-
Перенос излучения в GaN осуществляется двумя способами: баллистическим, соответствующим экситон-поляритонному механизму распространения света, и диффузным, определяемым резонансным рассеянием фотонов на донорных центрах. Соответствующие времена задержки сигнала в окрестности резонанса экситона, связанного на нейтральном доноре, близки и зависят линейно от длины образца. Распространение света в окрестности экситонных резонансов в GaN существенно замедлено - эффективная групповая скорость падает до 2100 км/сек.
-
Аномально поляризованный пик фотолюминесценции в окрестности А экситона, наблюдаемый методом поляризационной спектроскопии с высоким пространственным разрешением в кристаллах, эпитаксиальных слоях и наноколоннах GaN и ZnO, возникает как результат замешивания продольных и поперечных экситон-поляритонных мод, а также процессов рассеяния между поляритонными ветвями, частично объединенными вследствие близости резонансов экситонов разных типов с одинаковой поляризацией.
-
Кинетика излучения в GaN различна для безфононных экситонных линий и для их фононных реплик и двухэлектронных переходов. Это различие определяется разной длиной поглощения и сечением рассеяния на частоте переходов, и, как следствие, неодинаковым влиянием поверхности. Излучательные времена жизни экситонов в объеме материала наиболее адекватно описываются кинетикой двухэлектронных переходов и фононных реплик, поляризация которых зависит от симметрии вовлекаемых в процесс фононов и примесей.
-
В слоях и наноструктурах на основе А3-нитридов и А2-оксидов в областях сосредоточения инверсных доменов существует нано-метрическая флуктуация потенциального рельефа. В результате, в структурах смешанной полярности появляются дополнительные полоса излучения и край поглощения, а также происходит снижение величины встроенных электрических полей, обусловленных явлениями спонтанной и пьезоэлектрической поляризации.
-
В местах пересечения квантовых ям с инверсными доменами реализуется трехмерное ограничение экситонов, приводящее к появлению узких линий экситонной люминесценции, характерная дублетная структура которых в GaN/AlGaN квантовых ямах отражает формирование экситонных комплексов (трионов). При наличии подобной локализации в ZnO/ZnMgO квантовых ямах возможность достижения стимулированного излучения определяется статистическим распределением локализованных экситонных состояний в ямах и барьерах.
-
Полупроводниковые соединения с металлическими включениями (кластерами) представляют собой нанокомпозиты, эффективная диэлектрическая функция которых зависит от формы, количества кластеров и отклонения матрицы от стехиометрии. В таких материалах, в частности InN/In, процессы излучения и поглощения света, а также генерации фототока могут происходить в пространственно различных областях, в разной степени подверженных влиянию локальных плазмонов (Ми резонансов), возбуждаемых в кластерах.
-
В нанокомпозите InN/In яркая инфракрасная люминесценция, области излучения которой пространственно совпадают с металлическими кластерами, и край термически детектируемого поглощения определяются, соответственно, радиационным и диссипативным затуханием плазмонных резонансов, наряду с усилением дипольных переходов локальными электрическими полями плазмонов. Величина усредненного усиления (<102) и спектральное положение его максимума зависят от статистического распределения кластеров. Переходы между параллельными зонами в In и межзонные переходы в InN селективно подавляют плазмонное усиление.
2.T. V. Shubina, S. V. Ivanov, V. N. Jmerik, D. D. Solnyshkov, V. A. Vekshin, P. S. Kop’ev, A. Vasson, J. Leymarie, A. Kavokin, H. Amano, K. Shimono, A. Kasic and B. Monemar, Mie Resonances, Infrared Emission, and the Band Gap of InN // Phys. Rev. Lett. – 2004 – Vol. 92 – P. 117407.
3.T. V. Shubina, T. Paskova, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, and B. Monemar, Polarised micro-photoluminescence and reflectance spectroscopy of GaN with k⊥c: strongly π-polarized line near the A exciton // Phys. Rev. B – 2002 – Vol. 65 – P. 075212.
4.A. A. Toropov, O. V. Nekrutkina, T. V. Shubina, Th. Gruber, C. Kirchner, A. Waag, K. F. Karlsson, P. O. Holtz, and B. Monemar, Temperature-dependent exciton polariton photoluminescence in ZnO films // Phys. Rev. B – 2004 – Vol. 69 – P. 165205.
