RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17197 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Масловская Анна Геннадьевна

Научная тема: « МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ С ПОЛЯРНЫМИ ДИЭЛЕКТРИКАМИ »

Научная биография   « Масловская Анна Геннадьевна »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 05.13.18

Год: 2014

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Предложен обобщенный подход к моделированию тепловых эффектов воздействия сфокусированного электронного зонда на полярные диэлектрики, основанный на численном конечно-элементном решении нестационарного уравнения теплопроводности, с учетом определенной с помощью метода Монте-Карло аппроксимации области взаимодействия электронов с веществом. Разработана система компьютерного моделирования, позволяющая проводить динамическое моделирование тепловых процессов в образцах при различных параметрах вычислительного эксперимента, отвечающих различным объектам исследования и режимам сканирования.
  2. Разработана комбинированная математическая модель процесса зарядки при диагностике сегнетоэлектриков методами РЭМ, основанная на детерминированном диффузионно-дрейфовом подходе, с учетом собственной радиационно-стимулированной проводимости облученного образца при наличии первоначального распределения объемной плотности зарядов, определенного с помощью метода Монте-Карло. Предложен оригинальный программный комплекс, предназначенный для трехмерного динамического моделирования процесса зарядки с одновременным расчетом и визуализацией основных электрических характеристик.
  3. Разработана математическая модель конфигурации 180-градусной доменной границы сегнетоэлектрика с фазовым переходом II-го рода в поле градиента температуры на основе вариационного подхода. Предложена методика расчета конфигурации границы и формирования поляризационного тока с использованием метода локальных вариаций. Разработан метод стохастического компьютерного моделирования движения доменной границы в неоднородном тепловом поле.
  4. Предложена математическая модель формирования пироэлектрического отклика сегнетоэлектрического кристалла на локальное воздействие постоянного и пульсирующего электронного зонда. Разделение пироотклика в модельном представлении на две компоненты и анализ соответствующих вкладов позволили наглядно интерпретировать факторы, влияющие на формирование результирующего пиросигнала, а также оптимизировать расчеты модельных зависимостей.
  5. Разработан метод расчета растровых изображений доменных структур сегнето-электриков, в основе которого лежат законы формирования видеосигнала для пироэлектрического режима РЭМ. Получены новые научные данные о возможностях использования пироэлектрического отклика в качестве видеосигнала. Установлена роль скорости сканирования электронного зонда в формировании контраста изображения продольных и перпендикулярных доменных границ; определены критерии, ограничивающие разрешение изображения. Методами математического моделирования впервые исследован характер изображений доменов, полученных в режиме пульсирующего теплового зонда при различных способах детектирования отклика кристаллов, являющегося видеосигналом.
  6. Предложена вычислительная схема реализации модели, предназначенной для исследования особенности формирования отклика пироэлектрика в окрестности фазового перехода при наличии зависимостей пироэлектрических и теплофизических характеристик от температуры. Представлен вычислительный алгоритм решения обратной задачи восстановления профиля пирокоэффициента сегнетоэлектрика по экспериментальным данным пироэлектрического тока.
  7. На основе анализа основных механизмов переключения поляризации сегнетоэлектрических образцов, индуцированных электронным облучением, предложена оригинальная модель формирования тока переполяризации, воспроизводящая основные особенности экспериментальных импульсов в инжекционном режиме. Предложена модификация модели формирования тока переключения поляризации сегнетоэлектрика, как конечной среды с фрактальным характером, основанная на численном решении дифференциального уравнения с дробной производной по времени. Разработаны вычислительная схема и система имитационного моделирования динамики доменной структуры сегнетоэлектри-ков в режиме инжекции электронного пучка.

Список опубликованных работ

Монография

1. Масловская А.Г., Копылова И.Б. Взаимодействие электронных пучков среднихэнергий с сегнетоэлектрическими материалами – Владивосток: Изд-во «Дальнаука»,2010. – 204с.

Статьи в изданиях, рекомендованных ВАК

2. Согр А.А., Масловская А.Г. Влияние пироэффекта на формирование изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в РЭМ // Известия РАН. Сер. физич. – 2003. – Т. 67. – № 8. – С. 1191-1194.

3. Согр А.А., Масловская А.Г. Оценка разрешения РЭМ-изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в режиме теплового воздействия // Журнал технической физики. – 2004. – Т. 74. – № 11. – С. 111-114.

4. Sogr A.A., Kopylova I.B., Maslovskaya A.G. Modification of an EBIC mode in the SEM for imaging of ferroelectric domains // Proc. SPIE. Fundamental problems of opto-and microelectronics II. – 2005. – V. 5851. – P. 246-250.

5. Sogr A.A., Maslovskaya A.G., Kopylova I.B. Advanced modes of imaging of ferroelectric domains in the SEM // Ferroelectrics. – 2006. – V. 341. – P. 29-37.

6. Масловская А.Г. Моделирование теплового воздействия электронного зонда в растровой электронной микроскопии // Информатика и системы управления. – 2007. – №2(14). – С. 40-51.

7. Масловская А.Г., Копылова И.Б. Исследование процесса переполяризации сегне-тоэлектрических кристаллов в инжекционном режиме // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2009. – Т. 136. – Вып. 1(7). – С. 105-109.

8. Масловская А.Г. Анализ тепловых эффектов, возникающих при взаимодействии электронных пучков с сегнетоэлектрическими кристаллами // Известия вузов. Физика. – 2010. – №1. – С. 34-40.

