RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17342 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Сочугов Николай Семенович

Научная тема: « ИОННО-ПЛАЗМЕННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И ПРОЦЕССЫ НАНЕСЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ПОДЛОЖКИ БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ »

Научная биография   « Сочугов Николай Семенович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 05.27.02

Год: 2012

Отрасль науки: Технические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Распределения по энергиям ионов аргона и титана в магнетронном разряде с титановым катодом имеют максимум 3-5 эВ, соответствующий потенциалу плазмы, и высокоэнергетический хвост с энергиями до 30 эВ для ионов аргона и до 15 эВ для ионов титана. Количество высокоэнергетических ионов может быть снижено в 10 - 100 раз увеличением давления и степени несбалансированности магнетрона, что уменьшит ионную бомбардировку растущей пленки высокоэнергетическими ионами, ухудшающими её кристаллическую структуру.
  2. Протекание тока с плотностью более 1-2 А/см2 в сильноточном импульсном магнетронном разряде сопровождается появлением азимутальных неоднородностей концентрации плазмы в области магнитной ловушки. Области повышенной концентрации, количество которых увеличивается с ростом тока разряда, вращаются с линейной скоростью ~1 см/мкс в холловском направлении дрейфа электронов, и, в виде плазменных струй, распространяются в сторону анода. Формирование неоднородностей плазмы обусловлено переносом электронного тока большой плотности поперек линий магнитного поля. Азимутальная модуляция концентрации плазмы приводит к появлению, скрещенного с магнитным полем магнетрона, азимутального электрического поля, ускоряющего дрейф плазмы поперек силовых магнитных линий и дополнительно разогревающего плазменные электроны, способствуя дальнейшему локальному повышению концентрации плазмы и обеспечивая перенос электронного тока необходимой плотности.
  3. Конфигурация и величина магнитного поля в области изменения направления дрейфа электронов в протяженной МРС определяет квазипериодическое изменение концентрации плазмы, температуры электронов и скорости распыления катода вдоль всей МРС. Модификация магнитной системы МРС с цилиндрическим вращающимся катодом, заключающаяся в увеличении на 10-15% индукции магнитного поля на ее концевых участках длиной 10 см и включении дополнительного магнита в ее поворотную часть, увеличивающего радиус кривизны линий магнитного поля в поворотной части, позволяет снизить амплитуду колебаний концентрации плазмы и скорости распыления катода, расширив тем самым область нанесения покрытий с равномерностью ± 1 % и устранив ускоренную эрозию на концах распыляемого катода. Найденные технические решения позволили достичь коэффициента использования материала катода 80% в протяженных вращающихся МРС длиной 2м.
  4. Режим работы ионного источника с замкнутым дрейфом электронов с низким напряжением горения (300-600 В) и высоким током (1-3 А на метр длины источника) обусловлен возбуждением несамостоятельного разряда с полым катодом, роль которого играет вакуумная камера. Потенциал плазмы в этом режиме составляет 250-400 В относительно стенок камеры, большинство ионов являются термализованными и не имеют направленной скорости, вследствие чего возрастает распыление стенок камеры, а очистка диэлектрических подложек в этом режиме становится неэффективной.
  5. Разработаны серии источников электропитания ионно-плазменных устройств для модификации поверхности: магнетронных распылительных систем, в том числе сильноточных (мощностью до 12 кВт); ионных источников с замкнутым дрейфом электронов (с входным напряжением до 5 кВ); подачи электрического смещения на подложку (мощностью до 20 кВт), в том числе высоковольтного (до 20 кВ), обеспечивающие высокий уровень управляемости, быструю реакцию на изменение параметров плазменной нагрузки и малую величину вкладываемой в дуговой разряд энергии. Источники построены на современной полупроводниковой элементной базе, и обеспечивают работу в импульсных режимах на частотах повторения до 100 кГц, что расширяет технические возможности ионно-плазменных устройств.
  6. Предварительная модификация поверхности стеклянной подложки посредством высокоэнергетической ионной имплантации ионами металлов с дозой 5*1014 ион/см2 и использование импульсного магнетронного распыления позволяют воздействовать на начальные стадии роста и управлять свойствами наносимых пленок серебра, снизить толщину образования сплошной пленки с 8-10 нм до 4 нм, уменьшить шероховатость ее поверхности с 4 нм до 0.5 нм, а также снизить на порядок количество дефектов, образовавшихся в пленках, при их хранении в течение года в контакте с атмосферой.
  7. Оптимальным низкоэмиссионным покрытием с серебряным слоем на полимерных пленках с точки зрения влагостойкости, прозрачности в видимом диапазоне и отражения в инфракрасном диапазоне длин волн является структура:
  8. TiO2(10нм)/ZnO:Ga(20нм)/Ag(9нм)/ZnO:Ga(28нм)/TiO2(20нм), с прозрачностью в видимом диапазоне 82 % и отражением в ИК-диапазоне 93 %. Использование медного функционального слоя позволяет исключить барьерные слои из покрытия, а оптимальной является структура TiO2(20нм)/Cu(11нм)/TiO2(60нм), обладающая прозрачностью в видимом диапазоне 60 % и отражением в ИК области 84 %. Использование сильноточного импульсного магнетронного разряда для нанесения слоя меди в этом покрытии увеличивает прозрачность низкоэмиссионного покрытия до 67 % при отражении в ИК- диапазоне 84%.
  9. На основе разработанных протяженных магнетронных распылительных систем, ионных источников с замкнутым дрейфом электронов и серий источников электропитания для ионно-плазменной модификации поверхности созданы комплексные технологические и экспериментальные установки для нанесения твердых углеводородных, низкоэмисионных и электрохромных покрытий на подложки большой площади и рулонные полимерные пленки.