5.A. A. Toropov, Yu. E. Kitaev, T. V. Shubina, P. P. Paskov, J. P. Bergman, B. Monemar, and A. Usui, Polarization-resolved phonon-assisted optical transitions of bound excitons in wurtzite GaN // Phys. Rev. B. – 2008 – Vol. 77 – P. 195201.
6.B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A. A. Toropov, T. V. Shubina, T. Malinauskas, and A. Usui, Recombination of free and bound excitons in GaN // Phys. Stat. Sol. (b) –2008 – Vol. 245, No. 9 – P. 1723–1740.
7.T. V. Shubina, A. A. Toropov, O. G. Lublinskaya, P. S. Kop’ev, S. V. Ivanov, A. El-Shaer, M. Al-Suleiman, A. Bakin, A. Waag, A. Voinilovich, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, J. P. Bergman, G. Pozina, and B. Monemar, Recombination dynamics and lasing in ZnO/ZnMgO single quantum well structures // Appl. Phys. Lett. – 2007 – Vol. 91 – P. 201104.
8.T. V. Shubina, A. A. Toropov, V. N. Jmerik, M. G. Tkachman, A. V. Lebedev, V. V. Ratnikov, A. A. Sitnikova, V. A. Vekshin, S. V. Ivanov, P. S. Kop’ev, P. Bigenwald, J. P. Bergman, P. O. Holtz, and B. Monemar, Intrinsic electric fields in N-polarity GaN/AlGaN quantum wells with inversion domains // Phys. Rev. B – 2003 – Vol. 67 – P. 195310.
9.T. V. Shubina, V. N. Jmerik, S. V. Ivanov, P. S. Kop´ev A. Kavokin, K. F. Karlsson, P. O. Holtz, and B. Monemar, Narrow-line excitonic photoluminescence in GaN/AlxGa1–xN quantum well structures with inversion domains // Phys. Rev. B –2003 – Vol. 67 – P. 241306 (R).
10.S. V. Ivanov, T. V. Shubina, V. N. Jmerik, V. A. Vekshin, P. S. Kop´ev, and B. Monemar, Plasma-assisted MBE growth and characterization of InN on sapphire // J. Crystal Growth – 2004 – Vol. 269 – P. 1-9.
11.T. V. Shubina, S. V. Ivanov, V. N. Jmerik, M. M. Glazov, A. P. Kalvarskii, M. G. Tkachman, A. Vasson, J. Leymarie, A. Kavokin, H. Amano, I. Akasaki, K. S. A. Butcher, Q. Guo, B. Monemar, and P. S. Kop’ev, Optical properties of InN with stoichoimetry violation and indium clustering // Phys. Stat. Sol. (a) – 2005 – Vol. 202, no. 3 – P. 377–382.
12.T.P. Bartel, C. Kisielowski, P. Specht, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, and S.V. Ivanov, High resolution transmission electron microscopy of InN // Appl. Phys. Lett. – 2007 – Vol. 91 – P. 101908.
13.В.В.Ратников, Р.Н.Кютт, Т.В.Шубина, Рентгеновское измерение тензора микродисторсии и анализ на его основе дислокационной структуры толстых слоев GaN, полученных методом хлоргидридной газофазной эпитаксии // ФТТ – 2000 – Т. 42, вып. 12 – С. 2140-2146.
14.V. V. Ratnikov, T. V. Shubina, R. N. Kyutt, T. Paskova, E. Valcheva, and B. Monemar, Bragg and Laue x-ray diffraction study of dislocations in thick hydride vapor phase epitaxy GaN films // J. Appl. Phys. – 2000 – Vol. 88 – P. 6252-6254.
15.V.V. Ratnikov, R.N. Kyutt, T.V. Shubina, T. Paskova, E. Valcheva, B. Monemar, X-Ray Mesurement of Deformation Tensor and Analysis on its Base of GaN Layer Dislocation Structure // Surface – 2001 – Vol. 10 – P. 101-104.
16.T.V. Shubina, A.A. Toropov, V.V. Ratnikov, R.N. Kyutt, S.V. Ivanov, T. Paskova, E. Valcheva, and B. Monemar, Polarized Photoluminescence Spectroscopy of HVPE GaN with Different Diclocation Structures // J. J. Appl. Phys., Proc. IWN – 2000 – P. 595-598.
