RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17132 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Обухов Илья Андреевич

Научная тема: « НЕРАВНОВЕСНЫЕ ЭФФЕКТЫ КАК ОСНОВА ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ »

Научная биография   « Обухов Илья Андреевич »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 05.27.01

Год: 2014

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Новый базис переменных для классических дрейфово-диффузионных уравнений переноса заряда, который позволяет явным образом связать вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов с уровнем отклонения электронного и дырочного газов от состояния локального химического равновесия и выявить причины и источники этой неравновесности.
  2. Приближенные решения дрейфово-диффузионных уравнений, описывающие перенос заряда в полупроводниковых структурах без введения условных внутренних границ в областях p-n-переходов. Применение этих решений для анализа влияния химической неравновесности электронного и дырочного газов на функционирование биполярных диода, транзистора и тиристора.
  3. Многофазная модель переноса заряда в мезоскопических структурах, которая позволяет в рамках единого формализма описывать квантовые и классические явления и, соответственно, квантовые и классические области электронных приборов. Сохраняет преемственность с классической дрейфово-диффузионной моделью. Основывается на:
    • представлении об электронном газе в твердом теле, как о смеси компонент (фаз), соответствующих допустимым состояниям электронов и характеризующихся каждая своим химическим потенциалом;
    • описании неравновесных явлений в электронном газе как отклонений от состояния локального химического равновесия;
    • выражении для плотности тока, учитывающем как квантовую, так и классическую дрейфово-диффузионную составляющую.
  4. Расчет в рамках многофазной модели вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs адекватно измерениям и универсальное, не зависящее от используемого материала и других технологических и конструктивных параметров, теоретическое объяснение важнейших наблюдаемых экспериментально особенностей этих характеристик:
    • ступенька на участке ВАХ с отрицательной дифференциальной проводимостью объясняется нарушением локального химического равновесия между «левыми» и «правыми» электронами и соответствующим накоплением неравновесных электронов в области потенциальной ямы;
    • наблюдаемые экспериментально большие значения тока долины прибора обусловлены наличием дрейфово-диффузионного тока.
  5. Представление о квантовом приборе как об объекте, состоящем из квантовых и классических областей. Пассивные классические области могут существенно влиять на характеристики квантового прибора:
    • взаимодействие резонансно-туннельной структуры с подложкой изменяет параметры вольт-амперной характеристики резонансно-туннельного диода и может приводить к неединственности решения стационарных уравнений переноса заряда;
    • инжекция электронов из эмиттерного контакта квантового провода в проводящий канал является одним из основных процессов, определяющих проводимость прибора, она может приводить к охлаждению эмиттерного контакта, а также к необычной зависимости сопротивления квантового провода от температуры.
  6. Равнозначность квантовых и неравновесных явлений для функционирования твердотельных электронных приборов с нанометровыми размерами активных областей. В мезоскопических структурах источники неравновесности электронного газа локализуются в малых окрестностях неоднородностей потенциального рельефа для электронов. Неоднородности порождаются гетерограницами, переходами между структурами с различной квантовой размерностью, между квантовыми проводами различного поперечного сечения и т.п.
  7. Конструкции и расчет характеристик квантовых приборов терагерцового диапазона частот: релаксационного квантового диода, релаксационного квантового транзистора, квантового транзистора с инжекционным затвором, функционирующих на основе эффектов, обусловленных отклонениями электронного газа от состояния локального химического равновесия, и имеющих вольт-амперные характеристики, аналогичные традиционным элементам микроэлектроники.

Список опубликованных работ

А1. Обухов И.А. Приближенное решение уравнений переноса заряда в полупроводниках / И.А. Обухов// Всесоюзное научное совещание «Методы малого параметра». Нальчик. – 1987. – С. 113.

А2. Мокшин А.Н. Приближенное решение уравнений переноса заряда в полупроводниковых структурах / А.Н.Мокшин, И.А.Обухов, В.К. Перес-Фернандес, С.В.Румянцев // Микроэлектроника. – 1988. –T. 17. –B. 3. – С. 225 – 230.

А3. Мокшин А.Н. Приближенное решение дрейфово-диффузионных уравнений переноса заряда в двумерной области/ А.Н. Мокшин, И.А. Обухов, С.В.Румянцев // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. – 1988. – B. 2(126). – С. 24–27.

А4. Крючков С.В.Асимптотический расчет переходных процессов в полупроводниковых приборах/ С.В.Крючков, И.А.Обухов, С.В.Румянцев, А.Н. Мокшин // Устройства, элементы и материалы электронной техники. М.: ВЗПИ. –1989. – С. 57 – 65.

А5. Крючков С.В.Математическое моделирование полупроводниковых структур с S-образными ВАХ / С.В.Крючков, И.А.Обухов, С.В.Румянцев // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. – 1989. –B. 5 (134). – С. 25–28.

