RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17132 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Буравлев Алексей Дмитриевич

Научная тема: « МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ И СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАГНИТНЫХ НАНОСТРУКТУР »

Научная биография   « Буравлев Алексей Дмитриевич »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 01.04.01; 01.04.10

Год: 2014

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Ge, Mn2P и MnP нитевидные нанокристаллы могут быть синтезированы с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии.
  2. Источником атомов In для роста МпРЯпР гибридных нанокристаллов, демонстрирующих ферромагнитное упорядочение до температур порядка 310К, может служить подложка InP, на поверхности которой осуществляется их непосредственный синтез.
  3. Использование в качестве катализатора роста Mn позволяет синтезировать (Са,Мп)А5нитевидные нанокристаллы, проявляющие ферромагнитные свойства до 70 К, с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии при условии стабилизации по элементам металлической группы.
  4. Возбуждение механических колебаний одиночных нитевидных нано-кристаллов и их непосредственная регистрация с помощью растрового электронного микроскопа позволяет определить значение модуля упругости исследуемых нитевидных нанокристаллов.
  5. Селективное легирование атомами Mn центральных частей полупроводниковых квантовых точек с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии позволяет получить структуры с высоким кристаллическим качеством.

Список опубликованных работ

A1. K. Minami, A.D. Bouravleuv, Y. Sato, T. Ishibashi, N. Kuwano, K. Sato/ MBE growth and TEM analyses in Mn–Ge–P compounds// Phys. Stat. Sol. (a)203, 2788-2792 (2006).

А2. A.D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, K. Sato/ Self-assembled nanowhiskers grown by MBE on InP(001) surface// Phys. Stat. Sol. (a)203, 2793-2799 (2006).

A3. K. Sato, A. Bouravleuv, A. Koukitu, T. Ishibashi/ Self-Assembled Growth and Characterization of MnxP Nanowires// Jpn. J. Appl. Phys.47, 8214-8217 (2008).

A4. A.D. Bouravleuv, S. Mitani, R.M. Rubinger, M.C. do Carmo, N.A. Sobolev, T. Ishibashi, A. Koukitu, K. Takanashi, K. Sato/ Magnetic properties of MnP nanowhiskers grown by MBE// Physica E 40, 2037-2039 (2008).

A5. M.S. Reis, R. Rubinger, N. Sobolev, M.A. Valente, K. Yamada, K. Sato, Y. Todate, A. Bouravleuv, P.J. von Ranke, S. Gama/ Influence of strong magnetic anisotropy on the magnetocaloric effect of MnP single crystal// Phys. Rev. B77, 104439 (2008).

A6. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas/ Critical diameters and temperature domains for MBE growth of III–V nanowires on lattice mismatched substrates// Phys. Stat. Sol. RRL3, 112–114 (2009).

A7. U. Perinetti, N. Akopian, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, G.E. Cirlin, V. Zwiller/ Sharp emission from single InAs quantum dots grown on vicinal GaAs surfaces// Appl. Phys. Lett.94, 163114 (2009).

A8. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, A.D. Bouravleuv, Yu.B. Samsonenko, D.L. Dheeraj, H.L. Zhou, C. Sartel, J.C. Harmand, G. Patriarche, F. Glas// Role of nonlinear effects in nanowire growth and crystal phase// Phys. Rev. B80, 205305 (2009).

A9. A.D. Bouravleuv, N.V. Sibirev, G. Statkute, G.E. Cirlin, H. Lipsanen, V.G. Dubrovskii/ Influence of substrate temperature on the shape of GaAs nanowires grown by Au-assisted MOVPE// J. Cryst. Growth312, 1676–1682 (2010).

A10. B.V. Novikov, S.Yu. Serov, N.G. Filosofov, I.V. Strohm, V.G. Talalaev, O.F. Vyvenko, E.V. Ubyivovk, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii/ Photoluminescence properties of GaAs nanowire ensembles with zincblende and wurtzite crystal structure// Phys. Stat. Sol. RRL4, 175–177 (2010).

A11. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, K. Durose, Y.Y. Proskuryakov, B. Mendes, L. Bowen, M.A. Kaliteevski, R.A. Abram, D. Zeze/ Self-catalyzed, pure zincblende GaAs nanowires grown on Si(111) by molecular beam epitaxy// Phys. Rev. B82, 035302 (2010).

A12. Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, А.И. Хребтов, А.Д. Буравлев, Н.К. Поляков, В.П. Улин, В.Г. Дубровский, P. Werner/ Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии// ФТП45, 441-445 (2011).