17.T. V. Shubina, M. M. Glazov, A. A. Toropov, N. A. Gippius, J. P. Bergman, B. Monemar, A. Usui, A. Vasson, J. Leymarie, S. V. Ivanov, and P. S. Kop´ev, Slow light in GaN // Proc. 16th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology" – Vladivostok, Russia – 2008 – Р. 152-154.
18.Т.В. Шубина, Спектроскопия вюрцитных полупроводников с высоким пространственным и временным разрешением // Труды международной зимней школы по физике полупроводников, – 2005 – С.-Петербург-Зеленогорск – C. 38-43.
19.T. V. Shubina, A. A. Toropov, A. V. Lebedev, S. V. Ivanov, T. Paskova, and B. Monemar, Micro-Photoluminescence Spectroscopy of Exciton-Polaritons in GaN with the Wave Vector K Normal to the C Axis // Phys. Stat. Sol. – 2001 – Vol. 228 (2) – P. 481-484.
20.T. V. Shubina, M.G. Tkachman, A.A. Toropov, A.I. Karlik, S.V. Ivanov, P. S. Kop’ev, T. Paskova and B. Monemar, Dissimilatery between Cleaved Edge and Surface Regions of GaN (0001) Epitaxial Layers Studied by Spatially-Resolved Photoluminescence and Reflectivity // Proc. 9th Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia – 2001 – P. 146-147.
21.T. V. Shubina, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, T. Paskova, and B. Monemar, Peculiarities of Exciton-Polaritons in GaN at Different Polarizations Studies by μ-Photoluminescence Spectroscopy // Phys. Stat. Sol. (a) – 2002 – Vol. 190 – P. 205-208.
22.М.Г. Ткачман, Т.В. Шубина, В.Н. Жмерик, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Т. Паскова, Б. Монемар, Фононная люминесценция экситонов в слоях GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии // ФТП – 2003 – Т. 37, вып.5 – С. 552-556.
23.A. A. Toropov, O. V. Nekrutkina, T. V. Shubina, Th. Gruber, C. Kirchner, A. Waag, K. F. Karlsson, and B. Monemar, Temperature-dependent polarized luminescence of exciton polaritons in a ZnO film // Phys. Stat. Sol. (a) – 2005 – Vol. 202, no. 3 – P. 392–395.
24.A. A. Toropov, O. V. Nekrutkina, T. V. Shubina, S. V. Ivanov, Th. Gruber, R. Kling, F. Reuss, C. Kirchner, A. Waag, K. F. Karlsson, J. P. Bergman, and B. Monemar, Excitonic Properties of ZnO Films and Nanorods // AIP Conf. Proc. – 2005 – Vol. 772 – P. 991-992.
25.B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina, Recent developments in the III-nitride materials // Phys. Stat. Sol. (a) –2007– Vol. 244 (6) – P. 1759-1768.
26.B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, A. A. Toropov, T. V. Shubina, S. Figge, T. Paskova, D. Hommel, A. Usui, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, Optical signatures of dopants in GaN // Materials Science in Semicond. Processing – 2006 –Vol. 9 – P. 168-174.
27.B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, T. Malinauskas, K. Jarasiunas, A.A. Toropov, T.V. Shubina, A. Usui, Time-resolved Spectroscopy of Excitons Bound at Shallow Neutral Donors in HVPE GaN // Materials Research Society Symposium Proceedings – 2006 – Vol. 892 – P. 479-484.
28.B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina, A. Usui, Recombination dynamics of free and bound excitons in bulk GaN // Superlattices and Microstructures – 2008 – Vol. 43, no. 5-6 – P. 610-614.
29.T. V. Shubina, V. N. Jmerik, M. G. Tkachman, V. A. Vekshin, V. V. Ratnikov, A. A. Toropov, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, J. P. Bergman, P. O. Holtz, and B. Monemar, Nanometric fluctuations of intrinsic electric fields in GaN/AlGaN quantum wells with inversion domains // Phys. Stat. Sol. (b) – 2002 – Vol. 234, no. 3 – P. 919-923.
30.T. V. Shubina, V. N. Jmerik, M. G. Tkachman, V. A. Vekshin, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, P. S. Kop´ev, J. P. Bergman, F. Karlsson, P. Holtz, and B. Monemar, Optical properties of GaN/AlGaN quantum wells with inversion domains // Phys. Stat. Sol. (a) – 2003 – Vol. 195, no. 3 – P. 537-542.
