RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17341 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Тер-Мартиросян Александр Леонович

Научная тема: « МОЩНЫЕ ИСТОЧНИКИ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР »

Научная биография   « Тер-Мартиросян Александр Леонович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 01.04.01

Год: 2014

Отрасль науки: Технические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Уменьшение концентрации НЗ, инжектированных в волноводный слой мощных непрерывных ЛД и, следовательно, снижение поглощения на свободных НЗ, можно получить как дополнительным легированием волновода, так и изготовлением волноводных слоев с градиентными составами, причем последний подход является более перспективным из-за наличия встроенного электрического поля, ускоряющего движение НЗ в ГС.
  2. Лазерные гетероструктуры (ЛГС), выполненные из твёрдых растворов AlGaAs имеют преимущество по тепловому сопротивлению относительно безалюминиевых ГС на основе InGaAsP из-за более высокой теплопроводности используемых материалов и, как следствие, меньшего вклада в тепловое сопротивление мощных ЛД.
  3. Тепловое сопротивление мощных ЛД не является функцией площади полоскового контакта, как в случае одномерного переноса тепла, но зависит различным образом от его длины (более сильно) и ширины (более слабо), так что для уменьшения теплового сопротивления предпочтительным является увеличение длины резонатора.
  4. Использование алмазного термокомпенсатора (сабмаунта) для усиления латерального растекания тепла оказывается эффективным только в том случае, когда его ширина более чем на порядок превышает ширину полоскового контакта мощного ЛД.
  5. Оснащение лазерных аппаратов с волоконным выводом излучения пирометрическими сенсорами на основе иммерсионного фотодиода среднего ИК-диапазона позволяет с высокой точностью контролировать температуру выходного торца оптического волокна в диапазоне от +600 до +1000 С, что не только увеличивает срок службы волоконно-оптического инструмента, но и обеспечивает равномерный и качественный разрез биоткани.
  6. Наблюдение в реальном времени пространственного распределения сигнала флуоресценции фотосенсибилизатора накопленного в биоткани при проведении сеанса ФДТ позволяет точно определять момент окончания процедуры и избегать избыточного воздействия оптического излучения.

Список опубликованных работ

Статьи и патенты:

А1. Карпов, СЮ. Линейки мощных полупроводниковых лазеров изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / СЮ. Карпов, Г. де ла Круз, В.Е. Мячин, А.Ю. Островский, Ю.В. Погорельский, И.Ю. Русанович, И.А. Соколов, Н.А. Стругов, А.Л. Тер-Мартиросян, ГА. Фокин, В.П. Чалый, А.П. Шкурко, МИ. Этинберг // Письма в ЖТФ. -1991. Т.17. -В.7. -С.31-34.

А2. Chaly, V.P. The Degradation Rate Study of MBE-Grown High Power AlGaAs Laser Diode [Text] / V.P. Chaly, M.I. Etinberg, G.A. Fokin, S.Yu. Karpov, V.E. Myachin, A.Yu. Ostrovsky, Yu.V. Pogorelsky, I.Yu. Rusanovich, I.A. Sokolov, A.P. Shkurko, N.A. Strugov, A.L. Ter-Martirosyan // Semicond. Sci. Technol, -1994. -V.8, -N.2. -P.1-8.

A3. Демидов, Д.М. Лазерные диоды с рабочей выходной оптической мощностью 3 Вт (?i=0,81 мкм) на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур, работающие в непрерывном режиме, со сроком службы 2000 часов [Текст] / Д.М. Демидов, Н.И. Кацавец, Р.В. Леус, А.Л. Тер-Мартиросян, В.П. Чалый //Письма в ЖТФ. - 1997. - Т. 23. В. 8. - С. 90-94.

А4. Демидов, Д.М. Мощные высокостабильные лазерные диоды для накачки твердотельных лазеров [Текст] / Д.М. Демидов, Н.И. Кацавец, А.Л. Тер-Мартиросян, В.П. Чалый // Квантовая электроника. - 1998. - Т. 25. В. 9. - С. 789-791.

