RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17132 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Турищев Сергей Юрьевич

Научная тема: « ЭЛЕКТРОННО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ СТРОЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ЕГО СОЕДИНЕНИЙ »

Научная биография   « Турищев Сергей Юрьевич »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 01.04.10

Год: 2014

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  • Влияние пористости на энергетическое положение дна зоны проводимости в пористом кремнии.
  • Модель трансформации фотолюминесценции пористого кремния при его естественном старении.
  • Ориентированный рост нанокристаллов кремния в матрице оксида кремния структур SiOx/Si(111).
  • Инверсия интенсивности спектра квантового выхода рентгеновского фотоэффекта в области главного края поглощения элементарного кремния в результате взаимодействия c наночастицами Si электромагнитного излучения синхротронного источника в области длин волн, сопоставимых с размерами нанокристаллов кремния.
  • Формирование более толстого, по сравнению с естественным, оксидного слоя на нанокристаллах порошкообразного кремния, полученного распылением кремниевой мишени мощным электронным пучком.
  • Формирование кластеров кремния в поверхностных слоях многослойных нанопериодических структур (Al2O3/SiOx)n/Si(100) при высокотемпературных отжигах.
  • Образование провалов интенсивности в спектрах поглощения кремния Si L2,3 в результате эффективного Брэгговского отражения синхротронного излучения в многослойных нанопериодических структурах (Al2O3/SiOx)n/Si(100).
  • Появление хвостов плотности состояний вблизи краев валентной зоны и зоны проводимости нанослоев растянутого кремния и уменьшение энергетического расстояния между двумя главными максимумами плотности s-состояний в валентной зоне.
  • Явление интерференции синхротронного излучения перед главным L2,3 краем поглощения кремния в результате формирования стоячей электромагнитной волны в структурах КНИ.

Список опубликованных работ

1. Домашевская Э.П. Рентгеноспектральные исследования фазового состава пористого кремния окисленного при высокой температуре // Э.П. Домашевская, В.М. Кашкаров, Э.Ю. Мануковский, В.А. Терехов, C.Ю. Турищев // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2000. – Т.1, №1. – С. 37–44.

2. Torchynska T.V. USXES and optical phenomena in Si low-dimensional structures dependent on morphology and silicon oxide composition on Si surface / T.V. Torchynska, M. Morales Rodrigues, G.P. Polupan, L.I. Khomenkova, N.E. Korsunskaya, V.P. Papusha, L.V. Scherbina, E.P. Domashevskaya, V.A. Terekhov, S. Yu. Turishchev // Surface Review and Letters. – 2002. – V.9, №2. – Р. 1047 – 1052.

3. Домашевская Э.П. Синхротронные исследования особенностей электронно-энергетического спектра кремниевых наноструктур / Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, C.Ю. Турищев, Э.Ю. Мануковский, С.Л. Молодцов, Д.В. Вялых, А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков // ФТТ. – 2004. – Т.46, №2. С. – 335 – 340.

4. Терехов В.А. Исследование локальной электронной и атомной структуры в аморфных сплавах a-SixC1-x методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии / В.А. Терехов, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.М. Кашкаров, О.В. Курило, С.Ю. Турищев, А.Б. Голоденко, Э.П. Домашевская // ФТП. – 2005. – Т.39, №7. С. – 863 – 867.

5. Терехов В.А. Синхротронные исследования электронного строения нанокристаллов кремния в матрице SiO2 / Терехов В.А., Турищев С.Ю., Кашкаров В.М., Э.П. Домашевская В.М., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования – 2007. – 1, – С. 61 – 65.

6. Turishchev S.Yu. Investigations of the electron energy structure and phase composition of porous silicon with different porosity / S.Yu. Turishchev, V.A. Terekhov, V.M. Kashkarov, E.P. Domashevskaya, S.L. Molodtsov, D.V. Vyalykh // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. – 2007. – 156 – 158, – P. 445 – 451.

7. Terekhov V.A. Silicon nanocrystals in SiO2 matrix obtained by ion implantation under cyclic dose accumulation / V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, V.M. Kashkarov, E.P. Domashevskaya, A.N. Mikhailov, D.I. Tetel’baum // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures – 2007. – 38, – P. 16 – 20.

