Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 15538 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Нусупов Каир Хамзаевич


Нусупов Каир Хамзаевич

Учёная степень: Доктор физико-математических наук

Ученое звание: Профессор

Член-корреспондент Российской Академии Естествознания

Научное направление: Физико-математические науки

Регион: Казахстан

Индекс цитирования научной биографии: 1 (по количеству внешних ссылок)

Рейтинг: 62 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Известные Ученые"

Нусупов Каир Хамзаевич родился 26.12.1940 г в г.Алма-Ата (Казахстан). 21.12.1965 г. окончил Новосибирский электротехнический институт по специальности «Полупроводниковые приборы». После обучения в 1967-1973 гг. в аспирантуре Физического института им. П.Н.Лебедева АН СССР (г.Москва) Нусупов К.Х. в 1973 году защищает кандидатскую диссертацию в этом учреждении. В институте ядерной физики Казахстана (1973-1976) Нусупов К.Х. впервые в СССР осуществляет перевод линейного ускорителя тяжелых ионов (ИЛУ-4) на низкие энергии (см. «Ионно-лучевая модификация материалов. Аналитический обзор.» Москва, 1987) для создания высококачественных наноструктур и p-n-переходов. В 1976-1996 гг. в Институте физики высоких энергий АН КазССР Нусупов К.Х., будучи заведующим лаборатории детекторов частиц высоких энергий, разрабатывает и создает лучшие в СССР полупроводниковые детекторы ядерных частиц для космического спутника специального назначения, проработавших в открытом космосе более 20000 часов (официальное подтверждение имеется). Докторская диссертация: «Имплантация кремния высокими дозами углерода: структурные особенности и фазовые превращения» по специальности “01.04.07 – физика конденсированных сред” защищена 15.04.1996 г. в Специализированном Совете Д.002.39.02 (Лауреата Нобелевской премии Басова Н.Г.) Физического института им. П.Н.Лебедева Российской Академии наук (г. Москва, Россия). Профессор (Республика Казахстан, 2010 г.), член-корреспондент Российской Академии Естествознания (2014 г.), член Нью-Йоркской Академии наук (2005 г), заслуженный деятель науки и образования РАЕ, основатель научной школы.

Имеет стаж работы в США (г.Нью-Йорк и др.) – 10 лет, в России (г.Москва) – 5 лет, в военно-промышленном комплексе СССР – 15 лет. В настоящее время является заведующим лаборатории нанотехнологий Казахстанско-Британского Технического Университета (г.Алматы, Казахстан). Основное научное направление: Физико-математические науки. Научные интересы - физика твердого тела, полупроводники, приборостроение, ускорители тяжелых ионов, структура и свойства тонких пленок, разработка солнечных батарей.

Индекс Хирша – 6. Имеет 124 научных публикаций, включая патент США и 2 главы в книгах дальнего зарубежья, опубликованных издательством InTech, на которые зарегистрировано 4121 запросов специалистов из 194 стран, включая 817 из США, 133 из Германии и 113 из Японии. Является руководителем гранта Комитета науки МОН РК «Исследование диффузионных барьеров для контактной системы солнечных батарей». Подготовлены 3 кандидата физ.-мат.наук и 1 доктор наук. Женат, имеет дочь.

Научные публикации:

Имеет цикл работ по ионной имплантации, структуре и физическим свойствам тонких пленок, в том числе:

главы в европейских книгах:

1. Kair Nussupov and Nurzhan Beisenkhanov. The Formation of Silicon Carbide in the SiCx Layers (x = 0.03-1.4) Formed by Multiple Implantation of C Ions in Si. // In book: Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices. Moumita Mukherjee (Ed.). 2011. Chapter 4. InTech. P. 69-114. ISBN: 978-953-307-968-4. Available from: http://www.intechopen.com/books/silicon-carbide-materials-processing-and-applications-in-electronic-devices/the-formation-of-silicon-carbide-in-the-sicx-layers-x-0-03-1-4-formed-by-multiple-implantation-of-c- 3155 зарегистрированных InTech запроса специалистов из 194 стран мира (США - 584, Китай - 209, Германия - 104, Япония - 87, Россия – 80 и др.)