А5. Пат. 2110874 Российская Федерация, МПК 6 Н 01 S 3/19. Инжекционный полупроводниковый лазер [Текст] / Демидов Д.М., Тер-Мартиросян А.Л., Чалый В.П., Шкурко А.П.; заявитель и патентообладатель ЗАО «Полупроводниковые приборы». - № 96108212/25; заявл. 24.04.96; опубл. 10.05.98, Бюл. № 13.

А6. Свидетельство на полезную модель № 8524 Российская Федерация, МПК 6 Н 01 L 23/00. Устройство для отвода тепла от полупроводникового прибора [Текст] / Тер-Мартиросян А.Л., Чалый В.П.; заявитель и обладатель свидетельства ЗАО «Полупроводниковые приборы». - № 98106014/20; заявл. 27.03.98; опубл. 16.11.98, Бюл. № 11.

А7. Пат. 2122452 Российская Федерация, МПК 6 А 61 N 5/06. Способ лечения новообразований [Текст] / Гельфонд М.Л., Венков А.А., Тер-Мартиросян А.Л., Чалый В.П., Баллюзек Ф.В.,Мизгирев И.В.; заявитель и патентообладатель ЗАО «Полупроводниковые приборы». - № 97120048/14; заявл. 21.11.97; опубл. 27.11.98, Бюл. № 33.

А8. Свидетельство на полезную модель № 9098 Российская Федерация, МПК 6 Н 01 S 3/00. Лазерный излучатель [Текст] / Тер-Мартиросян А.Л., Чалый В.П.; заявитель и обладатель свидетельства ЗАО «Полупроводниковые приборы». - № 98112398/20; заявл. 18.06.98; опубл. 16.01.99, Бюл. № 1.

А9. Пат. 756224 Patent Cooperation Treaty, МПК А 61 N 005/06. Method for treating tumour growth [Text] / Gelfond M.L., Venkov A.A., Ter-Martirosyan A.L., Chaly V.P., Balluzek F.V., Mizgirev I.V.; заявитель и патентообладатель ЗАО «Полупроводниковые приборы». -№ AU 199872416/98 В2; заявл. 21.11.97; опубл. 15.06.99.

А10. Пат. 2134603 Российская Федерация, МПК 6 А 61 N 5/06. Способ лечения новообразований [Текст] / Тер-Мартиросян А.Л., Чалый В.П., Гельфонд М.Л., Барчук А.С.; заявитель и патентообладатель ЗАО «Полупроводниковые приборы». - № 98114518/14; заявл. 29.07.98; опубл. 20.08.99, Бюл. № 23.

All. Свидетельство на полезную модель №14407 Российская Федерация, МПК 7 Н 01 S 3/101. Оптическое устройство для суммирования лучей двух и более лазеров [Текст] / Тер-Мартиросян, А.Л., Чалый, В.П., Батов, Ю.Н., Иванов, Е.В., Малинин, СМ.; заявитель и обладатель свидетельства ЗАО «Полупроводниковые приборы». - № 98111223/20; заявл. 04.06.98; опубл. 20.07.00, Бюл. № 20.

А12. Gelfond, M.L. Selective laser hyperthermia of malignant neoplasms: experimental and clinical research [Text] / M.L. Gelfond, I.V. Mizgirev, A.S. Barchuk, V.V. Hudoley, D.V. Vasilyev, F.V. Balluzek, A.A. Venkov, V.P. Chaly, A.L. Ter-Martirosyan // Proceedings of SPIE “Laser use in oncology П", Vol. 4059 (2000). P. 13-24.

A13. Demidov, D.M. High power laser diodes: new design provides reliability and stability [Text] / D.M. Demidov, N.I. Katsavets, A.L. Ter-Martirosyan, D. Croupsky // Proceedings of SPIE “Laser use in oncology П", Vol. 4059 (2000). P. 225-228.