8. Terekhov V.A. Structure and optical properties of silicon nanopowders / V.A. Terekhov, V.M. Kashkarov, S.Yu. Turishchev, K.N. Pankov, V.A. Volodin, M.D. Efremov, D.V. Marin, A.G. Cherkov, S.V. Goryainov, A.I. Korchagin, V.V. Cherepkov, A.V. Lavrukhin, S.N. Fadeev, R.A. Salimov, S.P. Bardakhanov // Journal of Materials Science and Engineering B. – 2008. – V.147, Issues 2 – 3. – Р. 222 – 225.

9. Терехов В.А. Структура, фазовый состав и оптические свойства нанопорошков кремния / В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, С.Ю. Турищев, К.Н. Панков, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, Д.В. Марин, А.Г. Черков, С.В. Горяйнов, А.И. Корчагин, В.В. Черепков, А.В. Лаврухин, С.Н. Фадеев, Р.А. Салимов С.П. Бардаханов // Известия РАН. Серия физическая. – 2008. – Т.72, №4. С. – 532 – 535.

10. Кашкаров В.М. Состав и строение слоев нанопористого кремния с гальванически осажденным Fe и Co / В.М. Кашкаров, А.С. Леньшин, А.Е. Попов, Б.Л. Агапов, С.Ю. Турищев // Известия РАН. Серия физическая. – 2008. – Т.72, №4. С. – 484 – 490.

11. Kashkarov V.M. Electron structure of porous silicon obtained without the use of HF acid / V.M. Kashkarov, I.V. Nazarikov, A.S. Lenshin, V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, B.L. Agapov, K.N. Pankov, E.P. Domashevskaya // Phys. Status Solidi C, (2009), 6, No. 7, 1557–1560.

12. Turishchev S.Yu. Evolution of nanoporous silicon phase composition and electron energy structure under natural ageing / S.Yu. Turishchev, A.S. Lenshin, E.P. Domashevskaya, V.M. Kashkarov, V.A. Terekhov, K.N. Pankov, and D.A. Khoviv // Phys. Status Solidi C, (2009), 6, No. 7, 1651–1655.

13. Кашкаров В.М. Получение нанокомпозитов пористого кремния с железом и кобальтом и исследование их электронного строения методами рентгеновской спектроскопии / В.М. Кашкаров, А.С. Леньшин, Б.Л. Агапов, С.Ю. Турищев, Э.П. Домашевская // Письма в ЖТФ. – 2009. – Т.35, №17. С. – 89 – 96.

14. Pushkarchuk A. Quantum chemical modelling of Si sub-surface amorphisation due to incorporation of H atoms and its stabilisation by O atoms / A. Pushkarchuk, A. Saad, V. Pushkarchuk, A. Fedotov, A. Mazanik, O. Zinchuk, S. Turishchev // Phys. Status Solidi C, (2010), 7, No. 3-4, 650–653.

15. Terekhov V.A. XANES, USXES and XPS investigations of electron energy and atomic structure peculiarities of the silicon suboxide thin film surface layers containing Si nanocrystals / V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, K.N. Pankov, I.E. Zanin, E.P. Domashevskaya, D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhailov, A.I. Belov, D.E. Nikolichev, S.Yu. Zubkov // Surface and Interface Analysis. – 2010. – 42, – P. 891 – 896.

16. Домашевская Э.П. Особенности атомного и электронного строения оксидов на поверхности пористого кремния по данным XANES / Э. П. Домашевская, В. А. Терехов, С. Ю. Турищев, Д. А. Ховив, В. А. Скрышевский, И. В. Гаврильченко // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования – 2010. – 5, – С. 28 – 33.

17. Домашевская Э.П. Особенности атомного и электронного строения поверхностных слоев пористого кремния / Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, С.Ю. Турищев, Д.А. Ховив, Е.В. Паринова, В.А. Скрышевский, И.В. Гаврильченко // Журнал Общей Химии – 2010. – Т.80, В.6. – С. 958 – 965.

18. Домашевская Э.П. Интерференция синхротронного излучения перед краем поглощения кремния в структурах кремний на изоляторе / Домашевская Э.П., Терехов В.А., Турищев С.Ю. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования – 2011. – 2, – С. 42 – 50.

19. Домашевская Э.П. Особенности электронно-энергетического строения поверхностных слоев пористого кремния, сформированного на подложках p-типа / Домашевская Э.П., Терехов В.А., Турищев С.Ю., Ховив Д.А., Паринова Е.В., Скрышевский В.А., Гаврильченко И.В. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов - 2011. - Т.77, В.1. - С. 42 - 48.