А6. Калачев Л.В.Асимптотический анализ решения уравнения Пуассона в полупроводниках/ Л.В.Калачев, С.В.Крючков, И.А. Обухов // Математическое моделирование. – 1989. –T. 1. – № 9. – С. 129 – 140.

А7. Калачев Л.В. Приближенное решение уравнения Пуассона в модели двумерной полупроводниковой структуры/ Л.В. Калачев, И.А. Обухов // Вестник Моск. Ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. – 1989. – T. 30. – № 3. – С. 63–68.

А8. Волков В.Т. Численно-асимптотический анализ переходных процессов в полупроводниках/ В.Т.Волков, С.В.Крючков, И.А.Обухов, С. В.Румянцев // Журнал вычислительной математики и математической физики. – 1989. –T. 29. – № 8. – С. 1159 –1167.

А9. Обухов И.А.Влияние внешнего электрического поля на перенос заряда в полупроводниках/ И.А.Обухов, С.В.Крючков, М.С.Пантелеев, С.В.Румянцев // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. – 1990. – B. 5(208). – С. 31–42.

А10. Дианов С.А. Моделирование резонансно-туннельного диода/ С.А. Дианов, Ф.Г.Искандеров, И.А.Обухов, Ю.С. Тиходеев // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. – 1991. – B. 3 (212). – С. 10 – 15.

А11. Обухов И.А. Оценка работоспособности элементов ИС при воздействии внешнего электрического поля/ И.А.Обухов, С.В.Румянцев // III Всесоюзная конференция "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов". Кишинев. – 1991. – Ч. II. – С. 34–35.

А12. Кадменский А.Г. Моделирование тиристорного паразитного эффекта для фрагмента КМОП ИС/ А.Г. Кадменский, И.А.Обухов, С.В. Румянцев // III Всесоюзная конференция "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов". Кишинев. – 1991. –Ч. II. – С. 71.

А13. Крючков С.В.Приближенное решение уравнений переноса заряда в полупроводниках в случае гармонического сигнала / С.В.Крючков, И.А. Обухов // Всесоюзная конференция «Асимптотические методы сингулярно-возмущенных уравнений и некорректно поставленных задач». Бишкек. «ИЛИМ». – 1991. – С. 65.

А14. Калачев Л.В. Асимптотика решения уравнения Пуассона для полупроводниковой структуры во внешнем поле/ Л.В. Калачев, И.А.Обухов // Математическое моделирование. – 1991. –T. 3. – № 12. – С. 78 – 85.

А15. Калачев Л.В.Асимптотика решения уравнения Пуассона в модели трехмерной полупроводниковой структуры / Л.В.Калачев, И.А.Обухов // Журнал вычислительной математики и математической физики. – 1992. – T. 31. – № 9. – С. 1509–1514.

А16. Obukhov I.A. About the possibility of relaxation quantum devices creation / I.A. Obukhov // International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology». Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers, St. Petersburg. – 1993. – Р. 37 – 38.

А17. Gavrilov O.T. The classical regions influence on characteristics of resonant - tunneling diode / O.T Gavrilov, S.A. Dianov, I.A. Obukhov, J.A. Matveev // International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology. Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers, St. Petersburg. – 1993. – Р. 56.

А18. Обухов И.А. О возможности создания релаксационных квантовых приборов / И.А. Обухов // Письма в «Журнал технической физики». – 1993. – T.19. – B. 17. – С. 12 – 16.

А19. Gavrilov O.T. The classical regions influence on characteristics of resonant-tunneling diode / O.T. Gavrilov, I.A. Obukhov, S.A. Dianov // Proceeding of the Second International Conference on Nanometer Scale Science and Technology (NANO-II). Part C. Moscow. – 1993. – Р. 860– 870.

А20. Obukhov I.A. Simulation of characteristics of nanoelectronics devices based on quantum wires/I.A. Obukhov, S.A. Dianov // Proceeding of the Second International Conference on Nanometer Scale Science and Technology (NANO-II). Part C. Moscow. – 1993. – Р. 775 – 790.

А21. Obukhov I.A. The new model of charge transport in quantum devices / I.A. Obukhov // Proceeding of the Second International Conference on Nanometer Scale Science and Technology (NANO-II). Part C. Moscow. – 1993. – Р.889 – 896.

А22. Obukhov I.A. The local model of charge transport / I.A. Obukhov // Proceeding of Nanomeeting-95, Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics. Minsk. – 1995. – Р. 273 – 276.

А23. Obukhov I.A. Resonant - tunneling diode theory and modeling / I.A. Obukhov // Proceeding of Nanomeeting-95, Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics. Minsk. – 1995. –Р. 271 – 272.

