RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17265 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Иовдальский Виктор Анатольевич

Научная тема: « РАЗРАБОТКА И ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ ГИС СВЧ – ДИАПАЗОНА, С ЦЕЛЬЮ УЛУЧШЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК, ФОРМИРОВАНИЕ НАПРАВЛЕНИЙ СОЗДАНИЯ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ОСНОВ ИХ РАЗВИТИЯ »

Научная биография   « Иовдальский Виктор Анатольевич »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 05.02.22

Год: 2015

Отрасль науки: Технические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Унификация и стандартизация типоразмеров МПП ГИС СВЧ, разработанных схем размещения их на подложке, разработанной и оптимизированной технологии массового производства МПП, обеспечивает снижение трудоёмкости изготовления, расхода материалов и инструмента, за счёт группового их изготовления на подложках единого размера, максимально выпускаемого отечественной промышленностью, использованием центральной части подложки для группового компактного расположения топологии МПП на определённом оптимальном расстоянии друг от друга, используемого в качестве зоны реза, и периферийной части подложки для расположения элементов совмещения и контактной площадки соединенной с размещаемой в зонах реза сетки металлизационных линий, обозначающих рез, сечение которых обеспечивает выравнивание толщины гальванически осаждаемых слоёв металлов на проводники топологии.
  2. Снижение потерь мощности проходящего сигнала в ГИС СВЧ достигается последовательным изготовлением структуры металлизации МПП: напылением меди толщиной несколько микрон с адгезионным подслоем, формированием топологического рисунка, защитой его проводников алмазоподобной плёнкой углерода толщиной несколько сот ангстрем, локальным гальваническим осаждением на контактные площадки и экранную заземляющую металлизацию через маску из плёнки углерода барьерного слоя никеля и антикоррозионного слоя золота.
  3. Снижение паразитной индуктивности и повышение надёжности конденсаторов в ГИС СВЧ достигается изготовлением их верхней обкладки в составе металлизации на лицевой стороне подложки МПП и использованием в качестве диэлектрика конденсаторов: а) мембраны из материала подложки, а нижней обкладки в виде фрагмента экранной заземляющей металлизации на обратной стороне подложки; б) или, плёнки диэлектрика нанесённой на нижнюю обкладку, выполненную в виде металлической вставки в подложку, что позволяет увеличить ёмкость конденсаторов.
  4. Увеличение коэффициента усиления и расширение частотного диапазона за счёт снижения паразитной индуктивности в ГИС СВЧ достигается заменой проволочных внутрисхемных соединений на плоские, изготавливаемые из гальванически осаждённого золота толщиной несколько микрон, с наличием в их составе клиновидных участков с оптимальным отношением размера узкой части вывода к широкой, а максимальный эффект получается от замены выводов активных компонентов.
  5. Улучшение теплового режима работы ГИС СВЧ достигается формированием в подложке МПП индивидуальных систем теплоотвода от тепловыделяющих:
    • элемента, в виде теплоотводящей вставки в подложку под ним;
    • компонента, в виде углубления в лицевой стороне подложки с системой отверстий в дне, заполненных металлом, с оптимальным соотношением площади отверстий и площади дна;
    • а также на их основе сложных комбинированных систем теплоотвода, с оптимальными геометрическими размерами, а именно расстоянием между компонентами, исключающим их взаимное тепловое влияние, и соотношением геометрических размеров ширины канала с жидким теплоносителем и размером тепловыделяющих компонентов.
  6. Уменьшение объёма и массы усилителя мощности достигается (применением нового конструктивного принципа суммирования мощности транзисторов в ГИС) за счёт:
    • параллельного соединения кристаллов ПТШ через балочные выводы (составной двухкристальный ПТШ);
    • эффективного отвода тепла от кристаллов через дополнительный теплоотвод с минимизацией разницы температуры нагрева кристаллов в составных ПТШ;
    • исключения взаимного теплового влияния составных ПТШ оптимизацией расстояния между ними и применением интегрального теплоотвода.

Список опубликованных работ

Монография:.Климачёв И.И., Иовдальский В.А. СВЧ ГИС. Основы технологии и конструирования. Москва: Техносфера, 2006. – 352с. ISBN 5-94836-074-1.

Статьи: 1. Иовдальский В.А. Новая концепция сложения мощности кристаллов ПТШ в ГИС усилителей мощности СВЧ - диапазона.// Электронная техника, Сер.1, СВЧ - техника, Вып.1(487).- 2006.-, С.44-51.

2. Иовдальский В.А. Концепция конструктивно-технологического синтеза новых компоновочных моделей микроэлектронной аппаратуры на основе ГИС СВЧ.// Электронная техника. Сер.1, СВЧ – техника.,Вып.1(487), 2006г.,с.77 – 86.

