RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17373 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Еремеев Сергей Владимирович

Научная тема: « ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТЕЙ МЕТАЛЛОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ДИЭЛЕКТРИКОВ СО СТРУКТУРНЫМИ ДЕФЕКТАМИ, АДСОРБАТАМИ И ТОНКИМИ ПЛЕНКАМИ »

Научная биография   « Еремеев Сергей Владимирович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 01.04.07

Год: 2009

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Результаты систематических исследований энергетики образования собственных точечных дефектов на плотноупакованных и ступенчатых металлических поверхностях и в приповерхностных атомных слоях и установленные механизмы само- и гетеродиффузии в исследованных материалах (Al, Cu, Ni, Pd, Ag, Pt, Au).
  2. Модель для описания температурно-зависимого электрон-фононного вклада, позволяющая выделить дефектный вклад во время жизни поверхностных электронных состояний и устраняющая расхождение расчетных и экспериментальных результатов определения температурной зависимости времени жизни поверхностных электронных состояний на поверхностях Al(001) и Au(111) за счет учета поверхностных точечных дефектов и реконструкции поверхности.
  3. Результаты систематических исследований адсорбции цезия и йода на различных поверхностных реконструкциях GaAs(001)-(4x2) и -(2x4) и микроскопический механизм, определяющий химическую связь адсорбатов на полупроводниковой поверхности: на поверхности Z-GaAs(001)-(4x2) адсорбция цезия наиболее предпочтительна в вакансионном ряду, в позициях, координированных атомами мышьяка, связь с которыми происходит за счет гибридизации состояний адсорбата с поверхностными состояниями чистой поверхности и зарядового перераспределения между краевыми атомами мышьяка и трехкратно координированными атомами галлия, тогда как адатомы йода взаимодействуют с поверхностными димерными и трехкратно координированными атомами галлия, связь с которыми носит ионный характер; на мышьяковом окончании P2-GaAs(001)-(2x4) механизм связи цезия с поверхностью осуществляется за счет образования смешанных состояний цезия с поверхностными состояниями чистой поверхности, причем предпочтительными для адсорбции являются четырехкратно координированные мышьяком ямочные позиции, тогда как йод предпочитает позиции, в которых он взаимодействует с подповерхностными атомами галлия; из двух изученных обогащенных галлием реконструкций GaAs(001), а именно Z и Р2, только на последней при больших концентрациях йода наблюдается пассивация поверхности, при которой происходит его связывание со всеми димерными атомами галлия и разрыв димерных связей, что ведет к реконструкции с повышением симметрии и обеспечивает в дальнейшем при нагреве превращение в обогащенную мышьяком поверхность.
  4. Выявленные закономерности влияния структурных дефектов (вакансий, примесей замещения) и эффектов частичного разупорядочения на подрешетках на электронные и магнитные характеристики в сериях ферромагнитных сплавов Гейслера Ni2MnZ (Z = Al, Ga, Sn, In, Sb), Co2MnGa, Ni2FeGa, Fe2CoGa и их тонких пленках на полупроводниковых подложках.
  5. Влияние эффектов релаксации и тетрагональных искажений, структурных дефектов, ориентации подложки, а также структуры контакта на границе раздела сплав Гейслера (NiMnSb и Co2MnSi)-полупроводник на величину спиновой поляризации и механизм ее повышения в полных сплавах Гейслера с Mn на Y подрешетке.
  6. Микроскопическая природа влияния кислородных вакансий на химическую связь и адгезию металлических пленок Al, Ag, Cu, Nb на границах раздела c Al2O3(0001), а также Ni, Fe и сплавов Ni-Fe c ZrO2(001).

Список опубликованных работ

1. Еремеев С.В., Потекаев А. И. Эффективные многочастичные межатомные потенциалы в молекулярно-динамическом моделировании // Известия вузов. Физика - 2005. - Т.48, № 6. - С.82-90.