А24. Гаврилов О.Т.Взаимодействие резонансно-туннельного диода с подложкой через распределенную границу/ О.Т.Гаврилов, И.И. Квяткевич, И.А.Обухов, Ю.А. Матвеев // Письма в «Журнал технической физики». – 1996. –T. 22.– B.8. – С. 18–21.

А25. Гаврилов О.Т. Флуктуационно-релаксационная неустойчивость и генерация белого шума в резонансно-туннельной структуре/ О.Т.Гаврилов, И.И. Квяткевич, И.А. Обухов // Материалы 6-й Международной Крымской Конференции «СВЧ -техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь. – 1996.– Weber Co. – 1997. – С. 308–311.

А26. Обухов И.А. Приборы на основе квантовых проводов: перспективы и проблемы / И. А. Обухов// Материалы 6-й Международной Крымской Конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь. – 1996. – Weber Co. – 1997. – С. 55 – 64.

А27. Obukhov I.A. Electronic devices based on quantum wires: prospects and problems / I.A. Obukhov // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Review and Short Notes of Nanomeeting’97 (Ed. by V.E. Borisenko, A.B. Filonov, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin). Minsk. Belarus. – 1997. –Р. 322–325.

А28. Обухов И.А. Релаксационные квантовые приборы / И.А. Обухов// Материалы 7-й Международной Крымской Конференции «СВЧ -техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь. Weber Co. – 1997. – С. 386–389.

А29. Гаврилов О.Т.Влияние классических областей на характеристики резонансно-туннельного диода /О.Т. Гаврилов, И.И. Квяткевич, И.А. Обухов // Материалы 7-й Международной Крымской Конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь. Weber Co. – 1997. – С. 401 – 403.

А30. Obukhov I.A. Some aspects of nanoelectronics development in Russia / I.A .Obukhov // WTEC Workshop Proceedings: Russian Research and Development Activities on Nanoparticles and Nanostructured Materials, S. Petersburg. – 1997. – Р. 116 – 125.

А31. Обухов И.А. Материалы наноэлектроники / И.А. Обухов // Материалы 7-й Международной Крымской Конференции «СВЧ –техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь. – 1997. – С. 383–385.

А32. Обухов И.А. О возможности использования резонансно-туннельных структур в микроволновых поглотителях/ И.А. Обухов // Материалы 8-й Международной Крымской Конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь. – 1998. – С. 592-594.

А33. Обухов И. А. Некоторые возможности квантовых интегральных схем/ И. А.Обухов, В. М. Балабанов // Материалы 9-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 1999. – С. 76 - 77.

А34. Обухов И.А. Моделирование статических характеристик резонансно-туннельных приборов / И. А. Обухов// Микросистемная техника. – 2001. – № 2. – С. 23–28.

А35. Обухов И.А. Моделирование статических характеристик резонансно-туннельных структур / И.А. Обухов // Материалы 10-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2000. – С. 423 – 427.

А36. Обухов И.А. Специфические шумы в мезоскопических структурах / И.А. Обухов // Материалы 11-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2001. – С. 416 – 419.

А37. Obukhov I.A. The possible application of SPM for creation of new types of quantum devices / I.A. Obukhov // Scanning Probe Microscopy – 2002. Proceedings, Nizhny Novgorod. – 2002. – Р. 85 – 87.

А38. Квяткевич И.И. Моделирование полевого транзистора на основе квантового провода / И.И. Квяткевич, И.А. Обухов, М.С. Чекандин // Материалы 12-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2002. – С. 455–457.

А39. Обухов И.А. О возможности применения СТМ - АСМ литографии для создания новых типов квантовых приборов / И.А. Обухов // Микросистемная техника. – 2003. – № 6. – С. 34–37.

А40. Гаврилов О.Т. Двумерные эффекты взаимодействия резонансно-туннельных структур с подложкой / О.Т.Гаврилов, И.И. Квяткевич, И.А. Обухов // Материалы 13-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2003. – С 536–539.

А41. Обухов И.А. Статические характеристики пересекающихся квантовых проводов/ И.А.Обухов, И.И. Квяткевич, А.А. Лавренчук, С.В. Румянцев // Материалы 14-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2004. – С. 507 – 511.

А42. Обухов И.А. Моделирование переноса заряда в мезоскопических структурах/ И.А. Обухов// Изд-во «Вебер». Москва–Киев-Минск– Севастополь. – 2005. – 226 С.

А43. Обухов И.А. Некоторые проблемы современной наноэлектроники /И.А. Обухов// Материалы 15-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2005. – С. 5 – 7.

А44. Обухов И.А. Проблемы моделирования электрических характеристик квантовых приборов / И.А. Обухов // Материалы 15-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2005. – С. 607 – 608.

А45. Обухов И.А. Влияние термо-ЭДС на ВАХ квантового провода/ И.А. Обухов, А.А. Лавренчук // Материалы 15-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2005. – С. 609 – 612.