31.T. V. Shubina, V. N. Jmerik, S. V. Ivanov, D. D. Solnyshkov, N. A. Cherkashin, K. F. Karlsson, P. O. Holtz, A. Waag, P. S. Kop´ev, and B. Monemar, Polarized micro-photoluminescence spectroscopy of GaN nanocolumns // Phys. Stat. Sol. (c) – 2003 – Vol. 0 , No.7 – P. 2602–2605.
32.T.V. Shubina, S.V. Ivanov, V.N. Jmerik, A.A. Toropov, P.O. Holtz, B. Monemar, and P.S. Kop’ev, Role of Inversion Domains in Optical Properties of GaN-based Layers and Nanostructures // Proc. 11th Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" – St. Petersburg, Russia – 2003 – P. 42-43.
33.A. Vasson, T. V. Shubina, and J. Leymarie, Thermally detected optical absorption in sophisticated nitride structures // Phys. Stat. Sol. (c) – 2005 – Vol. 2, no. 2 – P. 833–836.
34.T. V. Shubina, F. Karlsson, V. N. Jmerik, S. V. Ivanov, A. Kavokin, P. Holtz, P. S. Kop’ev, and B. Monemar, Narrow-line excitonic luminescence in GaN/AlGaN nanostructures based on inversion domains // Phys. Stat. Sol. (c) – 2003 – Vol. 0, no. 7 – P. 2716-2720.
35.S.V. Ivanov, A. El-Shaer, T.V. Shubina, S.B. Listoshin, A. Bakin, A. Waag, Growth kinetics and properties of ZnO/ZnMgO heterostructures grown by radical-source molecular beam epitaxy // Phys. Stat. Sol. (c) – 2007 – Vol. 4, no. 1 – P. 154-157.
36.T. V. Shubina and M. M. Glazov, Fundamental parameters of InN versus non-stoichoimetry, Proc. 13 Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" – St. Petersburg, Russia – 2005 – P. 292-293.
37.T. V. Shubina, M. M. Glazov, S. V. Ivanov, A. Vasson, J. Leymarie, B. Monemar, T. Araki, H. Naoi, and Y. Nanishi, Effects of Non-stoichoimetry and Compensation on Fundamental Parameters of Heavily-doped InN // Phys. Stat. Sol. C – 2007 – Vol. 4, no. 7 – P. 2474-2477.
38.K. Scott A. Butcher, Marie Wintrebert-Fouquet, Patrick P.-T. Chen, Kathryn E. Prince, Heiko Timmers, Santosh K. Shrestha, Tatiana V. Shubina, Sergey V. Ivanov, Richard Wuhrer, Matthew R. Phillips, and Bo Monemar, Non-stoichiometry and Non-homogeneity in InN // Phys. Stat. Sol. (c) – 2005 – Vol. 2, no. 7 – P. 2263–2266.
39.P. S. Kop´ev, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, V. N. Jmerik, D. D. Solnyshkov, V. A. Vekshin, Effects of Stoichoimetry Violation and Indium Nano-Clusters Formation on Band Gap of InN // Proc. 12th Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" – St. Petersburg, Russia – 2004 – P. 374-375.
40.M. Kuball, J.W. Pomeroy, M. Wintrebert-Fouquet, K.S.A. Butcher, Hai Lu, W.J. Schaff, T.V. Shubina, and S.V. Ivanov, Resonant Raman Spectroscopy on InN // Phys. Stat. Sol. (a) – 2005 – Vol. 202, no. 5 – P. 763–767.
41.T. V. Shubina, S. V. Ivanov, V. N. Jmerik, A. M. Mizerov, J. Leymarie, A. Vasson, B. Monemar, and P. S. Kop’ev, Inhomogeneous InGaN and InN with In-enriched Nanostructures // AIP Conf. Proc. – 2007 – Vol. 893 – P. 269-272.
42.T. V. Shubina, D. S. Plotnikov, A. Vasson, J. Leymarie, M. Larsson, P. O. Holtz, B. Monemar, Hai Lu, W. J. Schaff, and P.S. Kop´ev, Surface-Plasmon Resonances in Indium Nitride with Metal-Enriched Nanoparticles // Journal of Crystal Growth – 2006 – Vol. 288 – P. 230-235.
43.T. V. Shubina, J. Leymarie, V. N. Jmerik, A. A. Toropov, A. Vasson, H. Amano, W. J.Schaff, Bo Monemar, and S. V. Ivanov, Optical properties of InN related to surface plasmons // Phys. Stat. Sol. (a) – 2005 – Vol. 202, no. 14 – P. 2633–2641.