9. Масловская А.Г., Ванина Е.А. Упорядоченное движение доменных границ сегне-тоэлектрических кристаллов в неоднородном тепловом поле // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки. – 2010. – №2(98). – С. 7-11.

10. Maslovskaya A.G. Simulation of ferroelectric domain structure imaging in pyroelectric mode by scanning electron microscopy // Ferroelectrics. – 2010. – V. 398. – P. 55-63.

11. Масловская А.Г., Сивунов А.В. Расчет тепловой нагрузки на кристалл ниобата лития при электронном облучении // Известия вузов. Физика. – 2011. – Т. 54. – № 1/3. – С. 80-86.

12. Кушнарев П.И., Масловская А.Г., Барышников С.В. Полярные свойства номинально чистых поляризованных кристаллов ТГС // Известия вузов. Физика. – 2011. – № 1. – С. 78-82.

13. Масловская А.Г., Барабаш Т.К. Имитационное моделирование процесса переключения поляризации сегнетоэлектрических кристаллов под действием инжектированных зарядов // Вестник Московского государственного областного университета. Физика-математика. – 2011. – № 2. – С. 53-60.

14. Масловская А.Г., Барабаш Т.К. Вейвлет-мультифрактальный анализ индуцированного электронным зондом тока переполяризации сегнетоэлектрических кристаллов // Вестник Саратовского государственного технического университета. – 2011.– № 4(62). – С. 232-238.

15. Масловская А.Г., Барабаш Т.К. Исследование фрактальных закономерностей процессов переключения поляризации сегнетоэлектрических кристаллов в инжекционном режиме // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2012. – № 1. – С. 42-49.

16. Maslovskaya A.G., Barabash T.K. Multifractal analysis of electron beam stimulated process of polarization reversal in ferroelectrics // Physics Procedia. – 2012. – V. 23. – P. 81-85.

17. Масловская А.Г. Исследование распределения поляризации в сегнетоэлектриче-ских кристаллах на основе решения обратной задачи пироэффекта // Известия вузов. Поволжский регион. Физико-математические науки. – 2012. – №3(23). – С. 98-107.

18. Масловская А.Г., Сивунов А.В. Компьютерное моделирование методом Монте-Карло электронных траекторий в полярных диэлектриках при воздействии электронными пучками средних энергий // Вестник Саратовского государственного технического университета. – 2012. – № 2. – С. 53-58.

19. Масловская А.Г., Сивунов А.В. Применение метода конечных элементов для моделирования эволюционных процессов теплопроводности в облученных электронными пучками полярных диэлектриках // Компьютерные исследования и моделирование. – 2012. – №4. – С. 767-181.

20. Масловская А.Г. Применение вариационных принципов для компьютерного моделирования динамики доменной границы сегнетоэлектрика в поле градиента температуры // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Информатика. Телекоммуникации. Управление. – 2013. – №1(164). – С. 68-75.

21. Maslovskaya A., Barabash T. Dynamic simulation of polarization reversal processes in ferroelectric crystals under electron beam irradiation // Ferroelectrics. – 2013. – V. 442. – P. 18-26.

22. Сивунов А.В., Масловская А.Г. Компьютерное моделирование области взаимодействия пучков электронов с облученными сегнетоэлектрическими материалами // Вестник Иркутского государственного технического университета. – 2013. – №3. – С. 73-79.

23. Масловская А.Г. Физико-математическое моделирование индуцированной электронным зондом зарядки сегнетоэлектриков в процессе переключения доменной структуры // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2013. – №7. – С. 84-88.

24. Масловская А.Г. Имитационное моделирование формирования контраста РЭМ-изображений доменных структур сегнетоэлектриков // Информатика и системы управления. – 2013. – №3(37). – С. 44-52.

Свидетельства о государственных регистрациях программ для ЭВМ

25. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2004610571. «Программа расчета теоретической микрофотографии растрового изображения доменной структуры сегнетоэлектриков» // Масловская А.Г., Согр А.А.

26. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2009610969. «Программа моделирования координатных зависимостей пирокоэффициен-та сегнетоэлектрических кристаллов методом регуляризации по Тихонову» // Масловская А.Г., Кушнарев П.И.

27. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2011613314. «Программа имитационного моделирования кинетики переключения поляризации в сегнетоэлектриках при электронном облучении» // Масловская А.Г.

28. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2011611526. «Программа моделирования процесса теплопроводности в полярных диэлектриках при электронном облучении» // Сивунов А.В., Масловская А.Г.

29. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2012612865. «Программа моделирования процесса зарядки сегнетоэлектрических материалов при электронном облучении» // Масловская А.Г., Сивунов А.В.

30. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2012660562. «Программа мультифрактального анализа динамических характеристик физических систем» // Барабаш Т.К., Масловская А.Г.

31. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2013614098. «Система 3D-имитационного моделирования электронных траекторий в облучаемых материалах» // Сивунов А.В., Масловская А.Г.

Комментарии:

Если вы считаете, что какое-то сообщение нарушает Правила, оскорбляет Вас как личность, несёт заведомо ложную информацию, и должно быть удалено, сообщите нам по адресу sergey@rae.ru

Ваше имя
Текст комментария
Введите число с изображения

Антиспам защита

При добавлении комментария Вы соглашаетесь с пользовательским соглашением