А46. Обухов И.А. О температурной зависимости сопротивления металлических квантовых проводов / И.А. Обухов // Нано- и микросистемная техника. – 2006. – № 6. – С. 33–36.

А47. Обухов И.А. Эффект охлаждения эмиттерного контакта квантового провода / И.А. Обухов // Материалы 16-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2006. – С. 655 – 656.

А48. Обухов И.А. Влияние контактных областей на электрические характеристики квантового провода / И.А. Обухов, И.И. Квяткевич, А.А. Лавренчук // Материалы 16-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2006. – С. 650–654.

А49. Обухов И.А. О температурной зависимости сопротивления металлических квантовых проводов / И.А. Обухов // Труды седьмой международной научно-практической конференции Современные информационные и электронные технологии. Одесса. – 2006. – С. 161.

А50. Обухов И.А. Самоохлаждение эмиттерного контакта квантового провода / И.А. Обухов// Нано- и микросистемная техника. – 2007. – № 5. – С. 21–23. А51. Обухов И.А. Резонансно-туннельный диод на основе контактов Шоттки / И.А. Обухов, И.И. Квяткевич // Материалы 17-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2007. – С. 577 – 579.

А52. Обухов И.А. Неединственность решения уравнений переноса заряда в подложке резонансно-туннельного диода / И.А. Обухов, И.И. Квяткевич // Материалы 18-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2008. –С. 619 – 621.

А53. Обухов И.А. Особенности функционирования квантовых приборов / И.А. Обухов // Нано- и микросистемная техника. – 2009. – № 7. – С. 38–45.

А54. Обухов И.А. Неравновесные пограничные эффекты в квантовых приборах / И.А. Обухов, И.И. Квяткевич // Материалы 19-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2009. – С. 635 – 640.

А55. Обухов И.А. Неравновесные эффекты в электронных приборах / И.А. Обухов // Изд-во «Вебер». Москва – Киев – Минск – Севастополь. – 2010. – 303 С.

А56. Обухов И.А. Влияние внешнего электромагнитного излучения на ВАХ квантового провода / И.А. Обухов// Материалы 20-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2010. – С. 833 – 835.

А57. Обухов И.А. Частотная зависимость электрических характеристик квантовых приборов / И.А. Обухов // Материалы 21-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2011. – С. 799 – 803.

А58. Obukhov I.A. About the Frequency-Dependence of Electrical Characteristics of Quantum Devices / I.A. Obukhov // Nanoscience and Nanotechnology. –2012. – V. 2 – N 5. – Р. 144 – 147.

А59. Обухов И.А. Электронные приборы на основе антимонида индия / И.А. Обухов, Г.Г. Горох // Материалы 22-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2012. – С. 653 – 654.

А60. Горох Г.Г. Синтез нанопроводов InSb в модифицированных матрицах анодного оксида алюминия / Г.Г. Горох, И.А. Обухов, А. А.Позняк, А.А. Лозовенко, А.И. Захлебаева, Е.А. Сочнева // Материалы 22-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2012. – С. 655 – 658.

А61. Obukhov I.A. Planar One-Dimensional Quantum Devices / I.A. Obukhov // Nanoscience and Nanotechnology. – 2013. –V.3. –N 5. –Р. 115 –122.

А62. Горох Г.Г. Темплейтный метод формирования квантовых нанопроводов InSb с большим аспектным отношением / Г.Г. Горох, И.А. Обухов, А.А. Лозовенко, А.И. Захлебаева, Е.А. Сочнева // Материалы 23-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2013. – С. 820 – 823.

А63. Обухов И.А. Релаксационная неустойчивость в квантовом проводе / И.А. Обухов // Материалы 23-й Международной Крымской Микроволновой Конференции. Севастополь. – 2013. – С. 869 – 872.

А64. Obukhov I.A. Nonequilibrium Effects in One-Dimensional Quantum Devices /I.A. Obukhov // LAMBERT Academic Publishing. -2014. -132P.

А65. Патент Российской Федерации № 2113743 на изобретение «Генератор электромагнитных колебаний СВЧ и КВЧ диапазонов» /Патентообладатели: Квяткевич И.И., Матвеев Ю.А., Обухов И.А. и Чернявский А.А.// Приоритет изобретения 01.02.1996 г. Зарегистрирован в государственном реестре изобретений 20.06.1998 г.

Комментарии:

Если вы считаете, что какое-то сообщение нарушает Правила, оскорбляет Вас как личность, несёт заведомо ложную информацию, и должно быть удалено, сообщите нам по адресу sergey@rae.ru

Ваше имя
Текст комментария
Введите число с изображения

Антиспам защита

При добавлении комментария Вы соглашаетесь с пользовательским соглашением