RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17373 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Шашкин Владимир Иванович

Научная тема: « НЕЛИНЕЙНЫЕ ТРАНСПОРТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕЛЕКТИВНО ЛЕГИРОВАННЫХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ МИКРОСТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК »

Научная биография   « Шашкин Владимир Иванович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 01.04.10

Год: 2009

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Для гетероструктур на основе соединений Al-In-Ga-As-N метод МОГФЭ обеспечивает изменение состава и легирование с ато­марной резкостью, получение атомарно гладких интерфейсов и осаждение металла без формирования промежуточных слоёв, что позволяет управлять туннельной прозрачностью контактов МП.
  2. Полученный методом МОГФЭ искусственный материал, моно­кристаллический полупроводниковый GaAs с внедренными на-нокластерными слоями Al, обладает пикосекундной временной динамикой отклика на межзонное оптическое возбуждение.
  3. Модельное описание электрических свойств наноконтактов с барьером Шоттки свидетельствует о возрастании туннельной компоненты тока при уменьшении их размеров и малой инерци­онности нелинейных емкостных эффектов, сопровождающих их перезарядку, вплоть до терагерцовых частот.
  4. Дельта-легирование кремнием слоя GaAs вблизи границы с алю­минием позволяет управлять эффективной высотой барьера кон­такта МП в диапазоне 0,7- 0,2 эВ при сохранении небольших значений фактора идеальности <1,5 и сопоставимых характери­стиках нелинейности ВАХ при нулевых напряжениях смещения.
  5. Обобщённая эмиссионно-диффузионная теория, учитывающая одновременно туннельные процессы вблизи границы МП и ток инжекции в базовом i-слое, с достаточной точностью описывает ВАХ низкобарьерных диодов Мотта.
  6. Низкобарьерные диоды Мотта с 8-легированием вблизи границы МП обеспечивают рост чувствительности при детектировании в режиме без тока смещения и эффективное смешение сигналов при пониженной мощности гетеродина.
  7. Планарные детекторы на основе микрополосковых щелевых ан­тенн, с включёнными в них низкобарьерными диодами, сохра­няют направленность и чувствительность при плотной компо­новке в матричном приёмнике.

Список опубликованных работ

A1. Данильцев В. М. Применение метода Брюстеровской рефлектометрии для контроля состояния поверхности GaAs в MOCVD реакторе атмосферного давления / В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, М.А. Новиков, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Заводская лаборатория (диагностика материалов). - 1995. - № 10. - C. 16-19.

A2. Vostokov N.V. Surface photoabsorption monitoring of the strain induced 2D-3D growth mode transition in MOVPE of InGaAs on GaAs (001) / N.V. Vostokov, V.M. Danil´tsev, M.N. Drozdov, Yu.N. Drozdov, A.Yu. Lukyanov, D.G. Revin, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin // Proceedings of 8th European Workshop on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy and Related Growth Techniques. Pra¬gue, June 8-11, 1999. - P. 349-352.

A3. Востоков Н.В. Применение метода Брюстеровской рефлектометрии для анализа процессов на ростовой поверхности InGaAs в условиях MOCVD / Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, А.Ю. Лукьянов, Д.Г. Ревин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Известия РАН, Серия физическая. -2000. - Т. 64. - № 2. - С.370-373.

A4. Дроздов Ю.Н. Сегрегация индия при выращивании квантовых ям InGaAs/GaAs в условиях газофазной эпитаксии / Ю.Н. Дроздов, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, М.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, В. И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37. - В. 2. - С. 203-208.

A5. Vostokov N.V. Investigation of InGaAs based double quantum well heterostructures near the critical thickness transition / N.V. Vosto-kov, D.M. Gaponova, V.M. Daniltsev, Yu.N Drozdov, A.V. Murel, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin, I.Yu. Shuleshova // Physics of Low-Dimensional Structures. -2001. - N 3/4. - P. 303-308.

A6. Востоков Н.В. Исследование структур со сдвоенными слоями InGaAs вблизи перехода через критическую толщину / Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Микросистемная техника. - 2001.- № 12. - C. 18-22.