A14. Демидов, Д.М. 100 ваттные лазерные линейки на основе фазированных решеток [Текст] / ДМ. Демидов, АН. Ивкин, НИ. Кацавец, СВ. Кокин, Р.В. Леус, А.Л. Тер-Мартиросян, В.П. Чалый // Письма в ЖТФ. - 2001. - Т. 27. В. 2. - С. 36-41.

А15. Александров, СВ. Мощные низкопороговые лазерные диоды (А,=0,94 мкм) на основе Ino.1Gao.9As/AlGaAs/GaAs гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / СВ. Александров, А.Н. Алексеев, Д.М. Демидов, А.Л. Дудин, Н.И. Кацавец, ИВ. Коган, Ю.В. Погорельский, А.Л. Тер-Мартиросян, Э.Г. Соколов, В.П. Чалый, А.П. Шкурко // Письма в ЖТФ. - 2002. - Т. 28. В. 16. - С. 71-78.

А16. Кацавец, Н.И. Мощные высокоэффективные квазинепрерывные лазерные линейки для накачки твердотельных лазеров на основе Yb-содержащих активных сред [Текст] / Н.И. Кацавец, В.А. Бученков, Д.М. Демидов, Р.В. Леус, М.О. Искандаров, А.А. Никитичев, А.Л. Тер-Мартиросян // Письма в ЖТФ. - 2004. - Т. 30. В. 24. - С. 43-48.

А17. Bulashevich, К. A. Effect of free-carrier absorption on performance of 808 nm AlGaAs-based high-power laser diodes [Text] / K.A. Bulashevich, V.F. Mymrin, S.Yu. Karpov, D.M. Demidov, A.L. Ter-Martirosyan // Semicond. Sci. Technol. - 2007. - V. 22. - P. 502-510.

A18. Пат. 2309501 Российская Федерация, МПК Н 01 S 5/32. Инжекционный полупроводниковый лазер [Текст] / Демидов Д.М., Карпов С.Ю., Мымрин В.Ф., Тер-Мартиросян А.Л.; заявитель и патентообладатель ЗАО «Полупроводниковые приборы». -№ 2006133217/28; заявл. 06.09.06; опубл. 27.10.07, Бюл. № 30.

А19. Пат. 2309502 Российская Федерация, МПК Н 01 S 5/32. Полупроводниковый инжекционный лазер [Текст] / Демидов Д.М., Карпов С.Ю., Мымрин В.Ф., Тер-Мартиросян А.Л.; заявитель и патентообладатель ЗАО «Полупроводниковые приборы». - № 2006133220/28; заявл. 06.09.06; опубл. 27.10.07, Бюл. № 30.

А20. Кацавец, Н.И. Высокомощные полупроводниковые источники излучения на основе 100 W лазерных линеек, предназначенные для накачки твердотельных лазеров [Текст] / Н.И. Кацавец, В.А. Бученков, М.О. Искандаров, А.А. Никитичев, Э.Г. Соколов, А.Л. Тер-Мартиросян // Письма в ЖТФ. - 2008. - Т. 34. В. 2. - С. 6-10.

А21. Katsavets, N.I. High power long pulse width QCW laser diode bars for optical pumping of Yb-Er glass solid state lasers [Text] / N.I. Katsavets, V.A. Buchenkov, A.L. Ter-Martirosyan // “High-Power and Femtosecond Lasers”, Properties, Materials and Applications (Lasers and Electro-optics Research and Technology), Nova Science Pub Inc. - 2009. - 07. - P. 355.

A22. Воробьев, Л.Е. Лазерные диоды для фотодинамической терапии [Текст] / Л.Е. Воробьев, А.Н. Софронов, Д.А. Фирсов, Д.М. Демидов, Р.В. Леус, М.А. Свердлов, А.Л. Тер-Мартиросян // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. - 2011. - №2(122). -С. 80-84.

