RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17184 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Мещеряков Сергей Александрович

Научная тема: « МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ МОЩНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ИМПУЛЬСОВ »

Научная биография   « Мещеряков Сергей Александрович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 05.27.01

Год: 2015

Отрасль науки: Технические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Зависимость энергии теплового поражения или функционального сбоя полупроводниковой структуры от длительности однократного импульсного воздействия, полученная на базе численного решения полной электротепловой задачи, является кривой с минимумом, характеристики которого определяют режимы наименьшей устойчивости к силовому импульсному ЭМИ.
  2. Основными механизмами, влияющими на характеристики теплового поражения структур при мощном однократном импульсном воздействии, являются модуляция проводимости низколегированных областей и генерационно-рекомбинационные процессы. Рост энергии разогрева в области сверхкоротких (менее 20 ... 50 нс) импульсов связан с развитием генерационных процессов, поглощающих часть рассеиваемой внутри структуры мощности. Рекомбинация, являясь дополнительным источником тепла, выравнивает рассеиваемую тепловую энергию по длине структуры в широком диапазоне амплитуд воздействующего сверхвысокочастотного импульса.
  3. Наибольшее влияние на энергетические характеристики функционального сбоя или теплового поражения структуры с барьером Шоттки при воздействии мощного однократного сверхвысокочастотного импульса оказывает толщина эпитаксиальной пленки. Увеличение толщины эпитаксиальной пленки в 10 раз в рамках типовых значений микроэлектронных технологий приводит к увеличению интервала длительностей однократного импульсного воздействия, соответствующего области с минимальной энергией теплового поражения или функционального сбоя, приблизительно на два порядка.
  4. Предположения о существующей при любом виде воздействия локализации тепловой мощности в областях выпрямляющих переходов некорректны, в особенности для импульсов прямой полярности, из-за распределения источников тепла по всей структуре, включая высоколегированные области. Термин "адиабатический участок" (как нагрев без теплоотведения) может быть относительно корректно использован только при воздействии на структуры импульсами обратного смещения.
  5. Увеличение несущей частоты воздействующего импульса приводит в большинстве случаев к расширению участка энергетической характеристики с минимальным значением энергии, необходимой для функционального сбоя или теплового поражения структуры, снижая тем самым ее устойчивость к мощному ЭМИ.
  6. Исходя из равенства максимальных температур внутреннего разогрева энергетическая эквивалентность воздействия разнотипных силовых импульсов недостижима. Эквивалентность воздействия можно получить только на основе интервальных оценок энергии или мощности в предположении статистического разброса температуры функционального сбоя или теплового поражения.
  7. Энергомощностные зависимости теплового разогрева полупроводниковых структур импульсным ЭМИ, рассчитанные по критериям "рассеиваемой внутренней энергии" и "падающей внешней энергии", отличаются как по величине, так и по характеру поведения. Согласованные антенные тракты приемо-передающей РЭА, содержащие полупроводниковые детекторные и смесительные диоды, наиболее подвержены тепловому поражению мощным ЭМИ.
  8. Основным физическим процессом, приводящим к функциональным сбоям или тепловому поражению полупроводниковых структур в импульсно-периодическом режиме мощного воздействия ЭМИ, является накопление тепловой энергии от импульса к импульсу в широком диапазоне частот следования импульсов.
  9. Для цифровых интегральных схем импульсно-периодический режим мощного воздействия ЭМИ и соответствующее ему накопление тепловой энергии приводит к одновременному снижению уровня логической "1", росту уровня логического "0" и увеличению длительности фронтов переключения между логическими состояниями. В наибольшей степени изменениям подвержен уровень логического "0" управляющего каскада интегральной схемы.

Список опубликованных работ

Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК

1. Мещеряков С.А., Прокопьев А.И. Влияние барьерных свойств низкоомной подложки на модуляцию сопротивления базы диода Шоттки // Известия вузов. Электроника. - 1998. - № 2. - С. 27-29.

2. Prokopyev A.I., Mesheryakov S.A. Static characteristics of high-barrier Schottky diode under high level injection // Solid-State Electronics. - 1999. - V. 43. - N 9. - P. 1747-1753.

