RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17373 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Сабитов Олег Юрьевич

Научная тема: « ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА ЦИНКА »

Научная биография   « Сабитов Олег Юрьевич »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 01.04.10

Год: 2009

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления S-типа и N-типа на ВАХ слоя люминофора обусловлено перезарядкой глубоких центров и образованием и изменением положительного объемного заряда в прианодной области слоя люминофора - ионизацией вакансий цинка vZ;n , V~n и серы V/, и отрицательного объемного заряда в прикатодной области слоя люминофора - захватом электронов на вакансии серы Vи V $+.
  2. Оптимизация режима возбуждения ЭЛИ путем изменения формы возбуж­дающего напряжения с сохранением амплитуды и периода следования приводит к изменению амплитудной и средней яркости свечения, внешнего квантового и энерге­тического выходов, светоотдачи, а зависимости указанных параметров от времени нарастания линейно изменяющегося напряжения имеют максимумы.
  3. Разработана физико-математическая модель процесса переноса носителей заряда при туннелировании электронов с заполненных поверхностных состояний гра­ницы раздела «диэлектрик - люминофор» и последующей ударной ионизации глубо­ких центров, обусловленных собственными дефектами слоя люминофора, в рамках которой определены зависимости от времени коэффициента умножения электронов, коэффициента ударной ионизации, числа ионизаций, производимых одним электро­ном, прошедшим область ударной ионизации, распределение электрического поля по толщине слоя люминофора, глубина уровней поверхностных состояний, вероятность туннелирования электронов в единицу времени, ширина потенциального барьера.
  4. Процесс захвата электронов на поверхностные состояния анодной границы раздела «люминофор - диэлектрик» ТП ЭЛИ при спаде тока проводимости подчиня­ется бимолекулярному закону и протекает в две стадии. На первой стадии процесса происходит ударный Оже-захват горячих электронов на поверхностные состояния анодной границы раздела «диэлектрик - люминофор» и туннельная генерация дырок в валентную зону с глубоких центров, а на второй - при смене направления поля в слое люминофора - дырки валентной зоны, генерированные за счет туннельной эмис­сии с глубоких центров, дрейфуют к этой границе, где рекомбинируют с электронами наиболее глубоких заполненных поверхностных состояний.
  5. Разработанные автором методики, основанные на анализе экспериментальных данных амплитудной и средней яркости от времени нарастания линейно изменяющегося напряжения возбуждения и введенного автором понятия мгновенного внутреннего квантового выхода позволяют определить важнейшие излучательные параметры пленочных ЭЛИ, а также объяснить насыщение вольтяркостной характеристики.
  6. Сформированные в процессе изготовления ЭЛ структуры микронеровности на стеклянной подложке приводят к увеличению яркости свечения, светоотдачи, внешнего квантового и энергетического выходов.

Список опубликованных работ

1. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Гибридный пленочный электролюминесцентный излу¬чатель переменного тока // Журн. техн. физ. - 1996. - т.66, вып.11. - с.201-202.

2. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Пленочные электролюминесцентные структуры на ше¬роховатых подложках // Журн. прикл. спектроскоп. - 1997. - т.64, вып.4. - с.507-512.

3. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, И.Ю.Бригадное. Пленочные электролюминесцентные излучатели на шероховатых подложках // Письма в Журн. техн. физ. - 1997. - т.23, вып.15. - с.7-12.

4. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Пленочные электролюминесцентные структуры на подложках с диффузно-рассеивающей излучающей поверхностью // Письма в Журн. техн. физ. - 1997. - т.23, вып.20. - с.1-7.

5. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Пленочные электролюминесцентные структуры на подложках с шероховатыми поверхностями // Журн. прикл. спектроскоп. - 1998. - т.65, вып.5. - с.787-793.

6. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Влияние формы возбуждающего напряжения на яр¬кость свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей // Журн. техн. физ. - 1999. - т.69, вып.2. - с.64-69.

7. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Исследование тонкопленочных электролюминесцент¬ных излучателей при возбуждении линейно нарастающим напряжением // Журн. техн. физ. - 1999. - т.69, вып.2. - с.58-63.

8. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Кинетика электролюминесценции в пленочных струк¬турах на основе сульфида цинка, легированного марганцем // Журн. техн. физ. -1999. - т.69, вып.5. - с.65-73.

9. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин, А.В.Юденков. Кинетика мгновенной ярко¬сти свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // Письма в Журн. техн. физ. - 2001. - т.27, вып.4. - с.12-18.

10. Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Отрицательное дифференциальное сопро¬тивление в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка // Журн. техн. физ. - 2001. - т.71, вып.3. - С.72-75.

11. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Влияние объемного заряда на харак¬теристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // Журн. техн. физ. - 2001. - т.71, вып.8. - с.48-58.

12. Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Формирование вольт-яркостной характе¬ристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе суль¬фида цинка // Письма в Журн. техн. физ. - 2001. - т.27, вып.22. - с.52-57.

13. Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Кинетика электролюминесценции тонкоп¬леночных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах // Журн. техн. физ. - 2002. - т.72, вып.2. - с.74-83.

14. Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Изменение спектра электролюминесцен¬ции тонкопленочных излучателей на основе ZnS:Mn в зависимости от уровня воз¬буждения // Письма в Журн. техн. физ. - 2002. - т.28, вып.15. - с.24-32.

15. Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов, Д.В.Рябов. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излуча¬телей на основе ZnS:Mn // Письма в Журн. техн. физ. - 2003. - т.29, вып.4. - с.14-21.

16. Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов, Д.В.Рябов. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных струк¬тур на основе ZnS:Mn // Журн. техн. физ. - 2003. - т.73, вып.4. - с.90-99.

17. Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Квантовый выход и светоотдача тонкоп¬леночных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // Журн. техн. физ. - 2003. - т.73, вып.4. - с.100-112.

18. Н.Т.Гурин, Д.В.Рябов, О.Ю.Сабитов, А.М.Афанасьев. Туннелирование электронов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS:Mn // Письма в Журн. техн. физ. -2005. - т.31, вып.3. - с.79-85.

19. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Новый метод определения параметров электролюми¬несценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS:Mn // Письма в Журн. техн. физ. - 2005. - т.31, вып.22. - с.17-23.

20. Н.Т.Гурин, А.М.Афанасьев, О.Ю.Сабитов, Д.В.Рябов. Туннелирование и ударная ионизация в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn // Физ. и техн. полупров. - 2006. - т.40, вып.8. - с.949-961.

21. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Определение параметров и характеристик электролю-минесценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS:Mn // Журн. техн. физ. - 2006. - т.76, вып.8. - с.50-62.

22. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.М.Афанасьев. Характеристики туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn // Физ. и техн. полупров. - 2007. - т.41, вып.10. - с.1168-1177.

23. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Релаксация параметров тонкопленочных электролюми-несцентных излучателей на основе ZnS:Mn при выключении // Письма в Журн. техн. физ. - 2008. - т.34, вып.7. - с.14-22.

24. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Релаксация параметров тонкопленочных электролюми-несцентных структур на основе ZnS:Mn при выключении // Физ. и техн. полупров. - 2008. - т.42, вып.6. - с.692-705.

25. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Влияние электрофизических параметров и режимов возбуждения на выход излучения в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // Ученые записки Ульяновского государственного ун-та. Серия физи¬ческая. Вып.1(3). - Ульяновск, 1997. - с.73-77.

26. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Кинетика электролюминесценции тонкоп¬леночных структур на основе сульфида цинка на низких частотах // Ученые за¬писки Ульяновского государственного университета. Сер. физическая, 2001, вып.2(11), с.63-75.

27. Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Отрицательное дифференциальное сопро¬тивление в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе суль¬фида цинка // Критические технологии и фундаментальные проблемы конденси¬рованных сред: Труды лекторов Школы (июнь 2000г., Ульяновск) / Под общ. ред. акад. РАЕН С.В.Булярвкого. - Ульяновск, 2001. - с.107-130.

28. N.T.Gurin, O. Yu. Sabitov. Optimization of the film electroluminescent emitters on lu¬minescence output // "The fifth intern. conf. on Simulation of devices and technolo¬gies". - ICSDT´96. -Proc. Obninsk, Russia, May 13-17, 1996. Obninsk, 1996.-p.81-82.

29. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Расчет электрических параметров пленочных электро-люминесцентных излучателей с помощью пакета схемотехнического моделиро¬вания PSPICE // Сб. докл. Междунар. науч.-техн. конф. "Актуальные проблемы анализа и обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем". Пенза. Изд. Пенз. гос. техн. ун-та, 1997. - с.17.

30. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Исследование волн яркости пленочных электролюми¬несцентных структур при возбуждении линейно нарастающим напряжением // Сб. матер. 3-й междунар. конф. "Распознавание-97". Курск, Курск. гос. техн. ун-т. 1997. - с.134-136.

31. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Параметры предпробойной электролюминесценции пленочных ZnS:Mn-cтpуктуp // Труды междунар. конф. "Оптика полупроводни¬ков". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 1998 .- с.42-43.

32. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Вольт-фарадные характеристики тонкоп¬леночных электролюминесцентных структур // Труды междунар. конф. "Оптика полупроводников". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000г.- С.78-79.

33. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Вольт-зарядовые характеристики люми¬несцентного слоя тонкопленочных электролюминесцентных структур // Труды междунар. конф. "Оптика полупроводников". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000г.-с.80-81.

34. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Вольтамперная характеристика активного слоя в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка // Труды седьмой междунар. науч.-техн. конф. "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". Дивноморское, Россия, 17-22 сент. 2000. - с.196-198.

35. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Исследование кинетики переноса заряда в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях // Труды седьмой между-нар. науч.-техн. конф. "Актуальные проблемы твердотельной электроники и мик-роэлектроники". Дивноморское, Россия, 17-22 сент. 2000. - с.199-200.

36. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Частотные зависимости характеристик тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS:Mn // Тру¬ды междунар. конф. "Оптика, оптоэлектроника и технологии". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2001г.- с.44.

37. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Процессы ударного возбуждения в пленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn // Труды V междунар. конф. "Аморфные и поликристаллические полупроводники". Санкт-Петербург: 19-21 июня 2006. Изд-во Политехнического университета, Санкт-Петербург, 2006г.-с.321-322.

38. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Определение параметров и характеристик электролю-минесценции в тонкопленочных структурах на основе ZnS:Mn // Труды VIII меж-дунар. конф. "Опто- наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы". Улья¬новск: Изд-во УлГУ, 2006г.- с.201.

39. Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Большое возрастание мгновенного внутреннего кванто¬вого выхода в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn // Труды VIII междунар. конф. "Опто- наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2006г.- с.212.