3.Иовдальский В.А. Эволюция конструкции типовых фрагментов ГИС СВЧ.//Электронная техника. Сер.1, СВЧ – техника, Вып.1(489), 2007г. с.38-45.ISBN 1990-9012

4.Иовдальский В.А. Концепция применения металлических вставок в диэлектрической подложке ГИС СВЧ. //Электронная техника. Сер.1, СВЧ – техника, Вып.1(489), 2007г. с.58 – 69.ISBN 1990-9012.

5. Иовдальский В.А., Пелипец О.В., Зубков Н.П. ,Ковалёв В.И. Исследование состава ал-мазоподобных плёнок углерода, используемых в изделиях микроэлектроники.// Электронная техника. Сер.1, СВЧ – техника, Вып.1(489), 2007г. ,с.70- 79. ISBN 1990-9012.

6. Иовдальский В.А., Фёдоров В.Ф., Григорьев С.В., Стренина Т.В., Лисицин А.А., Моргунов В.Г. Улучшение электрических характеристик элементов приёмопередающего модуля СВЧ – диапазона.// Электронная техника. Сер.1, СВЧ – техника, Вып.2(490), 2007г. ,с.42 -47.ISBN 1990-9012.

7. Иовдальский В.А., Лапин В.Г., Пчелин В.А. Двухъярусная транзисторная сборка для усилителей мощности СВЧ-диапазона.//Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.4(503).- 2009.-, С.38-41.

8.Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В., Чепурных И.П. Простой инженерный метод расчё-та дополнительного теплоотвода в ГИС СВЧ. // Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.2(505).- 2010.-, С.21-29.

9. Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В. Анализ возможности теплоотвода в ГИС СВЧ-диапазона при двухъярусном расположении кристаллов транзисторов. // Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.1(504).- 2010.-, С.54-69.

10.Иовдальский В.А. Совершенствование конструкции типового фрагмента ГИС СВЧ-диапазона.// Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.3(506).- 2010.-, С.25-30.

11. Иовдальский В.А., Пчелин В.А., Лапин В.Г. Составной двухъярусный транзистор для усилителей мощности СВЧ – диапазона. // Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.4(507).- 2010.-, С.65-71.

12. Иовдальский В.А. Подавление паразитной генерации в ГИС усилителей мощности СВЧ-диапазона. // Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.7(507).- 2010.-, С.71-75.

13. Иовдальский В.А., Манченко Л.В., Моргунов В.Г., Герасименко С.В. Эффективность применения плоских внутрисхемных соединений в ГИС СВЧ - диапазона. // Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.2(509).- 2011.-, С.41- 47.

14. Иовдальский В.А. Система конструкторско – технологических направлений развития техники ГИС СВЧ – диапазона.// Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.4(511).-2011.-, С.41- 48.

15. Иовдальский В.А., Манченко Л.В., Моргунов В.Г., Герасименко С.В. Оптимизация геометрии плоских балочных выводов компонентов ГИС СВЧ – диапазона. // Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, Вып.4(511).- 2011.-, С.49-58.

16. Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В., Моргунов В.Г., Герасименко С.В. Тепловой анализ работы мощной ГИС с интегральным теплоотводом от кристаллов полупроводниковых приборов.//Электронная техника. Сер.1, СВЧ – техника. Вып.2(513), 2012г. С.57-74.

17. Иовдальский В.А., Виноградов В.Г., Манченко Л.В., Земляков В.Е. ,Лапин В.Г Совершенствование конструкции ГИС малошумящего усилителя СВЧ – диапазона.// Электронная техника. Сер.1, СВЧ – техника. Вып.4(515), 2012г. С.20 – 26.

18. Иовдальский В.А., Футьянов С.В., Аюпов И.Н.,Киличенков Р.Б. Улучшение электрических характеристик ГИС СВЧ за счёт оптимизации внутрисхемных соединений. //Электронная техника. Сер.1, СВЧ – техника. Вып.1(516), 2013г. С.68 – 71.

19. Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В. Конструкция теплоотвода, встроенного в подложку ГИС СВЧ-диапазона.// Электронная техника. Сер.1, СВЧ – техника. Вып. 2(517), 2013г. С.21 –34.

20. Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В., Пчелин В.А., .Гринберг Д.С.,Аюпов И.Н. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона с алмазным теплоотводом.// Электронная техника. Сер.1, СВЧ – техника. Вып.2(517), 2013г. С.66 –74.

21. Иовдальский В.А., Пчелин В.А., Герасименко С.В. Эффективность применения двух-кристальных составных ПТШ в усилителе мощности СВЧ – диапазона. //Электронная техника. Сер.1, СВЧ – техника. Вып. 2(521), 2014г. С.33 –38. (21статья в перечне ВАК). Авторские свидетельства и патенты:

1.А.С. СССР №1586503на изобретение, приоритет23.12.88г., регистрация в Гос.реестре 15.04.90 г. Способ изготовления СВЧ микросхем. . Иовдальский В.А., Бейль В.И., Яремчук Б.Г., Забелла Р.А.,Чивилёва В.Г.,Хан Ю.С. и др всего 6чел.