A7. Fedirko V.A. Characterization of GaAs/GaAlAs MOCVD superlat-tice by STM/AFM technique / V.A. Fedirko, V.A. Bykov, M.D. Eremtchenko, V.M. Danilt´zev, V.I. Shashkin // Abstracts of Invited Lectures and Conributed Papers of International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". St.-Petersburg, Russia, June 24-28, 1996. - P. 381-384.

A8. Fedirko V.A. A3B5 structure characterization by scanning probe mi¬croscopy / V.A. Fedirko, M.D. Eremtchenko, V.M. Daniltzev, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin // 23rd International Symposium on Com¬pound Semiconductor. St.-Petersburg, Russia, September 23-27, 1996. Inst. Phys. Conf. Ser. - No 155. - P. 949-952.

A9. Pakhomov G.L. AFM Study of Dry Etched Cleavages of the AlxGa1-xAs/GaAs heterostructures / G.L. Pakhomov, N.V. Vostokov, V.M. Daniltsev, V.I. Shashkin // Physics of Low-Dimensional Structures. - 2002. - N 5/6. - P. 247-254.

A10. Shashkin V. Cross-sectional AFM of GaAs-based multiplayer het-erostructure with thin AlAs marks / V. Shashkin, N. Vostokov, V. Daniltsev, Yu. Drozdov, G. Pakhomov // Booklet of Extended Ab¬stracts of 10th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Italy, Lecce, June 8-11, 2003. - P. 171-173.

A11. Drozdov Yu.N. Cross-Sectional AFM of GaAs-based Multilayer Heterostructure with Thin AlAs Marks / Yu.N. Drozdov, V.M. Daniltsev, N.V. Vostokov, G.L. Pakhomov, V.I. Shashkin // Physics of Low-Dimensional Structures. - 2003. - N 3/4. -P. 49-54.

A12. Shashkin V.I. Selective plasma etching III-V multilayer heterostructures / V.I. Shashkin, G.L. Pakhomov, N.V. Vostokov, V.M. Danil´tsev, Y.N. Drozdov, S.A. Gusev // Proceedings 2nd VDE World Micro Technologies Congress - MICRO.tec 2003, Munich, Germany. October 13-15, 2003. P. 463-465.

A13. Дроздов М.Н. Послойный оже-анализ сверхвысокого разрешения: проблема минимизации аппаратурных погрешностей / М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Н.Н. Салащенко, Н.И. Полушкин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Письма в ЖТФ. - 1995. - T. 21. - В. 18. - C. 1-7.

A14. Дроздов М. Н. Сверхвысокое разрешение при послойном оже-анализе гетероструктур InxGa1-xAs с глубоко залегающими квантовыми ямами / М. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дроздов, Д.В. Мастеров, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Письма в ЖТФ. - 1996. - T. 22. - B. 18. - C. 61-66.

A15. Дроздов М.Н. Субнанометровое разрешение по глубине при послойном анализе с использованием скользящих оже-электронов / М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Письма в ЖТФ. - 2001. - T. 27. -

B. 3. - C. 59-66.

A16. Дроздов М.Н. Новый метод определения резкости гетеропереходов InGaAs/GaAs при послойном оже-анализе / М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, О.И. Хpыкин, В.И. Шашкин // Письма в ЖТФ. - 2001. - T. 27. - B. 20. - C.51-

56.

A17. Шашкин В.И. Простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из C-V измерений в электрохимической ячейке / В.И. Шашкин, И.Р. Каретникова, А.В. Мурель, И.М. Нефёдов, И.А. Шерешевский // Физика и техника полупроводников. - 1997. - T. 31. - B. 8. - С. 926-930.

A18. Нефедов И.М. Численный метод определения профиля легирования полупроводников по данным C-V измерений при электрохимическом травлении / И.М. Нефедов, И.Р. Каретникова, А.В. Мурель, В.И. Шашкин, И.А. Шерешевский // Тезисы докладов III Российской конференции по физике полупроводников, "Полупроводники-97". Москва, 1-5 декабря 1997 г. - С. 113.

