Научная тема: «ТЕПЛОВЫЕ И АКУСТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ II-VI С ПРИМЕСЯМИ 3d – ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ»
Специальность: 01.04.07; 01.04.10
Год: 2010
Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:
  1. Эффект гигантского теплосопротивления в кристаллах ZnSe:Ni2+ обусловлен резонансным рассеянием акустических фононов на низкоэнергетических внутрицентровых состояниях иона Ni2+ в условиях сильного статического эффекта Яна-Теллера тригонального типа для основного орбитального триплета.
  2. Низкотемпературная решеточная теплопроводность соединений AIIBVI:3d, благодаря своим резонансным аномалиям, является эффективным методом изучения структуры расщепления основного орбитально вырожденного электронного терма 3d-иона в тетраэдрическом окружении под действием спин-орбитального и ян-теллеровского взаимодействия.
  3. Впервые выявленные с помощью теплоёмкостного метода ближайшие к основному возбужденные низкоэнергетические состояния ионов Ni2+ и Fe2+ в соединениях AIIBVI имеют следующие энергии: для иона Ni2+ в ZnSe - 24см-1, в ZnTe - 4.5см-1; для иона Fe2+ в HgSe - 10.5см-1.
  4. Максимумы поглощения продольной и одной из поперечных ультразвуковых волн, обнаруженные в кристаллах AIIBVI c примесями 3d- металлов, имеют релаксационную природу. Полученная из эксперимента активационная температурная зависимость времени релаксации в этих соединениях является следствием спин-решеточной релаксации посредством механизма Орбаха-Аминова, в котором энергия активации имеет смысл энергии промежуточного состояния 3d-иона, расположенного над релаксирующими состояниями.
  5. Максимум в поглощении медленной поперечной ультразвуковой волны, распространяющейся в кубических соединениях II-VI с примесями 3d- переходных металлов, является индикатором тетрагональных ян-теллеровских искажений вблизи 3d- иона (деформаций Е- типа), а максимум в поглощении быстрой поперечной волны - тригональных искажений (деформаций Т2 - типа).
  6. Энергии внутрицентровых состояний для иона Ni2+ в ZnSe (65см-1) и ZnТe (20см-1), полученные из ультразвуковых экспериментов, дополняют энергии соответственно 24см-1 и 4.5см-1, полученные из анализа вклада Шоттки. В совокупности эти энергии определяют положения двух ближайших к основному спиновому синглету низкоэнергетических уровней иона Ni2+ в данных матрицах.
  7. Обнаруженная в соединениях AIIBVI:3d общая температурная аномалия динамических модулей упругости находит качественное объяснение в рамках концепции парамагнитной упругой (параупругой) восприимчивости: уменьшение обратной параупругой восприимчивости с убыванием температуры для крамерсовских 3d-ионов и ее насыщение для некрамерсовских ионов может быть объяснено вкладом соответственно от диагональных (низкокочастотных) и недиагональных (высококочастотных) матричных элементов операторов, описывающих взаимодействие ультразвуковых колебаний с парамагнитным ионом.
  8. Существенное отклонение электронной теплопроводности от закона Видемана-Франца, обнаруженное в бесщелевом полумагнитном полупроводнике HgFeSe, может быть описано количественно при учете резонансного рассеяния электронов в гибридизированных состояниях. Выявленная в температурной зависимости решеточной теплопроводности кристаллов Hg1-хFeхSe резонансно-подобная аномалия связана с новым механизмом релаксации акустических фононов - рассеянием их на гибридизированных электронах.
Список опубликованных работ
1.Соколов В.И., Лончаков А.Т. Необычно сильное резонансное изменение низкотемпературной теплопроводности кристаллов ZnSe:Ni, обусловленное рассеянием фононов на индуцированных заряженными примесями ангармонических модах // Письма ЖЭТФ. 2001. Т.73. №11. С.708-711.

2.Лончаков А.Т., Груздев Н.Б., В.И.Соколов В.И. Необычно сильное резонансного типа изменение низкотемпературной теплопроводности в полупроводниках А2В6, легированныхпримесями 3d - переходных металлов // ФТТ. 2002. Т.44. №8. С.1462-1464.