2. А.С. СССР №1667571на изобретение, приоритет 2.06.89г., регистрация в .Гос.реестре 27.11.1996г. Гибридная интегральная схема СВЧ. Иовдальский В.А, Темнов А.М.

3. А.С. СССР №1694021на изобретение, приоритет 28.07.89г.,регист. в .Гос. реестре 22.06.91 г. Гибридная интегральная схема СВЧ . Иовдальский В.А, Молдованов Ю.И., Ануфриев А.Н.

4. Патент Рф №2067363 на изобретение, приоритет 1.02.91г., регистрация 27.09.96г. Гибридная интегральная двухсторонняя схема. Иовдальский В.А., Буданов В.Н.

5. Патент РФ №1812580 на изобретение, приоритет 19.03.91г.,,регистр. в .Гос.реестре 23.04.93 г. Гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ. Иовдальский В.А, Долич В.М., Липатова В.А.

6. Патент РФ №1811450 на изобретение, приоритет 19.03.91г., регистрация в .Гос.реестре 30.11.93 г. Способ пайки деталей. Иовдальский В.А, Молдованов Ю.И., Макаров В.А.

7. Патент РФ №2025822 на изобретение, приоритет 19.03.91г.,регистрация в .Гос.реестре

30.11.93 г. Гибридная интегральная схема СВЧ. Иовдальский В.А., Рыжик Э.И., Тархов Б.А.

8. Патент РФ №2004036 на изобретение, приоритет 25.04.91г.,регистрация в .Гос.реестре 30.12.94 г. Гибридная интегральная схема СВЧ. Иовдальский В.А.

9. Патент РФ №20037335 на изобретение, приоритет 12.05.91г.,регистрация 27.09.96 г. Маска для напыления плёночных элементов на подложку. Иовдальский В.А, Рыбкин В.Н.

10. Патент РФ №2088057 на изобретение, приоритет 27.07.92г.,регистрация 20.08.97 г. Многослойная гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ. Иовдальский В.А., Буданов В.Н., Кандлин В.В., Яшин А.А.

11. Патент РФ №2071646 на изобретение, приоритет 29.07.92г.,регистрация в .Гос.реестре 20.08.97 г. Многослойная гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ диапазонов. Иовдальский В.А., Буданов В.Н., Кандлин В.В., Яшин А.А.

12. Патент РФ №2075795на изобретение, приоритет 31.12.92г.,регистрация в .Гос. реестре 10.06.02 г. Способ газофазного химического фрезерования оксидных материалов. Иовдальский В.А., Рыбкин В.Н.

13. Патент РФ №2076472 на изобретение , приоритет 31.12.92г.,регистрация в .Гос.реестре 10.06.02 г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Блейвас И.М., Ипполитов В.М., Демиденко В.В.

14. Патент РФ №2079931 на изобретение, приоритет 31.12.92г.,регистрация в .Гос.реестре 10.06.02 г. Корпус интегральной схемы. Иовдальский В.А., Мякиньков В.Ю.

15. Патент РФ №2070354 на изобретение ,приоритет 19.03.93г.,регист в .Гос. реестре 20.10.02 г. Гибридная интегральная схема. Иовдальский В.А., Азизов А.В., Балыко А.К. и др.

16.Патент РФ №2073936 на изобретение, приоритет 24.05.94г.,регистрация в .Гос.реестре 10.06.03 г. Гибридное интегральное вакуумное устройство. . Иовдальский В.А., Бейль В.И., Грицук Р.В., Щелкунов Г.П.

17. Патент РФ №2109274 на изобретение, приоритет 30.09.94г.,регистрация в .Гос.реестре 20.09.03 г. Устройство для измерения электрических параметров среды. Иовдальский В.А., Гвоздев В.И.,Линёв А.А.,Подковырин С.И.

18. Патент РФ №2137256 на изобретение, приоритет 26.09.96г.,регистрация 27.01.04 г. Гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А.

19. Патент РФ №2137117 на изобретение,, приоритет 10.10.96г.,г., регистрация в .Гос. реестре 10.10.99г. Гибридная интегральная схема газового сенсора. Иовдальский В.А., Олихов И.М., Ипполитов В.М.

20. Патент РФ №2148874 на изобретение, приоритет 10.10.96г.,г., регистрация в .Гос.реестре 10.05.2000г. Многослойная гибридная схема СВЧ и КВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Буданов В.Н., Яшин А.А.,Кандлин В.В.

21. Патент РФ №2161346 на изобретение, приоритет 10.10.96г., регистрация в .Гос.реестре 27.12.2006г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ- диапазона. Иовдальский В.А., Мол-дованов Ю.И.