3. Мещеряков С.А., Прокопьев А.И., Рембеза С.И., Бойко В.И. Границы применимости моделей диода Шоттки в режиме высокого уровня инжекции // Известия вузов. Электроника. - 1999. - № 6. -С. 41-45.

4. Мещеряков С.А., Прокопьев А.И. К определению высоты барьера Шоттки методом Вернера // Известия вузов. Электроника. - 2001. - № 3. - С. 29-34.

5. Prokopyev A.I., Mesheryakov S.A. Restrictions of forward I-V methods for determination of Schottky diode parameters // Measurement. - 2003. - V. 33. - N 2. - P. 135-144.

6. Prokopyev A.I., Mesheryakov S.A. Fast extraction of static parameters of Schottky diodes from forward I-V characteristic // Measurement. - 2005. - V. 37. - № 2. - P. 149-155.

7. Мещеряков С.А., Прокопьев А.И., Прокопьева О.А. Моделирование зарядопереноса в структурах с барьером Шоттки на основе карбида кремния // Вестник Воронежского гос. техн. унта. - 2006. - № 11. - С. 69-71.

8. Прокопьева О.А., Мещеряков С.А., Прокопьев А.И. Модели основных электрофизических свойств карбида кремния для расчета параметров полупроводниковых приборов // Вестник Воронежского гос. техн. ун-та. - 2006. - № 11. - С. 5-14.

9. Мещеряков С.А., Прокопьев А.И., Золотухина О.А. Численная модель расчета переходных процессов в структурах с барьером Шоттки на основе карбида кремния // Вестник Воронежского гос. техн. ун-та. – 2007. – № 8. – С. 67-70.

10. Мещеряков С.А. Программа численного моделирования статистических, динамических и частотных характеристик полупроводниковых диодов Шоттки "Barrier-1D". Св. гос. регистрации программы для ЭВМ № 2010614839. // О.Б. "Программы для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегральных микросхем". – 2010. – № 2. – С. 138.

11. Мещеряков С.А. Численное исследование устойчивости конечно-разностных схем с весами при моделировании переходных процессов в диодных cиловых полупроводниковых структурах // Вычислительные методы и программирование. – 2011. – Т. 12. – № 1. – С. 97-102.

12. Мещеряков С.А. Программа моделирования статических и динамических характеристик биполярных диодов "Bipolar". Св. гос. регистрации программы для ЭВМ № 2011612293. // О.Б. "Программы для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегральных микросхем". – 2011. – № 2. – С. 547.

13. Мещеряков С.А. Программа расчета электрофизических параметров полупроводников "Semiconductor". Св. гос. регистрации программы для ЭВМ № 2011612294. // О.Б. "Программы для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегральных микросхем". – 2011. – № 2. – С. 548.

14. Мещеряков С.А. Моделирование теплового поражения диодных полупроводниковых структур полиимпульсным сверхвысокочастотным радиоизлучением [Электронный ресурс] // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. – 2013. – № 7. – Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/jul13/4/text.pdf.

15. Бердышев А.В., Мещеряков С.А. Численное моделирование физических процессов в кремниевых полупроводниковых p – n-переходных структурах при воздействии электромагнитного излучения сверхкоротких импульсов // Радиотехника и электроника. – 2013. – Т. 58. – № 7. – С. 726-734.

16. Мещеряков С.А., Бердышев А.В. Электротепловая модель воздействия электромагнитного излучения на полупроводниковые структуры // Радиотехника и электроника. – 2013. – Т. 58. – № 11. – С. 1127-1135.

17. Мещеряков С.А. Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Структуры с барьером Шоттки [Электронный ресурс] // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. – 2013. – № 11. – Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/nov13/2/text.pdf.

18. Мещеряков С.А. Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Биполярные структуры [Электронный ресурс] // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. - 2013. - № 12. - Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/dec13/6/text.pdf

19. Мещеряков С.А. Динамика тепловой релаксации/з-д-переходной полупроводниковой структуры после воздействия мощного СВЧ-импульса // Вестник Воронежского гос. техн. ун-та. - 2013. - Т. 9. - № 6.2. - С. 102-106.