A13. С.В. Карпов, Б.В. Новиков, М.Б. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, И.В. Штром, Г.Э. Цырлин, А.Д. Буравлев, Ю.Б. Самсоненко/ Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений A3B5// ФТТ53, 1359 – 1366 (2011).

A14. А.Д. Буравлев, Г.Э. Цырлин, В.В. Романов, Н.Т. Баграев, Е.С. Брилинская, Н.А. Лебедева, С.В. Новиков, H. Lipsanen, В.Г.Дубровский/ Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств// ФТП46, 188-193 (2012).

A15. V.N. Kats, V.P. Kochereshko, A.V. Platonov, T.V. Chizhova, G.E. Cirlin, A.D. Bouravleuv, Yu.B. Samsonenko, I.P. Soshnikov, E.V. Ubyivovk, J. Bleuse, H. Mariette/ Opticalstudyof Ga Asquantumdotsembeddedinto Al Ga Asnanowires// Sem. Sci. Tech. 27, 015009 (2012).

A16. А.Д. Буравлев, А.А. Зайцев, П.Н. Брунков, В.Ф. Сапега, А.И. Хребтов, Ю.Б.Самсоненко, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов/ Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As// ПЖТФ38, 21-27 (2012).

A17. А.Д. Буравлев, Г.О. Абдрашитов, Г.Э. Цырлин/ Молекулярно-пучковая эпитаксия (Ga,Mn)As нитевидных кристаллов на поверхности GaAs(100)// ПЖТФ38, 78-83 (2012).

A18. M. Tchernycheva, L. Rigutti, G. Jacopin, A. de Luna Bugallo, P. Lavenus, F.H. Julien, M. Timofeeva, A.D. Bouravleuv, G.E. Cirlin, V. Dhaka, H. Lipsanen, L. Largeau/ Photovoltaic properties of GaAsP core-shell nanowires on Si(001) substrate// Nanotechnology23, 265402 (2012).

A19. А.Д. Буравлев, Д.В. Безнасюк, Е.П. Гильштейн, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, И.В. Штром, М.А. Тимофеева, Ю.Б. Самсоненко, А.И. Хребтов, Г.Э.Цырлин / Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристалловGaAs:Be // ФТП47, 797-801 (2013).

A20. С.А. Блохин, А.М.Надточий, А.А. Красивичев, Л.Я. Карачинский, А.П. Васильев, В.Н. Неведомский, М.В. Максимов, Г.Э. Цырлин, А.Д. Буравлев, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов/ Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs// ФТП47, 87-91 (2013).

A21. A. Bouravleuv, G. Cirlin, V. Sapega, P. Werner, A. Savin, H. Lipsanen/ Ferromagnetic (Ga,Mn)As nanowires grown by Mn-assisted molecular beam epitaxy// J. Appl. Phys. 113, 144303 (2013).

A22. А.Д. Буравлев, В.Н. Неведомский, Е.В. Убыйвовк, В.Ф. Сапега, А.И. Хребтов, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов/ Квантовые точки (In,Mn)As: Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксиии оптические свойства// ФТП47, 1033-1036 (2013).

A23. Н.В. Сибирев, А.Д. Буравлев, Ю.М. Трушков, Д.В. Безнасюк, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин/ Влияние потока мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии самокаталитических нитевидных нанокристаллов (Ga,Mn)As// ФТП47, 1425-1430 (2013).

A24. А.Д. Буравлев, Н.В. Сибирев, Д.В. Безнасюк, N. Lebedeva, S.Novikov, H. Lipsanen, Г.Э. Цырлин/ Новый метод определения модуля Юнга (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов с помощью растрового электронного микроскопа// ФТТ55, 2118-2122 (2013).

A25. V.N. Trukhin, A.S. Buyskikh, N.A. Kaliteevskaya, A.D. Bourauleuv, L.L. Samoilov, Yu.B. Samsonenko, G.E. Cirlin, M.A. Kaliteevski, A.J. Gallant/ TerahertzgenerationbyGaAsnanowires// Appl. Phys. Lett. 103, 072108 (2013).

A26. А.Д. Буравлев, Н.В. Сибирев, Е.П. Гильштейн, П.Н. Брунков, И.С. Мухин, M. Tchernycheva, А.И. Хребтов, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин/ Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)Asнитевидных нанокристаллов// ФТП48, 358-363 (2014).

публикации в материалах научных мероприятий:

A27. A.D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, K.Sato/ MBE growth and properties of self-assembled nanowhiskers on InP(001) surface// Ext. abs. of the 66th Autumn Meeting of the Japan Society of Applied Physics, (7-11 September, 2005), Tokushima, Japan, No. 1, p. 361.

