Ивахно Владимир Никитич

1. Для основных классов полупроводниковых кристаллов: атомарные: германий, кремний; бинарные, кристаллы A₃B₅: InSb, InAs, GaSb; бинарные, кристаллы A₂B₆: Cd^Hg1-xTe, CdS; бинарные, кристаллы A4B6: PbS, PbTe, PbSe впервые измерены зависимости квантового выхода внутреннего фотоэффекта от энергии фотонов в области E_g ^ hv ^ 10E_g. Использовалась усовершенствованная автором формула (1) стр. 8 для определения и нормирования квантового выхода фотоэффекта для фотонов с энергиями hv ^ 2E_g, где E_g - минимальная запрещенная зона.
2. Изучены виды Оже-переходов в k-пространстве при поглощении, названными в п. 1 кристаллами, фотонов с энергиями E_g ^ hv ^ 10E_g. Впервые обнаружен новый квантовый эффект - рост абсолютной величины квантового выхода (на уровень больше 1) при энергиях фотонов hv ^ 2E_g; построена модель объясняющая эффект.
3. Впервые обнаружен в области разрешенных прямых переходов существенный вклад непрямых квантовых переходов в оптическом поглощении и ударной ионизации при поглощении фотонов с энергиями E_g ^ hv ^ 10E_g полупроводниковыми кристал­лами. Проведена оценка эффективности правила отбора, учитывающего сохранение только электронного волнового вектора к_еЛ в исследованных процессах, показана ограниченная его применимость.
4. Определена роль фононной системы при поглощении кристаллами фотонов с энергиями E_g ^ hv ^ 10i% и определено соотношение вероятностей рассеивания энергии горячими электронами на фононах w_ph и путем ударной ионизации wi для области энергий S_e^_h ^ E_g.
5. Для основных классов полупроводниковых кристаллов определены параметры ударной ионизации горячими электронами: пороговые энергии ударной ионизации E; относительная величина вероятности ионизации в окрестности порога иониза­ции Ej, реализуемой при оптической накачке энергии.
6. Предложен и обсужден новый принцип работы фотоприемников на умножении электронов в отсутствии электрического поля, с целью увеличения их обнаружитель-ной способности.
7. Дана новая трактовка факту снижения электрической прочности кристаллов и приборов на их основе вблизи неоднородностей и поверхности кристаллов.
8. Проведены впервые в стране исследования фотооэлектрических свойств фото­диодов из InSb и показана их большая перспектива в качестве приёмников инфракрас­ного излучения. Зарегистрировано Комитетом по Делам Изобретений и Открытий при Совете Министров страны, Аннотация на НИР за № 60831 с приоритетом 1.7.1960, а также: В.Н. Ивахно, Фотоэлектрические свойства электронно-дырочных переходов в антимониде индия (InSb) и разработка на их основе приёмников инфракрасного излучения. Диссертация на уч. степень к. ф. м.н., ФТИ им А.Ф. Иоффе, 1964.

2.Получение и исследование кристаллов сурьмистого индия. Отчет по науч-но-исследовательсной работе, тема Г-8, по распоряжению Президиума Академии Наук. ФТИ им. А.Ф. Иоффе, АН СССР, 1961. Наследов Д.Н., Галаванов В.В., Ивахно В.Н. и др.

3.Зависимость квантового выхода от энегии фотонов для p-n переходов в InSb. „Физика твердого тела“, 1964, т. 6, в. 7, с. 2094–2099. Библ.: 8 названий, Ивахно В.Н., Наследов Д.Н.

4.Высокочувствительные приемники инфракрасного излучения на основе p-n пе-реходов в InSb. „Военная радиоэлектроника“, 16, 22. 1962. Галаванов В.В., Ивахно В.Н.

5.Свойства приемников инфракрасного излучения на основе p-n переходов сурьминистого индия. „Вопросы специальной радиоэлектроники“, серия XII, № 16, 1962, Ивахно В.Н., Наследов Д.Н.

6.Аннотация на НИР по фотоприемникам специального назначения на основе InSb. Регистр. Комитет по делам изобретений и открытий при СМ СССР, 1962. Галаванов В.В., Ивахно В.Н.

7.Фотоэлектрические свойства электронно-дырочных переходов в антимониде индия и разработка на их основе приемников излучения. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленин-град, Ивахно В.Н., 1964.

8.Влияние давления на спектральные распределение фотоэффекта в кристаллах InSb. „Физика твердого тела“, 1965, т. 7, с. 3650–3652. Библ. 3 назв. Ивахно В.Н., Извозчиков Б.В., Таксами И.А.

9.Приемники инфракрасного излучения на основе InSb. Труды НИИ-801, т. 6, в. 2, ч. 1, 1965. Ивахно В.Н., Михайлова М.П. и др.

10.Вольт-амперные характеристики p-n переходов в InSb при гелиевых тем-пературах. „Радиотехника и электроника“, 1967, т. 12, с. 762–763. Библ.: 10 назв. Ивахно В.Н.

