RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17196 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Окунев Алексей Олегович

Научная тема: « АНАЛИЗ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПО РЕНТГЕНОТОПОГРАФИЧЕСКИМ И ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКИМ РОЗЕТКАМ КОНТРАСТА »

Научная биография   « Окунев Алексей Олегович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 01.04.01

Год: 2009

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. В кристаллах различной физико-химической природы (SiC, GaAs, (Bi+Sb) и Si) дефекты кристаллической решётки с медленно изменяющимися полями деформаций (полные и частичные дислокации, когерентные выделения второй фазы) формируют контраст в виде розеток интенсивности, который хорошо соответствует теоретическому контрасту, рассчитанному по моди­фицированным уравнениям Инденбома-Чамрова.
  2. В кристаллах, исследованных методом РТБ, выявлены особенности изображений краевых, винтовых и смешанных дислокаций при различных усло­виях дифракции, по которым определяются их основные качественные и коли­чественные характеристики.
  3. Использованиерозеточной методики, основанной на явлении аномаль­ного прохождения рентгеновских лучей, позволяет путём идентификации частичных и вершинных дислокаций установить природу простых и сложных ростовых дефектов упаковки.
  4. В методе секционной и проекционной топографии Ланга при различ­ных условиях дифракции выявлены характерные особенности изображений дислокаций, позволяющие надёжно идентифицировать дефект и определить его характеристики.
  5. Тип микровключений второй фазы, глубина их расположения в моно­кристалле и значение параметрае, характеризующего упругую деформацию включения, могут быть определены розеточной методикой в условиях эффек­та Бормана.
  6. Ростовые микродефекты в кристаллах Si, выращенных методом Чох-ральского, SiC, GaAs и монокристаллических сплавах (Bi+Sb), регистрируемые методами рентгеновской топографии, представляют собой когерентные вы­деления второй фазы.
  7. Методом фотоупругости в монокристаллах SiC идентифицируются
    индивидуальные краевые и смешанные дислокации, параллельные оси [0001], а также имеющие углы наклона к оси [0001] до 50°.
  8. Экспериментальная поляризационно-оптическая розетка содержит дополнительные слабые лепестки контраста, соответствующие лепесткам рентгенотопографической розетки, сформированным релаксационным полем смещений в кристалле.

Список опубликованных работ

Монографии

1. Данильчук Л.Н., Ткаль В.А., Окунев А.О., Дроздов Ю.А. Цифровая обработка рентгенотопографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов. НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2004. 227 с.

2. Данильчук Л.Н., Окунев А.О., Ткаль В.А. Рентгеновская дифракционная топогра¬фия дефектов структуры в кристаллах на основе эффекта Бормана. НовГУ им. Яро¬слава Мудрого. Великий Новгород, 2006. 493 с.

3. Данильчук Л.Н., Окунев А.О., Ткаль В.А., Труханов Е.М., Фёдоров А.А., Василенко А.П. Рентгеновская топография кремния на основе плёночной интерферометрии эпитаксиальных систем и эффекта Бормана. НовГУ им. Ярослава Мудрого. Вели¬кий Новгород, 2006. 351 с.

4. Ткаль В.А., Окунев А.О., Емельянов Г.М., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Вейвлет-анализ топографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов. НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2006. 397 с.

5. Окунев А.О., Ткаль В.А., Данильчук Л.Н. Исследование дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами. НовГУ им.

Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2006. 252 с.Статьи

1. Данильчук Л.Н., Окунев А.О. Исследования дефектов структуры монокристалли¬ческого карбида кремния прямыми физическими методами // Вестн. Новгород. гос. ун-та. Сер. Естеств. и техн. науки. 1998. № 10. С. 13-18.

2. Карачинов В.А., Окунев А.О., Дикун Д.Е. Направленные эффекты пробоя в кри¬сталлах карбида кремния // Физика и химия обработки материалов. 1999. № 6. С.63-67.

3. Анисимов В.Г., Буйлов А.Н., Окунев А.О., Ткаль В.А. Подготовка монокристаллического карбида кремния для рентгенотопографических исследований. М., 1999. 14

с. Деп. в ВИНИТИ 09.09.99, 2809-В99.