20. Мещеряков С.А. К вопросу об эквивалентности воздействия на полупроводниковые диодные структуры мощных сверхвысокочастотного импульса и видеоимпульсов различной полярности // Радиотехника и электроника. - 2014. - Т. 59. - № 2. -С. 184-194.

21. Мещеряков С.А. Об оценке мощности теплового поражения диодных полупроводниковых структур импульсным электромагнитным излучением [Электронный ресурс] // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. - 2014. - № 6. - Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/jun14/5/text.pdf.

Статьи и материалы конференций

22. Прокопьев А.И., Мещеряков С.А. Сходимость итерационных методов при численном моделировании статических характеристик диодов Шоттки // Твердотельная электроника и микроэлектроника. Межвузовский сборник научных трудов. - Воронеж, Воронежский гос. техн. ун-т, 1997. - С. 13-18.

23. Мещеряков С.А., Прокопьев А.И., Обвинцев Ю.А. Модуляция сопротивления базы силового диода Шоттки // Реализация региональных научно-технических программ Центрально-Черноземного региона: Материалы конференции, Воронеж 1997. -С. 135-136.

24. Мещеряков С.А., Прокопьев А.И. Роль подложки в модуляции сопротивления базы силового диода Шоттки // Микроэлектроника и информатика - 98. Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция: Тезисы докладов, Зеленоград 1998. - С. 55.

25. Прокопьев А.И., Мещеряков С.А., Бойко В.И. Моделирование диодов Шоттки в режиме высоких плотностей токов // Микро- и наноэлектроника. Всероссийская научно-техническая конференция: Тезисы докладов, Звенигород 1998. - Доклад Р3-60.

26. Мещеряков С.А., Прокопьев А.И. Численный расчет переходных процессов в диодах Шоттки // Новые информационные технологии в научных исследованиях и в образовании. 4-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция: Тезисы докладов, Рязань 1999. – С. 118-119.

27. Мещеряков С.А., Прокопьев А.И. К вопросу об оценке высоты барьера Шоттки по прямой ветви вольт-амперной характеристики // Применение силовой электроники в электротехнике. Международный научно-технический семинар. – М.: МЭИ, 2000. – С. 92-93.

28. Мещеряков С.А., Прокопьев А.И. Программа численного моделирования силового диода Шоттки // Твердотельная электроника и микроэлектроника. Межвузовский сборник научных трудов. – Воронеж, Воронежский гос. техн. ун-т, 2005. – С. 44-47.

29. Мещеряков С.А., Прокопьев А.И., Золотухина О.А. Программа физико-топологического моделирования униполярных полупроводниковых структур с барьером Шоттки "Барьер-1D" // Твердотельная электроника и микроэлектроника. Межвузовский сборник научных трудов. – Воронеж, Воронежский гос. техн. ун-т, 2007. – С. 137-142.

30. Мещеряков С.А. Ограничения аналитических моделей теплового поражения полупроводниковых диодных структур импульсным электромагнитным излучением // Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника. Межвузовский сборник научных трудов. – Воронеж: Воронежский гос. техн. ун-т, 2013. – С. 28-38.

31. Мещеряков С.А. Особенности поражения диодных структур мощным субнаносекундным СВЧ-импульсом // Радиолокация, навигация, связь: материалы докл. XX междунар. науч.-техн. конф. – Воронеж: НПФ "САКВОЕЕ", 2014. – С. 1924-1931.

32. Мещеряков С.А. Моделирование логических состояний ТТЛ-схем в условиях импульсно-периодического режима мощного СВЧ-воздействия // Физико-математическое моделирование систем: материалы докл. XII междунар. семинара. – Воронеж: Воронежский гос. техн. ун-т, 2014. – С. 37-44.

Комментарии:

Если вы считаете, что какое-то сообщение нарушает Правила, оскорбляет Вас как личность, несёт заведомо ложную информацию, и должно быть удалено, сообщите нам по адресу sergey@rae.ru

Ваше имя
Текст комментария
Введите число с изображения

Антиспам защита

При добавлении комментария Вы соглашаетесь с пользовательским соглашением