RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17184 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Филатов Дмитрий Олегович

Научная тема: « ТУННЕЛЬНАЯ АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ НАНОСТРУКТУР »

Научная биография   « Филатов Дмитрий Олегович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 05.27.01

Год: 2013

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Метод туннельной АСМ позволяет визуализировать отдельные нанокластеры Au в толще плёнок SiO2/Si и изучать туннельный электронный транспорт через индивидуальные нанокластеры Au.
  2. Особенности в туннельных спектрах индивидуальных нанокластеров Au в толще плёнок SiO2/Si в виде последовательности ступеней и в виде пиков обусловлены кулоновской блокадой туннелирования и резонансным туннелированием электронов через нанокластеры Au размерами 2 -ь 3 и ~ 1 нм, соответственно.
  3. Метод туннельной АСМ позволяет определить пространственное распределение и энергетический спектр локальной плотности размерно-квантованных состояний в квантовых точках и кольцах In(Ga)As/ GaAs(001).
  4. Метод микроскопии сопротивления растекания на поперечных сколах в защитной жидкой среде позволяет визуализировать нанорель-еф поверхности скола гетероструктур А3В5, обусловленный наличием в гетероструктурах упруго-напряжённых слоёв, определять толщину слоёв, а также их состав, тип и уровень легирования.
  5. Морфология самоформирующихся островков SiGe/Si(001), выращенных методом СМЛЭ-ГФЭ в диапазоне температур 700 ÷ 800°С, определяется процессами переконденсации в ходе роста.
  6. Поверхностные островки Si1-xGex/Si(001) при x < 0,45 проявляют свойства гетероструктур I рода.

Список опубликованных работ

A1. B.N.Zvonkov, I.A.Karpovich, N.V.Baidus, D.O.Filatov, S.V.Morozov, Yu.Yu.Gushina. Surfactant effect of bismuth in the MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs. Nanotechnology 11, 221 (2000).

A2. И.А.Карпович, Д.О.Филатов, С.В.Морозов, Н.В.Байдусь, Б.Н. Звонков, Ю.Ю.Гущина. О связи спектров фотоэлектрической чувствительности и фотолюминесценции с геометрическими параметрами слоя квантовых точек в гетероструктурах InAs/GaAs. Известия РАН: Серия физическая, 63, 313 (2000).

A3. Н.В.Байдусь, Б.Н.Звонков, Д.О.Филатов, Ю.Ю.Гущина, И.А. Карпович, А.В.Здоровешцев. Исследование процесса заращивания нанокла-стеров InAs в гетероструктурах с квантовыми точками GaAs/lnAs, полученных методом газофазной эпитаксии. Поверхность, 2000, №7, с.71.

A4. Б.Н.Звонков, И.А.Карпович, Н.В.Байдусь, Д.О.Филатов, С.В. Морозов. Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства гетероструктур GaAs/InAs, полученных газофазной эпитаксией. ФТП 35, 92 (2001).

A5. И.А.Карпович, А.П.Горшков, С.Б.Левичев, С.В.Морозов, Б.Н. Звонков, Д.О.Филатов. Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками в системе полупроводник-электролит. ФТП 35, 564 (2001).

A6. I.A.Karpovich, N.V.Baidus, B.N.Zvonkov, S.V.Morozov, D.O.Filatov, A.V.Zdoroveishev. Morphology and photoelectronic properties of the InAs/GaAs surface quantum dots grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy. Nanotechnology 12, 425 (2001).

A7. В.А.Кульбачинский, Р.А.Лунин, В.Г.Кытин, А.В.Голиков, А.В. Демин, В.А.Рогозин, Б.Н.Звонков, С.М.Некоркин, Д.О.Филатов. Электрический транспорт и замороженная фотопроводимость в слоях квантовых точек в структурах InAs/GaAs. ЖЭТФ 120, 933 (2001).

A8. И.А.Карпович, Н.В.Байдусь, Б.Н.Звонков, Д.О.Филатов, С.Б. Леви-чев, А.В.Здоровейщев, В.А.Перевощиков. Исследование квантовых точек InAs, встроенных в матрицу GaAs, методом атомно-силовой микроскопии с использованием селективного химического травления. Вестник ННГУ им. Н.И.Лобачевского. Серия «Физика твердого тела» 2001, №1, С. 130.

A9. I.A.Karpovich, S.B.Levichev, S.V.Morozov, B.N.Zvonkov, D.O.Filatov, A.P.Gorshkov, A.Yu.Ermakov. Photoelectric spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures in a semiconductor/electrolyte system. Nanotechnolo-gy 13, 445 (2002).