20. Fedotov A. Structure of the near-surface layer of Cz Si wafers subjected to low-temperature low-energy ion-beam treatment / A. Fedotov, I. Ivashkevich, S. Kobeleva, O. Korolik, A. Mazanik, N. Stas´kov and S. Turishchev // Phys. Status Solidi C, 2011, 8, No. 3, 739–742.

21. Леньшин А.С. Влияние естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния / А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, С.Ю. Турищев, М.С. Смирнов, Э.П. Домашевская // Письма в ЖТФ. – 2011. – Т.37, №17. С. – 1 – 8.

22. Терехов В.А. Синхротронные исследования особенностей электронной и атомной структуры поверхностных слоев пленок оксида кремния, содержащих нанокристаллы кремния / В.А. Терехов, С.Ю. Турищев, К. Н. Панков, И.Е. Занин, Э.П. Домашевская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.Е. Николичев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования – 2011. – 10– С. 46 – 55.

23. Турищев С.Ю. Структура и электронное строение поверхностных слоев пластин кремния после обработки в низкоэнергетической плазме водорода и аргона / С.Ю. Турищев, В.А. Терехов, Е.В. Паринова, Королик О.В., Мазаник А.В., Федотов А.К., Ивашкевич И.В., Стаськов Н.И. // Известия ВУЗов, Материалы электронной техники. - 2011. - №2, С. - 15 - 20.

24. Andreeva M.A. Interference phenomena of synchrotron radiation in TEY spectra for silicon-on-insulator structure / M.A. Andreeva, E.P. Domashevskaya, E.E. Odintsova, V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev // Journal of Synchrotron Radiation. 2012. - V.19, P. 609 - 618.

25. Леньшин А.С. Влияние естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния / А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, С.Ю. Турищев, М.С. Смирнов, Э.П. Домашевская // Журнал технической физики. – 2012. – Т. 82. – №2. – С. 150 –152.

26. Turishchev S.Yu. Synchrotron investigation of the multilayer nanoperiodical Al2O3/SiO/Al2O3/SiO:Si structure formation / S.Yu. Turishchev, V.A. Terekhov, D.A. Koyuda, K.N. Pankov, E.P. Domashevskaya, A.V. Ershov, I.A. Chugrov and A.I. Mashin // Surface and Interface Analysis. – 2012. – 44, – P. 1182 – 1186.

27. Домашевская Э.П. Синхротронные исследования многослойных нанопериодических структур Si/Mo/Si...c-Si (100) / Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, С.Ю. Турищев, Д.А. Коюда, Н.А. Румянцева, Ю.П. Першин, В.В. Кондратенко, N. Appathurai // ФТТ. – 2013. – Т.55, №3. С. – 577 – 584.

28. Терехов В.А. Влияние имплантации углерода на фазовый состав пленок SiO2:nc-Si/Si по данным ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения / В. А. Терехов, Д. И. Тетельбаум, С. Ю. Турищев, Д. Е. Спирин, К. Н. Панков, Д. Н. Нестеров, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. В. Ершов // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2013. – Т. 15, № 1. – С. 48 – 53.

29. Turishchev S. Yu. Surface modification and oxidation of Si wafers after low energy plasma treatment in hydrogen, helium and argon / S.Yu. Turishchev, V.A. Terekhov, E.V. Parinova, O.V. Korolik, A.V. Mazanik, A.K. Fedotov // Materials Science in Semiconductor Processing, – 2013. – V. 16, Issue 6. – P. 1377 – 1381.

30. Турищев С.Ю. Синхротронные исследования формирования нанокластеров кремния в многослойных наноструктурах Al2O3/SiOx/Al2O3/SiOx/…/Si(100) / С.Ю. Турищев, В.А. Терехов, Д.А. Коюда, К.Н. Панков, А.В. Ершов, Д.А. Грачев, А.И. Машин, Э.П. Домашевская // ФТП. – 2013. – Т.47, №10. С. – 1327 – 1334.

Комментарии:

Если вы считаете, что какое-то сообщение нарушает Правила, оскорбляет Вас как личность, несёт заведомо ложную информацию, и должно быть удалено, сообщите нам по адресу sergey@rae.ru

Ваше имя
Текст комментария
Введите число с изображения

Антиспам защита

При добавлении комментария Вы соглашаетесь с пользовательским соглашением