А23. Пат. 112458 Российская Федерация, МКП G 02 F 1/00. Устройство для формирования смесителя мод [Текст] / Махнюк, В.П., Тер-Мартиросян, А.Л.; заявитель и патентообладатель ООО «Аткус». - № 2011135961/28; заявл. 26.08.11; опубл. 10.01.12, Бюл. № 1.

А24. Пат. 117189 Российская Федерация, МКП G 02 В 6/14. Устройство для формирования смесителя мод [Текст] / Демидов, Д.М., Тер-Мартиросян, А.Л., Софронов, А.Н.; заявители и патентообладатели ФГБОУ ВПО «СПбГПУ», ЗАО «Полупроводниковые приборы». -№ 2012103372/28; заявл. 31.01.12; опубл. 20.06.12, Бюл. № 17.

А25. Пат. 117191 Российская Федерация, МКП G 02 F 1/00. Устройство для формирования смесителя мод [Текст] / Демидов, Д.М., Тер-Мартиросян, А.Л., Софронов, А.Н.; заявители и патентообладатели ФГБОУ ВПО «СПбГПУ», ЗАО «Полупроводниковые приборы». -№ 2012103371/28; заявл. 31.01.12; опубл. 20.06.12, Бюл. № 17.

А26. Аникеева, М.С. Цифровая система визуализации для фотодинамической терапии [Текст] / М.С. Аникеева, А.Н. Софронов, С.С. Дремов, А.Л. Тер-Мартиросян // "Научно-технические Ведомости СПбГПУ" серия "Информатика. Телекоммуникации. Управление". - 2012. -№6 (162). Раздел "Приборы, информационно-измерительные системы". - С.159-164.

А27. Демидов, Д.М. Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм. I. Термические механизмы ограничения выходной мощности [Текст] / Д.М. Демидов, А.Л. Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, СЮ. Карпов // Научное приборостроение. - 2012. - Т. 22. № 3. - С. 78-86.

А28. Демидов, Д.М. Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм. П. Нетермические механизмы ограничения мощности излучения [Текст] / Д.М. Демидов, А.Л. Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, СЮ. Карпов // Научное приборостроение. -2012. - Т. 22. № 4. - С. 19-25.

А29. Пат. 125075 Российская Федерация, МКП А 61 М 16/04. Эндотрахеальная трубка [Текст] / Ганичева, В.А., Гельфонд, М.Л., Махнюк, В.П., Савин, А.Н., Тер-Мартиросян, А.Л., Чураков, А.В.; заявитель и патентообладатель ООО «Аткус». - № 2012140145/14; заявл. 19.09.12; опубл. 27.02.13, Бюл. № 6.

А30. Пат. 130456 Российская Федерация, МПК Н 01 S 5/06. Драйвер полупроводникового лазера [Текст] / Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Сотникова Г.Ю., Тер-Мартиросян А.Л.; заявитель и патентообладатель ЗАО «Полупроводниковые приборы». - № 2013110620/28; заявл. 07.03.13; опубл. 20.07.13, Бюл. № 20.

А31. Пат. 2497471 Российская Федерация, МКП А 61 В 17/24, А 61 В 18/20, А 61 N 5/067. Способ лечения доброкачественных новообразований гортани [Текст] / Ганичева, В.А., Гельфонд, М.Л., Махнюк, В.П., Савин, А.Н., Тер-Мартиросян, А.Л., Чураков, А.В.; заявитель и патентообладатель ООО «Аткус» -№ 2012140147/14; заявл.19.09.12; опубл.10.11.13, Бюл. №31.

А32. Демидов, Д.М. Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм. III. Пути повышения мощности излучения [Текст] / Д.М. Демидов, А.Л. Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, СЮ. Карпов // Научное приборостроение. - 2013. - Т. 23. № 2. - С. 129-138.

АЗЗ. Тер-Мартиросян, А.Л. Анализ и оптимизация конструкции теплоотводов для мощных лазерных диодов. I. Теплоотвод традиционной конструкции [Текст] / А.Л. Тер-Мартиросян, Д.М. Демидов, М.А. Свердлов, А.В. Кулик, СЮ. Карпов // Научное приборостроение. - 2013. - Т. 23. № 4. - С. 40-44.

