RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17184 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Тимошенков Валерий Петрович

Научная тема: « СХЕМОТЕХНИКА СВЧ - СИСТЕМ НА КРИСТАЛЛЕ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КРЕМНИЕВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ »

Научная биография   « Тимошенков Валерий Петрович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 05.27.01

Год: 2013

Отрасль науки: Технические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:
1. Концепция применения СВЧ гетероструктурной элементной базы для сложных систем на кристалле в устройствах приема, передачи, измерения и обработки СВЧ аналоговой и цифровой информации основана на использовании цифровых методов управления для адаптивной подстройки статических и динамических параметров блоков в случае недетерминированных внешних нагрузок и аналоговых систем с обратной связью для детерминированных нагрузок.

Концепция базируется на следующих совокупных принципах:

  • принцип интеллектуальной способности, обеспеченный возможностью цифрового перепрограммирования, настройки, тестирования функционально важных СВЧ блоков с помощью дополнительных аналого-цифровых сервисных устройств, включенных в состав ИМС;
  • принцип применения СВЧ архитектуры, обеспеченный комплексом схемотехнических решений, СВЧ топологической конфигурацией функциональных блоков, а также СВЧ конфигурацией входных, выходных и внутренних трактов передачи сигнала;
  • принцип многофункциональности, достигаемый за счет возможностей элементной базы создавать разнообразные высокоэффективные аналоговые и цифровые блоки и применения КМОП программируемого интерфейса, совместимого с типовыми управляющими блоками.

2. Методология электростатической защиты СВЧ входных и выходных выводов, гальванически развязанных нулевых шин и шин питания для ИМС, содержащих гетероструктурные биполярные и КМОП транзисторы, основана на использовании резонансного эффекта связанной интегральной индуктивности и емкости диодов электростатической защиты, а также применении комплекса конструктивных методов ввода/вывода СВЧ сигнала, использующих интегральные связанные микрополосковые и копланарные СВЧ линии.

3. Применение SiGe гетероструктурных биполярных и КМОП транзисторов в системах на кристалле требует управления режимами работы транзисторов для обеспечения оптимальных плотностей токов и оптимальных нагрузок при работе в СВЧ диапазоне. Это предотвращает нежелательные эффекты саморазогрева, низких пробивных напряжений, а также снижает влияние разброса технологических параметров.

4. СВЧ информация, передаваемая по сверхширокополосным кабельным и проводным сетям, может быть восстановлена до низкочастотного эталона посредством цифрового управления адаптивной эквализацией сигнала в приемнике и передатчике, а также цифрового управления усилением.

Список опубликованных работ

1. Козлов А.Т., Старосельский В.И., Суэтинов В.И.,Тимошенков В.П. Исследование ИС стробоскопического смесителя // Микроэлектроника, – 1983, №3. – С.273-277.

2. Широкополосный стробоскопический преобразователь, Тимошенков В.П. Старосельский В.И. Суэтинов В.И., и др. // Патент №953575, - 1981.

3. Стробоскопический преобразователь электрических сигналов. Козлов А.Т., Старосельский В.И., Суэтинов В.И.Тимошенков В.П. // Патент №1239607. – 1986.

4. Широкополосный усилитель. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Кравченко Л.Н Тимошенков В.П. // Патент №12398337. - 1984

5. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Тимошенков В.П. Конструкции входных устройств стробоскопических осциллографов // Сб. материалов 3 отраслевой НТ. «Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов». (Вильнюс, 1985). – 1985 - С.125-126.

6. Суэтинов В.И. Тимошенков В.П. Влияние потенциала подложки на статические и динамические характеристики ИМС на арсениде галлия // Сб. материалов Всесоюзной НТК (5 Координационное совещание) «Исследование и разработка перспективных ИС памяти». (Москва, 1986). – 1986 - С.26-27.

7. Кравченко Л.Н. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Тимошенков В.П. Сверхширокополосный интегральный смеситель на основе арсенида галлия // Сб. материалов 5 Всесоюзной НТК. «Осциллографические методы измерений». (Вильнюс, 1986). – 1986 - С.187-188.

8. Козлов А.Т., Старосельский В.И., Суэтинов В.И.Тимошенков В.П. Интегральная микросхема стробсмесителя с высокой частотой стробирования // Сб. материалов 5 Всесоюзной НТК. «Осциллографические методы измерений». (Вильнюс, 1986). – 1986 -С.188-189.

9. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Тимошенков В.П. Широкополосный СВЧ усилитель на основе арсенида галлия // Сб. материалов 5 Всесоюзной НТК «Осциллографические методы измерений». (Вильнюс 1986). – 1986 - С.189-190.

