- Впервые экспериментально исследованы возможности и условия получения структурно совершенных эпитаксиальных пленок Si, GaAs и других соединений AIIIBV на фианитовых подложках и на подложках Si и GaAs с буферным слоем фианита.
- Установлено, что образование на границе фианит-пленка Si слоя SiO2 на начальных стадиях осаждения Si препятствует эпитаксиальному росту и приводит к образованию структурных дефектов в пленке. Для получения на фианите пленок Si с монокристаллической структурой разработаны новые способы предэпитаксиальной подготовки фианитовых подложек. Найдены режимы получения пленок Si методом молекулярно лучевой эпитаксии: низкотемпературный и сочетающий травление и рост на начальной стадии получения пленки.
- Впервые определены условия эпитаксии GaAs и других соединений AIIIBV методом металлоорганической газофазной эпитаксии на фианитовых подложках, позволяющие получать структурно совершенные пленки с высокими электрофизическими параметрами.
- Разработан способ капиллярной эпитаксии, позволяющий снизить минимальную толщину сплошной пленки при гетероэпитаксии на разных подложках (в том числе соединений AIIIBV на фианитовых подложках), улучшить её морфологию, структуру и электрофизические параметры. Этим способом получены в частности монокристаллические, зеркально гладкие пленки GaAs толщиной 0,1 мкм на фианите.
- Обнаружен новый эффект неравновесного низкотемпературного перераспределения легирующей примеси с инверсией типа проводимости в p-Si при его облучении пучком ионов Ar+ низких энергий (1-5 кэВ). Предложена и обоснована физическая модель эффекта, основанная на гипотезе о быстрой миграции атомов примеси в поле градиента собственных межузельных атомов кремния, создаваемых облучением.
- Предложены и теоретически обоснованы новые модели расчета рекомбинационного контраста изображения микродефектов кристаллов Si в режиме наведенного тока растрового электронного микроскопа. На этой основе разработаны способы определения формы и размеров микродефектов в Si, глубины их залегания и наклона к поверхности.
- Впервые как экспериментально, так и расчетным путем установлено, что скорость расширения свободной бездефектной зоны в пластинах Si при высокотемпературном (1000-1200OС) отжиге определяется диффузией кислорода. Обнаружен новый, вызванный микродефектами в Si, эффект электрохимической микрокоррозии пленки металла на Si, приводящий к деградации приборов. Обнаружен новый механизм геттерирования примеси в кремнии - электрохимическое геттерирование.
- Изучено влияние особенностей огранения фронта на двойникование и устойчивость роста монокристаллов кремния и соединений AIIIBV при их выращивании из расплава. На основе анализа новых и ранее известных закономерностей и особенностей двойникования впервые предложены и обоснованы графоэпитаксиальный и двумерный механизмы двойникования.
- Впервые обнаружена и изучена связь особенностей огранения фронта кристаллизации со срывом бездислокационного роста и проливом расплавленной зоны при выращивании кристаллов Si методом бестигельной зонной плавки. Установлено, что стационарная конструкция индуктора противоречит условиям выращивания, необходимым для обеспечения стабильности расплавленной зоны и устойчивости бездислокационного роста.
2.Buzynin A.N., Osiko V.V., Buzynin Yu.N., Pushnyi B.V. Growth of GaN on fianite by MOCVD capillary epitaxy technique. // MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. 1998, Vol.4, Article 49 (http://nsr.mij.mrs.org/4/49/).
3.Buzynin A.N., Osiko V.V., Lomonova E.E., Voron`ko Yu.K., Sadygov Z.Y., Buzynin Yu.N., Daniltsev V.N., Drozdov Yu.N., Khrykin O.I., Murel A.V. Epitaxial films of III–V compound on fianite substrates. // Proc. of International Congress on Advanced Materials, their Processes and Applications, 25–28 September 2000, Munich, Germany, Article 672.
4.Бузынин А.Н., Воронько В.В., Осико В.В., Бузынин Ю.Н., Пушный Б.В., Усиков А.С., Лундин В.В. Эпитаксиальные пленки GaN на фианите. // Материалы 2–го Всероссийского совещания "Нитриды галлия, алюминия и индия: структуры и приборы", июнь 1998, Санкт–Петербург, с.75–76.
