RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17373 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Рехвиашвили Серго Шотович

Научная тема: « НОВЫЕ АСПЕКТЫ В МОДЕЛИРОВАНИИ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В АТОМНО-СИЛОВОМ МИКРОСКОПЕ »

Научная биография   « Рехвиашвили Серго Шотович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 01.04.01

Год: 2009

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Моделирование процесса ионного распыления зонда, позволяющего получать атомарно острые выступы.
  2. Моделирование силовых взаимодействий в системе зонд-образец АСМ: континуальная приближение; приближение дискретных атомных плоскостей; учет дальнодействующих сил; зонд в виде открытой нанотрубки; модель взаи­модействия зонда с адсорбированной на поверхности образца тонкой жидкой пленкой; размерный эффект поверхностного натяжения; адсорбционная зави­симость силы отрыва зонда от образца. Применение результатов моделирова­ния позволяет более корректно интерпретировать АСМ-эксперименты по изме­рению силовых кривых в вакууме и во внешней атмосфере, получать новую фи­зическую информацию об исследуемом образце.
  3. Статистическая модель трения в наноконтактах, основанная на понятии фрактала, и применение дробного интегро-дифференцирования для расчета контактного взаимодействия между зондом и образцом. Показатель степени за­висимости трение-нагрузка изменяется от 1/3 до 1 при изменении фрактальной размерности наноконтакта зонда с образцом от 1 до 3, что объясняет практиче­ски все имеющиеся в литературе экспериментальные результаты по исследова­нию трения с помощью АСМ.
  4. Новые аналитические математические модели режимов регистрации нормальных и тангенциальных сил с учетом влияния блока электроники АСМ. В модуляционном бесконтактном режиме АСМ происходит увеличение сред­ней действующей на зонд силы и сигнала обратной связи. В полуконтактном режиме АСМ (тэйппинг-мода) имеет место акустическая эмиссия, которая оп­ределяется упругими свойствами системы зонд-образец. При движении зонда в режиме прилипания-скольжения суммарная энергия, затрачиваемая на прори­совку изображения, равна сумме энергий отдельных скачков консоли кантиле-вера.
  5. Обработка СЗМ-изображений с помощью вейвлет-преобразования обеспечивает глубокое подавление шума при сохранении исходной структуры изображения и эффективное выделение мелкомасштабных или крупномас­штабных деталей на изображениях для дальнейшего их анализа. СЗМ-изображения могут обладать периодической структурой в различных простран­ственных масштабах, что связано с влиянием конечного размера контактной зоны.
  6. Применение разработанных математических моделей в сочетании с экспериментами для диагностики поверхности твердого тела: оценка по резуль­татам измерения сил константы Гамакера, предельной прочности образца, ко­эффициента трения, поверхностной энергии. Математическая модель контакт­ной емкостной моды (режима регистрации диэлектрических свойств поверхно­сти). Решение обратной задачи о восстановлении парного межатомного потен­циала по измеренной между зондом и образцом силе. Новая интерпретация экс­периментов по нанолитографии для оценки локального модуля упругости по­верхности образца. Метод определения размера кончика зонда в режиме нано-литографии.

Список опубликованных работ

Основные материалы диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Дедков, Г.В. Метод контроля формы иглы атомно-силового (туннельного) микроскопа с помощью спектроскопии обратного рассеяния / Г.В. Дедков, С.Ш. Рехвиашвили // Письма в ЖТФ. - 1997. - Т. 23. - №11. - С. 88-92.

2. Дедков, Г.В. Влияние геометрии острия на распределение сил в атомно-силовом микроскопе / Г.В. Дедков, С.Ш. Рехвиашвили, Д.В. Яганов // Вест¬ник Кабардино-Балкарского госуниверситета. - 1997. - С. 2-5.

3. Рехвиашвили, С.Ш. Разработка конструкции и технологии изготовления пленочных кронштейнов для атомно-силового микроскопа / С.Ш. Рехвиа-швили, Г. В. Дедков, Д.С. Гаев // Вторая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием. Тезисы докладов. Часть 1. Москва, МИЭТ. - 1997. - С. 124-125.

4. Рехвиашвили, С.Ш. К вопросу о распределении сил в атомно-силовом мик-роскопе / С.Ш. Рехвиашвили // Вестник Кабардино-Балкарского отделения академии технологических наук РФ. 1997. - Вып. 1. - Серия технология. - С. 4-11.

