала, на котором осаждаются квантовые точки, а также химического состава и ширины запрещенной зоны покрывающих тонких слоев позволяет в широких пределах управлять плотностью, формой, размером, а также энергетическим спектром квантовых точек.
  2. Неоднородные поля упругих напряжений в кристаллических структурах, содержащих дислокации, позволяют осуществлять селективное заращивание бездислокационных участков поверхности при осаждении материала с соответствующим параметром решётки. Последующее испарение непокрытых областей дает возможность существенно уменьшать плотность дислокаций в структурах с квантовыми точками, выращивать толстые слои с высоким кристаллическим и оптическим качеством на подложках с большим рассогласованием параметра решетки, существенно уменьшать пороговую плотность тока лазеров, реализовывать длину волны излучения вплоть до 1.55 мкм в структурах, выращенных на подложках GaAs.
  3. Латеральный транспорт носителей в структурах с квантовыми точками подавляется при увеличении энергий локализации электронов и дырок относительно состояний смачивающего слоя и матрицы, что приводит к низкой скорости поверхностной рекомбинации в меза-структурах вплоть до комнатной температуры и позволяет использовать квантовые точки в качестве активной области нанофотонных приборов сверхмалого размера, в которых травление осуществляется через активную область.
  4. В случае нелегированных структур с квантовыми точками изменение распределения носителей в ансамбле с неравновесного на равновесное в совокупности с тепловым заселением близко расположенных дырочных уровней приводит к немонотонному ^-образному характеру температурной зависимости пороговой плотности тока и уменьшению характеристической температуры.
  5. Легирование структур с квантовыми точками акцепторной примесью приводит к заселению дырочных уровней, коротковолновому сдвигу края спектра поглощения и увеличению температурной стабильности пороговой плотности тока лазеров.

Список опубликованных работ

1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, И.Г. Табатадзе, П.С. Копьев. Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs-GaAs. // ФТП, 28(8), 1483-1487 (1994).

2. N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grandmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maxirnov, P.S. Kop´ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, and J. Heydenreich. Low threshold, large Г0 injection laser emission from InGaAs quantum dots. // Electron. Lett., 30, 1416-1417, 1994.

3. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsulnikov, P.S. Kop´ev, D. Bimberg, and Zh.I. Alferov. MBE growth of (In,Ga)As self-assembled quantum dots for optoelectronic applications. // in Devices

Based on Low-Dimensional Semiconductor Structures, ed. by M. Balkanski, 14, 91-94 (Kluwer Academic Publishers, NATO ASI Series 3: High Technology,1996).

4. N. Kirstaedter, O.G. Schmidt, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A£. Zhukov, M.V. Maximov, P.S. Kop´ev, and Zh.I. Alferov. Gain and differential gain of single layer InAs/GaAs quantum dot injection lasers. // Appl. Phys. Lett. 69(9), 1226-1228 (1996).

5. O.G. Schmidt, N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M.H. Mao, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, P.S. Kop´ev, Zh.I. Alferov. Prevention of gain saturation by multi-layer quantum dot lasers. // Electron. Lett. 32(14), 1302-1304 (1996).

6. М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, А.В. Сахаров, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ж.И. Алферов, J. Bohrer, D. Bimberg. Оптические свойства вертикально связанных квантовых точек InGaAs в матрице GaAs. // ФТП, 31(6), 670-673 (1997).

7. D. Bimberg, N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, P.S. Kop´ev, V.M. Ustinov, S.V. Zaitsev, M.V. Maximov. InGaAs/GaAs Quantum Dots Lasers. // in Optical properties of Low Dimensional Semiconductors, eds. G. Abstreiter, A. Aydinli, and J.-P. Leburton, 344, 315-330 (NATO ASI Series. Series E: Applied Sciences - Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, Netherlands, 1997).

8. M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul´nikov, A.V. Lunev, A.V. Sakharov, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, P.S. Kop´ev, L.V. Asryan, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.O. Kosogov and P. Werner. High-power continuous-wave operation of a InGaAs/AlGaAs quantum dot laser. // J. Appl. Phys., 83(10), 5561-5563 (1998).

9. A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul´nikov, M.V. Maximov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop´ev, D. Bimberg, and Zh.I. Alferov. Control of the emission wavelength of self-organized quantum dots: main achievements and present status. // Semicond. Sci. Technol., 14(6), 575-581 (1999).

10. Yu.M. Shernyakov, D.A. Bedarev, E.Yu. Kondrat´eva, P.S. Kop´ev, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, M.V. Maximov, S.S. Mikhrin, A.F. Tsatsul´nikov, V.M. Ustinov,

B.V. Volovik, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, and D. Bimberg. 1.3 |am GaAs-based laser using quantum dots obtained by activated spinodal decomposition. // Electron. Lett., 35(11), 898-900 (1999).

11. Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, П. Вернер. Длинноволновое излучение в структурах с квантовыми точками, полученными при стимулированном распаде твердого раствора на напряженных островках. // ФТП, 33(8), 990-995 (1999).

12. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, Yu.M. Shernyakov, S.S. Mikhrin,N.A. Maleev, E.Yu. Kondrat´eva, D.A. Livshits, M.V. Maximov, B.V. Volovik,D.A. Bedarev, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop´ev, Zh.I. Alferov,D. Bimberg. Continuous wave operation of long-wavelength quantum dot diode laser ona GaAs substrate. // IEEE Photon. Technol. Lett., 11(11), 1345-1347 (1999).

13. M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, D.A. Bedarev, E.Yu. Kondrat´eva, P.S. Kop´ev, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, A.F. Tsatsul´nikov, V.M. Ustinov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Single transverse mode operation of long wavelength (~1.3 um) InAs GaAs quantum dot laser. // Electron. Lett., 35(23), 2038-2039 (1999).

14. J. A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, and D. Bimberg. InAs-InGaAs quantum dot VCSELs on GaAs substrates emitting at 1.3 | m. // Electron. Lett., 36(16), 1384¬1385 (2000).

15. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul´nikov, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, T. Maka, and C. M. Sotomayor Torres. Carrier relaxation in InGaAs-GaAs quantum dots formed by activated alloy phase separation. // Nanotechnology, 11(4), 309-313 (2000).

16. M.V. Maximov, I.L. Krestnikov, Yu.M. Shernyakov, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, Yu.G. Musikhin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, A. Yu. Chernyshov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, T. Maka, C. M. Sotomayor Torres. InGaAs-GaAs Quantum Dots for application in longwavelength (1.3 micron) resonant vertical cavity enhanced devices. //J. Electron. Mat., 29(3), 487-494 (2000).

17. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul´nikov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, E.Yu. Kondrat´eva, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, P.S. Kop´ev, Zh.I. Alferov, R. Heitz, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Optical properties of quantum dots formed by activated spinodal decomposition for GaAs-based lasers emitting at ~1.3 micron. // Microelectronic Engineering, 51-52, 61-72 (2000).

18. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, F. Heinrichsdorff, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, Zh.I. Alferov, and J.A. Lott. Quantum-dot heterostructure lasers. // IEEE J. Select. Topics in Quantum Electron., 6(3), 439-451 (2000).

19. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul´nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin and W. Neumann. Tuning quantum dot properties by activated phase separation of an InGa(Al)As alloy grown on InAs stressors. // Phys. Rev. B, 62(24), 16671-16680 (2000).

20. M.V. Maximov, L.V. Asryan, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul´nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, and D. Bimberg. Gain and threshold characteristics of long wavelength lasers based on InAs/GaAs quantum dots formed by acivated alloy phase separation. // IEEE J. Quantum Electron., 37(5), 676-683 (2001).

21. A.R. Kovsh, N. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil´ev, Yu.M. Shernyakov,M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers of 1.3 щп range with high (88%) differential efficiency. // Electronics Letters, 38, 1104-1106 (2002).

22. Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, Н.В. Крыжановская, А.Б. Жуков, Н.А. Малеев, С.С. Михрин, А.П. Васильев, Р. Селин, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов. Влияние условий отжига на испарение дефектных областей в структурах с квантовыми точками InGaAs в матрице GaAs. // ФТП, 36(9), 1097-1023 (2002).

23. M.V. Maximov, D.A. Bedarev, V.V. Nikolaev, C.M. Sotomayor Torres, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Experimental and Theoretical Studies of Carrier Lateral Transport from Small (3-0.2 um) Mesas with Self-Organized Quantum Dots. // Proceedings 26th International Conference on the Physics of Semiconductors. Edinburgh, UK, (July 29 - August 2, 2002).

24. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul´nikov, I.N. Kajander, Yu.M. Shernyakov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, N.A. Cherkashin, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Reduction of dislocation density during epitaxial growth of self-organised quantum dots. // Proceedings 26th International Conference on the Physics of Semiconductors. Edinburgh, UK, (July 29 - August 2, 2002).

25. N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil´ev, E.S. Semenova, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, D. Bimberg. High performance quantum dot lasers on GaAs substrates operating in 1.5 um range. // Electronics Letters, 39(24), 1729-1730 (2003).

26. И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров на квантовых точках, излучающих в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. // ФТП, 37(10), 1239-1242 (2003).

27. Ch. Ribbat, R.L. Sellin, I. Kaiander, F. Hopfer, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov. Complete suppression of filamentation and superior beam quality in quantum-dot lasers. // Appl. Phys. Lett., 82 (6), 952-954 (2003)

28. И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров на квантовых точках, излучающих в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. // ФТП, 37(10), 1270-1273 (2003).

29. М.В. Максимов, Д.С. Сизов, А.Г. Макаров, И.Н. Каяндер, Л.В. Асрян, А.Е. Жуков, В.М. Устинов, Н.А. Черкашин, Н.А. Берт, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg. Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками. // ФТП, 38(10), 1245-1249 (2004).

30. Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, С.А. Блохин, Ю.Г. Мусихин, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Д. Захаров, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, P. Werner, F. Guffart, D. Bimbergio Оптические и структурные свойства массивов квантовых точек InAs, осажденных в матрицу InxGa1-xAs на подложке GaAs. // ФТП, 38(7), 867-870 (2004).

31. М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов. Мощные лазеры на квантовых точках InAs-InGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подложках GaAs. // ФТП, 38(6), 763-766 (2004).

32. M.V. Maximov, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Lasers. // in Dekker Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, Ed. James A. Schwarz, Cristian I. Contescu, and Karol Putyera, 3109-3126 (Marcel Dekker, Inc.: New York, 2004).

33. И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, Л.Я. Карачинский, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, А.Р. Ковш, И.Л. Крестников, А.В. Кожухов, С.С. Михрин, Н.Н. Леденцов. Влияние p-легирования активной области на температурную стабильность характеристик лазеров на InAs/GaAs-квантовых точках. // ФТП, 39(4), 502-506 (2005).

34. Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, С.А. Блохин, М.В. Максимов, Е.С. Семенова, А.П. Васильев, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Д. Бимберг. Неравновесный характер распределения носителей при комнатной температуре в квантовых точках InAs, покрытых тонкими слоями AlAs/InAlAs. // ФТП, 39(10), 1230-1235 (2005).

35. Л.Я. Карачинский, T. Kettler, Н.Ю. Гордеев, И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, А.Р. Ковш, В.А. Щукин, С.С. Михрин, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, D. Bimberg. Непрерывный режим генерации одномодовых метаморфных лазеров на квантовых точках спектрального диапазона 1.5 мкм. // ФТП, 39(12), 1464-1468 (2005).

36. I.I. Novikov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, A.E. Zhukov, A.P. Vasil´ev, E.S. Semenova, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, N.D. Zakharov, P. Werner. Ultrahigh gain and non-radiative recombination channels in 1.5 um range metamorphic InAs-InGaAs quantum dot lasers on GaAs substrates. // Semicond. Sci. Technol., 20(1), 33-37 (2005).

37. S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I. L. Krestnikov, A. V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I. I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. High power temperature-insensitive 1.3 um InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers. // Semicond. Sci. Technol., 20(5), 340-342 (2005).

38. L.Ya. Karachinsky, T. Kettler, N.Yu. Gordeev, I.I. Novikov, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, A.P. Vasil´ev, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, V.A. Shchukin, S.S. Mikhrin, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, D. Bimberg. High-Power Single Mode CW Operation of 1.5um-Range Quantum Dot GaAs-based Laser. // Electronics Letters, 41(8), 478-480 (2005).

39. D. Bimberg, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, F. Heinrichsdorf, V.M. Ustinov, P.S. Kop´ev, M.V. Maximov, Zh.I. Alferov. Optical Properties and Lasing in SelfOrganised Quantum Dots. // in Optics of Qunatum Dots and Wires, ed. Garnett W. Bryant and Glenn S. Solomon (Artech House, Boston/London, 2005).

40. Н.В .Крыжановская, С.А. Блохин, А.Г. Гладышев, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Э. Шток, Д. Бимберг. Лазерная генерация на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре в микродиске с квантовыми точками. // ФТП, 40(9), 1128-1132 (2006).

41. С.А. Блохин, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Э. Шток, Д. Бимберг. Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления. // ФТП, 40(4), 482-487 (2006).

42. T. Kettler, L.Y. Karachinsky, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, G. Fiol, M. Kuntz, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, K. Posilovic, D. Bimberg, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, A.P. Vasil´ev, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh. Degradationrobust single mode continuous wave operation of 1.46 um metamorphic quantum dot lasers on GaAs substrate. // Appl. Phys. Lett., 89, 041113 (2006).

43. L.Y. Karachinsky, T. Kettler, I.I. Novikov, Y.M. Shernyakov, N.Y. Gordeev, M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, A.P. Vasilev, V.M. Ustinov, G. Fiol, M. Kuntz, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, K. Posilovic,

A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Metamorphic 1.5 um-range quantum dot lasers on a GaAs substrate. // Semicond. Sci. Technol., 21(5), 691-696 (2006).

44. N.V. Kryzhanovskaya, A.G. Gladyshev, S.A. Blokhin, A.P. Vasilev, E.S. Semenova, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, T. Warming, W. Wieczorek, D. Bimberg. High temperature stability of optical properties of InAs quantum dots realized by controlling of quantum dots electronic spectrum. // Int. J. Nanoscience, 6(3-4), 283-286 (2007).

45. M.V. Maximov, A.E. Zhukov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, A.S. Payusov, V.M. Ustinov, I.I. Novikov, N.Yu. Gordeev. 1.32 um quantum dot laser with a 46 cm-1 modal gain. // Semicond. Sci. Technol., 23 (10) 105004 (4pp) (2008)