5.Бузынин А.Н., Осико В.В., Воронько Ю.К., Ломонова Е.Е., Лукьянов А.Е., Бузынин Ю.Н., Хрыкин О.И., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н. Эпитаксиальные структуры соединений АIIIBV на фианите. // Изв. РАН, сер. физич., 2002, т.66, № 9, pp. 1345–1350.
6.Buzynin A.N., Osiko V.V., Lomonova E.E., Voron`ko Yu.K., Buzynin Yu.N., Daniltsev V.M., Khrykin O.I., Garmash V.M., Sadygov Z.Y. III–V compounds epitaxial films on fianite and LiNbO3 substrates. // Proc. of 5th International Symposium "Diamond films and films of related materials" Ukraine, Kharkov, April 22–27, 2002, p 53–57.
7.Бузынин A.H., Осико В.В., Воронов В.В., Воронько Ю.К., Лукьянов А.Е., Бузынин Ю.Н, Володин Б.А, Мурель А.В., Дроздов Ю.Н., Парафин А.Е. Эпитаксиальные пленки фианита на кремнии и арсениде галлия. // Изв. РАН, сер. физич., 2003, т.67, № 4, с.586–587.
8.Pincik E., Jergel M., Mullerova J., Falcony C., Ortega L., Buzynin A. N., Lomonova E. E., R. Brunner, S. Chromik, and M. Hartmanova. On structural properties of Si/Zr(Y)O2 and Zr(Y)O2/Si system. // Acta physica slovaca, 2004, v.54, N 2, p.147–161.
9.Бузынин А.Н., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г., Александров В.И., Ломонова Е.Е., Осико В.В., Татаринцев В.М. Способ обработки фианитов. Авт. свидет. СССР № 1558054, 1988.
10.Бузынин А.Н., Бузынин Ю.Н., Александров В.И., Воронов В.В., Ломонова Е.Е., Осико В.В., Татаринцев В.М.. Способ получения эпитаксиальных слоев кремния на фианите. Авт. свидет. СССР, № 1748464, 1991.
11.Бузынин А.Н., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г., Александров В.И., Ломонова Е.Е., Осико В.В., Татаринцев В.М. Способ обработки фианитов. Патент СССР. № 1752125, 1992.
12.Александров В.И., Бузынин А.Н., Бузынин Ю.Н., Воронов В.В., Ломонова Е.Е., Осико В.В., Татаринцев В.М. Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на фианите. Авт. свидет. СССР № 1725576, 1992.
13.Бузынин А.Н., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г., Осико В.В., Татаринцев В.М., Ломонова Е.Е. Способ получения слоев кремния на фианитовых подложках. Авт. свидет. СССР. № 1748468, 1992.
14.Шенгуров В.Г., Шабанов В.Н., Бузынин А.Н., Бузынин Ю.Н., Осико В.В., Ломонова Е.Е. Гетероэпитаксиальные кремниевые структуры на фианитовых подложках. // Микроэлектроника, 1996, 6, 204–209.
15.Бузынин А.Н., Бузынин Ю.Н., Осико В.В., Татаринцев В.М. Способ получения эпитаксиальных слоев соединений А3В5 на фианите. Авт. свидет. СССР № 173072, 1992.
16.Бузынин А.Н., Бутылкина Н.А., Гричевский И.Б., Лукьянов А.Е. Способ выявления электрически активных неоднородностей полупроводников. Авт. свидет. СССР № 15311766, 1988. Опубл. в БИ. 1989. №47.
17.Бузынин А.Н., Лукьянов А.Е., Осико В.В., Татаринцев В.М. Электрически активные дефекты кристаллов Si. // Рост кристаллов, том 19, М.: Наука,
1991,с.169–180.
18.Бузынин Ю.Н., Беляев А.В., Бузынин А.Н., Рау Э.И., Лукьянов А.Е. Электрически активные дефекты слоев GaAs, InGaAs на подложках монолитного и пористого GaAs// Изв. РАН, сер. физич., 2004, т.68, № 9, с.1370–1373.