A34. Тер-Мартиросян, А.Л. Анализ и оптимизация конструкции теплоотводов для мощных лазерных диодов. П. Пути улучшения отвода тепла [Текст] / А.Л. Тер-Мартиросян, Д.М. Демидов, М.А. Свердлов, А.В. Кулик, СЮ. Карпов // Научное приборостроение. - 2013. - Т. 23. № 4. - С. 45-49.

A35. Александров, СЕ. Система контроля температуры рабочего торца оптоволокна лазерных модулей с волоконным выводом излучения для медицинской аппаратуры [Текст] / СЕ. Александров, Г.А. Гаврилов, Г.Ю. Сотникова, А.Л. Тер-Мартиросян // ФТП. - 2014. - Т. 48. В. 1. - С. 135-141.

Тезисы докладов А36. Grempel, H. Requirements of pump diodes for diode-pumped solid state lasers [Text] / H. Grempel, N.I. Katsavets, D.M. Demidov, A.L. Ter-Martirosyan, Ch.V. Kopylov. // Proceeding of SPIE. V. 3682. Materials of the Ninth Conference on Laser Optics (LO´98). - St.Petersburg. 1998. - P. 47-50.

A37. Buchenkov, V.A. High power laser diodes, bars and stack arrays for solid-state laser pumping [Text] / V.A. Buchenkov, V.P. Chaly, D.M. Demidov, N.I. Katsavets, V.P. Machnyuk, S.N. Rodin, A.L. Ter-Martirosyan // Laser Optics. - 2008. St.-Petersburg. 2008. Technical program of international conference. - P.36.

A38. Кацавец, Н.И. Высокомощные полупроводниковые лазерные линейки для накачки твердотельных лазеров на основе иттербий-эрбиевого стекла [Текст] / Н.И. Кацавец, А.Л. Тер-Мартиросян // Симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». - Санкт-Петербург. - 2008.

A39. Махнюк, В.П. Компактный импульсный твердотельный лазер с диодной накачкой для маркировки [Текст] / В.П. Махнюк, А.Л. Тер-Мартиросян, С.А. Будишевский, С.С. Дремов // Российско-германский семинар-совещание по вопросам внедрения лазерных технологий в промышленность 27-28 ноября 2008 г.

А40. Гельфонд, М.Л. Мощные непрерывные диодные лазеры красного диапазона спектра для лечения онкологических заболеваний методом фотодинамической терапии [Текст] / М.Л. Гельфонд, Д.М. Демидов, Р.В. Леус, С.Н. Родин, А.Л. Тер-Мартиросян // 2-й Симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». - Санкт-Петербург. - 2010. А41. Сотникова, Г.Ю. Встроенная система контроля температуры объекта, нагреваемого излучением мощных твердотельных, волоконных или диодных лазеров с волоконным выходом [Текст] / Г.Ю. Сотникова, СЕ. Александров, Г.А, Гаврилов, А.А. Капралов, А.Л. Тер-Мартиросян // Сборник тезисов 3-го симпозиума «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». - СПб. - 13-16.11.2012. - С. 48.

А42. Демидов, Д.М. Механизмы ограничения и пути повышения мощности излучения мощных лазерных диодов с длиной волны 808 нм [Текст] / Д.М. Демидов, А.Л. Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, СЮ. Карпов // Сборник тезисов IX международной конференции «Лазерная физика и оптические технологии». - 2012. - С. 5.

А43. Будишевский, С.А. Компактный импульсный твердотельный лазер с накачкой мощными лазерными диодами для технологических применений [Текст] / С.А. Будишевский, В.П. Махнюк, А.Л. Тер-Мартиросян // Сборник статей 9 Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе». - Минск, Беларусь. - 2013. - С. 60 - 63.