Список опубликованных работ

1. С.П. Бугаев, А.Н. Захаров, К.В. Оскомов, Н.С. Сочугов Электохромизм в пленках триоксида вольфрама, полученных методом реактивного магнетронного распыления вольфрамовой мишени // Изв. ВУЗов Физика. – 1996. – Т. 39 – № 5. – С. 4-9.

2. S.P.Bugaev, N.N. Koval, N.S. Sochugov, A.N. Zakharov Investigation of a High-Current Pulsed Magnetron Discharge Initiated in the Low - Pressure Diffuse Arc Plasma // Proc. of XVII-th ISDEIV, Berkeley, California. – 1996. – July 21-26. р. 1074–1076.

3. С.П. Бугаев, А.Н. Захаров, О.Б. Ладыженский, Н.С. Сочугов Высокоскоростное нанесение защитных пленок оксида алюминия методом реактивного магнетронного распыления // Физика и химия обработки материалов. – 1999. – №2. – с. 46-49.

4. S.P. Bugaev, N.S. Sochugov Production of Large Area Coatings on Glasses and Plastics // Surface and Coating Technology. – 2000. – V. 131. – p.472-478.

5. Zakharov A.N., Bugaev S.P., Kovsharov N.F., Ladyzhensky O.B., Sochugov N.S. Spatial and energetic characteristics of ion-plasma flux formed by Hall current accelerator // Proc. of 5th Conference on modification of materials with particle beams and plasma flows. – Tomsk, Russia, September 24-29. – 2000. – p. 211-213.

6. A.A. Solovjev, S.P. Bugaev, A.N. Zakharov, K.V. Oskomov, N.S. Sochugov Plasma-immersion Ion Deposition of Amorphous Hydrogenated Diamond-like Films on Dielectric Substrates // Proc. of 5th Conference on modification of materials with particle beams and plasma flows. – Tomsk, Russia, September 24-29. – 2000. – p. 484-488.

7. S.P. Bugaev, N.F. Kovsharov, O.B. Ladyzhensky, N.S. Sochugov Large-Area Coatings on Dielectric Substrate // Proc. of 5th Conference on modification of materials with particle beams and plasma flows. – Tomsk, Russia, September 24-29. – 2000. – p. 17-21.

8. S.P. Bugaev, K.V. Oskomov, N.S. Sochugov Deposition of highly adhesive amorphous carbon films with the use of preliminary plasma – immersion ion implantation // Surface and Coating Technology. – 2002. – V. 156 – p. 311-316.

9. S.P. Bugaev, A.N. Zakharov, K.V. Oskomov, N.S. Sochugov, and A.A. Solovjev Rotating Cylindrical Magnetrons and Accelerators with Anode Layer for Large – Area Film Deposition Technologies // Proc. of 11th International Congress on Plasma Physics. – Sydney, Australia, July 15-19. – 2002. – p. 373 - 376.