19.Бузынин A.H., Осико В.В., Воронько Ю.К., Лукьянов А.Е., Бузынин Ю.Н., Беляев A.В., Дроздов Ю.Н. Пленки GaN и GaNAs на подложках монолитного и пористого Si и GaAs с подслоем фианита.// Изв. РАН, сер. физич., 2005, т.69, № 4, с. 211–217.
20.Buzynin A.N., Osiko V.V., Buzynin Yu.N., Luk´yanov A.E., Volodin B.A., Drozdov Yu.N., Parafin A.E. Thin YSZ layers and porous GaAs substrates for epitaxial multilayer III–V compound structures. // Compound semiconductor devices and integrated circuits. Proc. of WOCSDICE 2005, Cardiff, United Kingdom, May 15–18, 2005, p.13–15.
21.Buzynin A.N., Osiko V.V., Sadygov Z.Ya., Shangurov V.G. Microchannel avalanche photodetectors on Si/YSZ and Si/Si structures // Compound semiconductor devices and integrated circuits. Proc. of WOCSDICE 2005, Cardiff, United Kingdom, May 15–18, 2005, p.51–52.
22.Бузынин А.Н., Бувальцев А.И., Бутылкина Н.А., Лукьянов А.Е., Осико В.В. Влияние микродефектов кремния на характеристики приборных структур с металлизацией// Изв. АН СССР, сер. физич., 1991,т 55, № 8, с.1594–1597.
23.Luk´yanov A.E., Buzynin A.N., Butylkin A.I., Butylkina N.A. Use of SEM EBIC mode in finding and mapping sites of low temperature diffusion // Scanning,
1992,v.14, No. 1, p. 47–48.
24.Luk´yanov A.E., Buzynin A.N., Butylkin A.I., Butylkina N.A. SEM investigation of p–n junction in homogeneous p-Si.//Scanning, 1992, v.14, No. 6, p.358–359.
25.Buzynin A.N., Luk´yanov A.E., Osiko V.V., Voronkov V.V. Inversion of conductivity in p–Si after ion treatment. // Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices. (Mat. Res. Soc. Simp. Proc., 1995. Vol. 378). Pittsburg, PA, p.653–658.
26.Лукьянов А.Е., Бузынин A.H., Бутылкин А.И., Бутылкина Н.А. РЭМ– исследования p–n переходов, возникающих в пластинах p–Si после их обработки ионами аргона. // Известия РАН, сер. физич., 1993. Т.57. N8. с.15–19
27.Buzynin A.N., Luk´yanov A.E., Osiko V.V., Voronkov V.V. Fast redistribution of boron impurity in silicon during ion irradiation. // Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices II. (Mat.Res.Soc.Simp.Proc.1998). Vol. 510, Pittsbug, PA, p.411–416.
28.Бузынин А.Н., Воронков В.В., Лукьянов А.Е. Плазмостимулированное низкотемпературное перераспределение примеси в Si.// Известия РАН, серия "Поверхность", 2000, N 4, с.88–92.
29.Buzynin A.N., Luk´yanov A.E., Osiko V.V., Voronkov V.V. Non–equilibrium impurity redistribution in Si. // Nuclear Instrum. and Methods in Physics Research, B, 2002, N 186, p.366–370.
30.Дублицевич В.М., Бузынин А.Н., Лукьянов А.Е., Бутылкина Н.А. Выявление неоднородностей структуры и электрических свойств кремния электронно–зондовыми методами. // Изв. АН СССР, сер. физич.,1984, т.48, № 12, с. 2444–2446.
31.Бузынин А.Н., Бутылкина Н.А., Лукьянов А.Е., Осико В.В., Поройкова Е.В., Татаринцев В.М., Эйдензон А.М. Электрически активная структура V–G– областей кристаллов кремния, полученных методом Чохральского // Изв. АН СССР, сер. физич., 1988, т. 52, № 7, с. 1387–1390.