5. Гаев, Д.С. О влиянии "свирл"-дефектов на параметры биполярных интегральных схем / Д.С. Гаев, С.Ш. Рехвиашвили // Вестник КабардиноБалкарского отделения академии технологических наук РФ. 1997. - Вып. 1. - Серия технология. - С. 19-23.

6*. Рехвиашвили, С.Ш. Простой способ изготовления кронштейнов для атом-но-силового микроскопа / С.Ш. Рехвиашвили, Г.В. Дедков // Микроэлектро-ника. - 1998. - Т. 27. - №2. - С. 158-160.

7. Рехвиашвили, С.Ш. Разрешающая способность атомно-силовой микроско¬пии / С. Ш. Рехвиашвили, Г.В. Дедков // Шумовые и деградационные процес¬сы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология): Материалы докл. Науч.-техн. семинара. Москва, МНТОРЭС им. А. С. Попова, МЭИ. - 1998. - С. 205-209.

8. Дедков, Г.В. О формировании изображений в атомно-силовом микроскопе с зондом в виде нанотрубки / Г. В. Дедков, С. Ш. Рехвиашвили // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, ди-агностика, технология): Материалы докл. Науч.-техн. семинара. Москва, МНТОРЭС им. А.С.Попова, МЭИ. - 1998. - С. 117-121.

9. Рехвиашвили, С.Ш. Исследование электрофлуктуационных характеристик структур, сформированных на пластинах со свирлевой неоднородностью / С. Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев, Р. Ш. Тешев // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, техно¬логия): Материалы докл. науч.-техн. семинара. Москва, МНТОРЭС им. А.С.Попова, МЭИ. - 1998. - С. 210-214.

10. Рехвиашвили, С.Ш. Проводящие кремниевые кронштейны для атомносилового микроскопа / С. Ш. Рехвиашвили // Физика и химия перспективных материалов. Сборник научных трудов, г. Нальчик, КБГУ. - 1998. - С.103- 107.

11. Рехвиашвили, С.Ш. Применение Фурье-фильтрации для обработки изображений в атомно-силовом микроскопе / С.Ш. Рехвиашвили, Н.А. Рехвиашвили // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология): Материалы докл. Науч.-техн семинара. Москва, МНТОРЭС им. А.С.Попова, МЭИ. - 1998. - С. 113-115.

12. Рехвиашвили, С.Ш. Исследование влияния технологического разброса подвижности на параметры NPN-транзистрара методом компьютерного моделирования / С.Ш. Рехвиашвили, Г.А. Мустафаев, Р.Ш. Тешев // Физика и химия перспективных материалов. Сборник научных трудов. Нальчик, КБГУ. - 1998 . - С. 99-103.

13*. Дедков, Г.В. Модификация формы иглы сканирующего зондового микро¬скопа с помощью ионного распыления / Г. В. Дедков, С.Ш. Рехвиашвили // Письма в ЖТФ. - 1999. - Т.24. - №2. - С. 61-68.

14*. Дедков, Г.В. Нанотрубки и силовые взаимодействия в атомно-силовом микроскопе / Г.В. Дедков, С.Ш. Рехвиашвили // ЖТФ. - 1999. - Т.69. - №8. - С. 124-129.

15. Дедков, Г.В. Адгезионное трение при контакте нанотрубок с поверхностью твердого тела / Г.В. Дедков, С.Ш. Рехвиашвили // Материалы совещания «Зондовая микроскопия-99», Н. Новгород, ИФМ РАН. - 1999. - С. 152-155.

16. Рехвиашвили, С.Ш. Мембранный датчик для атомно-силового микроскопа / С.Ш. Рехвиашвили, Г.В. Дедков // Материалы совещания «Зондовая мик-роскопия-99», Н. Новгород, ИФМ РАН. - 1999. - С. 381-383.

17. Рехвиашвили, С.Ш. Применение вейвлет-преобразования для обработки изображений в атомно-силовом микроскопе / С.Ш. Рехвиашвили // Мате¬риалы совещания «Зондовая микроскопия-2000». Н.Новгород, ИФМ РАН. -2000. - С. 265-269.