22. Патент РФ № 2161347 на изобретение, приоритет 10.10.96г., регистрация в .Гос.реестре 27.12.2000г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ- диапазона. Иовдальский В.А.

23. Патент РФ № 2185687 на изобретение, приоритет 10.10.2000г., регистрация в .Гос.реестре 10.06.2002г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ- диапазона. Иовдальский В.А.

24.Патент РФ № 2183366 на изобретение, приоритет 17.04.2000г., регистр. в .Гос .реестре 10. 06. 2002г. Способ изготовления выводных рамок. Иовдальский В.А., Савон Е.Н., Щеглова И.А.

25. Патент РФ № 2191492 на изобретение, приоритет 17.04.2000г., регистрация в .Гос.реестре 10.06.2002г. Выводная рамка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора. Иовдальский В.А., Пчелин В.А.

26. Патент РФ № 2212731 на изобретение, приоритет 17.08.01г.г., регистрация в .Гос.реестре 20.09.2003г. Корпус – крышка для гибридной интегральной схемы. . Иовдальский В.А.

27. Патент РФ № 2222844 на изобретение, приоритет 17.08.01г.г., регистрация в .Гос.реестре 27.01.2004г. Полупроводниковый прибор. . Иовдальский В.А.

28. Патент РФ № 2206144 на изобретение, приоритет 7.09.01г.г., регистрация в .Гос. реестре 10.06.2003г. Способ изготовления деталей из керамики для ГИС СВЧ. Иовдальский В.А.

29. Патент РФ № 2206187 на изобретение, приоритет 10.12.01г.г., регистрация в .Гос.реестре 10.06..2003г. Способ изготовления микрополосковых плат для гибридных интегральных схем. Иовдальский В.А.

30.Патент РФ № 22273 45на изобретение, приоритет 26.02.02г.г., регистрация в Гос. реестре 20.09.2003г .20.09.2003г. Гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Калинин И.Н.

31.Патент РФ №2478240 на изобретение, приоритет 03.08. 2011г, Гос. Регистр.27.03.2013г. Гибридная интегральная схема СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Манченко Л.В., Добровольская Н.М., Моргунов В.Г.

32. Патент РФ №2489770 на изобретение, МКИ Н01L 27/00, приоритет 30.12. 2011г, Гос. Регистр. 10.08.2013г. Гибридная интегральная схема СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Дудинов К.В., Ганюшкина Н.В, .Далингер А.Г., ДухновскийМ.П., Ратникова А.К.,Фёдоров Ю.Ю.

33. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение, приоритет от 5.11.96г. по заявке № 04901888/09(004406), приоритет 11.07.91г., Гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ диапазонов. Иовдальский В.А.

34. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от13.11.96г. по заявке №05027200/09(067621), приоритет 19.08.91г. Гибридно - монолитный прибор СВЧ и КВЧ диапазонов. Иовдальский В.А., Крутов В.А., Тагер А.С., Митлин В.А.

35. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от5.11.96г. по заявке №05056217/09(035906), приоритет 24.07.92г. Корпус СВЧ --полупроводникового прибора. Иовдальский В.А., Климачёв И.И.,Цыкин А.В.,Лапин В.Г. , Коробкин В.А.

36. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от5.11.96г. по заявке №05057130/09(036453), приоритет 29.07.92г. Корпус мощного СВЧ полупроводникового прибора. Иовдальский В.А., Климачёв И.И.

37. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 27.10.95г. по заявке №92014500/07(061023), приоритет 25.12..92г. Гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А.

38. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 10.11.95г. по заявке №92014501/07(061024), приоритет 25.12.92г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А.

39. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 30.12.96г. по заявке №92014568/07(061016), приоритет 25.12.92г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Айзенберг Э.В.,Бейль В.И.

40. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 24.11.95г. по заявке №92014570/07(061014), приоритет 25.12.92г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Молдованов Ю.И.

41. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 10.11.95г. по заявке №92015106/07(061096), приоритет 25.12.92г. Многослойная гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ. Иовдальский В.А., Буданов В.Н., Яшин А.А., Кандлин В.В.

42. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 27.10..95г. по заявке №92015732/07(062277), приоритет 31.12.92г. Гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Лопин М.И., Айзенберг Э.В., Бейль В.И.

43. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от30.05.96г. по заявке №92015733/07(062276), приоритет 31.12.92г. Мощная гибридная интегральная схема. Иовдальский В.А.

44. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 10.11.95г. по заявке №92015724/07(062277), приоритет 31.12.92г. Гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Айзенберг Э.В., Бейль В.И., Лопин М.И.

45. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 25.06.96г. по заявке №92015726/07(062273), приоритет 31.12.92г. Способ монтажа кристалла полупроводникового прибора. Иовдальский В.А.

46. Положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение от 35.04.96г. по заявке №94037744/25(036845), приоритет 30.09.94г. Гибридная интегральная схема газового сенсора. Иовдальский В.А., Олихов И.М., Блейвас И.М., Ипполитов В.М.

47. Патент РФ №2148872 на изобретение, приоритет 26.09.96г.,регистрация в .Гос.реестре 20.09.03 г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Айзенберг Э.В., Бейль В.И.

48. Патент РФ №2148873 МКИ7 H01L 27/13,H05K 1/16 на изобретение, приоритет 26.09.96г.,регистрация в .Гос. реестре 27.08.04 г. Гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Айзенберг Э.В., Бейль В.И., Лопин М.И.

49. Патент РФ №2136078 на изобретение, приоритет 10.10.96г.,регистрация в .Гос. реестре 27.08.99г. Способ монтажа кристалла полупроводникового прибора. Иовдальский В.А.

50. Патент РФ № 2235390 на изобретение, приоритет 27.01.03г.г., регистрация в .Гос. реестре 27.08.2004г. Гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Пче-лин В.А., Джуринский К.Б.

51. Патент РФ № 2260881 на изобретение, приоритет 12.08.03г.г., регистрация в .Гос. реестре 20.09.2005г. Окно вывода энергии СВЧ и КВЧ электронных приборов. Иовдальский В.А., Криворучко В.И., Чепурных И.П., Силин Р.А.

52. Патент РФ № 2285313 на изобретение, приоритет 26.04.04г.г., регистрация в .Гос.реестре 10.04.2006г. Способ изготовления окна вывода энергии СВЧ и КВЧ электронных приборов. Иовдальский В.А., Криворучко В.И., Тараскина Л.П., Щеглова И.А., Савон Е.Н., Литвиненко Н.П.

53. Патент РФ № 2290719 на изобретение, приоритет 9.12.04г.г., регистрация в .Гос.реестре 27.12.2006г. Гибридная интегральная схема СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Моргунов В.Г., Лисицин А.А.

54. Патент РФ № 2290720 на изобретение, приоритет 20.05.05г.г., регистрация в .Гос.реестре 27.12.2006г. Гибридная интегральная схема СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Пчелин В.А., Джуринский К.Б.

55. Патент РФ № 2298255 на изобретение, приоритет 12.08.05г.г., регистрация в .Гос.реестре 27.04..2007г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Пчелин В.А., Лапин В.Г., Моргунов В.Г.

56. Патент РФ № 2302056 на изобретение, приоритет 11.11.05г.г., регистрация в .Гос. реестре 27.04..2007г. Гибридная интегральная схема СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Моргунов В.Г., Лисицин А.А.

57. Патент РФ № 2314595 на изобретение, приоритет 10.02.06г.г., регистрация в .Гос.реестре 27.04..2007г. Способ изготовления гибридных интегральных схем СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Молдованов Ю.И., Моргунов В.Г., Виноградов В.Г.

58. Патент РФ № 2390071 на изобретение, приоритет 20.01.09г.г., регистрация в .Гос.реестре 20.05.2010г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ –диапазона. Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В., Пчелин В.А., Чепурных И.П.

59. Патент РФ № 2390877 на изобретение, приоритет 8.04.09г.г., регистрация в .Гос.реестре 27.05..2010г. Гибридная интегральная схема СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Лапин В.Г., Земляков В.Е., Виноградов В.Г.

60. Патент РФ №2417480, МПК Н01L 21/84, на изобретение по заявке

№2009139608(056139), приоритет 26.10.2009г. бюл. №12 за 2011г. Способ изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Молдованов Ю.И., Коцюба А.М.

61. Патент №2449419 С1 , МПК Н01L 27/13, опубликовано 27.04.2012г. Бюл.№12, заявка №2010154371/28(078664), приоритет 29.12.2010г. Гибридная интегральная схема CВЧ. Иовдальский В.А., Виноградов В.Г., Лапин В.Г., Манченко Л.В., Земляков В.Е.

62. Патент РФ №2450388 С1 на изобретение, МПК Н01 L 25/16, приоритет 20.12.2010г., опубликовано 10.05.12г.Бюл.№13. Гибридная интегральная схема CВЧ -диапазона. Иовдальский В.А., Далингер А.Г., Шацкий В.Ю.

63. Патент РФ №2454763 на изобретение, МПК H01Q 21/00, приоритет 13.10.2010г., опубл. 27.062012г.Бюл.№18, зарегестрирован в Госреестре 27 июня 2012г. Приёмопере-дающий модуль активной фазированной антенной решётки СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Далингер А.Г., Малыщик В.М.

64. Патент РФ №2456703 на изобретение, МПК H 01 L 23/48, приоритет 16.03.2011г., опублик. .20.07.2012г. .Бюл.№20, зарегестр. Гос.реестре 20.07.12г. Выводная рамка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора. Иовдальский В.А., Манченко Л.В. , Добровольская Н.М., Моргунов В.Г.