A28. K. Minami, A.D. Bouravleuv, Y. Sato, T. Ishibashi, K. Sato/ Preparation and characterization in MnGeP2 thin film// Proc. of Workshop on Ternary and Multinary Compounds, (25-26 November, 2005), Tokyo, Japan, pp. 193-196. (inJpn.)

A29. A.D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, K. Sato/ Self-assembled nanowhiskers on InP(001) surface// Proc. of Workshop on Ternary and Multinary Compounds, (25-26 November, 2005), Tokyo, Japan, pp. 181-184.

A30. K. Minami, A.D. Bouravleuv, Y. Sato, T. Ishibashi, K. Sato/ Fabrication and characterization of MnP// Ext. Abs. of Colloquium on “Future Nano-materials and Coherent Optical Science”, (December 10, 2005), Tokyo, Japan, p. 41. (inJpn).

A31. A.D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, K. Sato/ Self-assembled semiconductor nanowiskers on InP(001) surface// Ext. Abst. of COE meeting “Future Nano-materials and Coherent Optical Science”, (December 10, 2005), Tokyo, Japan, p. 38.

A32. A.D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, K. Sato/ MBE growth of Mn-based nanowhiskers on different semiconductor substrates// Ext. Abs. of Colloquium on “Future Nano-materials”, (February 23, 2006),Tokyo, Japan, p. 48.

A33. A.D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, K. Sato/ MnP and Ge self-assembled nanowhiskers on InP(001)// Proc. of the 14th Int. Symp. onNanostr.: Physics and Technology (NANO2006), (26-30 June 2006), St.Petersburg, Russia, p. 96-97.

A34. K. Sato, A. Bouravleuv, K. Minami, Y. Sato and T. Ishibashi/ Self-assembled MnP and Ge nanowhiskers: MBE growth and properties// The 36th National Conf. on Crystall Growth (NCCG36) of Jap. Assoc. for Cryst. Growth (JACG), (1-3 November 2006)Osaka, Japan, J. Jap. Assos.forCryst. Growth33, p. 104. (inJpn.)

A35. A.D. Bouravleuv, K. Minami, Y. Sato, T. Ishibashi, K. Sato: MBE growth and characterization of MnP and Ge nanowhiskers. Proc. of the 28th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (ICPS28), (July 24-28 2006), Vienna, Austria.Ed. by W. Jantsch and F. Schaffler.AIP Conf. Proc. 893, 57-58 (2007).

A36. A.D. Bouravleuv, H Sosiati, T Ishibashi, N Kuwano, K Sato/ MBE fabrication of MnxPnanowhiskes// Proc, of the Int. Conf. on Nano Science and Technology (ICN+T 2007), (July 1-6 2007), Stockholm, Sweden, J. Phys.: Conf. Series100, 052052 (2008).

A37. Г.Э. Цырлин, А.Д. Буравлев, Ю.Б. Самсоненко, G. Statkute, H. Lipsanen/ Рост А3В5 нитевидных нанокристаллов без внешнего катализатора// Труды XIII Межд. cимп. «Нанофизика и наноэлектроника», 16-20 марта 2009, Н.Новгород, с. 28-29.

A38. G.E. Cirlin, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.K. Polyakov, N.V. Sibirev, V.G. Dubrovskii, M. Tchernycheva, J.C. Harmand/ A3B5 coherentnanowiresonsiliconsubstrates: MBEgrowthandproperties// Proc.17thInt. Symp. “Nanost.: physics and technology” – June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.123-124.

A39. A.D. Bouravleuv, G. Statkute, G.E. Cirlin, H. Lipsanen/ Self-catalized MOVPE growth of GaAs whiskers// Proc.17th Int. Symp. “Nanostr.: physics and technology” – June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.125-126.

A40. B.V. Novikov, S.Yu. Serov, N.G. Filosofov, I.V. Shtrom, V.G. Talalalev, O.F. Vyvenko, E.V. Ubyivovk, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin/ Optical properties of GaAs nanowires studied by low temperature photoluminescence// Proc.17th Int. Symp. “Nanostr.: physics and technology” – June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.186-187.

A41. A.D. Bouravleuv, G.E. Cirlin, K. Sato, S. Novikov, N. Lebedeva, H. Lipsanen/ MBE growth of MnP and GaMnAsnanowhiskers// Abs. 4th Nanowire growth workshop, Paris, France, October 26-27, 2009, p.40.