10. Тимошенков В.П Хлыбов А.И. Влияние потенциала подложки на статические и динамические характеристики ИМС на арсениде галлия // Сб. науч. тр. / Под ред. Королева М.А.- Вопросы технологии изготовления и проектирования ИМС памяти: Москва, МИЭТ, – 1986. – С.38-46.

11. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Григас Г. Тимошенков В.П. Анализ схем компараторов на основе арсенида галлия // Сб. материалов республиканской конференции. «Развитие технических наук в республике, пути и способы исследования их результатов. Физическая электроника» (Каунас, 1987). – 1987 - С.41.

12. Суэтинов В.И. Гайдис Р. Тимошенков В.П. Генератор перепада на арсениде галлия для осциллографической аппаратуры // Сб. материалов республиканской конференции. «Развитие технических наук в республике, пути и способы исследования их результаты. Физическая электроника» (Каунас, 1987). – 1987 - С.42-43.

13. Суэтинов В.И Тимошенков В.П. Интегральные схемы на арсениде галлия для измерительной аппаратуры // Сб. материалов 12 Всесоюзной конференции по микроэлектронике (Тбилиси, 1987). -1987-Ч.5. – С.177-178.

14. Суэтинов В.И. Гайдис Р Тимошенков В.П. Интегральная схема стробсмесителя на основе арсенида галлия // Материалы отраслевой НТК. «Проблемы развития полупроводниковых ИС на основе арсенида галлия» (Москва, 1988). - 1988 – С.124.

15. Старосельский В.И. Суэтинов В.И Тимошенков В.П. Сверхскоростные ИМС УВХ на основе арсенида галлия // Материалы отраслевой НТК. «Проблемы развития полупроводниковых ИС на основе арсенида галлия» (Москва, 1988) – 1988. С.125.

16. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Тимошенков В.П. ИМС широкополосных усилителей на основе арсенида галлия. // Материалы отраслевой НТК. «Проблемы развития полупроводниковых ИС на основе арсенида галлия» (Москва, 1988) – 1988. С.126.

17. Компаратор Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Киселев А.Г. Аулас А.А. Тимошенков В.П. // Патент. №1487164, БИ №22. -1986

18. Статический D триггер с парафазным управлением Тимошенков В.П Старосельский В.И Суэтинов В.И. и др. // Патент №1529418 БИ №46.– 1989.

19. Устройство выборки и хранения. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Вишневский В.Н Тимошенков В.П. // Патент №1612324, БИ №45.- 1990.

20. Многоканальное стробирующее устройство Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Вишневский В.Н Тимошенков В.П. // Патент №1688171.- 1991

21. Тимошенков В.П Старосельский В.И. Суэтинов В.И и др. УВХ с частотой дискретизации 1 ГГц. // Сборник материалов 7 международной конференции по микроэлектронике (Минск, 1990).1990.- Т.2. – С.232.

22. A dual bridge 6 Gs/s track and hold circuit in Al/Ga/As/ Ga/As/ Al/Ga/As HEMT technology/ V.Timoshenkov E.Busheri, V.Bratov, et al. // Electron. Letter. – 1998, V.34, № 10. – P.934.

23. Ultra-low power source coupled FET logic gate configuration in GaAs MESFET technology/ V.Timoshenkov, V. Bratov, V.Staroselski, T.Schlichter, et al. // Electron. Lett., – 2000, V.36, № 1. – P.36-38.

24. Тимошенков В.П., Миндеева А.А., Кобзев Ю.М // Сборник лабораторных работ по элементной базе систем связи. Под ред. Тимошенкова В.П . -М.: МИЭТ, 1998 г. -С.56

25. Тимошенков В.П. Старосельский В.И. и др. Проектирование элементной базы арсенид-галлиевых БИС БМК // Электронная промышленность. – 1995.- № 5. – С.125-129.

26. Тимошенков В.П. Интегральная схема синхронизатора на арсенид- галлиевых гетеропереходных транзисторах // Оборонный комплекс- научно-техническому прогрессу России.– 2006, – N2. - С.41-44.

27. Тимошенков В.П. Расчет индуктивности корпуса для СВЧ интегральных микросхем // Известия вузов. Электроника. – 2006. N4– С.14-18.

28. Тимошенков В.П. Состояние и перспективы развития технологии кремниевых гетеропереходных биполярных транзисторов для СВЧ применений // Известия вузов. Электроника.– 2006. N5. – С.16-19. 29.Тимошенков В.П Усилитель ограничитель для скорости передачи данных 25 Гбит/с // Радиотехника и электроника.– 2007, - Т.52, №6. – С.760-765.