32.Бузынин А.Н., Заболотский С.Е., Калинушкин В.П., Лукьянов А.Е., Мурина Т.М., Осико В.В., Плоппа М.Г., Татаринцев В.М., Эйдензон А.М. Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского. // ФТП, 1990. т.24. № 2, с. 264–270.
33.Бузынин А.Н., Бутылкина Н.А., Гричевский И.Б., Лукьянов А.Е., Осико В.В., Поройкова Е.В., Татаринцев В.М., В.Аль Шаер. Определение характеристик электрически активных дефектов кристаллов кремния // Изв. АН СССР, сер. физич., 1990, т. 53, № 1, с. 288–292.
34.Бузынин A. H., Лукьянов А. Е., Аль Шаер В., Калмыков Д.В., Харитонова, К.Ю. Расчеты контраста РЭМ–изображений микродефектов кристаллов кремния // Изв. АН СССР, сер. физич., 1992, т. 55, № 3, с. 45–49.
35.Buzynin A.N., Zaikin P.N., Zolotarev A.A., and Lotov V.V. Computer simulation and interpretation in spectrometric detection of microstructures. // Computational Mathematics and Modeling, 1994, Vol. 5, No. 2, p. 187–188.
36.Бузынин А.Н., Бутылкина Н.А., Лукьянов А.Е., Осико В.В., Татаринцев В.М., Эйдензон А.М. Электрически активные дефекты V-G– областей кристаллов кремния, полученных методом Чохральского Материалы всесоюзной конференции по электронной микроскопии, т.2. Сумы, 1988, с.76–79.
37.Бузынин А.Н.. Дементьев Ю.С. Уразгильдин И.Ф., Лукьянов А. Е., Приходько Т.Л. Образование бездефектной зоны в кремниевых пластинах при отжиге // Изв. АН СССР, сер. физич., 1983, т 47, № 6, с. 1136–1140.
38.Kalinushkin V.P., Buzynin A.N., Yuryev V.A., Astafiev O.V. and Murin D.I. On the Nature of Large–Scale Defect Accumulations in Czochralski-Grown Silicon. // Proc. of Sixth Intern. Conf. on Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors, Inst. Phys. Conf. Ser., N 149, 1996, p.219–224.
39.Калинушкин В.П., Бузынин А.Н., Мурин Д.И. Применение упругого рассеяния света среднего ИК–диапазона для исследования процесса внутреннего геттерирования в кремнии. // Микроэлектроника, 1996, 5, с.136–142.
40.Бузынин А.Н., Бутылкина Н.А.. Гричевский И.Б., Лукьянов А.Е., Татаринцев В.М.. Способ геттерирования быстродиффундирующих примесей в кремнии. Авт. свидет. СССР № 1752125, 1992.
41.Astafiev O.V, Бузынин А.Н., Kalinushkin V.P. Application of elasticmid-IR scattering for inspection of internel gettering. // Proc.5th Int. Sci. and Busines Technologi "Silicon´96", Roznov pod Radhostem, v.2, 1996, p.45–52.
42.Астафьев О.В., Бузынин А.Н., Бувальцев А.И., Мурин Д.И., Калинушкин В.П., Плоппа М.Г. Классификация крупномасштабных примесных скоплений в легированных бором кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского. // ФТП, 1994, т. 28, № 4, с. 407–415.
43.Astafiev O.V., Buzynin A.N., Kalinushkin V.P., Murin D.I. and Yuryev V.A. Possibility of application of elastic mid–IR scattering for inspection of gettering operation. // Proc. of Sixth Intern. Conf. on Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors, Inst. Phys. Conf. Ser., No 149, 1996,p.343–348.
44.Калинушкин В.П., Бузынин А.Н., Мурин Д.И., Юрьев В.А., Астафьев О.В. Применение упругого рассеяния света среднего инфракрасного диапазона для исследования процесса внутреннего геттерирования в кремнии, выращенном методом Чохральского. // ФТП, 1997, т. 31, № 10, с.1158– 1163.
45.Бузынин А.Н, Бузынин Ю.Н., Орлов Ю.Н., Блецкан Н.И., Дементьев Ю.С., Соколов Е.Б. Способ получения лент кремния. Авт. свидет. СССР №1082074, 1984.