65. Патент РФ №2458432 на изобретение, приоритет 18.04.2011г.,,Гос. Регистр. 10.08.2012г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В. , Пчелин В.А.

66. Патент РФ №2498455 на изобретение, приоритет 01.08. 2011г., Гос. регистрация 10.11.2013г. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В., Пчелин В.А.

67. Положительное решение по заявке №2013102481/28(003392), приоритет 18.01.2013г., Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ – диапазона. Иовдаль-ский В.А., Дудинов К.В., Калашников Ю.Н., Кудрова Т.С.

68. Патент РФ №2521222, приоритет 18.01.2013г.,Зарегестрировано в гос. реестре 29.04.14 г. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Дудинов К.В., Калашников Ю.Н., Кудрова Т.С.

69. Положительное решение от26.08.2014г. по заявке № 2013131609/28(047275) , приори-тет09.07.2013г Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., КалашниковЮ.Н, Дудинов К.В., Кудрова Т.С.

70. Положительное решение от15.08.14г. по заявке № 2013127901/07(041612), приори-тет18.06.2013г. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., КалашниковЮ.Н, Дудинов К.В., Кудрова Т.С. (70 изобретений)

Публикации материалов на международных и всероссийских конференциях:

1. 19-я Международная Крымская конференция «СВЧ – техника и телекоммуникационные технологии», «Крымико – 2009»,Материалы конференции, 14-18 сентября2009г., г. Севастополь, Крым, Украина, том.1, с.74-75. Составной двухъярусный транзистор для усилителей мощности СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Пчелин В.А., Лапин В.Г.

2. «Intermatic-2013»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 2-6 декабря 2013г., г. Москва: МИРЭА, 2013 г., матер. конференции, часть 3, С-152-155. Дальнейшее совершенствование геометрии плоских балочных выводов компонентов ГИС СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Ман-ченко Л.В., Моргунов В.Г., Герасименко С.В., Киличенков Р.Б.

3. Тематический курс лекций 5-ой Всесоюзной школы семинара «Математическое моделирование, САПР и конструкторско-технологическое проектирование ОИС СВЧ и КВЧ диапазонов»г. Тула. Изд. Тульский политехнический ин-т, 1990г. Совершенствование конструкции и технологии объёмных интегральных схем (ОИС) СВЧ. Иовдальский В.А., Буданов В.Н., Яшин А.А.

4. Материалы научно-технологического семинара «Применение лазерных технологий в машиностроении и приборостроении». г.Москва, НТЦ «Информатика», 1990г. Прецизионная лазерная обработка в технологии ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Тархов Б.А., Ануфриев А.Н., Баланин А.Н., Липатова В.А.

5. Материалы 6-й Межгосударственной школы-семинара «Техника, теория, математическое моделирование и САПР систем сверхбыстрой обработки информации на объёмных интегральных схемах (СИС) СВЧ и КВЧ» под ред. проф. Нефёдова Е.И., г.Москва. с.236-237. изд. Российское НТО РЭС им. Попова, 1992г. Перспективы совершенствования конструкции и технологии многослойных ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Буданов В.Н. Меркулова Н.Б., Рыбкин В.Н., Сарычев В.В., Яшин А.А.

6. Материалы 3-й Крымской конференции «СВЧ-техника и спутниковый приём», г. Сева-стополь,20-23 сентября 1993г. Совершенствование конструкции и технологии гибридно-интегральных схем СВЧ. Иовдальский В.А., Демиденко В.В.

7. Материалы 4-й Крымской конференции «СВЧ-техника и спутниковый приём», г. Сева-стполь, 26-28 сентября 1994г. Технология и конструкция транзиствных усилителей СВЧ мощности для цифровых систем связи сверхбольшой ёмкости. Иовдальский В.А., Айзенберг Э.В.

8. 11-ая Международная конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", 10-14 сентября 2001 г., "Крымико 2001",г. Севастополь, "Вебер", стр.460. УДК629.7.052:621.3.029: 316.774, ББК-20-042., статья. Применение выводных рамок полупроводниковых приборов в технологии ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Моргунов В.Г., Пчелин В.А., Чернобривец И.Н.

9. 1-я Международная научно-техническая конференция «Физика и технические приложения волновых процессов» 10-15 сентября 2001г., г. Самара. Тезисы докладов и сообщений. Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические систе-мы».Том.2, с.149. Пути совершенствования технологии ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Моргунов В.Г.

10. 1-я Международная научно-техническая конференция «Физика и технические приложения волновых процессов» 10-15 сентября 2001г., г. Самара. Тезисы докладов и сообщений. Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические систе-мы».Том.2, с.100. Полумонолитные ОИС СВЧ. Иовдальский В.А.