4. Дроздов Ю.А., Окунев А.О., Ткаль В.А. Компьютерная обработка рентгенотопо-графических изображений дефектов структуры монокристаллов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2002. № 8. С. 6-11.

5. Данильчук Л.Н., Дроздов Ю.А., Окунев А.О., Ткаль В.А., Шульпина И.Л. Рентге¬новская топография дефектов структуры монокристаллических полупроводников на основе эффекта Бормана (обзор) // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2002. Т. 68, № 11. С. 24-33.

6. Дроздов Ю.А., Окунев А.О., Ткаль В.А., Шульпина И.Л. Применение компьютер¬ной обработки рентгенотопографических изображений для идентификации дефек¬тов структуры монокристаллов // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2002. Т.

68, № 12. С. 30-36.

7. Дроздов Ю.А., Окунев А.О., Ткаль В.А., Шульпина И.Л. Исследование дислока¬ций в монокристаллическом карбиде кремния поляризационно-оптическим мето¬дом // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2003. Т. 69, № 1. С. 24-29.

8. Данильчук Л.Н., Дроздов Ю.А., Окунев А.О., Ткаль В.А., Шульпина И.Л. Диагно¬стика монокристаллов применением компьютерной обработки дифракционных и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2003. Т. 69, № 11. С. 26-32.

9. Буйлов А.Н., Данильчук Л.Н., Окунев А.О. Особенности контраста от краевых дислокаций в арсениде галлия в случае эффекта Бормана // Поверхность. Рентге¬новские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 1. С. 25-31.

10. Ткаль В.А., Окунев А.О., Дроздов Ю.А., Шульпина И.Л., Данильчук Л.Н. Компь¬ютерная обработка и анализ топографических изображений краевых дислокаций в монокристаллах 6H-SiC // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтрон¬ные исследования. 2004. № 1. С. 32-38.

11. Дроздов Ю.А., Ткаль В.А., Окунев А.О., Данильчук Л.Н. Устранение фоновой неоднородности и влияния зернистости фотоматериалов на топографические и по-ляризационно-оптические изображения дефектов структуры монокристаллов // За-водская лаб. Диагностика материалов. 2004. Т. 70, № 7. С. 25-34.

12. Окунев А.О., Ткаль В.А., Дроздов Ю.А., Данильчук Л.Н. Топографический кон¬траст винтовых дислокаций в монокристаллах 6H-SiC и его компьютерная обра¬ботка // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.2004. № 9. С. 58-63.

13. Ткаль В.А., Окунев А.О., Дроздов Ю.А., Данильчук Л.Н. Применение цифровой обработки для выявления топографических изображений микродефектов и дефектов фотоэмульсии // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2004. Т. 70, № 11. С.

23-28.

14. Анисимов В.Г., Данильчук Л.Н., Дроздов Ю.А., Окунев А.О., Ткаль В.А. Исследо¬вание сложных дефектов упаковки в монокристаллах кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 11. С. 74-81.

15. Окунев А.О., Данильчук Л.Н., Ткаль В.А., Дроздов Ю.А. Секционные топограм-мы дислокаций в 6H-SiC // Вестн. Новгород. гос. ун-та. Сер. Естеств. и техн. науки.

2004. № 28. С. 143-149.

16. Окунев А.О., Шульпина И.Л. Рентгенотопографический контраст краевых дислокаций, перпендикулярных поверхности кристалла 6H-SiC // Письма в ЖТФ.2005. Т. 31, вып. 12, с. 1-7.

17. Данильчук Л.Н., Окунев А.О., Ткаль В.А., Дроздов Ю.А. Экспериментальное определение физической природы ростовых микродефектов в бездислокационном

кремнии, выращенном методом Чохральского // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2005. № 7. С. 13-22.