A42. Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин, А.Д. Буравлев, М.В. Назаренко, Ю.Б. Самсоненко, М.А. Тимофеева, В.Г. Дубровский/ Поверхностная энергия III-V соединений и нелинейные эффекты роста полупроводниковых нитевидных кристаллов// Труды XIV международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника», Н.Новгород, 15 – 19 марта, 2010, с. 527-528.

A43. B.V. Novikov, S.Yu. Serov, N.G. Filosofov, I.V. Strohm, V.G. Talalaev, O.F. Vyvenko, E.V. Ubyivovk, A.S. Bondarenko, Yu.B. Samsonenko, A.D .Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin/ Photoluminescence study of GaAs nanowires of different crystal structures// Proc.18th International Symposium “Nanostructures: physics and technology” – June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.234-235.

A44. A. Bouravleuv, S. Novikov, N. Lebedeva, N. Sibirev, G. Cirlin, H. Lipsanen/ (GaMn)As nanowiskers grown by molecular beam epitaxy// Proc.18th International Symposium “Nanostructures: physics and technology” – June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.331-332.

A45. Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, N.K. Polyakov, V.P. Ulin, A.G. Gladyshev, G.E. Cirlin/ Self-catalysed molecular beam growth of III-V nanowires on different substrates// Proc.18th International Symposium “Nanostructures: physics and technology” – June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.341-342.

A46. I.P. Soshnikov, A.G. Gladushev, Dm. Afanasyev, G.E. Cirlin, A.D. Bouravlev, Yu.B. Samsonenko/ Growth of ordered III-V nanowiskersusinf electron lithography// Proc.18th International Symposium “Nanostructures: physics and technology” – June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.347-348.

A47. А. Буравлев, Г. Цырлин, В. Романов, Н. Баграев, Е. Брилинская, Н. Лебедева, С. Новиков, H. Lipsanen, В. Дубровский/ Магнитные нановискеры на основе MnP и (GaMn)As// Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника», Н.Новгород, 14 – 18 марта, 2011, с. 270-271.

A48. A. Bouravleuv, G. Cirlin, V. Sapega, P. Werner, A. Savin, H. Lipsanen/ (Ga,Mn)As nanowires: MBE growth and magnetic properties// Proc. 6th Nanowire Growth Workshop, St.Petersburg, Russia, June 4-6, 2012, p. 64.

A49. S.V. Zaitsev, A.D. Bouravleuv, G. Cirlin/ Optical characterization of GaAs and (GaMn)As nanowires// Proc. 6th Nanowire Growth Workshop, St.Petersburg, Russia, June 4-6, 2012, p.89.

A50. A.D. Bouravleuv, P.N. Brunkov, V.F. Sapega, A.I. Khrebtov, Yu.B. Samsonenko, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov/ MBE growth of (In,Mn)As quantum dots// Proc. 3d Int. Conf. “State-of-art trends of scientific research of artificial and natural nanoobjects” (STRANN’12), St.Petersburg, Russia, October 10-12, 2012, p. 62-63.

A51. А.Д. Буравлев/ Наноструктуры на основе разбавленных магнитных полупроводников// Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника», Н.Новгород, 11 – 15 марта, 2013, с. 374-375.

A52. I.M. Trushkov, N.V. Sibirev, A.D. Bouravleuv, D.V. Beznasyuk, G.E. Cirlin/ The influence of As flux on the self-catalyzed III-As nanowires growth// Proc.21st Int. Symp. “Nanostructures: physics and technology” – June 24-28, 2013, St.Petersburg, Russia, 2013, p.208-209.

A53. А.Д. Буравлев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самосоненко, А.И. Хребтов, В.Н. Неведомский, П.Н. Брунков, В.Ф. Сапега, В.М. Устинов/ МП Эрости свойства квантовых точек на основе (In,Mn)Asполупроводниковых соединений// Тезисы докладов XI Российской конференции п физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16 – 20 сентября, 2013, с. 320.

A54. А.Д. Буравлев, Н.В. Сибирев, Д.В. Безнасюк, Н. Лебедева, С. Новиков, Х. Липсанен, Г.Э. Цырлин/ Определение модуля Юнга (Ga,Mn)As ННК// Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16 – 20 сентября, 2013, с. 461.

Комментарии:

Если вы считаете, что какое-то сообщение нарушает Правила, оскорбляет Вас как личность, несёт заведомо ложную информацию, и должно быть удалено, сообщите нам по адресу sergey@rae.ru

Ваше имя
Текст комментария
Введите число с изображения

Антиспам защита

При добавлении комментария Вы соглашаетесь с пользовательским соглашением