11. Материалы 4-ой Международной конференции « Циклы». г. Ставрополь, октябрь 2002г., с. 21-23. Применение алмазоподобных плёнок в структуре микрополосковых линий ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Вантюсов Е.В.

12. Материалы 4-ой Международной конференции « Циклы». г. Ставрополь, октябрь 2002г., с. 66-68. Совершенствование технологии соединений ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Пчелин В.А., Моргунов В.Г.

13. 13-я Международная Крымская конференция «СВЧ – техника и телекоммуникационные технологии» «Крымико 2003», 8-12 сентября 2003г. , г. Севастополь. Материалы конференции. ,с .564-565. Окно вывода энергии электронных СВЧ приборов. Иовдальский В.А., Криворучко В.И.

14. «Intermatic-2004», Материалы Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 7-10 сентября 2004г.,г.Москва , часть 1. УДК539.1:621.315.5:621.382 МИРЭА-ЦНИИ «Электроника», ISBN5-7339-0478-х.,с.152-154. Герметизация волноводных приборов КВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Криворучко В.И., Чепурных И.П.

15. «Intermatic-2004», Материалы Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 7-10 сентября 2004г., г.Москва , часть 1.УДК539.1:621.315.5:621.382 МИРЭА-ЦНИИ «Электроника», ISBN5-7339-0478-х.,с.100-104. Полумонолитная конструкция широко диапазонного ГУН СВЧ. Иовдальский В.А., Балыко А.К., Климова А.В.

16. Intermatic-2004», Материалы Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 7-10 сентября 2004г., г. Москва, часть 1. УДК539.1:621.315.5:621.382 МИРЭА-ЦНИИ «Электроника», ISBN5-7339-0478-х.,с.197-200. Малогабаритный балансный усилительный каскад для АФАР. Иовдальский В.А., Пчелин В.А., Моргунов В.Г.

17. «Плёнки -2004», Материалы Международной научной конференции «Тонкие плёнки и наноструктуры», 7-10 сентября 2004г., г. Москва: МИРЭА, 2004г.,часть2.,УДК.539.216.2:539.234:621.315.5.,с.143-144. Исследование состава и свойств АПП и преимущества их применения в СВЧ приборах. Иовдальский В.А., Зубков Н.П., Пелипец О.В.

18. «Плёнки -2004», Материалы Международной научной конференции «Тонкие плёнки и наноструктуры», 7-10 сентября 2004г., г. Москва: МИРЭА, 2004г.,часть2.,УДК.539.216.2:539.234:621.315.5.,с.164-166. Формирование внутрисхемных соединений тонкоплёночных элементов ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Климачёв И.И.

19. «Плёнки -2004», Материалы Международной научной конференции «Тонкие плёнки и наноструктуры», 7-10 сентября 2004г., г. Москва: МИРЭА, 2004г.,часть2.,УДК.539.216.2:539.234:621.315.5.,с.167-169. Исследование потерь в мик-рополосковых линиях с многослойной структурой металлизации плат для ГИС СВЧ диапазона. Иовдальский В.А., Васильев В.И., Чепурных И.П.

20. «Циклы». Материалы 7-ой Международной конференции. Том 2. Северо-Кавказский государственный технический университет., г. Ставрополь, 2005г., с.29-30. Метод количественного описания кратковременной нестабильности фазы гармонических сигналов. Иовдальский В.А., Абакумова Н.В., Балыко А.К., Климова А.В.

21. «Циклы». Материалы 7-ой Международной конференции. Том 2. Северо-Кавказский государственный технический университет., г. Ставрополь, 2005г., с.42-45. Циклы миниатюризации электронных приборов СВЧ на примере твердотельных приборов и устройств. Иовдальский В.А., Абакумова Н.В., Балыко А.К., Климова А.В.

22. «Циклы». Материалы 7-ой Международной конференции. Том 2. Северо-Кавказский государственный технический университет., г. Ставрополь, 2005г., с.67-70.. Философские аспекты и цикличность развития техники ГИС СВЧ. Иовдальский В.А.

23. «Молодые учёные-2005».Материалы Международной научно-технической школы – конференции» М, 26-30 сентября 2005г.,г. Москва: МИРЭА,2005г.,Ч.1,С.264-266.,ISBN5-7339-0535-2. Совершенствование конструкции ГИС СВЧ. Иовдальский В.А., Моргунов В.Г.

24. «Молодые учёные-2005».Материалы Международной научно-технической школы – конференции» М, 26-30 сентября 2005г.,г. Москва: МИРЭА,2005г.,Ч.1,С.266-268.,ISBN5-7339-0535-2. Разработка многослойных функциональных узлов миниатюрных СВЧ модулей. Иовдальский В.А., Баскаков И.А.