A10. И.А.Карпович, С.Б.Левичев, С.В.Морозов, Б.Н.Звонков, Д.О. Филатов, А.П.Горшков, А.Ю.Ермаков. Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит. Известия РАН, Серия физическая 65, 186 (2002).

A11. В.А.Кульбачинский, Р.А.Лунин, В.А.Рогозин, А.В.Голиков, В.Г. Кытин, Б.Н.Звонков, С.М.Некоркин, Д.О.Филатов, А.де Виссер. Переход квантовый эффект Холла-изолятор в системе InAs/GaAs квантовых точек. ФТТ 46, 725 (2003).

A12. V.A.Kulbachinskii., R.A.Lunin, V.A.Rogozin, V.G.Kytin, B.N. Zvonkov, S.M.Nekorkin, D.O.Filatov, A. de Visser. Magnetic-field-induced quantum Hall—insulator transition and persistent photoconductivity in InAs/GaAs quantum dot layers. Physica E 17, 159 (2003).

A13. V.A.Kulbachinskii;., R.A.Lunin, V.A.Rogozin, B.N.Zvonkov, D.O. Filatov, A. de Visser Magnetic-field-induced quantum Hall effect – Hall insulator transition and hopping conductivity in InAs/GaAs quantum dot layers. Physica E 18, 116 (2003).

A14. V.A.Kulbachinskii, R.A.Lunin, V.G.Kytin, V.A.Rogozin, P.V.Gurin, B.N.Zvonkov, D.O.Filatov. Persistent photoconductivity in quantum dot layers in InAs/GaAs structures. Phys. Stat. Sol. (c) 2003, № 4, Р.1297.

A15. G.M.Minkov, O.E.Rut, A.V.Germanenko, A.A.Sherstobitov, B.N. Zvonkov, V.I.Shashkin, O.I.Khrykin, D.O.Filatov. Transverse negative magnetoresistance of two-dimensional structures in the presence of a strong in-plane magnetic field: Weak localization as a probe of interface roughness. Phys. Rev. B 70, 035304 (2004).

A16. А.В.Германенко, Г.М.Миньков, О.Э.Рут, В.А.Ларионова, Б.Н. Звонков, В.И.Шашкин, О.И.Хрыкин, Д.О.Филатов. Влияние шероховатости двумерных гетероструктур на слабую локализацию. ФТТ 47, 128 (2005).

A17. Д.А.Антонов, Д.О.Филатов, А.В.Зенкевич, Ю.Ю.Лебединский. Исследование электронных свойств нанокластеров Au в SiO2 методом комбинированной сканирующей туннельной / атомно-силовой микроскопии. Известия РАН: Серия физическая 71, 61 (2007).

A18. Д.О.Филатов, М.В.Круглова, М.А.Исаков, С.В.Сипрова, M.О. Ма-рычев, В.Г.Шенгуров, С.П.Светлов, В.Ю.Чалков, С.А.Денисов. Морфология и фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа. Известия РАН: Серия физическая 72, 267 (2008).

A19. Е.Е.Щербакова, М.А.Исаков, Д.А.Воронцов, Д.О.Филатов. Исследование гетероструктур InGaAs/GaAs c квантовыми ямами и точками методом комбинированной СТМ/АСМ на сколах в жидкости. Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2008, №8, с.620.

A20. М.А.Лапшина, Д.О.Филатов, Д.А.Антонов. Формирование токового изображения при исследовании металлических нанокластеров в диэлектрических пленках методом комбинированной СТМ/АСМ. Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2008, №8, C. 616.

A21. А.В.Зенкевич, Ю.Ю.Лебединский, А.А.Тимофеев, В.Н.Неволин, Д.А.Антонов, Д.О.Филатов, Г.А.Максимов. Формирование сверхтонких нанокомпозитных структур SiO2:Au методом импульсного лазерного осаждения. Перспективные материалы, 2008, №4, C. 5.

А22. Д.О.Филатов, М.В.Круглова, М.А.Исаков, С.В.Сипрова, M.О. Марычев, В.Г.Шенгуров, В.Ю.Чалков, С.А.Денисов. Фотолюминесценция нанокластеров GeSi/Si, формирующихся в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа. ФТП 42, 1116 (2008).

А23. Д.О.Филатов, М.В.Круглова, М.А.Исаков, С.В.Сипрова, М.О. Ма-рычев, В.Г.Шенгуров, В.Ю.Чалков, С.А.Денисов. Фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров в гетероструктурах GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4. Неорганические материалы 44, 1287 (2008).