18. Белехов Я.С., Ткаль В.А., Окунев А.О., Петров М.Н. Устранение фоновой неод-нородности поляризационно-оптических изображений // Электронный журнал «Исследовано в России», 142, стр. 1434-1441, 2005 г. (http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2005/142.pdf)

19. Ткаль В.А., Окунев А.О., ДанильчукЛ.Н., БелеховЯ.С. Фоновая неоднородность топографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов (способы устранения) // Электронный журнал «Исследовано в России», 210, стр. 2171-2180, 2005 г. (http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2005/210.pdf)

20. Ткаль В.А., Окунев А.О., Белехов Я.С., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Цифровая обработка топографических изображений дефектов структуры монокристаллов на основе вейвлет-анализа // Электронный журнал «Исследовано в России», 211, стр. 2181-2190, 2005 г.

(http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2005/211.pdf)

21. Данильчук Л.Н., Окунев А.О., Тимофеева Ю.В., Анисимов В.Г., Ткаль В.А. Изу¬чение дефектов структуры монокристаллических сплавов Bi+Sb методом двухкри-стальной топографии в геометрии Брэгга // Электронный журнал «Исследовано в России», 224, стр. 2307-2314, 2005 г. (http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2005/224.pdf)

22. Окунев А.О., Ткаль В.А., Данильчук Л.Н. Изображения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла 6H-SiC, в методе Ланга // Вестн. Новгород. гос. ун-та. Сер. Естеств. и техн. науки. 2005. № 34. С. 106-111.

23. Окунев А.О., Данильчук Л.Н., Ткаль В.А. Секционные изображения дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристаллов 6H-SiC // Физика твёрдого тела. 2006. Т. 48, вып. 11. С. 1962-1969.

24. Ткаль В.А., Окунев А.О., Белехов Я.С., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Примене¬ние вейвлет-анализа для устранения фоновой неоднородности поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2006. Т. 72, № 7. С. 22-29.

35. Ткаль В.А., Окунев А.О., Белехов Я.С., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Устране¬ние зернистости топографических изображений дефектов структуры монокристал¬лов с помощью вейвлет-анализа // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2006. Т. 72, № 8. С. 27-32.

26. Ткаль В.А., Окунев А.О., Белехов Я.С., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Выявление особенностей экспериментального контраста при перемасштабировании изображений на основе вейвлет-анализа // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2006. Т.

72, № 9. С. 25-33.

27. Ткаль В.А., Окунев А.О., Белехов Я.С., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Устранение зернистости топографических изображений дефектов структуры монокристаллов различными вейвлет-базисами // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2006. Т.

72, № 10. С. 23-30.

28. Ткаль В.А., Окунев А.О., Белехов Я.С., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Сопостав¬ление результатов цифровой обработки топографического контраста на основе вейвлет-анализа и нелинейной фильтрации с рекурсивным накоплением // Заво¬дская лаб. Диагностика материалов. 2007. Т. 73, № 2. С. 36-45.

29. Ткаль В.А., Окунев А.О., Белехов Я.С., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Устранение фоновой неоднородности изображений дефектов структуры монокристаллов раз¬личными вейвлетами // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2007. Т.

73, № 3. С. 28-37.

30. Ткаль В.А., Окунев А.О., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Вейвлет-обработка топо-графических изображений с расширенным динамическим диапазоном // Поверх¬ность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 5. С. 1¬11.

31. Данильчук Л.Н., Окунев А.О., Иванов К.Г., Тимофеева Ю.В. Исследование де¬фектов структуры полуметаллов и полупроводников на основе монокристалличе¬ских сплавов (Bi+Sb) методами рентгеновской топографии // Заводская лаборато¬рия. Диагностика материалов. 2008. Т. 74, № 3. С. 25-32.

Работа над диссертацией проводилась в рамках:

1. гранта РФФИ № 02-02-17661-а;

2. программы «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники», программа: 202 Новые материалы, раздел 202.01

Материалы для микро- и наноэлектроники, код Проекта 01.02.048.

3. гранта РФФИ № 06-02-16230-а.

Комментарии:

Чернышов Николай
18:10, 20 января 2021
Хочу ознакомиться

Если вы считаете, что какое-то сообщение нарушает Правила, оскорбляет Вас как личность, несёт заведомо ложную информацию, и должно быть удалено, сообщите нам по адресу sergey@rae.ru

Ваше имя
Текст комментария
Введите число с изображения

Антиспам защита

При добавлении комментария Вы соглашаетесь с пользовательским соглашением