RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17098 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Далиев Хожакбар Султанович


Далиев Хожакбар Султанович

Учёная степень: Доктор физико-математических наук

Ученое звание: Профессор

Научное направление: Физико-математические науки

Регион: Узбекистан

Рейтинг: 24 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Известные Ученые"

Далиев Хожакбар Султанович является известным ученым, внесшим большой вклад в развитие различных областей физики, в частности физики полупроводников, емкостной спектроскопии и физики многослойных структур.

Далиев Х.С. родился 25 июня 1958 года в селе Исфана, Ошской области, в семье служащих.

В 1975 году он с отличием окончил школу №1 в с. Исфана и поступил в Ташкентский государственный университет на физический факультет и окончил его. Защитил дипломную работу по специальности физика полупроводников и диэлектриков, выполненную на НПО «ЭЛЕКТРОН» в Ленинграде в 1980 году.

В том же году его приняли на работу старшим лаборантом на кафедру физики полупроводников и диэлектриков физического факультета ТашГУ.

Будучи стажером-исследователем в 1981 году, он был командирован в Ленинград на стажировку в НПО «ЭЛЕКТРОН». Там Далиев Х.С. создал установку высокочастотной емкостной спектроскопии (DLTS), работающую в в трех режимах с компьютерным управлением и высокочувствительное устройство, поддерживающее постоянную температуру в широком интервале.

С 1983 по 1986 год был аспирантом в Ленинградском физико- техническом институте им. А.Ф.Иоффе.

В то время Далиев Х.С. стал известен как высококвалифицированный специалист по созданию МДП-структур на основе кремния, легированного нетрадиционными примесями.

Защитив кандидатскую диссертацию 16 февраля 1987 года на тему «Исследование физических явлений в кремниевых МДП-структурах с помощью емкостной спектроскопии», был направлен на работу на физический факультет Ташкентского государственного университета.

В 1987-1997 годах работал научным сотрудником, старшим научным сотрудником, старшим научным сотрудником и докторантом кафедры физики полупроводников и диэлектриков, а также был руководителем нескольких хозяйственных договоров.

В течение нескольких лет он работал секретарем научного семинара.

Благодаря постоянным поискам и целеустремленности он создал измерительное устройство для одновременного измерения параметров полупроводниковых материалов и получил замечательные результаты.

Далиев Х.С. был ответственным за формирование и регистрацию 1250 государственных образовательных стандартов, являющихся важным нормативным документом для всех высших учебных заведений страны.

С сентября 2015 года он работал деканом физического факультета НУУз.

Далиев Х.С. является автором 4 учебников, 5 учебно-методических работ, 2 монографий и около 250 научных статей.

Под его непосредственным руководством с 2016 года проводились несколько республиканских и международных конференций, а также международный симпозиум.

В 2017 году Далиев Х.С. защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук в Физико-техническом институте Академии наук Республики Узбекистан.В 2018 году Далиев Х.С. присвоено ученое звание профессора по специальности физики полупроводников.

Он является членом редакционной коллегии журнала «Физика полупроводников и микроэлектроника» в Научно-исследовательском институте физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана. Далиев Х.С. также является членом экспертной комиссии по физике ВАК при КМ Республики Узбекистан.

15 сентября 2019 году Постановлением Кабинета Министров республики Узбекистан Далиев Х.С. назначен исполнительным директором Филиала "Национального исследовательского университета "МЭИ" в городе Ташкенте.

В 2011 году, за заслуги в области укрепления независимости Республики, подготовки высококвалифицированных кадров, он награжден нагрудным знаком «20 лет независимости Республики Узбекистан».

С 2019 года Далиев Х.С. является действительным членом Петровской академии наук и искусств России.

Профессор Далиев Х.С. является известным ученым, организатором науки, требовательным руководителем и имеющим большой педагогический организаторский опыт, заслуженно пользуется уважением среди сотрудников Филиала и научного сообщества Узбекистана.

Научные публикации:

Научные труды

Далиева Хожакбара Султановича

1. Зайнабидинов С.З., Далиев Х.С. Дефектообразование в кремнии. Ташкент, Университет, 1993, 191 с.

