RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 15779 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Таланин Виталий Игоревич


Учёная степень: кандидат физико-математических наук

Ученое звание: доцент

Профессор Российской Академии Естествознания

Научное направление: Физико-математические науки

Регион: Украина

Индекс цитирования научной биографии: 4 (по количеству внешних ссылок)

Рейтинг: 123 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Известные Ученые"

Родился 02 ноября 1977 г. в г. Запорожье. В 1995-2000 гг. окончил Запорожскую государственную инженерную академию (ЗГИА), получив квалификацию: 1) инженера электронной техники, 2) менеджера-маркетолога электронной техники. В 2002 г. там же окончил аспирантуру, защитив диссертацию. В 2005-2006 гг. окончил Гуманитарный университет «Запорожский институт государственного и муниципального управления» (ГУ «ЗИГМУ»), получив квалификацию инженера-программиста. В 2005 г. присвоено ученое звание доцента по кафедре программирования и информационных технологий. В 2012 г. присвоено ученое звание профессора Российской Академии Естествознания.

В 2002-2003 гг. – ассистент на кафедре физической и биомедицинской электроники ЗГИА. В 2003-2006 гг. – доцент кафедры программирования и информационных технологий ГУ «ЗИГМУ» (с 2007 г. – Классического приватного университета, КПУ), в 2006-2012 гг. – профессор этой же кафедры, одновременно в 2010-2012 гг. и.о. зам. зав. кафедрой. В марте-мае 2012 г. – профессор кафедры системного анализа и программной инженерии КПУ. С июня 2012 г. - профессор, заместитель заведующего кафедрой компьютерных наук и программной инженерии Запорожского института экономики и информационных технологий (ЗИЭИТ).

С янв. 2011 г. член редколлегии научного журнала «Journal of Crystallization Process & Technology» (изд. дом Scientific Research Publishing, г. Ирвин (Irvine), штат Калифорния, США). С дек. 2011 г. член редколлегии научного журнала «Science & Technology» (изд. дом Scientific & Academic Publishing, г. Роземед (Rosemead), штат Калифорния, США).

В 2013, 2014, 2015, 2016 член Программного Комитета 1th (Португалия), 2nd (Португалия), 3rd (Португалия) и 4th (Бразилия) World Conference on Information Systems and Technologies.

В 2015, 2016 член Технического Программного Комитета 1th и 2nd International Conference on Semiconductor Physics and Devices (Китай) .

Биография опубликована в справочном издании «Who´s Who in Science and Engineering 2006-2007, 9th Edition» (изд. дом Marquis Who’s Who, г. Беркли (Berkeley), штат Нью-Йорк, США). В 2002 и 2003 гг. Стипендиат Кабинета Министров Украины. В 2007 и 2008 гг. дважды получал Грант Президента Украины для поддержки научных исследований молодых ученых.

Основные направления научных исследований: 1) физическое материаловедение (межатомное взаимодействие в твердых телах, дефектообразование в полупроводниках, нанотехнологии и т.д.); 2) компьютерные науки (компьютерное моделирование физических процессов и т.д.); 3) российская и зарубежная история.

Основные результаты научных исследований бездислокационных монокристаллов кремния, выращенных методами бестигельной зонной плавки и Чохральского: 1) введены понятия первичных и вторичных ростовых микродефектов (РМ); 2) экспериментально и теоретически подтверждено отсутствие рекомбинации собственных точечных дефектов при температурах, близких к температуре плавления; 3) введено понятие и построена матем. модель высокотемпературной преципитации; 4) построены матем. модели, описывающие процесс образования вакансионных микропор и межузельных дислокационных петель; 5) построена диффузионная модель образования РМ; 6) разработан программный продукт для анализа и расчета дефектной структуры; 7) проведён расчёт дефектной структуры в рамках модели твёрдого тела А.А.Власова и показано, что модель Власова применима не только для идеальных кристаллов, но и для описания образования дефектной структуры реальных кристаллов.

Основные результаты в гуманитарных науках: 1) реконструирована генеалогия боярского рода из Неревского конца Великого Новгорода с X по XV вв.; 2) показано, что основателем этого рода является первый исторический новгородский посадник, дядя по матери Великого Князя Владимира I Святославича, прототип былинного «Добрыни Никитича», Добрыня Нискинич, сын последнего древлянского князя; 3) определены представители этого рода, не сведенные из новгородских земель, оставшиеся в Великом Новгороде и Двинской земле в XV-XVI вв.; 4) установлено, что после XVI в. потомками этого аристократического рода стали несколько провинциальных русских родов – Таланины, Пономарёвы, Проскуряковы (Проскурниковы), Третьяковы, Поповы Нижегородской губернии, а также Лентьевы, Молодых Бояр, Кологривовы, Амосовы Архангельской губернии; 5) детально реконструирована генеалогия рода Таланиных с XVI по ХХI вв., которая, с учетом боярских предков X-XVI вв. насчитывает 32 поколение непрерывной генеалогической преемственности; 6) реконструирована генеалогия галицких Нискиничей в XI-XIII вв. и показано, что к этому роду принадлежали галицкие «кормильчичи» первой половины XIII в.; 7) детально реконструирована генеалогия венгерской ветви Нискиничей в XIII-XV вв.

Научные публикации:

Общее количество научных и учебно-методических публикаций – 186 (на сентябрь 2016 г.), в т.ч. 9 монографий (6 личных + 3 коллективных).

Монографии:

Talanin V.I., Talanin I.E. Formation of Grown-in Microdefects in Dislocation-free Silicon Monocrystals // In: New Research on Semiconductors / Ed. T.B.Elliot. – New York: Nova Sci. Publ., 2006. – Р. 31-68.