11.Плазмо-фононные взаимодействия в полупроводниках при гелиевых темпера-турах. Ивахно В.Н., Наследов Д.Н. Аннотация на НИР, Комитет по делам изобретений и открытий при СМ СССР, № 65373, 1967. Отчет по теме Г-8.

12.Генерация акустических волн в полупроводниковых кристаллах импульсными электрическими полями. Ивахно В.Н., Наследов Д.Н. „Физика и техника полупровод-ников“, 1968, т. 2, с. 1171–1173.

14.Генерация ультразвуковых колебаний импульсными полями в полупроводни-ках. „Труды ЛИСИ“. Физика. Материалы 25 научной конференции ЛИСИ, 1968, Ивахно В.Н., Наследов Д.Н.

15.Оптические свойства и запретная зона в ZnSnSb2. „Физика и техника полу-проводников“, 1969, т. 3, с. 1083–1085. Библ.: 6 назв. Ивахно В.Н., Крадинова Л.В., Прочухан В.Д.

16.О некоторых электронных свойствах стеклообразного CdGeP2. „Физика и техника полупроводников“, 1969, в. 11, с. 1739–1742. Библ.: 6 назв. Федотов В.Г., Леонов Е.И., Ивахно В.Н., Горюнова Н.А., Тычина И.И.

17.Поляризационные свойства и оптические константы системы InSb-NiSb. „Физика и техника полупроводников“, 1970, т. 4, в. 5, с. 1174–1175. Библ.: 4 назв. Векшина В.С., Ивахно В.Н., Кроль Л.Я., Новак И.И.

18.Неустойчивость фононной системы в полупроводниковых кристаллах в им-пульсных электрических полях. „Физика и техника полупроводников“, 1970, т. 12, с. 609–611. Библ.: 11 назв. Ивахно В.Н.

19.К вопросу о зависимости квантового выхода фотоэффектра в InSb от энергии фотонов. „Письма в ЖЭТФ“, 1970, т. 12, с. 345–346. Библ.: 7 назв. Ивахно В.Н., Наследов Д.Н.

20.Электрические и фотоэлектрические свойства p-n переходов в InSb, полу-ченных прогревом в вакууме. Тезисы 2 Всесоюзного совещания по p-n переходам, г. Рига, 1964. Ивахно В.Н., Наследов Д.Н.

21.Свойства p-n-переходов в InSb при гелиевых температурах. Тезисы 3 Всесо-юзного совещения по p-n-переходам, 1966, г. Тбилиси. Ивахно В.Н., Наследов Д.Н.

22.Квантовый выход внутреннего фотоэффекта и ударная ионизация в германии. „Физика твердого тела“, 1972. т. 14, в. 1, с. 196–200. Библ.: 14 назв. Ивахно В.Н., Новак И.И.

23.Квантовый выход внутреннего фотоэффекта и ударная ионизация в Si. „Физика и техника полупроводников“, 1972, т. 6, в. 8, с. 1612–1614. Библ.: 10 назв. Ивахно В.Н.

24.Квантовый выход внутреннего фотоэффекта и ударная ионизация в PbS. „Физика твердого тела“, 1972. т. 14, в. 2, с. 578–580. Библ.: 9 назв. Ивахно В.Н.

25.Свойства p-n-переходов в InSb при гелиевых температурах. Аннотация на НИР. Комитет по делам изобретений и открытий при СМ СССР № 65033 от 1967 г., Д.Н. Наследов, В.Н. Ивахно, Ю.П. Наумов.

26.Фотоприемник с координатной чувствительностью на основе p-n-переходов в InSb. В.Н. Ивахно, Д.Н. Наследов. Доклад на совещании; г. Москва, 1963.

27.Аннотация на НИР по редиффузионным p-n-переходам и фотоприемникам на их основе. Регистр. Комитет по делам изобретений и открытий при СМ СССР, 1962. Ивахно В.Н., Галаванов В.В.

28.Авторское свидетельство на изобретение № 20813, авторы: Ивахно В.Н., Галаванов В.В.

28.Авторское свидетельство на изобретение № 30996, авторы: Ивахно В.Н., Наследов Д.Н.

29.Отчет на ОКР „Фот“, Правительственное задание. Центральное конструктор-ское бюро при ЛОМО, Ленинград, 1976-1990. Ивахно В.Н. в коллективе авторов.

30.Заявка на открытие № ОТ-М3-217 под названием „Закономерность фотоэф-фекта в полупроводниковых кристаллах при энергиях квантов hco ^ 2Eg“. Заявитель В.Н. Ивахно. На рассмотрении во ВНИИГПЭ; 02.08.1993 г.

31.Ультрагорячая люминесценция с hco ^ 3Eg в полупроводниках. Оптический журнал, т. 68, № 7, 13-15, 2001 г, В.Н. Ивахно.

32.Оптическое решение задачи А.Ф. Иоффе — электроны в кристаллах при сильных электрических полях. В.Н. Ивахно. Сборник трудов конференции „Фундамен¬тальные проблемы оптики“, 14-17 октября 2002 г., Санкт-Петербург, стр. 142-143.

33.Квантовая динамика электрического пробоя полупроводников. В.Н. Ивахно, „Физика твердого тела“. Март, 2003 г. (на рассмотрении).