44.T. V. Shubina, S. V. Ivanov, V. N. Jmerik, A. A. Toropov, A, Vasson, J. Leymarie, and P. S. Kop’ev, Plasmonic effects in InN-based structures with nano-clusters of metallic indium // Phys. Stat. Sol. (a) – 2006 – Vol. 203, no. 1 – P. 13–24.
45.T. V. Shubina, S. V. Ivanov, V. N. Jmerik, D. D. Solnyshkov, P. S. Kop´ev, A. Vasson, J. Leymarie, A. Kavokin, H. Amano, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Lu, W. J. Schaff, A. Kasic, and B. Monemar, Mie Resonant Absorption and Infrared Emission in InN Related to Metallic Indium Clusters // AIP Conf. Proc. – 2005 – Vol. 772 – P. 263-264.
46.T. V. Shubina, J. Leymarie, N. A. Gippius, A. Vasson, V. N. Jmerik, B. Monemar, and S. V. Ivanov, Localized Plasmons at Pores and Clusters within Inhomogeneous Indium Nitride Films // Phys. Stat. Sol. C –2007 –Vol. 4, no. 7 – P. 2445-2448.
47.T.A. Komissarova, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, M.A. Timofeeva, N.A. Pikhtin, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov, P.S. Kop´ev, and S.V. Ivanov, Photovoltaic effect in InN films with In clusters // Proc. 16th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" – Vladivostok, Russia – 2008 – Р. 64-65.
48.T. V. Shubina, S. V. Ivanov, V. N. Jmerik, P. S. Kop’ev, A. Vasson, J. Leymarie, A. Kavokin, H. Amano, B. Gil, O. Briot, B. Monemar, Reply on Comment of F. Bechstedt et. al. // Phys. Rev. Lett. – 2004 – Vol. 93 – P. 269702.
49.D. S. Plotnikov, T. V. Shubina, V. N. Jmerik, A. N. Semenov, and S. V. Ivanov, Optical absorption in periodic InN:In structures // Acta Physica Polonica A – 2007 – Vol. 112, no. 2 – P. 191-196.
Список литературы
1* Е.Ф. Гросс, Экситон и его движение в кристаллической решетке // Успехи физических наук –
1962 – T. LXXVI, no. 3 – C. 433-466. 2* J.J. Hopfield, Fine structure in the optical absorption edge of anisotropic crystals // Journal of
Physics and Chemistry of Solids – 1960 – Vol. 15, no. 1-2 – P. 97-107. 3* Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус, Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках – М.:
Наука. Главная редакция Физико-математической литературы, 1972. 4* S. Nakamura, G. Fasol, and I. Davies, The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers
– Berlin: Springer-Verlag Telos, 1997. 5* E.L. Ivchenko, Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures. – Alpha Science, Harrow
UK, 2005. 6* R. Loudon, The propagation of electromagnetic energy through an absorbing dielectric // J. Phys. A – 1970 – Vol. 3 – P. 233-245. 7* M. P. van Albada, B. A. Van Tiggelen, A. Lagendijk, and A. Tip, Speed of propagation of classical
waves in strongly scattering media // Phys. Rev. Lett. – 1991 – Vol. 66 – P. 3132-3135. 8* A. Kavokin and G. Malpuech, Cavity Polaritons – Elsevier, New York, 2003. 9* M. Bigelow N. N. Lepeshkin, R. W. Boyd, Superluminal and Slow Light Propagation in a Room-Temperature Solid // Science – 2003 – Vol. 301 – P. 200-203. 10*C. Klingshirn, R. Hauschild, J. Fallert, and H. Kalt, Room-temperature stimulated emission of ZnO:
Alternatives to excitonic lasing // Phys. Rev. B – 2007 – Vol. 75, P. 115203-1 – 115203-10. 11*R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Absorption, Reflectance, and
Luminescence of GaN Epitaxial Layers // Phys. Rev. B 4, 1211-1218 (1971). 12*J. S. Im, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz, and A. Hangleiter, Reduction of oscillator
strength due to piezoelectric fields in GaN/AlxGa1-xN quantum wells // Phys. Rev. B – 1997 – Vol.