2. Кулагина В. В., Еремеев С. В., Потекаев А. И. Метод молекулярной динамики для различных статистических ансамблей // Известия вузов. Физика - 2005. - Т. 48, № 2. - С.122-130

3. Еремеев С.В., Липницкий А.Г., Потекаев А.И., Чулков Е.В. Вакансии на низкоиндексных поверхностях переходных металлов и алюминия // Физика твердого тела - 1997. - Т.39. № 8. - С.1386-1388.

4. Еремеев С.В., Липницкий А.Г., Потекаев А.И., Чулков Е.В. Вакансии на поверхностях переходных металлов и алюминия. Поверхности с высокими индексами // Физика металлов и материаловедение - 1997. - Т.84. вып. 3. - С.77-81.

5. Еремеев С.В., Липницкий А.Г., Потекаев А.И., Чулков Е.В. Вакансии на поверхностях ГЦК металлов // Известия вузов. Физика - 1997. - №3. - С.62-73.

6. Еремеев С.В., Липницкий А.Г., Потекаев А.И., Чулков Е.В. Энергия связи дивакансии на поверхностях металлов // Известия вузов. Физика - 1997. - № 6. -С.83-89.

7. Еремеев С.В., Липницкий А.Г., Потекаев А.И., Чулков Е.В. Энергия активации самодиффузии на поверхностях ГЦК металлов // Известия вузов. Физика - 1997. -№ 6. - С.89-96.

8. Eremeev S.V., Lipnitskii A.G., Potekaev A.I., Chulkov E.V. Diffusion activation energy of point defects at the surfaces of fcc metals // Physics of Low-Dimensional Structures -1997. - № 3/4. - P.127-134

9. Еремеев С.В., Русина Г.Г., Скляднева И.Ю., Борисова С.Д., Чулков Е.В. Диффузионные и вибрационные свойства поверхностных сплавов Cu(001)-c(2x2)-Pd // Физика твердого тела - 2005. - Т.47, вып. 4. - С.731-739

10. Jensen M. Fug1sang, Kim T. K., Bengio S., Sk1yadneva I.YU., Leonardo Л., Eremeev S.V., Chu1kov E.V., Hofmann Ph.. Therma11y indeed defects and the 1ifetime of e1ectronic surface states // Phys. Rev. B - 2007. - V.75. - P.153404.

11. Eremeev S.V., Rusina G.G., Chu1kov E.V. Diffusion properties of Cu(001)-c(2x2)-Pd surface a11oys // Surface Science - 2007. - V. 601, N17. - P.3640-3644.

12. Еремеев С.В., Чулков Е.В. Влияние точечных дефектов на температурную зависимость ширины линии поверхностного электронного состояния на поверхности Ли(111) // Физика твердого тела - 2009. - Т.51, вып. 4. - С.808-812.

13. Кулькова С.Е., Еремеев С.В., Постников А.В., Бажанов Д.И., Потапкин Б.В. Атомная и электронная структура поверхности GaЛs(001) // Известия вузов.

Физика - 2006. - N10. - P.44-52.

14. Кулькова С. Е., Еремеев С.В., Постников А.В., Бажанов Д.И., Потапкин Б.В. Атомная и электронная структура поверхности GaЛs(001) // Физика и техника полупроводников - 2007. - Т.41, N 7. - С.832-839.

15. Кулькова С. Е., Еремеев С.В., Постников А.В., Шеин И.Р. Адсорбция цезия на Р2-GaЛs(001) // ЖЭТФ - 2007. - Т.131, N4. - P.667-680.

16. Терещенко О. Е., Торопецкий К. В., Еремеев С. В., Кулькова С.Е. Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaЛs(001) // Письма в ЖЭТФ - 2009.

- Т.89, вып. 4. - С.209-214.

17. Ku1kova S.E., Eremeev S.V., Ku1kov S.S. E1ectronic structure and magnetic properties of

Co-and Mn-based Heus1er a11oys and thin fi1ms // So1id State Commun. - 2004. - V.130. - P.793-797.

18. Ku1kova S.E., Eremeev S.V., Kakeshita T., Ku1kov S.S., Rudenski G.E. The E1ectronic Structure and Magnetic Properties of Fu11- and Ha1f-Heus1er Л11oys // Materia1s transactions - 2006. - V.47, N.3. - P.599-606.