2. Kair Kh. Nussupov and Nurzhan B. Beisenkhanov. Ion Synthesis of SiC and Its Instability at High Temperatures // In book: Physics and Technology of Silicon Carbide Devices. Dr. Yasuto Hijikata (Ed.). 2013. Chapter 3. InTech. PP.47-96. ISBN: 978-953-51-0917-4. DOI: 10.5772/51389. Available from: http://www.intechopen.com/books/physics-and-technology-of-silicon-carbide-devices/ion-synthesis-of-sic-and-its-instability-at-high-temperatures, 961 зарегистрированных запроса специалистов из 65 стран (233 из США).

Статьи в европейских журналах:

1. On the Identification of the Vibrational-Spectra in Hydrogen Implanted Crystalline Silicon Mukashev BN; Nussupov KH; Tamendarov MF; et al. // Physics Letters. A. Vol. 87. Iss. 7. P. 376-380. 1982. Total Citations 31

2. New Infrared-Absorption Bands in Hydrogen-Implanted Silicon Mukashev BN; Nussupov KH; Tamendarov MF. // Physics Letters. A. Vol. 72. Iss. 4-5. P. 381-383. 1979. Total Citations 31

3. Investigation of the Formation of Si and SiC Crystalline Phases in Room-Temperature C+ Implanted Si Nussupov KK; Sigle VO; Bejsenkhanov NB. // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Vol. 82. Iss. 1. P. 69-79. 1993. Total Citations 16

4. Investigation of Structure and Phase-Transformations in Silicon Implanted with C-12(+) at Room-Temperature Nussupov KK; Bejsenkhanov NB; Tokbakov J. // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Vol. 103. Iss. 2. P. 161-174. 1995. Total Citations 12

5. Divacancy in Silicon Irradiated by Protons Mukashev BN; Nussupov KH; Tamendarov MF. // Physica Status Solidi. B. Vol. 96. Iss. 1. P. K17-K19. 1979. Total Citations 11

6. Study of Primary and Secondary Radiation Defects Formation and Annealing in Para-type Silicon Mukashev BN; Kolodin LG; Nussupov KH; et al. // Radiation Effects and Defects in Solids. Vol. 46. Iss. 1-2. P. 79-84. 1980. Total Citations 6

7. Influence of Acceptor Impurity Concentration and Irradiation Temperature on Defect Formation in Para-type Silicon Irradiated with Electrons Mukashev BN; Kolodin LG; Nussupov KH; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 12. Iss. 5. P. 551-553. 1978. Total Citations 3

8. Structure Properties of Carbon Implanted Silicon Layers Nussupov K.Kh.; Beisenkhanov N.B.; Valitova I. V.; et al. // Journal of Materials Science - Materials in Electronics. Vol. 19. Supplement. 1. P. S254-S262. 2008. Total Citations 2

9. Electrical-Properties of Shallow Implanted Layers in Silicon Mukashev BN; Kusainov ZA; Nussupov KH; et al. // Physica Status Solidi. A. Vol. 78. Iss. 1. P. K19-K22. 1983. Total Citations 2

10. Characteristic Features of Implantation of Low-Energy Phosphorus Ions in Silicon Akhmetov MA; Kusainov ZA; Mukashev BN; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 14. Iss. 4. P. 477-478. 1980. Total Citations 2

11. Kinetics of Annealing of Radiation Defects in P-type Silicon at Temperatures of 150-300-Degrees-K Mukashev BN; Kolodin LG; Nussupov KH; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 12. Iss. 6. P. 697-699. 1978. Total Citations 2

12. Radiation Defects in P-type Silicon Irradiated with 30 MEV Protons Grigoreva GM; Kolodin LG; Kreinin LB; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 11. Iss. 11. P. 1278-1280. 1977. Total Citations 2

13. Orientational Dependence of Defect Formation in N-type Gallium-Arsenide Irradiated with 30 MEV Protons Tamendarov MF; Kusainov ZA; Mukashev BN; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 11. Iss. 10. P. 1144-1146. 1977. Total Citations 1 .

14. Structure and Composition of Silicon Carbide Films Synthesized by Ion Implantation By: Nussupov, K. Kh.; Beisenkhanov, N. B.; Zharikov, S. K.; et al. // Physics of the Solid State –Vol. 56. Iss. 11 P. 2307-2321. 2014.