A19. Shashkin V.I. Approach to Electrochemical С-V Profiling in Semi¬conductor with Sub-Debye-Length Resolution / V.I. Shashkin, I.R. Karetnikova, A. Murel, I. Nefedov, I.A. Shereshevskii // IEEE Transactions on Electron Devices. 2000. - V. 47. - N 6. - P. 1221¬1224.

A20. Каретникова И.Р. О точности восстановления профиля легирования полупроводников на основе вольт-фарадных измерений в процессе электрохимического травления / И.Р. Каретникова, И.М. Нефёдов, В.И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. - 2001. - T. 35. - B. 7. - С. 801-807.

A21. Данильцев В.М. Получение предельно резких профилей 5-легированных слоев GaAs в процессе металлоорганической газофазной эпитаксии / В.М. Данильцев, И.В. Ирин, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Тезисы докладов I Российской конференции по физике полупроводников. Нижний Новгород, 10-14 сентября 1993 г. - T. 2, С. 355.

A22. Данильцев В. М. Получение предельно резких профилей распределения примесе в 5-легированных слоях GaAs при металлоорганической газофазной эпитаксии / В.М. Данильцев, И.В. Ирин, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Неорганические материалы. - 1994.- T. 30. - № 8. -С. 1026-1029.

A23. Германенко А.В. Характеризация 5-легированных слоёв GaAs с использованием сильных магнитных полей / А.В. Германенко, Г.М. Миньков, С.А. Негашев, О.Е. Рут, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, В.М. Данильцев // Материалы совещания "Нанофотоника", Нижний Новгород, 20-23 марта 2000 г. - С. 78-

A24. Aleshkin V.Ya. Band tailing in Si delta-doped GaAs / V.Ya. Alesh-kin, V.M. Danil´tsev, A.V. Murel, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin // Ab¬stracts of Invited Lectures and Conributed Papers of International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". St.-Petersburg, Russia, June 23-27, 1997. - P. 224-226.

A25. Алёшкин В.Я. Глубокие состояния в 5-легированном кремнием GaAs // В.Я. Алёшкин, В.М. Данильцев, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В. И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. -1998.-T. 32.-B. 6. - С. 733-738.

A26. Danilov I. Electrical isolation of a silicon 5-doped layer in GaAs by ion irradiation / I. Danilov, J.P. de Souza, H. Boudinov, A.V. Murel, V.M. Daniltsev, V.I. Shashkin // Applied Physics Letters. - 1999. -V. 75. - N 13. - P. 1917-1919.

A27. Алёшкин В.Я. Характеризация электрофизическими и оптическими методами гетероструктур GaAs/InxGa1-xAs с квантовыми точками / В.Я. Алёшкин, Д.М. Гапонова, С.А. Гусев, В.М. Данильцев, З.Ф. Красильник, А.В. Мурель, А.В. Парамонов, Д.Г. Ревин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. - 1998. - Т. 32. - B. 1. - С. 111-116.

A28. Aleshkin V.Ya. Optical diagnostics of quantum dots in GaAs/InxGa1-xAs heterostructures / V.Ya. Aleshkin, S.A. Gusev, V.M. Danil´tsev, M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, Z.F. Krasilnik, D.G. Revin, V.I. Shashkin // Physics of Low-Dimensional Structures. - 1998. - N 1/2. - P.143-148.

A29. Гапонова Д.М. Структурные и оптические свойства слоёв GaNxAs1-x, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии / Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Г. Ревин, А.Б. Толстогузов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Известия РАН. Серия физическая. - 2000. -T. 64. - № 2. - С. 358-361.

A30. Данильцев В.М. Оптические и электрофизические свойства эпитаксиальных слоёв GaAs1-xNx, выращенных на GaAs методом МОГФЭ / В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, Д.Г. Ревин, Д.М. Гапонова // Известия РАН. Серия физическая. - 2002. - T. 66. - № 2. - С. 193-195.

A31. Мурель А.В. Исследование квантовых ям GaInNAs-GaAs, выращенных методом МОГФЭ / А.В. Мурель, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.М. Гапонова, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Известия РАН. Серия физическая. - 2004. - T. 68. - № 1. - C. 87-89.