18. Рехвиашвили, С.Ш. Силы Ван-дер-Ваальса в атомно-силовой микроскопии / С.Ш. Рехвиашвили // Тезисы XV Международной конференции «Воздей¬ствие потоков энергии на вещество». Терскол. - 2000. - С. 51-53.

19. Рехвиашвили, С.Ш. Моделирование контактного взаимодействия в атом-но-силовом микроскопе методом Монте-Карло / С.Ш. Рехвиашвили // Сбор-ник научных трудов IV Всероссийский симпозиум «Математическое моде-лирование и компьютерные технологии». Т.2 «Математическое моделиро¬вание и вычислительный эксперимент в естественных и гуманитарных нау¬ках». - Ч. 1. - Кисловодск. - 2000. - С. 25-26.

20. Рехвиашвили, С.Ш. Активный тензорезистивный датчик для атомносилового микроскопа / С. Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев // Материалы совещания «Зондовая микроскопия - 2000», Н. Новгород, ИФМ РАН. - 2000. - С.270-273.

21. Рехвиашвили, С.Ш. Термодинамика контактного взаимодействия в атом-но-силовом микроскопе / С.Ш. Рехвиашвили // Материалы совещания «Зон-довая микроскопия - 2000», Н. Новгород, ИФМ РАН. - 2000. - С.113-119.

22. Рехвиашвили, С.Ш. Флуктуационные свойства микроконтактов, образо¬ванных иглой атомно-силового микроскопа / С.Ш. Рехвиашвили // Шумо¬вые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метроло¬гия, диагностика, технология): Материалы докл. Науч.-техн. семинара. Мо¬сква, МНТОРЭС им. А.С.Попова, МЭИ. - 2000. - С. 343-347.

23*. Рехвиашвили, С.Ш. Особенности силовых взаимодействий в бесконтакт¬ном режиме атомно-силового микроскопа / С.Ш. Рехвиашвили // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т.26. - №12. - С. 46-50.

24*. Рехвиашвили, С.Ш. К теории модуляционной атомно-силовой микроско¬пии / С. Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев // Известия вузов. Электроника. 2001. -

№2. - С. 101-106.

25*. Рехвиашвили, С.Ш. Конструкция активного тензорезистивного датчика для атомно-силового микроскопа / С.Ш. Рехвиашвили, Д.С. Гаев // Нано- и микросистемная техника. - 2001. - №3. - С. 11-12.

26*. Рехвиашвили, С.Ш. Некоторые вопросы термодинамики контактного взаимодействия в атомно-силовом микроскопе / С.Ш. Рехвиашвили // ЖТФ. - 2001. - Т.71. - №10. - С. 131-134.

27*. Рехвиашвили, С.Ш. Расчет термодинамики контактного взаимодействия в атомно-силовом микроскопе / С.Ш. Рехвиашвили // Нано- и микросистемная техника. - 2001. - №3. - С. 28-31.

28*. Рехвиашвили, С.Ш. Теоретический анализ модуляционного и фрикцион¬ного режимов атомно-силового микроскопа / С.Ш. Рехвиашвили // Нано- и микросистемная техника. - 2001. - №12. - С. 25-30.

29. Рехвиашвили, С.Ш. Современные методы сканирующей зондовой микроскопии и спектроскопии / С.Ш. Рехвиашвили // Препринт №2. НИИ ПМА КБНЦ РАН, 2001. - 51 с.

30. Рехвиашвили, С . Ш . Активный тензорезистивный датчик для атомносилового микроскопа / С.Ш. Рехвиашвили, Д.С. Гаев // Доклады Адыгской международной академии наук. - 2001. - Т.5. - №2. - С. 102-107.

31. Рехвиашвили, С.Ш. Математическая модель зондового микроскопа / С.Ш. Рехвиашвили // Вторая международная конференция «Нелокальные краевые задачи и родственные проблемы математической биологии, информатики и физики». Тезисы докладов. Нальчик, НИИ ПМА КБНЦ РАН. - 2001. - С. 139-141.

32. Rekhviashvili, S.Sh. The some theory questions in atomic-force microscopy / S.Sh. Rekhviashvili // Proceeding of the All-Russia Conference «Scanning probe microscopy - 2001», N.Novgorod, IPM RAS. - 2001. - P. 217-220.

33*. Рехвиашвили, С.Ш. Дислокационный механизм трения при взаимодейст¬вии нанозонда с поверхностью твердого тела / С. Ш. Рехвиашвили // ЖТФ. -2002. - Т.72. - №2. - С. 140-142.