25. 4-я Международная научно-техническая конференция «Физика и техническое приложение волновых процессов». Тезисы докладов под ред. В.А. Неганова и Г.П. Ярового, 3-9 октября 2005г.,г.Нижний Новгород. Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы».,ПИ№77-3343 от26.04.2006гю, с.221-222. Окно вывода энергии электронных СВЧ приборов. Иовдальский В.А., Криворучко В.И.

26. 4-я Международная научно-техническая конференция «Физика и техническое приложение волновых процессов» Тезисы докладов под редакцией В.А. Неганова и Г.П.Ярового,3-9 октября 2005 года, г. Нижний Новгород. Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы», ПИ№77-3343 от 28.04.2006г.,стр.223-224. Полосно-пропускающий фильтр на монокристаллах из высокотемпературного сверхпроводника. Иовдальский В.А., Абакумова Н.В., Балыко А.К., Климова А.В., Юсупова Н.И.

27. Материалы «Всероссийская научно-технической конференции молодых ученых, посвященной 111-й годовщине Дня радио», 5-6 г .Красноярск. Современные проблемы радиоэлектроники: сб. научн. трудов/ред.: А.И. Громыко, А.В. Сарафанов.-М.: «Радио и связь», 2006г.629с.,ISBN 5-256-1807-8,с .102-104. Сложение мощности в гибридно-интегральной схеме усилителей СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Моргунов В.Г.

28. Материалы «Всероссийская научно-технической конференции молодых ученых, посвященной 111-й годовщине Дня радио», 5-6 г. Красноярск. Современные проблемы радиоэлектроники: сб. научн. трудов./ред.: А.И. Громыко, А.В. Сарафанов.-М.: «Радио и связь», 2006г.629с.,ISBN 5-256-1807-8,с .104-106. Объёмные функциональные узлы миниатюрных СВЧ – модулей. Иовдальский В.А., Моргунов В.Г.

29. «Intermatic-2005»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 25-28 октября2005г., г.Москва: МИРЭА, 2006Г.часть 1, 272с., ISBN5-7339-0574-3, 231-233. Концептуальная парадигма развития техники ГИС СВЧ. Иовдальский В.А.

30. «Intermatic-2005»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 25-28 октября2005г., г.Москва: МИРЭА, 2006Г.часть 1, 272с., ISBN5-7339-0574-3, 262- 263.. Концепция экономии пространства изделий электронной техники на базе ГИС СВЧ. Иовдальский В.А.

31. «Intermatic-2005»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 25-28 октября2005г., г. Москва: МИРЭА, 2006Г. Часть 1, 272с., ISBN5-7339-0574-3, 264- 266.. Совершенствование конструкции ГИС СВЧ диапазона. Иовдальский В.А.

32. «Intermatic-2011»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 14-17 ноября2011г., г. Москва: МИРЭА, 2011г. Новая парадигма развития техники ГИС СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А.

33. «Intermatic-2011»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 14-17 ноября2011г., г. Москва: МИРЭА, 2011г. Дальнейшее совершенствование конструкции внутрисхемных соединений ГИС СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Манченко Л.В., Моргунов В.Г., Герасименко С.В.

34. «Intermatic-2012»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 3-7 декабря 2012г., г. Москва: МИРЭА, 2012 г., С-67-71. Моделирование конструкции ГИС МШУ СВЧ – диапазона. Иовдальский В.А., Виноградов В.Г., Земляков В.Е., Лапин В.Г., Киличенков Р.Б., Гринберг Д.С., Герасименко С.В.

35. «Intermatic-2012»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 3-7 декабря 2012г., г. Москва: МИРЭА, 2012 г., С-127-129. Мощная ГИС СВЧ-диапазона с алмазной вставкой. Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В., Пчелин В.А., Гринберг Д.С., Аюпов И.Н., Герасименко С.В.

36. «Intermatic-2012»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 3-7 декабря 2012г., г. Москва: МИРЭА, 2012 г., С-130-132. Улучшение электрических характеристик широкополосных ГИС СВЧ за счёт оптимизации внутрисхемных соединений. Иовдальский В.А., Футьянов С.В., Лисицын А.А., Левашов А.С., Моргунов В.Г., Герасименко С.В., Аюпов И.Н., Киличенков Р.Б.

37. «Intermatic-2012»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 3-7 декабря 2012г., г. Москва: МИРЭА, 2012 г., С-133-135. Конструкция ГИС с встроенной системой теплоот-вода от компонентов. Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В., Моргунов В.Г., Герасименко С.В., Гринберг Д.С., Аюпов И.Н.

38. «Intermatic-2013»,Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 2-6 декабря 2013г., г. Москва: МИРЭА, 2013 г., часть 3, С-140-143. Оптимизация геометрии плоских балочных выводов компонентов ГИС СВЧ - диапазона. Иовдальский В.А., Манченко Л.В.,

Моргунов В.Г., Герасименко С.В., Аюпов И.Н.