A32. Данильцев В.М. Влияние параметров процесса МОГФЭ на свойства эпитаксиальных плёнок GaInAsN / В.М. Данильцев, Д.М. Гапонова, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, Д.А. Пряхин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39. - В. 1. - С. 13-16.

A33. Гусев С.А. Осаждение алюминия на эпитаксиальный арсенид галлия в едином MOCVD процессе с использованием триметиламиналана / С.А. Гусев, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Тезисы докладов конференции Микроэлектроника-94. Звенигород, 28 ноября - 3 декабря 1994 г. - C. 267-268.

A34. Данильцев В.М. Осаждение плёнок алюминия на арсенид галлия в процессе металлоорганической газофазной эпитаксии с использованием триметиламиналана / В. М. Данильцев, С. А. Гусев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, Б. М. Булычев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 1996. - № 1. - C. 36-41.

A35. Данильцев В.М. Получение высококачественных слоев AlGaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии с использованием триметиламиналана / В. М. Данильцев, С. А. Гусев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, Б.М. Булычев // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции "Электроника и информатика". Москва, 15-17 ноября 1995 г. - C. 161.

A36. Shashkin V. Microstructure and Properties of Aluminum Contacts Formed on GaAs(100) by Low Pressure Chemical Vapor Deposition with Dimethylethylamine Alane Source / V. Shashkin, S. Rush-worth, V. Daniltsev, A. Murel, Yu. Drozdov, S. Gusev, O. Khrykin, N. Vostokov // Journal of Electronic Materials. - 2001. - V. 30. – N 8. - P. 980-986.

A37. Daniltsev V.M. A new approch to AFM investigation of buried Al/InxGa1-xAs/GaAs interfaces and quantum dots / V.M. Daniltsev, M.N Drozdov, Yu.N Drozdov, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin, I.Yu. Shuleshova, N.V. Vostokov // Physics of Low-Dimensional Struc¬tures. - 2001. - N 3/4. - P. 321-326.

A38. Востоков Н.В. Применение селективного химического травления для исследования зарощенных слоёв и самоорганизованных квантовых точек в гетероструктурах Al/InGaAs/GaAs методом атомно-силовой микроскопии / Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, В. И. Шашкин, И. Ю. Шулешова // Микросистемная техника. - 2001. - № 11. - C. 35-37.

A39. Востоков Н.В. Формирование и исследование металлических нанообъектов Al на GaAs / Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Поверхность. - 2000. - № 11. - C. 84-88.

A40. Shashkin V. Aluminum nanoparticles embedded into GaAs: deposi¬tion and epitaxial overgrowth by MOCVD / V. Shashkin, V. Danilt-sev, M. Drozdov, Yu. Drozdov, A. Murel, N. Vostokov, S. Rush-worth // Booklet of Extended Abstracts of 10th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Italy, Lecce, June 8 - 11, 2003. - P. 79-82.

A41. Востоков Н.В. Формирование нанокластеров Al и их заращивание слоем GaAs в условиях металлорганической газофазной эпитаксии / Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. В. Мурель, В.И. Шашкин // Известия РАН. Серия физическая. 2004. - T. 68. - № 1. - C. 55-57.

A42. Shashkin V.I. Incorporation of Mo and W nanoclusters into GaAs structures grown by MOCVD / V.I. Shashkin, B.N. Zvonkov, N.V. Vostokov, Yu.A. Danilov, Yu.N. Drozdov, A.V. Murel // Extended Abstracts of 11th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Lausanne, Switzerland, 5-8th June 2005. - P. 119¬121.

A43. Востоков Н.В. Формирование структур с нанокластерными слоями Al, внедрёнными в матрицу GaAs в процессе металлорганической газофазной эпитаксии / Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Д.А. Пряхин, В.И. Шашкин, И. Ю. Шулешова // Письма в журнал технической физики. -2007.-T. 33.-B. 10.-C. 83-88.

A44. Данильцев В.М. Применение АСМ для исследования режимов эпитаксиального роста гетероструктур AlGaAs/GaAs / В.М. Данильцев, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, Д.А. Пряхин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Материалы симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 25-29 марта 2005 г. - С. 118-119.

