- Модель реактивного распыления металлов, основанная на поверхностной химической реакции, протекающей в неизотермических условиях, адекватно отражает экспериментально наблюдаемые эффекты и служит методической базой для разработки технологии пленочных оксидных структур.
- Аналитическое представление оптических спектров четырехслойной структуры в форме, которая в области прозрачности пленки устраняет вклад интерференции в толстой подложке, нерегистрируемый спектрофотометром, составляет основу методов контроля пленочных оксидных структур.
- Аналитическое решение задачи релаксации заряда, инжектированного в диэлектрическую пленку, с учетом проводимости диэлектрика и глубоких ловушек с быстрой зарядкой выявляет однозонный и двухзонный режимы релаксации, что служит основой методов контроля пленочных оксидных структур.
- Совокупность разработанных методов осаждения и контроля пленочных структур определяют требования к составу и техническим характеристикам технологического комплекса для промышленного производства ПОС, основными элементами которого являются: многопозиционная автоматизированная установка изготовления ПОС методом реактивного магнетронного распыления, оснащенная спектрофотометрической системой диагностики плазмы, и установка измерения спектров пропускания и отражения в УФ и видимом диапазонах.
2.Чернакова, А.К. Угловая и энергетическая зависимости коэффициента рас-пыления пленок железо-иттриевого граната / А.К. Чернакова, В.И. Шаповалов // Поверхность. – 1989. – № 9. – С. 152–153.
3.Колодин, П.А. О взаимодействии ионов гелия в области средних энергий с пленками железо-иттриевого граната / П.А. Колодин, М.С. Хамитжанова, В.И. Шаповалов // Письма в ЖТФ. – 1989. – Т. 15, вып. 23. – С. 22–27.
4.Вебер, Х. Исследование пленок железо-иттриевого граната методом Оже-спектроскопии с использованием шарового шлифа / Х. Вебер, В. Новик, В.И. Шаповалов // Письма в ЖТФ. – 1991. – Т. 17, вып. 10. – С. 62–64.
5.Громова, Ю.В. Моделирование взаимодействия ускоренных ионов с плен-ками ферритгранатов / Ю.В. Громова, В.И. Шаповалов // Поверхность. – 1993. – №1. – С. 113–118.
6.Спиров, Ц.И. Оптимизация геометрии ионного источника с осцилляцией электронов / Ц.И. Спиров, В.И. Шаповалов // ПТЭ. – 1993. – Т. 36, № 5. – С. 134– 137.
7.Спектр отражения тонких пленок оксидов на подложке из титана / А.А. Ба-рыбин, А.А. Коломийцев, П.А. Сонин, В.И. Шаповалов // Изв. СПБГЭТУ «ЛЭТИ» (Известия Государственного электротехнического университета), Сер. Физика тв. тела и электроника. – 2004. – Вып. 1. – С. 37–42.
8.Барыбин, А.А. Итерационная процедура обработки оптического спектра пропускания тонких диэлектрических пленок / А.А. Барыбин, А.Е. Комлев, В.И. Шаповалов // Изв. СПБГЭТУ «ЛЭТИ» (Известия Государственного электро-технического университета), Сер. Физика тв. тела и электроника. – 2004. – Вып. 2. – С. 36–42.
9.Влияние термообработки на структуру пленок оксида тантала, выращенных на титане / В.А. Жабрев, Ю.А. Быстров, Л.П. Ефименко [и др.] // Письма в ЖТФ. –
2004.–Т. 30, вып. 1. – С. 1–5.
10.Барыбин, А.А. Определение дисперсии показателей преломления и поглощения диэлектрических пленок по оптическому спектру пропускания / А.А. Барыбин, А.В. Мезенов, В. И. Шаповалов // Перспективные материалы. –
2005.– № 2. – С. 83–88.
11.Комлев, А.Е. Релаксация электретного состояния в аморфной пленке окси¬ да тантала, осажденной на титан / А.Е. Комлев, И.М. Соколова, В.И. Шаповалов //Изв. СПБГЭТУ «ЛЭТИ» (Известия Государственного электротехнического уни-верситета), Сер. Физика тв. тела и электроника. – 2005. – Вып. 2. – С. 52–59.
12.Барыбин, А.А. Модель реактивного магнетронного распыления при осаж-дении соединений металлов / А.А. Барыбин, В.И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. – 2005. – Т. 15, № 2. – С. 179–184.
13.Пинаев, В.В. Контроль с помощью оптической эмиссионной спектроско¬пии состояния поверхности мишени в процессе осаждения пленки диоксида титана методом реактивного магнетронного распыления / В.В. Пинаев, В.И. Шаповалов // Изв. СПБГЭТУ «ЛЭТИ» (Известия Государственного электротехнического уни-верситета), Сер. Физика тв. тела и электроника. – 2006. – Вып. 2. – С. 24–28.
14.Барыбин, А.А. Определение оптических констант тонких пленок оксидов / А.А. Барыбин, А.В. Мезенов, В.И. Шаповалов // Оптический журнал. – 2006. – Т. 73, № 8. – С. 66–73.
15.Частотная дисперсия пленок оксида тантала / А.А. Барыбин, Ю.А. Быст-ров, А.Е. Комлев [и др.] // Письма в ЖТФ. – 2006 – Т. 32, вып. 2. – С. 61–66.
16.Пинаев, В.В. Оптическая эмиссионная спектроскопия плазмы при реак-тивном магнетронном распылении / В.В. Пинаев, В.И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. – 2006. – Т. 16, № 2. – С. 143–151.
17.Шаповалов, В.И. Модели реактивного распыления при синтезе тонких пленок соединений / В.И. Шаповалов // Нано- и микросистемная техника. – 2007. – № 4. – С. 14–27.
18.Шаповалов, В.И. Пленки оксида титана в задачах экологии: технология, состав, структура, свойства / В.И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. – 2007. – Т. 17, № 3. – С. 233–256.
19.Завьялов, А.В. Метод определения подвижности электронов в диэлектри-ческой пленки / А.В. Завьялов, В.И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. – 2007. – Т. 17, № 3. – С. 199–202.
20.Пинаев, В.В. Влияние площади поверхности вакуумной камеры на пере-ходные процессы при реактивном магнетронном распылении титановой мишени / В.В. Пинаев, В.И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. – 2008. – Т. 18, № 1. – С. 9–12.
21.Barybin, A.A. Nonisothermal chemical model of reactive sputtering (Неизо-термическая химическая модель реактивного распыления) / A.A. Barybin, V.I. Shapovalov // J. Appl. Phys. – 2007. – V. 101. – P. 054905-1–10.