Таланин В.И. Моделирование и свойства дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния. – Запорожье: ГУ «ЗИГМУ», 2007. – 275 с.

Таланин В.И., Таланин И.Е., Мазурский А.И., Максимчук М.Л. Разработка программного обеспечения для расчета ростовой дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния // В кн.: Алгоритмы и программы для исследования физических процессов в твердых телах / Под ред. А.Н.Горбаня. – Запорожье: КПУ, 2009. – С. 67-114.

Talanin V.I., Talanin I.E. The Diffusion Model of Grown-in Microdefects Formation During Crystallization of Dislocation-Free Silicon Single Crystals // In: Advances in Crystallization Processes / Ed. Y. Mastai. – Rijeka: INTECH Publ., 2012. – Р. 611-632.

Таланин В.И. У истоков Руси. Очерки истории IX-XI вв. – Запорожье: ЗГИА, 2001. – 345 с.

Таланин В.И. Русские сословия: история и современность. – Запорожье: ЗНУ, 2006. – 534 с.

Таланин В.И. Род Таланиных в истории Богородска. – Богородск: «Вариант», 2015. – 200 с.

Таланин В.И. Древнерусская доваряжская аристократия X-XVI вв. и её потомки: генеалогическое исследование. – Запорожье: ЗНУ, 2015. – 168 с.

Таланин В.И. Русская и русско-венгерская знать X-XV вв.: историко-генеалогическое исследование. – Запорожье: ЗНУ, 2016 – 226 с.

Основные научные статьи в зарубежных реферируемых журналах:

1. V.I.Talanin, I.E.Talanin, D.I.Levinson. Physics of the formation of microdefects in dislocation-free monocrystals of float-zone silicon // Semicond. Sci. & Technol. Vol. 17 (2002). 104.

2. V.I.Talanin, I.E.Talanin, D.I.Levinson. Physical model of paths of microdefects nucleation in dislocation-free single crystals float-zone silicon // Cryst. Res. & Technol. Vol. 37 (2002). 983.

3. V.I.Talanin, I.E.Talanin. Physical nature of grown-in microdefects in Czochralski-grown silicon and their transformation during various technological effects // Phys. Stat. Sol. (a). Vol. 200 (2003). 297.

4. V.I.Talanin, I.E.Talanin. Mechanism of formation and physical classification of the grown-in microdefects in semiconductor silicon // Defect & Diffusion Forum. Vol. 230-232 (2004). 177.

5. V.I.Talanin, I.E.Talanin. On the recombination of intrinsic point defects in dislocation-free silicon single crystals // Phys. Solid State. Vol. 49 (2007). 467.

6. V.I.Talanin, I.E.Talanin, A.A.Voronin. About the simulation of primary grown-in microdefects in dislocation-free silicon single crystals formation // Canadian Journal of Physics. Vol. 85 (2007). 1459.

7. V.I.Talanin, I.E.Talanin. Kinetics of formation of vacancy microvoids and interstitial dislocation loops in dislocation-free silicon single crystals // Phys. Solid State. Vol. 52 (2010). 1880.

8. V.I.Talanin, I.E.Talanin. Kinetics of high-temperature precipitation in dislocation-free silicon single crystals // Phys. Solid State. Vol. 52 (2010). 2063.

9. V.I.Talanin, I.E.Talanin. Kinetic model of growth and coalescence of oxygen and carbon precipitates during cooling of as-grown silicon crystals // Phys. Solid State. Vol. 53 (2011). 119.

10. V.I.Talanin, I.E.Talanin, N.F. Ustimenko. A new method for research of grown-in microdefects in dislocation-free silicon single crystals // J. Cryst. Proc. & Technol. Vol. 1 (2011). 13.

11. V.I.Talanin, I.E.Talanin. A selective review of the simulation of the defect structure of dislocation-free silicon single crystals // Open Cond. Matt. J. Vol. 4 (2011). 8.

12. V.I.Talanin, I.E.Talanin. A kinetic model of the formation and growth of interstitial dislocation loops in dislocation-free silicon single crystals // J. Crystal Growth. Vol. 346 (2012). 45.

13. Talanin V.I., Talanin I.E. Diffusion model of the formation of growth microdefects as applied to the description of defect formation in heat-treated silicon single crystals // Phys. Solid State. Vol. 55 (2013). 282.

14. Talanin V.I., Talanin I.E. On the problem of the consistency of the high-temperature precipitation model with the classical nucleation theory // Phys. Solid State. Vol. 56 (2014). 2043.

15. V.I. Talanin, I.E. Talanin. Diffusion model of the formation of growth microdefects: a new approach to defect formation in crystals (Review) // Phys. Solid State. Vol. 58 (2016) 427.

16. V.I. Talanin, I.E. Talanin. Complex formation in semiconductor silicon within the framework of the Vlasov model of a solid state // Phys. Solid State. Vol. 58 (2016) 2050.

Таланин Виталий Игоревич имеет награды:

Звание "Почетный доктор наук (DOCTOR OF SCIENCE, HONORIS CAUSA)"

 

Последняя редакция анкеты: 14 сентября 2016, 14:00

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания”
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Современные проблемы науки и образования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.953

«Фундаментальные исследования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 1.094

«Современные наукоемкие технологии» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.725

«Успехи современного естествознания» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.869

«Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований», ИФ РИНЦ = 0.800

«Международный журнал экспериментального образования», ИФ РИНЦ = 0.469

«European journal of natural history», ИФ РИНЦ = 0.864

«Международный студенческий научный вестник», ИФ РИНЦ = 0.445

«Рациональное питание, пищевые добавки и биостимуляторы»

Издание научной и учебно-методической литературы, ISBN, РИНЦ, DOI