A45. Востоков Н.В. О роли туннелирования в наноконтактах металл-полупроводник / Н.В. Востоков, В.И. Шашкин // Журнал экспериментальной и технической физики. - 2004. - Т. 126. - В. 1(7). - С. 1-7.

A46. Востоков Н.В. Электрические свойства наноконтактов металл-полупроводник / Н.В. Востоков, В.И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. - 2004. - T. 38. - B. 9. - C. 1084-1089.

A47. Востоков Н.В. Адмитанс и нелинейная емкость многослойной структуры металл-полупроводник / Н. В. Востоков, В. И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. - 2008. - T. 42. - B. 7. - C. 799-803.

A48. Востоков Н.В. Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs / Н.В. Востоков, С.А. Гусев, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.И. Корытин, А.В. Мурель, В.И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. -2005. - T. 39. - B. 1. - P. 92-95.

A49. Алешкин В.Я. Пикосекундная кинетика фотоносителей в арсениде галлия с нанокластерами алюминия / В.Я. Алешкин, Н. В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, А.А. Дубинов, З.Ф. Красильник, А.И. Корытин, Д.И. Курицын, Д.А. Пряхин, В.И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - T. 41. - B. 8. - C. 929-933.

A50. Данильцев В.М. Электронный транспорт через гетерограницу Al/GaAs(100): управление эффективной высотой барьера (0.7...0.1эВ) / В.М. Данильцев, А.В. Мурель, В.И. Шашкин, О.И. Хрыкин // Тезисы докладов II Российской конференции по физике полупроводников. Зеленогорск, 26 февраля - 1 марта 1996 г. - C. 47.

A51. Шашкин В.И. Управление эффективной высотой барьера в эпитаксиальных структурах Al/n-GaAs, изготовленных в едином цикле МОГФЭ / В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин // Микроэлектроника. - 1997. - T. 26. - B. 1. - C. 57-61.

A52. Shashkin V.I. Schottky barrier height engineering for millimeter-wave diodes / V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev, O.I. Khrykin, A.V. Murel, Yu.I. Chechenin, A.V. Shabanov // Proceedings of 1997 In¬ternational Semiconductor Device Research Symposium. Char-lottesville, USA, December 10-13, 1997. - P. 147-150.

A53. Шашкин В.И. Управление характером токопереноса в барьере Шоттки с помощью 5-легирования: расчёт и эксперимент для Al/GaAs / В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин // Физика и техника полупроводников. -2002. - T. 36. -

B. 5. - C. 537-542.

A54. Шашкин В.И. Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным 5-легированием / В.И. Шашкин, А.В. Мурель // Физика и техника полупроводников. - 2008. - T.42. - B. 4. - C. 500-502.

A55. Shashkin V.I. Comment on "Schottky diodes with a 5-doped near-surface layer´´ / V. Shashkin, A. Murel // Journal of Applied Phys¬ics. - 2004. - V. 95. - N 4. - P. 2190-2191.

A56. Шашкин В.И. Теория туннельного токопереноса в контактах металл-полупроводник с приповерхностным изотипным дельта-легированием / В.И. Шашкин, А.В. Мурель // Физика и техника полупроводников. - 2004. - T. 38. - B. 5. - C. 574-579.

A57. Шашкин В.И. Диагностика микроволновых низкобарьерных детекторных диодов / В. И. Шашкин, А.В. Мурель // Материалы 17-ой международной микроволновой конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", Крымико-2007. Севастополь, Крым, Украина, 10-14 сентября 2007 г. - C. 587¬588.

A58. Шашкин В.И. Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта / В. И. Шашкин, А. В. Мурель // Физика твёрдого тела. - 2008. - Т. 50. - B. 3. - C. 519-522.

A59. Шашкин В.И. Свойства контактов Мотта с ультра малым барьером металл-полупроводник / В.И. Шашкин, А.В. Мурель // Физика твёрдого тела. - 2008. - T. 50. - B. 10. - C. 1883-1887.

A60. Шашкин В.И. Решение задачи инжекции носителей тока в изолирующий слой при самосогласованных граничных условиях на контактах / В. И. Шашкин, Н.В. Востоков // Физика и техника полупроводников. - 2008. - T. 42. - B. 11. - C. 1339¬1344.