10. С.П. Бугаев, Н.Ф. Ковшаров, Н.С. Сочугов, О.Б. Ладыженский Технологическая установка «ВНУК» для нанесения теплоотражающих покрытий на архитектурные стекла // Докл. VI конф. Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц. – г. Томск, 23-29 сентября. – 2002. – с. 43-46.

11. А.А. Соловьев, А.Н. Захаров, Н.С. Сочугов Цилиндрическая магнетронная распылительная система с вращающимся катодом // Докл. VI конф. Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц. – г. Томск, 23-29 сентября. – 2002. – с. 625-628.

12. А.Н.Захаров, С.П.Бугаев, О.Б.Ладыженский, Н.Ф.Ковшаров, Н.С. Сочугов, Р.М. Распутин Технология нанесения многослойных спектрально-селективных покрытий на архитектурное стекло // Докл. VI конф. Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц. – г. Томск, 23-29 сентября. – 2002. – с. 617-620.

13. К.В. Оскомов, С.П. Бугаев, Н.С. Сочугов Использование наноиндентации и атомно-силовой микроскопии для исследования поверхностных свойств аморфных углеводородных покрытий // Докл. VI конф. Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц. – г. Томск, 23-29 сентября. – 2002. – с. 658-661.

14. О.Б. Ладыженский, В.М. Заславский, Н.Ф. Ковшаров, Н.С. Сочугов, Р.М. Распутин Ионно – плазменная обработка поверхности как способ увеличения адгезии металлических пленок // Докл. VI конф. Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц. – г. Томск, 23-29 сентября. – 2002. – с. 552-554.

15. Hui-Gon Chun, Konstantin V. Oskomov, Nikolay S. Sochugov, Yong-Zoo You, and Tong-Yul Cho Plasma-Immersion Ion Deposition of Hydrogenated Diamond-like Carbon Films on Dielectric Substrates // Journal of the Korean Vacuum Science and Technology. – 2002. – Vol. 6. – No. 4. – p. 143-148.

16. Hui-Gon Chun, Konstantin V. Oskomov, Yong-Zoo You, Nikolay S. Sochugov, and Sergey V. Rabotkin Diamond-Like Carbon Films Deposited by Pulsed Magnetron Sputtering System with Rotating Cathode // Journal of the Korean Institute of Surface Engineering. – 2003. – Vol. 36. – No. 1. – p. 296-300.

17. K. Oskomov, H.G. Chun, N. Sochugov, S. Rabotkin Pulsed Magnetron Sputtering System with Rotating Graphite Cathode for Diamond-Like Carbon Films Deposition // Proc. of 7th Korea – Russia Int. Symposium on Science and Technology, University of Ulsan, Ulsan, Korea, June 28 – July 6. – 2003. – p. 76-81.

18. H.G. Chun, A. Soloviev, N. Sochugov, A. Zakharov Extended Unbalanced Magnetron Sputtering System with a Cylindrical Cathode // Proc. of 7th Korea – Russia Int. Symposium on Science and Technology, University of Ulsan, Ulsan, Korea, June 28 – July 6. – 2003. – p. 30-35.

19. N. Sochugov. Extended Unbalanced Magnetron Sputtering System with a Cylindrical Cathode // Proc. of 2th Korea – Russia ISTC Workshop, University of Ulsan, Ulsan, Korea, June 28 – July 2. – 2003. – p. 387-392.

20. Sergei P. Bugaev†, Konstantin V. Oskomov, Andrew A. Solovjev, Nikolay S. Sochugov, and Alexander N. Zakharov Improvement of Coating Deposition and Target Erosion Uniformity in Rotating Cylindrical Magnetrons // Laser and Particle Beams. – 2003. – Vol. 21 – p. 279-283.

21. Магнетронная распылительная система: пат. 2242821 Рос. Федерация: МПК7 H 01 J 37/317, 37/34, C 23 C 14/35 / Сочугов Н.С., Соловьев А.А., Захаров А.Н.; заявитель и патентообладатель Институт сильноточной электроники СО РАН – № 2002127865/02; заявл. 17.10.2002; опубл. 20.12.2004, Бюл. №35.

22. Способ получения прозрачных проводящих покрытий: пат. 2451768 Рос. Федерация: МПК7 C 23 C 14/08, 14/35 / Сочугов Н.С., Захаров А.Н.; Соловьев А.А., Работкин С.В. заявитель и патентообладатель Институт сильноточной электроники СО РАН – № 2009147628/02; заявл. 21.12.2009; опубл. 27.05.2012, Бюл. № 15.

