Научная тема: «РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОСНОВ ФОРМИРОВАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ АНОДНЫХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ»
Специальность: 05.27.01
Год: 2010
Отрасль науки: Технические науки
Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:
  1. Термодинамические закономерности взаимодействия кремния, карбида кремния и нитрида кремния с компонентами фосфатных, арсенатных и боратных электролитов.
  2. Кинетические закономерности анодного окисления кремния, карбида кремния и пленок нитрида кремния в фосфатных, арсенатных и боратных электролитах.
  3. Технологические закономерности формирования фосфор-, бор- и мыщьяксодержащих анодных оксидных пленок кремния.
  4. Технологические закономерности диффузионного легирования кремния из фосфор-, бор- и мыщьяксодержащих анодных оксидных пленок кремния.
  5. Технологические аспекты создания кремниевых МОП-транзисторов, n-р-n- транзисторов, диодов и резисторов с использованием легированных анодных оксидных пленок кремния.
Список опубликованных работ
МОНОГРАФИИ

1. Милешко Л.П., Королев А.Н. Электроника анодных оксидных пленок, формируемых в легирующих электролитах. – Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ. 2009. – 186 с.

ПУБЛИКАЦИИ В ЖУРНАЛАХ ИЗ ПЕРЕЧНЯ ВАК

2. Милешко Л.П., Сорокин И.Н., Чистяков Ю.Д. Электролитическое формирование легированных оксидных плёнок на вращающихся кремниевых подложках // Электронная техника. Сер. 3 . Микроэлектроника. – 1979. - Вып. 5(83). – С. 99-102.

3. Сеченов Д.А., Варзарев .Н., Милешко Л.П. Особенности диффузии фосфора из анодной оксидной пленки в условиях быстрой термической обработки // Изв. вузов. Электроника. – 1997. – №5. – С. 48-50.

4. Милешко Л.П., Варзарёв Ю.Н. Кинетические и термодина-мические особенности aнодного окисления карбида кремния в эле-ктролитах на основе этиленгликоля //ФХОМ. – 2000. – №2. – С. 45-48.

5. Милешко Л.П., Варзарев Ю.Н. Анодное окисление пленок Si3N4 на кремнии в боратных и фосфатных электролитах на основе этиленгликоля // ФХОМ. – 2002. – №3. – С. 38-44.

6. Милешко Л.П. Анодное электролитическое легирование термических оксидных пленок // ФХОМ. – 2002. – №6. – С. 55-59.

7. Милешко Л.П., Авдеев С.П., Нестюрина Е.Е. Состав, строение и свойства легированных анодных окисных пленок кремния // ФХОМ. – 2003. – №3. – С. 47-52.

8. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Диффузия фосфора и бора в кремний из анодных оксидных пленок // ФХОМ. –2003. –№6. – С. 67-72.

9. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Реанодирование анодных оксидных пленок в легирующих электролитах // ФХОМ. – 2004. – №4. – С. 61-63.

10. Милешко Л.П., Варзарев Ю.Н. Анодное окисление кремния в арсенатных электролитах на основе этиленгликоля // ФХОМ. – 2004. – №6. – С. 43-47.

11. Милешко Л.П. Анодное окисление кремния в легирующих электролитах // ФХОМ. – 2004. – №3. – С. 81-92.

12. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Влияние процесса анодного окисления кремния на параметры диффузии примесей бора и фосфора из легированных оксидных пленок // Известия вузов. Электроника. – 2004. – №5. – С. 25-32.

13. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Совместная диффузия мышьяка с фосфором или бором из анодных окидых пленок в кремний // ФХОМ. – 2004. – №2. – С. 84-86.

14. Милешко Л.П., Варзарев Ю.Н., Авдеев С.П. Особенности распределения электрически активного фосфора в кремнии при диффузии из анодной оксидной пленки в условиях быстрой термической обработки // Известия вузов. Электроника. – 2004. – №6. – С. 90-91.

15. Милешко Л.П. Особенности процессов гальваностатического анодирования алюминия, кремния и пленок нитрида кремния // Известия вузов. Электроника. – 2007. – №5. – С. 88-90.

16. Милешко Л.П. Механизмы формирования легированного фосфором или бором анодного SiO2 на карбиде кремния // Известия вузов. Электроника. – 2007. – №2. – С. 10-15.

17. Милешко Л.П. Механизмы электрохимического формирования SiO2 из структур Si3N4-Si // Известия вузов. Электроника. – 2007. – №1. – С. 3-11.

18. Милешко Л.П. Особенности кинетики анодного окисления вращающихся кремниевых пластин в легирующих электролитах // Известия вузов. Электроника. – 2007. – №6. – С. 70-71.

19. Милешко Л.П. Диффузия As из анодных арсенатных оксидных пленок в Si // Неорганические материалы. – 2008. – Т.44. – № 2. – С. 135-136.

20. Милешко Л.П. Влияние режима формирования анодных оксидных пленк в гальваностатическом режиме на содержание в них фосфора // Известия вузов. Электроника. –2008. - № 4, - С. 68-69.