A61. Shashkin V.I. Analytical solution for charge-carrier injection into an insulating layer in the drift diffusion approximation / V.I. Shashkin, N.V. Vostokov // Journal of Applied Physics. - 2008. - V. 104. - P. 123708.

A62. Шашкин В.И. Барьерные и инжекционные механизмы нелинейности тока в детекторных диодах Мотта / В.И. Шашкин, Н.В. Востоков, А.В. Мурель // Материалы XIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», г. Нижний Новгород, 16-20 марта 2009 г. - С. 167-168.

A63. Оболенский С.В. Токоперенос в диодах Мотта: эффекты горячих электронов / С.В. Оболенский, Н.В. Востоков, А.В. Мурель, В.И. Шашкин // Материалы XIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», г. Нижний Новгород, 16-20 марта 2009 г. - С. 320-321.

A64. Шашкин В.И. Обобщённая теория токопереноса в низкобарьерных диодах Мотта с приповерхностным дельта-легированием: сопоставление с экспериментом / В.И. Шашкин, А. В. Мурель // Материалы XIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», г. Нижний Новгород, 16-20 марта 2009 г. - С. 398-399.

A65. Molodnyakov S.P. Submicron Planar Schottky Diodes for Submilli-meter Wavelengths / S.P. Molodnyakov, V.I. Shashkin, L.V. Suk-hodoev, V.M. Daniltzev, A.S. Molodnyakov // Proceedings of 1993 International Semiconductor Device Research Symposium. Char¬lottesville, December 1-3, 1993. - P. 377-380.

A66. Шашкин В.И. Планарные диоды с управляемой высотой барьера Шоттки для детекторов микроволнового излучения / В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Мурель, А.В. Масловский, О.И. Хрыкин, Ю.И. Чеченин, А.В. Шабанов // Материалы 8-ой международной микроволновой конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", Крымико 1998. Севастополь, Крым, Украина, 14-17 сентября 1998 г. - С. 118-120.

A67. Вакс В.Л. Автоматизированный стенд для измерения параметров диодных детекторов в миллиметровом диапазоне длин волн / В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Масловский, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, Ю.И. Чеченин, В.И. Шашкин, Ю.А. Дрягин // Материалы 11-ой международной микроволновой конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", Крымико 2001. Севастополь, Крым, Украина, 10¬14 сентября 2001 г. - С. 592-593.

A68. Shashkin V.I. Planar Schottky Diodes with Low Barrier Height for Microwave Detector Application / V. Shashkin, Yu. Chechenin, V. Danilt´tsev, O. Khrykin, A. Maslovsky, A. Murel, V. Vaks // Pro¬ceedings of 23rd International Conference on Microelectronics, MIEL 2002. Nis, Yugoslavia, May 12-15, 2002. - P. 335-338.

A69. Шашкин В.И. Микроволновые детекторы на основе низкобарьерных планарных диодов Шоттки и их характеристики / В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Масловский, А.В. Мурель, С.Д. Никифоров, Ю.И. Чеченин // Известия вузов. Радиофизика. - 2005. - T. 48. - № 6. - С. 544¬551.

A70. Шашкин В.И. Характеристики микроволновых детекторов на основе низкобарьерных планарных диодов Шоттки / В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Масловский, А.В. Мурель, С.Д. Никифоров, Ю.И. Чеченин // Материалы 15-ой международной микроволновой конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", Крымико-2005. Севастополь, Крым, Украина, 12-16 сентября 2005 г. - С. 631¬632.

A71. Шашкин В.И. Детекторы с низкобарьерными диодами Шоттки для матричных систем видения миллиметрового диапазона / В.И. Шашкин, В.Р. Закамов, А.В. Мурель, Ю.И. Чеченин, Ю.А. Дрягин, С. В. Кривов, Л. М. Кукин // Материалы 16-ой международной микроволновой конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", Крымико-2006. Севастополь, Крым, Украина, 11-15 сентября 2006 г. - С. 161¬162.