2. Зайнабидинов С.З., Власов С.И., Заугольникова Е.Г., Каримов И.Н., Далиев Х.С. Влияние  -облучения на свойства МДП структур. ФТП, 1984, т.18, в.4, с.727-729.

3. Далиев Х.С., Лебедев А.А., Султанов Н.А., Экке В. Параметры глубоких уровней в Si. ФТП, 1985, т.19, в.2, с.338-340.

4. Далиев Х.С., Лебедев А.А., Экке В. Оценка профиля распределения степени окисления кремния в переходном слое Si-SiO2. ФТП, 1985, т.19, в.6, с.1156-1158.

5. Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Далиев Х.С., Лебедев А.А., Утамурадова Ш.Б. Взаимодействие кислорода с марганцем в n-Si . ФТП, 1985, в.6, с.1158-1159.

6. Абдурахманов К.П., Далиев Х.С., Лебедев А.А., Утамурадова Ш.Б. Исследование влияния  - облучения на свойства n-Si с помощью DLTS. ФТП, 1985, т.19, в.9, с.1617- 1619.

7. Абдурахманов К.П., Далиев Х.С., Куликов Г.С., Лебедев А.А., Назиров Д.Э., Утамурадова Ш.Б. Исследование взаимодействия железа с другими элементами в кремнии. ФТП, 1986, т.20, в.1, с.185-186.

8. Далиев Х.С., Лебедев А.А., Экке В. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП-структур, облученных - квантами при наличии электрического поля в диэлектрике. ФТП,1987,т.21, в.1, с.23-29.

9. Далиев Х.С., Лебедев А.А., Экке В. Влияние термообработки на плотность радиационных дефектов в диэлектрике и на поверхности полупроводника кремниевых МДП-стркутур.ФТП,1987,т.21,в.5,с.836-841

10. 27. Лебедев А.А., Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б. Взаимодействие атомов марганца с кислородом и углеродом в кремнии. Препринт ФТИ АН СССР, № 1318, Ленинград, 1989, 17 с.

11. Лебедев А.А., Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б. Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si. ФТП, 1989, т.23, в.12, с.2227-2229.

12. Лебедев А.А., Абдурахманов К.П., Утамурадова Ш.Б., Далиев Х.С., Султанов Н.А. Кинетика распада в системе кремний-марганец и межпримесное взаимодействие в кремнии, легированном марганцем и цинком. В кн.: “Свойства легированных полупроводниковых материалов”, Москва, Наука, 1990, с.14-18.

13. Зайнабидинов С.З., Абдурахманов К.П., Лебедев А.А., Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Ходжаев М.Д. Взаимодействие никеля с атомами различных элементов в кремнии. В кн.: “Свойства легированных полупроводниковых материалов”, Москва, Наука, 1990, с.19-22.

14. Zainabidinov S.Z., Daliev Kh.S., Abdurakhmanov K.P., Utamuradova SH.B., Khаmidjonov I.KH., Mirzamurodov I.A. The influence of the impurities with deep levels on the iron behavior in silicon. Modern Physics Letters B, 1997, Vol. 11, No. 20, p. 909-912.

15. Абдурахманов К.П., Утамурадова Ш.Б., Далиев Х.С., Очилова Н.Х. О дефекто-обравзовании в кремнии с примесями марганца и цинка. Гелиотехника, 1998, № 2, с.91-93.

16. Абдурахманов К.П., Утамурадова Ш.Б., Далиев Х.С., Тажи-Аглаева С.Г., Эргашев Р.М. Процессы дефектообразовании в кремнии, легированном марганцем и германием. ФТП, 1998, т.32, № 6, с.676-678.

17. Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Бозорова О.А., Далиев Ш.Х., Совмест-ное влияние примесных атомов никеля и гафния на фоточувстви-тельность кремниевых солнечных элементов. Гелиотехника, 2005, №1, с.85-87.

18. Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Каландаров Э.К., Далиев Ш.Х. Об особенностях поведения атомов лантана и гафния в кремнии. «Письма в ЖТФ», 2006, т.32, в.11, с.11-15, Санкт-Петербург, Россия.

19. Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Каландаров Э.К., Далиев Ш.Х. Влияние термических об-работок на свойства крем-ния, легированного La. Узбекский физический журнал, 2006, v.8, N.6, с.365-367.