57 – P. R9435. 13*E. Ozbay, Plasmonics: Merging Photonics and Electronics at Nanoscale Dimensions – Science –
2006 – Vol. 311 – P. 189-203. 14*С.И. Пекар, Теория электромагнитных волн в кристалле, в котором возникают экситоны //
ЖЭТФ – 1957 – Т. 33, вып.4, С. 1022-1036. 15*R. Stepniewski, K. P. Korona, A. Wysmolek, J. M. Baranovski, K. Pakula, M. Potemski, G.
Martinez, I. Grzegory, and S. Porowski, Polariton effects in reflectivity and emission spectra of
homoepitaxial GaN // Phys. Rev. B – 1997 – Vol. 56 – P. 15151-15156. 16*B. Monemar, Fundamental energy gap of GaN from photoluminescence excitation spectra // -Phys.
Rev. B – 1974 – Vol. 10 – P. 676-681. 17*С. А. Пермогоров, Экситоны – ред. Е. И. Рашба, М. Д. Стюрге, North-Holand, Amsterdam,
1982. 18*J.J. Hopfield and D.G. Thomas, Polariton absorption lines // Phys. Rev. Lett. – 1965 – Vol. 15 – P.
22-25. 19*F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Spontaneous polarization and piezoelectric
constants of III-V nitrides // Phys. Rev. B – 1997 – Vol. 56 – P. R 10024. 20*G. Mie, Beitrаge zur optic trüber medien, zpeziell kolloidaler metallösungen //Ann. Phys. (Leipzig)
– 1908 – Vol. 25 – P. 377-412. 21*U. Kreibig and M. Vollmer, Optical Properties of Metal Clusters – Springer, Berlin, 1995. 22*J. Gersten and A. Nitzan, Electromagnetic theory of enhanced Raman scattering by molecules
absorbed on rough surface // J. Chem. Phys. – 1980 Vol. 73 no.7 – P. 3023-3038. 23*В.А. Кособукин, Коллективные эффекты в усилении внешнего электрического поля на
поверхности металлов // Известия Академии наук СССР, Серия Физическая – 1985 – T. 49,
no. 6 – C. 1111-1120.
24*. И. Головашкин, И. С. Левченко, Г. П. Мотулевич, А. А. Шубин, Оптические свойства индия // Журнал экспериментальной и теоретической физики – 1966 – T. 51, вып. 6 (12) – P. 1623-1633.
25*V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmuller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul, Absorption and Emission of Hexagonal InN. Evidence of Narrow Fundamental Band Gap // phys. status sol. (b) – 2002 – Vol. 229 – P. R1-5.
26*C. Stampfl, C. G. Van de Walle, D. Vogel, P. Krьger, and J. Pollmann, Native defects and impurities in InN: First-principles studies using the local-density approximation and self-interaction and relaxation-corrected pseudopotentials // Phys. Rev. B – 2000 – Vol. 61 – P. R7847-R7850.
27*C. Benoit a la Guillaume, A. Bonnot, and J.M. Debever, Luminescence from polaritons // Phys. Rev. Lett. – 1970 – Vol. 24 – P.1235-1238.
28*V. Fiorentini, F. Bernardini, F. Della Sala, A. Di Carlo, and P.Lugli, Effects of macroscopic polarization in III-V nitride multiple quantum wells // Phys. Rev. B – 1999 – Vol. 60 – P. 8849-8858.
29*B. Gil, Group III Nitride Semiconductor Compounds: Physics and Applications – Series on Semiconductor Science and Technology, Vol. 6, Oxford University Press, 1998.
30*D. W. Jenkins and J. D. Dow, Electronic structures and doping of InN, InxGa1-xN, and InxAl1-xN // Phys. Rev. B – 1989 – Vol. 39 – P. 3317-29.
31*W. A. Harrison, Bond-Orbital Model and the Properties of Tetrahedrally Coordinated Solids // Phys. Rev. B – 1973 – Vol. 8 – P. 4487-4498.
32*A. L. Efros and B. L. Shklovskii, Electronic Properties of Doped Semiconductors – Springer, Heidelberg, 1989.
33*J. Crowell and R. H. Ritchie, Radiative Decay of Coulomb-Stimulated Plasmons in Spheres // Phys. Rev. – 1968 – Vol. 172 – P. 436.
34*R. W. Cohen, G. D. Cody, M. D. Coutts, and B. Abeles, Optical properties of granular silver and gold films // Phys. Rev. B –1973 – Vol. 8 – P. 3689-3704.