21. Милешко Л.П. Совместное легирование фосфором и мышьяком анодных оксидных пленок кремния // Неорганические материалы. – 2009. – Т.45. – №3. – С. 300-301.

22. Милешко Л.П. Слоистое строение анодных пленок SiO2, легированных фосфором или бором // Известия вузов. Электроника. – 2009. – №1. – С. 12-15.

АВТОРСКИЕ СВИДЕТЕЛЬСТВА СССР

23. Бредихин И.С., Милешко Л.П., Селиванова В.А. Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором. Авт. свид. СССР. № 527989 от 19.05.1975. БИПМ. - 2001. - № 10. - С. 334.

24. Бредихин И.С., Милешко Л.П., Чистяков Ю.Д, Волкова Т.А., Нагучев Д.Ш. Электролит для легирования оксидных пленок кремния фосфором. Авт. свид. СССР № 615785 от 14.01. 1977. БИМП. – 2001. – № 10. – С. 335.

25. Милешко Л.П., Волкова Т.А., Чистяков Ю.Д., Бредихин И.С., Нагучев Д.Ш. Электролит для легирования оксидных пленок кремния бором. Авт. свид. СССР № 616893 от 01.03.1977. БИМП. – 2001. - № 10. - С. 334.

26. Бредихин И.С., Ломакина Т.П, Милешко Л.П., Чистяков Ю.Д. Электролит для легирования оксидных пленок кремния мышьяком. Авт. свид. СССР № 682055 от 10.02.1978. БИМП. 2001. – № 10. – С. 335.

27. Милешко Л.П., Бредихин И.С., Селиванова В.А. Электролит для легирования оксидной пленки кремния бором. Авт. свид. СССР № 545210 от 10.07. 1975. БИПМ. – 2001. – № 10. – С. 334.

28. Бредихин И.С., Милешко Л.П., Чистяков Ю.Д, Волкова Т.А., Палиенко А.Н. Электролит для анодного оксидирования кремния. Авт. свид. СССР № 602054 от 2.10.1976. БИМП. – 2001. – № 10. – С. 335.

29. Милешко Л.П., Волкова Т.А., Чистяков Ю.Д., Бредихин И.С., Палиенко А.Н., Шкиров В.С, Электролит для получения легированной оксидной пленки на кремнии. Авт. свид. СССР № 599667 от 12.10.1976. БИМП. – 2001. – №10. – С. 334-335.

СТАТЬИ

30. Чистяков Ю.Д., Бредихин И.С., Милешко Л.П. Анодные окисные пленки кремния как твердый диффузант в планарной технологии // Зарубежная электронная техника. – М.:ЦНИИ «Электроника». – 1976. – №1(134). – С. 3-38.

31. Бредихин И.С., Волкова Т.А., Милешко Л. П., Палиенко А. Н., Чистяков Ю. Д. Применение анодных окисных пленок, леги-рованных фосфором, для изготовления МОП-транзисторов // В кн.: «Активируемые процессы технологии микроэлектроники». –Таганрог: Изд-во ТРТИ. 1976. – Вып. 2 – С. 206 – 209.

32. Милешко Л.П., Сорокин И.Н., Чистяков Ю.Д. Кинетика электролитического оксидирования карбида и нитрида кремния // В кн. «Активируемые процессы технологии микроэлектроники». – М: МИЭТ. 1980. – С. 29-40.

33. Милешко Л.П. Исследование электропроводности электролитов на основе органических растворителей для получения легированных оксидных пленок // В сб. материалов Всероссийской НПК «Лабораторное дело: организация иметоды исследования». – Пенза: ПГУ. – 2001. – C. 71-73.

34. Милешко Л.П. Физико-химические и экологические аспе-кты рационального выбора электролитов для анодного окисления металлов и полупроводников // Известия ТРТУ. Тематический выпуск «Экология 2002 – море и человек». Материалы второй Всероссийской научной конференции с международным участием. – Таганрог: Изд-во ТРТУ. – 2002. – №6(9). – С. 160-163.

35. Милешко Л.П. Электролиты для получения легированных анодных оксидных пленок кремния. В сб. статей по материалам Всероссийской конф. «Современные электрохимические технологии». – Саратов: СГТУ. 2002. – С. 163-167.

36. Милешко Л.П. Фундаментальные и прикладные аспекты процессов получения и применения легированных анодных и золь-гельных оксидных пленок // Известия Белорусской инженерной академии. Специальный выпуск. Материалы VII Международной НТК «Современные средства связи». – 2002. – №2(14)/2. – С. 40-41.

37. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Формирование эмиттерных и базовых областей n- p-n-транзисторов диффузией фосфора и бора из анодных оксидных пленок кремния // Электронная промышленность. – 2002. – №1. – С. 67-68.

38. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Физико-химические основы процессов получения легированных анодных пленок SiO2 и диффузии примесей из них в кремний // Известия Белорусской инженерной академии. Специальный выпуск. Материалы VIII Международной НТК «Современные средства связи». – 2003. – №1(15)/4. – С.55-58.

39. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Применение диффузии бора из анодных оксидных пленок в технологии кремниевых ИС // Электронная промышленность. – 2004. – №1. – С. 61-62.

40. Милешко Л.П. Применение легированных анодных оксидных пленок в технологии кремниевых приборов и интегральных микросхем // Электронная промышленность. – 2004. – №4. – С. 160-161.

41. Милешко Л.П. Формирование n+- слоя на светоприемной стороне кремникона диффузией фосфора из анодной оксидной пленки // Электронная промышленность. – 2006. – №4. – С. 85.

42. Милешко Л.П., Королев А.Н. Электроника анодных оксидных пленок кремния и его соединений, формируемых в легирующих электролитах – Труды десятой международной научной конференции и школы-семинара «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». – Таганрог. 2006. – Ч.1. – С. 28-30.

43. Mileshko L.P. Doped Anodic Oxide Films Obtained on Silicon and Silicon Compounds: Preparation, Properties, and Application // Inorganic Materials. – 2009. – Vol. 45. – No.13. - PP. 1494-1510.

ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ НА КОНФЕРЕНЦИЯХ

44. Милешко Л.П. Особенности кинетики и механизма анодного окисления кремния в электролитах с легирующими компонентами // Тез. докл. 2 Всесоюзного симпозиума «Электрохимия и коррозия металлов в водно-органических и органических средах». – Ростов-на-Дону: ГКП ПГО «Южгеология». 1984. – С. 105-106.

45. Бобрицкий И.А., Милешко Л.П., Срывкин Ю.М. Состав и троение легированных анодных оксидных пленок кремния // Тез. докл. II Всесоюзной научной конф. «Физика окисных пленок». – Петрозаводск: ПГУ. 1987. - Ч. 1. – С. 18.

46. Милешко Л.П. Анодное окисление кремния, карбида и нитрида кремния // Тез. Докл. II Всесоюзной научной конференции «Физика окисных пленок».Т. II. – Петрозаводск: ПГУ. 1987. – С. 31.

47. Милешко Л.П. Применение модели коллоидного строения АОП на алюминии для описания механизма анодного окисления Si, SiC, Si3N4 // Тез. докл. Республ. НТС «Анод – 88». – Казань: КАИ. 1988. – С. 169 – 170.

48. Mileshko L.P., Sorokin I.N., Bondarenko V.P. Anodic oxidation of silicon in H3PO4 and H3BO3 containing solution // Abs. 40th Int. Soc. Electrochem. Meeting, Kyoto. Japan. Sept. 17-22, 1989. – P. 748-749.

49. Милешко Л.П., Гапоненко Н.В. Коллоидно-химические закономерности формирования и строения легированных оксидных пленок на поверхности полупроводниов // Тез. докл. Второй всесоюзный конф. по физике стеклообразных твердых тел. – Рига- Лиелупе: Институт физики Латвийской Ан. 1991. – С.220.

50. Борисенко В.Е., Милешко Л.П., Гапоненко Н.В., Ковалевский Д.К. Комплекс программ для моделирования на ПЭВМ физико–химических процессов микроэлектронной технологии // Тез. докл. IX Всесоюзной конф. «Химическая информатика». – Черноголовка: ИФАВ РАН. 1992. - Ч.1. – С.141.

51. Mileshko L.P. Doped anodic silica layers on silicon as diffusant // Kurzfassungen Innomata’ 96. Innovation by Materials. Dresden 7 – 9 Mai 1996.2 Ausstelungstagung fur Material – Technologie und Werkstoff – Anwendungen. Dresden. DRF PUNCT. 1996. – Р.338.

52. Варзарев Ю.Н., Милешко Л.П., Соловьев С.И. Быстрая термическая диффузия фосфора из анодного окисла // Тр. III Всероссийской науч. - техн. конф. с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». – Таганрог: Изд-во ТРТУ. 1996. – C. 44.

53. Милешко Л.П. Физико-химическое моделирование процессов формирования легированных оксидных пленок // Тез. докл. Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии». – Кисловодск. 2002. – С. 227-229.

54. Милешко Л.П., Авдеев C.П. Физико-химические особенности процессов получения пленок легированного анодного SiO2 и диффузии примесей из них в кремний // Тез. докл. III Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». – Кисловодск. 2003. – С. 66-68.

55. Mileshko L.P. Anodic oxidation of silicon carbide in doping electrolytes on the basis of ethylene glycol // Abstracts V International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials(ISSCRM-2004). Velikij Novgorod. 2004. – P. 85-86.

56. Милешко Л.П. Анодные пленки легированного диоксида кремния как диффузант в микроэлектронной технологии. Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии. IY Международная конференция. Кисловодск-Ставрополь: СевКавГТУ. – 2004. - С. 99 – 102.

57. Королев А.Н., Милешко Л.П. Физико-химические основы процессов получения наноразмерных анодных оксидных пленок кремния, легированных фосфором. Труды международной научно-технической конференции «Нанотехнологии - 2010». Таганрог: ТТИ ЮФУ. 2010. - Ч.1. – С. 243-244.