15. An Influence of Plasma Treatment on Structure Properties of Thin SiC Films on Si Nussupov K.Kh; Beisenkhanov N.B.; Mit K.A.; et al. // High Temperature Material Processes. Vol. 14. Iss. 1-2. P. 193-203. 2010. Total Citations 0.

16. Structural Studies of Thin Silicon Layers Repeatedly Implanted by Carbon Ions Nusupov K.Kh.; Beisenkhanov N.B.; Valitova I. V.; et al. // Physics of the Solid State. Vol. 48. Iss. 7. P. 1255-1267. 2006. Total Citations 0.

17. Ion Implantation Apparatus Comprises Ion Implantation Unit and Target Presentation Unit Including Lateral Loading Chamber, Screw Conveyors, Doors, Docking Mechanism, Looped Chain Conveyor, Motor, Heater, Cooler, and Sensors Patent Number US6414328-B1; CA2388400-A1. Patent Assignee Nussupov K. Inventor(s): Nussupov K. 2002. Total Citations 0.

18. Distribution Profiles of Phosphorus in Silicon after Ion-Implantation Mukashev BN; Nussupov KH; Kusainov ZA; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 16. Iss. 1. P. 69-72. 1982. Total Citations 0.

19. Recombination Properties of Silicon Doped by Implantation of Hydrogen-Ions Mukashev BN; Nussupov KH; Tamendarov MF.; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 14. Iss. 9. P. 1069-1070. 1980. Total Citations 0.

20 Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Дощанов А.М., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х. Синтез β-SiC в слоях SiCx (x = 0,03-1,4) многократной имплантацией ионов С в Si // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2011. 2. С. 38-45.

21. И.К.Бейсембетов, К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, Т.К.Ахметов, Р.Ивлев. Структура наноразмерных пленок углерода и карбида кремния на кремнии, полученных магнетронным и ионно-лучевым распылением мишени // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. Изд. "Радиотехника" (Москва). 2012. 3(4). С. 30-35.

22. И.К.Бейсембетов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, К.Х.Нусупов, Т.К.Ахметов, Б.Ж.Сеитов. Инфракрасная спектроскопия ионно-синтезированных тонких пленок карбида кремния // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2013. 4(1). С. 42-55.

23. Бейсенханов Н.Б., Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Токмолдин С.Ж., Валитова И.В., Глазман В.Б., Аймагамбетов А.Б., Дмитриева Е.А. Исследование структурных превращений в тонких пленках SnOx // Поверхность. 10. (Москва). 2005. С.93-100.

24. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Дощанов А.М., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х. Синтез пленок со структурой типа алмаза (С, SiC) на кремнии осаждением либо имплантацией ионов 12C // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2011. 3(1). С. 50-55.

25 Нусупов К.Х., В.О.Сигле, Бейсенханов Н.Б., Токбаков Дж. Неразрушающий метод измерения концентрации электрически активных центров в области p-n перехода.- Электронная техника. 1990, серия 7, ТОПО, вып.5 (162), С. 67-70.

26 И.К.Бейсембетов, К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, Т.К.Ахметов, Б.Ж.Сеитов. Формирование и структура наноразмерного слоя карбида кремния на кремнии при имплантации ионов углерода высоких доз // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. – Изд. "Радиотехника" (Москва). 2013. 4(2). С. 36-42.

и другие.

Нусупов Каир Хамзаевич имеет награды:

Почетное звание "Заслуженный деятель науки и образования РАЕ"
Почетное звание "Основатель научной школы"

 

Публикации в изданиях Российской Академии Естествознания: 1 / перечень публикаций

Последняя редакция анкеты: 1 июня 2015, 15:45

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания”
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Современные проблемы науки и образования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 1.028

«Фундаментальные исследования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 1.162

«Современные наукоемкие технологии» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.738

«Успехи современного естествознания» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.906

«Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований», ИФ РИНЦ = 0.847

«Международный журнал экспериментального образования», ИФ РИНЦ = 0.485

«European journal of natural history», ИФ РИНЦ = 0.864

«Международный студенческий научный вестник», ИФ РИНЦ = 0.622

«Рациональное питание, пищевые добавки и биостимуляторы»

Издание научной и учебно-методической литературы, ISBN, РИНЦ, DOI