A72. Shashkin V.I. Millimeter-Wave Detector on the Basis of Low-Barrier Schottky Diodes and a Planar Slot Antenna / V.I. Shashkin, Y.A. Drjagin, V.R. Zakamov, S.V. Krivov, L.M. Kukin, A.V. Murel, Y.I. Chechenin // Conference Digest of the 2006 Joint 31st Interna¬tional Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th Inter¬national Conference on Terahertz Electronics. Shanghai, China, Sep¬tember 18-22, 2006. - P. 400.

A73. Shashkin V.I. Planar Antenna-coupled Detector for Matrix Systems of Millimeter Wave Imaging / V.I. Shashkin, V.R. Zakamov, A.V. Murel, Y.I. Chechenin // Proceedings of 6th International Conftrence on Antenna Theory and Techniques, ICATT´07. Sevastopol, Ukraine, September 17-21, 2007. - P. 351-353.

A74. Shashkin V.I. Millimeter-wave Detectors Based on Antenna-coupled Low-barrier Schottky Diodes / V.I. Shashkin, Yu.A. Drjagin, V.R. Zakamov, S.V. Krivov, L.M. Kukin, A.V. Murel, Y.I. Chechenin // International Journal of Infrared and Millimeter Waves. - 2007.- V. 28. - N 11. - P. 945-952.

A75. Шашкин В.И. Низкобарьерные детекторы субтерагерцового диапазона на основе структур металл-полупроводник с приповерхностным дельта-легированием / В.И. Шашкин // Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников. Екатеринбург, 30 сентября - 5 октября 2007г. - C. 384.

A76. Шашкин В.И. Планарные детекторы для многоэлементных систем радиовидения миллиметрового диапазона длин волн / В.И. Шашкин, Ю.А. Дрягин, В.Р. Закамов, С.В. Кривов, Л.М. Кукин, А.В. Мурель, Ю.И. Чеченин // Известия вузов. Радиофизика. - 2007. - T. 51. - № 12. - C. 1077-1087.

A77. Алкеев Н.В. Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера / Н. В. Алкеев, С. В. Аверин, А. А. Дорофеев, В.И. Шашкин // Радиотехника и электроника. - 2008. - T. 53. - № 2. - C. 250-254.

A78. Закамов В.Р. Использование линейки планарных детекторов для формирования изображений при просвечивании предметов излучением миллиметрового диапазона длин волн / В.Р. Закамов, В.И. Шашкин, А.В. Мурель // Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2008 г. - С. 479-480.

A79. Закамов В.Р. Планарные детекторы для матричных систем видения в миллиметровом диапазоне длин волн / В.Р. Закамов, В.И. Шашкин, А.В. Мурель // Тезисы докладов XX Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. Москва, Россия, 27-30 мая 2008 г. - C. 33-34.

A80. Закамов В.Р. Исследования диодов с пониженной высотой барьера Al/GaAs в трёхмиллиметровом диапазоне частот / В.Р. Закамов, В. И. Шашкин // Тезисы докладов радиоастрономической конференции «Повышение эффективности и модернизация радиотелескопов». п. Нижний Архыз, Карачаево-Черкессия, 22-27 сентября 2008 г. - C. 41.

A81. Радзиховский В.Н. Применение низкобарьерных детекторных диодов Шоттки в широкополосном радиометре 3 мм диапазона / В.Н. Радзиховский, С.Е. Кузьмин, В.Б. Хайкин, С.В. Шлезнин, В.Р. Закамов, В.И. Шашкин // Тезисы докладов радиоастрономической конференции «Повышение эффективности и модернизация радиотелескопов». п. Нижний Архыз, Карачаево-Черкессия, 22-27 сентября 2008 г. - C. 71.

A82. Закамов В.Р. Модифицированные щелевые антенны миллиметрового диапазона длин волн на подложках с высокой диэлектрической проницаемостью / В.Р. Закамов, Л.М. Кукин, С.В. Кривов, В.И. Шашкин // Известия вузов. Радиофизика. -2008. - T. 51. - № 10. - C. 864-871.

A83. Закамов В.Р. Исследования диодов с пониженной высотой барьера в планарном смесителе миллиметрового диапазона длин волн / В.Р. Закамов, В.И. Шашкин // Материалы XIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», г. Нижний Новгород, 16-20 марта 2009 г., С. 348-349.