30. Тимошенков В.П. Интегральные схемы усилителя ограничителя и синхронизатора на основе гетеропереходных арсенид-галлиевых транзисторов // Радиотехника и электроника. - 2007, - Т.52,№7, - С.888-896.

31. Новожилов В.Е Тимошенков В.П. Высокоскоростное преобразование кода NRZ в код RZ // Оборонный комплекс- научно-техническому прогрессу России.– 2007. N2. – С.73-80.

32. Братов В.А., Тимошенков В.П. Преобразователь кодов NRZ в NRZM на арсенидгаллиевых гетеропереходных биполярных транзисторах // Известия вузов. Электроника. - 2008, N1. - С.26-36.

33. Тимошенков В.П. Сверширокополосный от 3 ГГц до 5 ГГц двухканальный малошумящий усилитель на гетеропереходных биполярных транзисторах // Материалы международной конференции RLCNC – 2008 Радиолокация навигация связь (Воронеж 2008). – 2008 С.117.

34. Тимошенков В.П. Эквалайзер электрических сигналов гигагерцового диапазона на основе гетеропереходных биполярных транзисторах // Материалы международной конференции «Микроэлектроника и нано- инженирия» (Москва, 2008).- 2008. – С.169-170.

35. Новожилов В.Е Тимошенков В.П.Интегральный сверхширокополосный трансивер гигагерцового диапазона // Материалы международной конференции «Микроэлектроника и нано-инженирия» (Москва, 2008).- 2008 – С.171-172.

36. V. Bratov V. Timoshenkov NRZ to NRZM Code Converter Base on Gallium-Arsenide Heterojunction Transistor // Semiconductors. – 2008,-Vol42. No.13. – P.1545-1551.

37. Тимошенков В.П. Сверхширокополосный трансивер гигарерцового диапазона на SiGe транзисторах // Известия вузов. Электроника. - 2010, N3(83). – С.20-26.

38. Тимошенков В.П. Интегральный эквалайзер гигарцового диапазона на гетеропереходных биполярных транзисторах // Известия вузов. Электроника. – 2010, N4(83). – С.20-27.

39. Тимошенков В.П. Защита SiGe БИКМОП микросхем, построенных по принципу «Система на кристалле» от электростатического напряжения. Проектирование систем на кристалле: тенденции развития и проблемы // Междунар. науч.техн. конф. с элементами научной школы для молодежи: Тез. докл. –М.:МИЭТ, 2010. – С.72.

40. Тимошенков В.П. СНК СВЧ трансивер на основе SiGe технологии Проектирование систем на кристалле: тенденции развития и проблемы // Междунар. науч.техн. конф. с элементами научной школы для молодежи: Тез. докл. –М.:МИЭТ, 2010. – С.67.

41. Timoshenkov V. P. Ultrawide-Band Gigahertz-Range Transceiver Based on SiGe Transistors // Semiconductors.- 2011, Vol. 45, No. 13. P.1661–1669.

42. Timoshenkov V. P. An Integrated Equalizer of the Gigahertz Range Based on Heterojunction Bipolar Transistors // Russian Microelectronics/ – 2011, Vol. 40, No. 7 / – P.446–452.

43. Тимошенков В.П. Тимошенков А.С. Шалимов А.С. Восстановление импульсных сигналов в кабельных линиях связи // Инженерный вестник Дона.-2012..-.№4..(часть..2).-..URL:

http://www.ivdon.ru/magazine/archive/n4p2y2012/1330 (дата обращения 17.06.1913)

44. Тимошенков В.П. Кремниевые биполярные гетероструктуры и проектирование СВЧ интегральных схем на их основе, кн. Нанотехнологии в электронике / Под ред. Чаплыгина Ю. – М.: РИЦ Техносфера, 2013. – С.592-668.

45. Тимошенков В.П. Балака Е. С. Быстродействующие аналого-цифровые преобразователи на основе гетеропереходных биполярных транзисторов // Научное обозрение. 2013, - №1 – С.112-118

46. Тимошенков В.П. Тимошенков А.С. Чаплыгин Ю.А Устройство защиты выводов микросхемы от электростатического разряда // Заявка на патент. №2012157136. - 2012

Комментарии:

Если вы считаете, что какое-то сообщение нарушает Правила, оскорбляет Вас как личность, несёт заведомо ложную информацию, и должно быть удалено, сообщите нам по адресу sergey@rae.ru

Ваше имя
Текст комментария
Введите число с изображения

Антиспам защита

При добавлении комментария Вы соглашаетесь с пользовательским соглашением