23. Малогабаритное магнетронное распылительное устройство: пат. 2390580 Рос. Федерация: МПК7 C 14/35, 14/56 / Работкин С.В., Соловьев А.А., Сочугов Н.С. заявитель и патентообладатель Институт сильноточной электроники СО РАН – № 2008141193/02; заявл. 16.10.2008; опубл. 27.05.2010, Бюл. № 15.Sergei P. Bugaev†, Hui-Gon Chun, Konstantin V. Oskomov, Nikolay S. Sochugov, and Alexander N. Zakharov Amorphous hydrogenated carbon films deposited by closed-drift ion source // Laser and Particle Beams. – 2003. – Vol. 21 – p. 285-289.

24. А.Н. Захаров, А.А. Соловьев, Н.С. Сочугов Повышение эффективности цилиндрических магнетронных распылительных систем с вращающимся катодом. // Прикладная физика. – 2003. – №5. – с. 41-46.

25. Hui-Gon Chun, Konstantin V. Oskomov, Nikolay S. Sochugov, Jing-Hyuk Lee, Yong-Zoo You, and Tong-Yul Cho Hydrocarbon Plasma of a Low-Pressure Arc Discharge for Deposition of Highly-Adhesive Hydrogenated DLC Films // Journal of the Korean Society of Semiconductor Equipment Technology. – 2003. – V. 2. – No. 1. – p. 1-5.

26. Konstantin V. Oskomov, Hui-Gon Chun, Tong-Yul Cho, Nikolay S. Sochugov, and Yong-Zoo You Plasma-Immersion Ion Deposition of Hydrogenated Diamond-like Carbon Films on Dielectric Substrates // Journal of the Korean Vacuum Science and Technology. – 2002. – V. 6. – No. 4. – p. 143-148.

27. Konstantin V. Oskomov, Hui-Gon Chun, Yong-Zoo You, Jing-Hyuk Lee, Kwang-Bok Kim, Tong-Yul Cho, Nikolay S. Sochugov, and Alexander N. Zakharov Pulsed Magnetron Sputtering Deposition of DLC Films. Part I: Low-Voltage Bias-Assisted Deposition // Journal of the Korean Institute of Surface Engineering. – 2003. – V. 36. – No. 1. – p. 27-33.

28. Hui-Gon Chun, Jing-Hyuk Lee, Yong-Zoo You, Yong-Duek Ko, Tong-Yul Cho, Konstantin V. Oskomov, Nikolay S. Sochugov, and Alexander N. Zakharov Pulsed Magnetron Sputtering Deposition of DLC Films. Part II: High-Voltage Bias-Assisted Deposition // Journal of the Korean Institute of Surface Engineering. – 2003. – V. 36. – No. 2. – p. 148-154.

29. S. P. Bugaev, N.S. Sochugov, N. F. Kovsharov, and O. B. Ladyzhensky An Experience of Low–E Glass Production on the “VNUK” Series Batch Type Coaters // Proc. of 4th International Conference on Plasma Physics and Plasma Technology. – Minsk, Byelorussia, September 16-19. – 2003. – p.443-446.

30. A.N Zakharov, S.V.Rabotkin, and N.S. Sochugov Influence of Magnetic Field Configuration on Sputtering Uniformity in Magnetron with Cylindrical Cathodes // Proc. of 4th International Conference on Plasma Physics and Plasma Technology. – Minsk, Byelorussia, September 16-19. – 2003. – p. 495-498.

31. K.V. Oskomov, S.V. Rabotkin, and N.S. Sochugov Pulsed Magnetron Sputtering System with Rotating Graphite Cathode for Diamond-Like Carbon Films Deposition // Proc. of 4th International Conference on Plasma Physics and Plasma Technology. – Minsk, Byelorussia, September 16-19. – 2003. – p.499-502.

32. H.-G. Chun, Y.-Z. You, A.A. Soloviev, N.S. Sochugov, and A.N. Zakharov Role of Magnetic Field Configuration in a Performance of Extended Magnetron Sputtering System with a Cylindrical Cathode // Journal of the Korean Society of Semiconductor Equipment Technology. – 2003. – V. 2. – No. 3. – p. 19-24.

33. К.В.Оскомов, С.В.Работкин, Н.С.Сочугов Характеристики пленок ZnO:Al, полученных методом реактивного магнетронного распыления Zn:Al мишени // Физика и химия обработки материалов. – 2004. – №5. – с. 56 – 60.