A24. П.А.Бородин, А.А.Бухараев, Д.О.Филатов, Д.А.Воронцов, М.А. Лапшина. Визуализация локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs методом комбинированной СТМ/АСМ. Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009, №9, с. 71.

A25. М.А.Исаков, Д.О.Филатов, М.О.Марычев, В.Г.Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А.Денисов. Особенности процесса роста и фотолюминесценции самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 . Вестник ННГУ им. Н. И. Лобачевского. Серия "Физика твёрдого тела", 2010, №5. с. 36.

А26. D.O.Filatov, M.A.Lapshina, M.A.Isakov, P.A.Borodin, A.A.Bukharaev. Tunnelling AFM study of the local density of states in the self assembled In(Ga)As/GaAs(001) quantum dots and rings. J. Phys. Conf. Series, 245, 012017 (2010).

А27. D.O.Filatov, M.A.Lapshina, D.A.Antonov, O.N.Gorshkov, A.V. Zenkevich, Yu.Yu.Lebedinskii. Resonant tunnelling through individual Au nanoclusters embedded in ultrathin SiO2 films studied by Tunnelling AFM. J. Phys. Conf. Series, 245, 012018 (2010).

А28. А.И.Машин, А.В.Нежданов, Д.О.Филатов, М.А.Исаков, В.Г. Шен-гуров, В.Ю.Чалков, С.А.Денисов. Конфокальная рамановская микроскопия самоформирующихся островков GeSi/Si(001). ФТП 44, 1552 (2010).

А29. П.A.Бородин, A.A.Бухараев, Д.O.Филатов, M.A.Исаков, В.Г. Шен-гуров, В.Ю.Чалков, С.A.Денисов. Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии. ФТП, 45, 414 (2011).

А30. Д.О.Филатов, П.А.Бородин, А.А.Бухараев. Исследование локальной плотности электронных состояний в квантовых кольцах InGaAs/GaAs методом комбинированной СТМ/АСМ. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2011, №6, С.44.

А31. I.A.Karpovich, N.V.Baidus, B.N.Zvonkov, D.O.Filatov, S.B.Levichev, A.V.Zdoroveishev, V.A.Perevoshikov. Investigation of the buried InAs/GaAs quantum dots by SPM combined with selective chemical etching. Phys. Low-Dim. Structures 2001, №3/4, p. 341.

А32. I.A. Karpovich, A.V. Zdoroveichev, A.P.Gorshkov, D.O. Filatov, R.N. Skvortsov. AFM investigation of the buried InAs/GaAs quantum dots with in situ monitoring of etching process by photoelectric and photoluminescence spectroscopy. Phys. Low-Dim. Structures 2003, №3/4, Р. 191.

А33. I.A.Karpovich, B.N.Zvonkov, N.V.Baidus’, S.V.Tikhov, D.O.Filatov. Tuning the Energy Spectrum of the InAs/GaAs Quantum Dot Structures by Varying the Thickness and Composition of a Thin Double GaAs/InGaAs Cladding Layer // Trends in Nanotechnology Research / Nova Science, New York, 2004. p. 173-208.

А34. A.Zenkevich, Yu.Lebedinskii, O.Gorshkov, D.Filatov, D.Antonov. Structural and Electron Transport Properties of Ultrathin SiO2 Films with Embedded Metal Nanoclusters Grown on Si // Advances in Diverse Industrial Applications of Nanocompositess / Vienna: InTech, 2011. p. 317-340.

А35. D.O.Filatov, M.A.Isakov, V.G.Shengurov, M.O.Marychev, A.V.Nezdanov, A.I.Mashin. Photoluminescence of the Self Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands Grown by Sublimation Molecular Beam Epitaxy in GeH4 Ambient // Photoluminescence: Applications, Types and Efficacy / New York: Nova Science, 2012. P. 12 – 63.

А36. D.Filatov, V.Shengurov, N.Nurgazizov, P.Borodin, A.Bukharaev. Tunneling Atomic Force Microscopy of Self-Assembled In(Ga)As/GaAs Quantum Dots and Rings and of GeSi/Si(001) Nanoislands // Fingerprints in the Optical and Transport Properties of Quantum Dots. Ed. A. Al-Ahmadi. Rije-ka: InTech, 2012. P. 273-298.

Комментарии:

Если вы считаете, что какое-то сообщение нарушает Правила, оскорбляет Вас как личность, несёт заведомо ложную информацию, и должно быть удалено, сообщите нам по адресу sergey@rae.ru

Ваше имя
Текст комментария
Введите число с изображения

Антиспам защита

При добавлении комментария Вы соглашаетесь с пользовательским соглашением