19. Ku1kova S.E., Eremeev S.V., Ku1kov S.S., Skripnyak VA. ЛЬ initio investigations of magnetic properties of thin fi1m Heus1er a11oys // Materials Science and Engineering: A - 2008. - V.481-482. - P.209-213.

20. Кульков С.С., Еремеев С.В., Кулькова С.Е. Электронные и магнитные свойства границ раздела Co2MnSi/GaЛs(001) // Фундаментальные проблемы современного материаловедения - 2006. - Т.3, № 4. - С.53-59.

21. Еремеев С.В., Кульков С.С., Кулькова С.Е. Исследование границ раздела сплав Гейслера—полупроводник // Физика твердого тела - 2008. - Т.50, вып. 2. - С.250-260.

22. Кулькова С.Е., Еремеев С.В., Кульков С.С. Электронные свойства поверхности металлических оксидов // Фундаментальные проблемы современного материаловедения - 2005. - N1. - С.124-127.

23. Ku1kova S.E., Eremeev S.V., Ku1kov S.S.. E1ectronic structure of 1ow-index surfaces of zirconium dioxide // Physics of Low-Dimensiona1 Structures - 2006. - N1. - С.37-42.

24. Ku1kova S.E., Egorushkin V.E., Eremeev S.V., Ku1kov S.S. E1ectronic structure of 1ow-index surfaces in TiNi and its change under oxide 1ayer growth // Materials Science and Engineering: A - 2006. - V.438-440. - P.476-479.

25. Немирович-Данченко Л.Ю., Еремеев С.В., Кулькова С.Е., Шеин И.Р., Адсорбция переходных металлов на поверхности а-Л12О3 (0001)// Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования - 2007. - № 11. - С.88-95.

26. Немирович-Данченко Л.Ю., Еремеев С.В., Кулькова С.Е. Первопринципные расчеты электронной структуры границ раздела металл-оксид Фундаментальные проблемы современного материаловедения - 2006. - Т.3, №4. - С.123-129.

27. Еремеев С.В., Немирович-Данченко Л.Ю., Кулькова С.Е. Влияние кислородных вакансий на адгезию на границах раздела М>/Л12О3 и Ni/Zrt^ // Физика твердого тела - 2008. - Т.50, вып. 3. - С.523-532

28. S.V. Eremeev, S.E. Kulkova, I.Yu. Smolin. Investigation of The Electronic Structure and Magnetic Properties of Heusler Half-Metallic Alloys at Surfaces and Interfaces // V International Conference of Computational Methods in Sciences and Engineering 2007 (ICCMSE 2007), Corfu, Greece, 25-30 September 2007. -2007. - V.2. - P.387-390.

29. S.E. Kulkova, S.V. Eremeev, A.V. Subashiev. Cesium adsorption on GaAs(001) surface: adsorbates geometry and Sb influence // Proceedings of 16 International spin physics symposium and workshop on polarized electron sources and polarimeters. World Scientific - London, 2005. - P.980-984.

30. С.Е. Кулькова, В.Е. Егорушкин, С.В. Еремеев. Влияние кислородных вакансий на электронную структуру поверхностей оксидов титана и палладия // Сборник трудов Международного симпозиума ODRO - 2003, "Порядок, беспорядок и свойства оксидов", Сочи, 8-11 сентября 2003, Ростов: изд-во РГПУ, 2003, С.168-172.

31. Кулькова С.Е., Еремеев С.В., Загорская Л.Ю., Смолин И.Ю. Адсорбция цезия и хлора на Ga-стабилизированной ^-GaAs(001)-(4x2) поверхности: первопринципный подход // Материалы девятой конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», 3-5 октября 2006 г. - Россия, Томск, 2006, С. 145-148

32. Еремеев С.В., Руденский Г.Е., Кулькова С.Е. Адсорбция цезия на поверхности 02-GaAs(001)-(4x2) // Материалы девятой конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», 3-5 октября 2006 г. - Россия, Томск, 2006, С. 177-180.