46.Бузынин А.Н., Бутылкина Н.А., Дементьев Ю.С., и др. Применение РЭМ для определения условий образования неоднородностей в кристаллах антимонида индия. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1987, т. 51, №3, с.361–367.
47.Бузынин А.Н., Королева Е.А. Последние достижения в области получения монокристаллов кремния. // Зарубежная электронная техника, 1985, с. 68– 108.
48.Алешин А.А., Бузынин А.Н. Современые проблемы выращивания монокристаллов кремния. // Доклады международной конференции “Кремний 2004”, Иркутск, 2004.
49.Бузынин А.Н, Осико В.В., Татаринцев В.М., Дементьев Ю.С., Марков В.Г., Соколов А.М. Способ выращивания монокристаллов соединений AIIIBV. Авт. свидет. СССР. № 1522795, 1989.
50.Бузынин А.Н, Осико В.В., Бузынин Ю.Н, Татаринцев В.М., Воронков В.В., Абросимов Н.В., Богатырев С.Ф. Устройство для вытягивания полых кристаллических кремниевых изделий. Авт. свидет. СССР №4121173, 1988.
51.Бузынин А.Н., Орлов Ю.Н., Осико В.В., Татаринцев В.М., Заичко В.В.. Устойчивость роста, морфология и слоистые неоднородности бестигельных кристаллов кремния. // Материалы X Сов. по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова, Л., 1986, с.255–260.
52.Бузынин А.Н, Осико В.В., Татаринцев В.М., Заичко В.В., Блецкан Н.И., Червоный И.Ф. Способ выращивания монокристаллов кремния. Авт. свидет. СССР № 1422728, 1988.
53.Бузынин А.Н, Осико В.В., Татаринцев В.М., Гричевский И.Б., Заичко В.В., Клочков В.С., Червоный И.Ф., Казимиров Н.И. Индуктор для бестигельной зонной плавки. Авт. свидет. СССР №1429604, 1988.
54.Бузынин А.Н, Осико В.В., Татаринцев В.М., Заичко В.В., Кравцов А.А., Червоный И.Ф. Способ и устройство для получения монокристаллов кремния. Авт. свид. СССР №1422727, 1988.
55.Бузынин А.Н, Осико В.В., Татаринцев В.М., Заичко В.В., Кравцов А.А., Червоный И.Ф. Устройство для получения монокристаллов кремния. Авт. свидет. СССР. № 1508613, 1989.
56.Бузынин А.Н, Осико В.В., Татаринцев В.М., Заичко В.В., Кравцов А.А., Червоный И.Ф. Способ и устройство для получения монокристаллов кремния Авт. свидет. СССР № 1603843, 1990.
57.Бузынин А.Н., Осико В.В., Татаринцев В.М., Воронков В.В. Способ получения монокристаллов кремния. Авт. свидет. СССР №1365743, 1987.
58.Бузынин А.Н., Осико В.В., Воронков В.В., Татаринцев В.М., Марков В.Г., Т.В. Маслова, А.М. Соколов. Способ получения кристаллов соединений AIIIBV. Авт. свидет. СССР №1452220, 1988.
59.Бузынин А.Н., Антонов В.А., Осико В.В., Татаринцев В.М. Общие черты двойникования кристаллов кремния и соединений AIIIBV // Изв. АН СССР, сер. физич., 1988, т. 52, № 10, с. 1889–1894.
60.Бузынин А.Н., Заичко В.В., Осико В.В. Татаринцев В.М. Условия нарушения бездислокационного роста и стабильности расплавленной зоны при выращивании кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки. // Кристаллография. 1989, т. 33, с. 208–214.
61.Бузынин A.H., Лукьянов А.Е. Осико В.В., Татаринцев В.М. Электрически активные дефекты кристаллов кремния. // Рост кристаллов, т.19, М.:Наука, 1991, с.169–180.
62.Buzynin A.N., Buzynin Yu.N., Belyaev A.V., Luk’yanov A.E. and Rau E.I. Growth and defects of GaAs and InGaAs films on porous GaAs substrates. // Thin Solid Films, 2007, v. 515, p. 4445–4449.