34*. Рехвиашвили, С.Ш. Применение вейвлет-преобразования для обработки изображений в атомно-силовом микроскопе / С.Ш. Рехвиашвили // Письма в ЖТФ. - 2002. - Т.28. - №6. - С. 46-50.

35*. Рехвиашвили, С.Ш. Дислокационный механизм трения в наноконтактах / С.Ш. Рехвиашвили // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и ней¬тронные исследования. - 2002. - №12. - С. 54-56.

36*. Рехвиашвили, С.Ш. Современные методы сканирующей зондовой микро¬скопии и спектроскопии / С. Ш. Рехвиашвили // Приборы и техника экспе¬римента. - 2002. - №5. - С.149-152.

37*. Рехвиашвили, С.Ш. Сканирующий атомно-силовой микроскоп / С.Ш. Рехвиашвили // Математическое моделирование.- 2003. - Т.15. - №2.- С.62-68.

38*. Рехвиашвили, С.Ш. О силовых взаимодействиях в зондовых микромеха-нических системах / С. Ш. Рехвиашвили // Нано- и микросистемная техника. - 2003. - №2. - С. 33-37.

39. Рехвиашвили, С.Ш. Статистическая теория трения при взаимодействии нанозонда с поверхностью твердого тела / С. Ш. Рехвиашвили // Инженерно-физический журнал. - 2003. - Т.76. - №4. - С. 168-170.

40*. Рехвиашвили, С.Ш. Статистическая модель трения в наноконтактах / С.Ш. Рехвиашвили // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и ней¬тронные исследования. - 2003. - №8. - С. 97-100.

41*. Рехвиашвили, С.Ш. Об эффекте уменьшения силы трения при переходе в сверхпроводящее состояние / С.Ш. Рехвиашвили // Письма в ЖТФ. - 2004. -Т.30. - №1. - С. 11-14.

42*. Рехвиашвили, С.Ш. О термоэлектронной эмиссии нанокристаллических катодов / С.Ш. Рехвиашвили // Письма в ЖТФ. - 2006. - Т.32. - №3. - С. 62¬66.

43. Рехвиашвили, С.Ш. Концепция сканирующей зондовой термоэлектронной микроскопии / С. Ш. Рехвиашвили // Материалы симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Н. Новгород, ИФМ РАН. - 2006. - С. 207-208.

44*. Рехвиашвили, С.Ш. О температуре плавления нанокристаллических ве¬ществ / С.Ш. Рехвиашвили, Е.В. Киштикова // Письма в ЖТФ. - 2006. -Т.32. - №10. - С. 50-55.

45*. Рехвиашвили, С.Ш. К расчету постоянной Толмена / С.Ш. Рехвиашвили, Е.В. Киштикова, Р.Ю. Кармокова, А.М. Кармоков // Письма в ЖТФ. - 2007.

- Т.33. - №2. - С. 1-7.

46*. Рехвиашвили, С.Ш. Применение дробного интегро-дифференцирования для расчета термодинамических свойств поверхностей / С. Ш. Рехвиашвили // ФТТ. - 2007. - Т.49. - №4. - С. 756-759.

47. Рехвиашвили, С.Ш. К определению физического смысла дробного интег-ро-дифференцирования / С.Ш. Рехвиашвили // Нелинейный мир. 2007. Т.5.

№4. С. 194-197.

48. Рехвиашвили, С.Ш. Адсорбция и поверхностная энергия в экспериментах с кварцевым микробалансом / С.Ш. Рехвиашвили, Е.В. Киштикова // ЖТФ. -2008. - Т.78. - №4. - С.137-139.

49. Рехвиашвили, С.Ш. Влияние адсорбции на силу взаимодействия зонд-поверхность в атомно-силовом микроскопе / С.Ш. Рехвиашвили, Б.А. Ро-зенберг // XX симпозиум «Современная химическая физика». - Туапсе. -2008. - С. 326.

50*. Рехвиашвили, С.Ш. Влияние размерной зависимости поверхностного на¬тяжения жидкой пленки на капиллярную силу в атомно-силовом микроско¬пе / С.Ш. Рехвиашвили, Б.А. Розенберг, В.В. Дремов // Письма в ЖЭТФ. -2008. - Т.88. - № 11. - С.805-809.