34. Oskomov K.V., Rabotkin S.V., Sochugov N.S., Soloviev A.A. Properties of Nanolayered Carbon Films Deposited by Unbalanced Magnetron Sputtering Deposition // Proc. of 7th Conference on modification of materials with particle beams and plasma flows. – Tomsk, Russia, July 25-29. – 2004. – p. 409-412.

35. Rabotkin S.V., Oskomov K.V., Sochugov N.S. Optimization of ZnO:Al Film Deposition Process by Reactive Magnetron Sputtering of Zn:Al Target // Proc. of 7th Conference on modification of materials with particle beams and plasma flows. – Tomsk, Russia, July 25-29. – 2004. – p. 473-476.

36. N. Sochugov Use of Hall-Current Closed Drift Ion Source for PECVD of High Adhesive Diamond – Like and Diamond Films // Proc. of 3th Korea – Russia ISTC Workshop, Korean Institute of Machinery and Materials. – Korea, June 29 – July 3. – 2004. – p. 4-10.

37. Oskomov K.V., Rabotkin S.V., Sochugov N.S., Zakharov A.N., Kovsharov N.F. Magnetron Sputtering of Al-doped Zinc Oxide: DC and DC-pulsed Modes // Изв. Вузов Физика. – 2006. – №8. Приложение. – c. 453–456.

38. Oskomov K.V., Rabotkin S.V., Sochugov N.S., Zakharov A.N., Kovsharov N.F. Deposition of Al-doped Zinc Oxide on PET Substrates by Reactive Magnetron Sputtering // Изв. Вузов Физика. – 2006. – №8. Приложение. – c. 457–459.

39. Soloviev A.V., Sochugov N.S., Oskomov K.V. Ellipsometric Studies of Thin Silver Films Deposited by DC Sputtering // Изв. Вузов Физика. – 2006. – №8. Приложение. –c. 488–490.

40. Soloviev A.V., Sochugov N.S., Oskomov K.V., Kovsharov N.F. Film Thickness Distribution in Magnetron Sputtering System with the Round Cathode // Изв. Вузов Физика. – 2006. - №8. – Приложение. – c. 491–493.

41. Oskomov K.V., Korotaev A.D., Sochugov N.S., Soloviev A.A. Reactive Magnetron Sputtering Deposition of Nanocomposite Al-Si-B-N Coatings // Proc. of 8th Conference on modification of materials with particle beams and plasma flows. – Tomsk, Russia, September 10-15. – 2006. – p. 542–545.

42. А.Н. Захаров, К.В. Оскомов, С.В. Работкин, Н.С. Сочугов Низкотемпературное магнетронное осаждение прозрачных проводящих пленок легированного алюминием оксида цинка // Физика и xимия обработки материалов. – 2006. – №3. – с.35-41.

43. Соловьев А.А., Сочугов Н.С., Осокомов К.В. Influence of Deposition Parameters on Properties of Magnetron Sputtered Ag Films // Изв. вузов. Физика. – 2007. –№.9 (Приложение). – c. 453 – 456.

44. Соловьев А.А., Сочугов Н.С., Осокомов К.В. Structure and Degradation Mechanism of Thin Silver Films deposited by Magnetron Sputtering // Изв. вузов. Физика. – 2007. –№. 9 (Приложение). – c. 394 – 397.

45. Захаров А.Н., Оскомов К.В., Сочугов Н.С. Transparent Conducting Al-doped Zinc Oxide Films Reactively Sputtered on PET Substrates // Изв. вузов. Физика. –2007. –№.9 (Приложение). – c. 457 – 459.

46. A.N. Zakharov, K.V. Oskomov, N.S. Sochugov Transparent and Conducting ZnO:Al and ZnO:Ga Films Prepared by Magnetron Sputtering // Proc. of 9th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. – Tomsk, Russia, September21-26. – 2008. – p. 572-575.

47. K.V. Oskomov, N.F. Kovsharov, N.S. Sochugov, A.A. Soloviev Ion Energy Distribution Functions in an Unbalanced Magnetron Sputtering System Developed for aC Films Deposition // Proc. of 9th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. – Tomsk, Russia, September21-26. – 2008. – p. 635-638.

48. A.A. Soloviev, N.F. Kovsharov, N.S. Sochugov Investigation of Magnetron Sputtering System with Electromagnetic Coil // Proc. of 9th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. – Tomsk, Russia, September21-26. – 2008. – p. 558-561.