20. Далиев Х.С. Влияние термообработки на параметры МДП-струк-тур на основе нейтронно-трансмутационно легированного кремния. Естественные и технические науки, РАН, 2009, №1(39), с.28-30.

21. Далиев Х.С. Влияние примеси гадолиния на характеристики кремниевых МДП – структур. Естественные и технические науки, РАН, 2009, № 2(40), с.22-24.

22. Далиев Х.С., Бозорова О.А., Далиев Ш.Х. Изучение свойств крем-ния, легированного гафниием при выращивании. Естественные и техничес-кие науки, РАН, 2009, № 2(40), с.25-27, Москва, Россия.

23. Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Даулетмуратов Б. Далиев Ш.Х., Акимова Ж.О. Особенности дефектообразования при легировании кремния различными методами. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2009, Вып.44, с.112-116. Киев, Украина.

24. Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Далиев Ш.Х., Олимбеков З.О. О свойствах наноструктурированных пленок Zr на Si-подложке. Естественные и Технические науки, РАН, 2013, № 6 (68), С.46-49.

25. Далиев Х.С. Емкостная спектроскопия кремниевых МДП-структур с примесью ванадия. Узб.физ.журн., Vol. 19 (№3), 2017, с. 32-38. (01.00.00.№5).

26. Daliev Kh.S. MIS-structures based on neutron-transmutation doped silicon - SCIENCE AND WORLD, International scientific journal, № 3 (43), 2017, Vol. I, p.18-20. (№ 5 GIF, IF: 0.325).

27. Daliev Kh.S. Influence of gadolinium atoms on the parameters of MOS structures. SCIENCE AND WORLD, International scientific journal, № 4 (44), 2017, Vol. I, p.15-16. (№ 5 GIF, IF: 0.325).

28. Daliev Kh.S. Radiation detect formation in silicon, doped with samarium. SCIENCE AND WORLD, International scientific journal, № 8 (48), 2017, Vol. I, p.15-16. (№ 5 GIF, IF: 0.325).

29. Daliev Kh.S. Spectroscopy of Defects in Semiconductors, Doped Nickel. Journal of Scientific and Engineering Research, (JSAER) 2017, 4(5), p.211-215. (№ 5 GIF, IF: 0.543).

30. Daliev Kh.S. Influence  - irradiation on the parameters of MIS –structures with voltage and without voltage at the field electrode. J.Scientific and Engineering Research. (JSAER) Vol. 4, Issue 8 (2017) , р.23-32. (№ 5 GIF, IF: 0.543)

31. Daliev Kh.S. The characteristic parameters of silicon, doped with vanadium. World Journal of Engineering Research and Technology, (WJERT) 2017, Vol. 3, Issue 4, р. 289 -296. (№ 23 SJIF, IF: 4.326).

32. Daliev Kh.S. The energy spectrum of defects in silicon, doped with vanadium. World Journal of Research and Review (WJRR), 2017, Vol. 5, Issue 2, р. 54-56. (№ 23 СIF, IF: 2.026).

33.Х.С.Далиев, Ш.Б.Утамурадова, Ш.Х.Далиев, Ш.Б.Норкулов. Образование радиационных дефектов в кремнии, легированном ванадием. SCIENCE AND WORLD, International scientific journal, «Наука и Мир» (№ 5 (57), 2018, Vol. I, p.15-16.

34. Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev., Sh. Kh. Daliev and M.B.Bekmuratov. On the role of oxygen and ytterbium in the formation of radiation defects in silicon after gamma-irradiation. WJERT, 2018, Vol. 4, Issue 3, р. хх -хх.

 

Последняя редакция анкеты: 3 августа 2021, 14:42

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания”
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Современные проблемы науки и образования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.953

«Фундаментальные исследования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 1.094

«Современные наукоемкие технологии» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.725

«Успехи современного естествознания» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.869

«Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований», ИФ РИНЦ = 0.800

«Международный журнал экспериментального образования», ИФ РИНЦ = 0.469

«European journal of natural history», ИФ РИНЦ = 0.864

«Международный студенческий научный вестник», ИФ РИНЦ = 0.445

«Рациональное питание, пищевые добавки и биостимуляторы»

Издание научной и учебно-методической литературы, ISBN, РИНЦ, DOI