49. А.А. Соловьев, А.Н. Захаров, С.В. Работкин, К.В. Оскомов, Н.С. Сочугов Характеристики плазмы несбалансированной магнетронной распылительной системы и их влияние на параметры покрытий ZnO:Ga // Физика и xимия обработки материалов. – 2009. – №2. – с.58-65.

50. А. А. Соловьев, Н. С. Сочугов, К. В. Оскомов, С. В. Работкин Исследование характеристик плазмы несбалансированной магнетронной распылительной системы // Физика плазмы. – 2009. – T. 35. – № 5. – с. 443–452.

51. К.В. Оскомов, Н.С. Сочугов, А.А. Соловьев, С.В. Работкин Твердые нанокристаллические углеродные покрытия на основе фуллерита // Письма в ЖТФ. – 2009. – T. 35. – B. 19. – с 20-29.

52. А. А. Соловьев, Н. С. Сочугов, К. В. Оскомов Влияние остаточных напряжений в покрытиях TiN на удельные потери в анизотропной электротенической стали // Физика металлов и металловедение. – 2010. – Т. 109. – № 2. – c. 120–129.

53. А.Н. Захаров, К.В. Оскомов, С.В. Работкин, А.А. Соловьев, Н.С. Сочугов Пленки легированного галлием оксида цинка, нанесенные с использованием несбалансированной магнетронной распылительной системы // Журнал технической физики. – 2010. –Т. 80. –вып. 5. – c. 127-131.

54. Соловьев А.А., Сочугов Н.С., Оскомов К.В., Захаров Н.А. Свойства многослойных ZnO:Ga/Ag/ZnO:Ga покрытий, наносимых магнетронным распылением // Физикохимия поверхности и защита материалов. – 2010. – Т. 46. – № 4. – с. 361–366.

55. M. C. Salvadori, F. S. Teixeira, W. W. R. Araújo, L. G. Sgubin, N. S. Sochugov, R. E. Spirin, and I. G. Brown. A high voltage pulse power supply for metal plasma immersion ion implantation and deposition // Rev. Sci. Instrum. – 2010. – V. 81. – p. 124703-1 - 124703-5.

56. Zakharov A.N., Oskomov K.V., Sochugov N.S. Optical properties of magnetron deposited SiO2 and Al2O3 films // Proc. X Int. Conf. on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. – Tomsk, Russia, September 19—24. – 2010. – p. 583—586.

57. Rabotkin S.V., Zakharov A.N., Soloviev A.A., Sochugov N.S. Electrochromic properties of WO3- and NiO- films obtained by reactive magnetron sputtering method // Proc. X Int. Conf. on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. – Tomsk, Russia, September 19—24. – 2010. – p. 636—639.

58. А. В. Козырев, Н. С. Сочугов, К. В. Оскомов, А. Н. Захаров, А. Н. Одиванова Оптические исследования неоднородностей в плазме сильноточного импульсного магнетронного разряда // Физика плазмы. – 2011. – т. 37. – № 6. – с. 1–7.

59. Работкин С.В., Соловьев А.А., Сочугов Н.С., Захаров А.Н., Оскомов К.В., Ковшаров Н.Ф. Полимерная пленка с низкоэмиссионным покрытием для снижения тепловых потерь через светопрозрачные конструкции // Изв. вузов. Физика. – 2011. – Т. 54. – №11/2. – c. 169-175.

60. Соловьев А.А., Сочугов Н.С., Оскомов К.В. Ионно-плазменные методы нанесения тонких пленок. LAP Lambert Academic Publishing: 2011. – 196 с. (ISBN978-3-8443-5380-8).

61. А. Н. Захаров, Н. Ф. Ковшаров, К. В. Оскомов, С. В. Работкин, А. А. Соловьев, Н. С. Сочугов Свойства низкоэмиссионных покрытий на основе Ag и Сu, нанесенных на полимерную пленку методом магнетронного распыления // Перспективные материалы. – 2012. – №2. – с. 62-70.

62. Козырев А.В., Сочугов Н.С., Захаров А.Н., Оскирко В.О., Семенов В.А., Семенюк Н.С. Генератор объемной плазмы высокой плотности на основе сильноточного импульсного магнетронного разряда // Изв. вузов. Физика. – 2012. – Т. 55. – № 2. – c. 61-67.