3.Lonchakov A.T., SokolovV.I., Gruzdev N.B. An unusually strong resonant phonon scattering by 3d- impurities in II-VI semiconductors // Phys.Stat.Sol. (c). 2004. V.1. №11. P.2967-2970.

4.Лончаков А.Т., Соколов В.И., Груздев Н.Б. Особенности фононной теплопроводности полупроводников II-VI, содержащих ионы 3d- переходных металлов // ФТТ. 2005. Т.47. №8. С.1504-1506.

5.Лончаков А.Т., Подгорных С.М., Соколов В.И., Груздев Н.Б., Шакуров Г.С. Низкоэнергетические возбужденные состояния ионов 3d- переходных металлов в селениде цинка // ФТТ. 2006. Т.48. Вып.9. С.1610-1613.

6.Sokolov V. I., Lonchakov A. T., Podgornykh S. M., Dubinin S. F., Teploukhov S. G., Parkhomenko V. D., Gurzdev N. B. Jahn-Teller effect and lattice shear strain in Zn1−xMxSe // Low Temp. Phys. 2007. V.33. № 2-3. P.202-206.

7.Gudkov V.V., Petrov S.B., Lonchakov A.T., Zhevstovskikh I.V., SokolovV.I., Gruzdev N.B. Ultrasonic investigation of a phase transition in ZnSe:Ni // Low Temp. Phys. 2004. V.30. № 11. P.912-915.

8.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Sokolov V.I., Zhevstovskikh I.V., Gruzdev N.B. Low temperature ultrasonic investigation of ZnSe crystals doped with Ni // Phys. Stat. Sol. (b). 2005. V. 242. №3. P. R30-R32.

9.Гудков В.В., Лончаков А.Т., Соколов В.И., Жевстовских И.В, Груздев Н.Б. Особенности поглощения и фазовой скорости ультразвука вблизи низкотемпературного фазового перехода , индуцированного 3d-примесью в кристалле ZnSe // ФТТ. 2005. Т. 47. №8. С. 1498-1500.

10.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Sokolov V.I., Zhevstovskikh I.V. Temperature dependences of relaxation time, adiabatic and isothermal elastic moduli in ZnSe:Ni and ZnSe:Cr crystals obtained in an ultrasonic experiment // Ultrasonic. 2006. V.44. P. e1411-e1414.

11.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Sokolov V.I., Zhevstovskikh I.V. Relaxaion in ZnSe:Cr2+ investigated with longitudinal ultrasonic waves // Phys. Rev. B. 2006. V.73. №3. P. 035213.

12.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Zhevstovskikh I.V., Sokolov V.I., Korostelin Yu.V., Landman A.I., Surikov V.T. Characterization of II-VI:3d crystals with the help of ultrasonic technique // Physica B. 2009. V.404. №23-24. P.5244-5246.

13.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Sokolov V.I., Zhevstovskikh I.V. Ultrasonic investigation of the relaxation time and the dynamic, relaxed, and unrelaxed elastic moduli in ZnSe:Cr // Low Temp. Phys. 2007. V.33. № 2-3. P.197-201.

14.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Sokolov V.I., Zhevstovskikh I.V., Surikov V.T. Ultrasonic investigation of ZnSe:V2+ and ZnSe:Mn2+ : Lattice softening and low- temperature relaxation in crystals with orbitally degenerate states // Phys. Rev. B. 2008. V.77. №15. P.155210.

15.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Sokolov V.I., Zhevstovskikh I.V. Ultrasonic Investigation of the Jahn-Teller Effect in ZnSe and ZnTe Crystals Doped with 3d Ions // Journal of the Korean Physical Society. 2008. V.53. №.1. P. 63-66.

16.Гудков В.В., Лончаков А.Т., Соколов В.И., Жевстовских И.В., Суриков В.Т. Низкотемпературная релаксация в кристалле ZnSe:V2+ // ФТТ. 2008. Т.50. №9. С. 1703-1706.

17.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., , Zhevstovskikh I.V., Sokolov V.I. Ultrasonic investigations of the Jahn–Teller effect in a ZnSe:Fe2+ crystal // Low Temp. Phys. 2009. V.35. № 1. P.76-78.

18.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Tkach A.V., Zhevstovskikh I.V., Sokolov V.I., Gruzdev N.B. Lattice Instability in ZnSe:Ni Crystal // Journ. Electr. Materials. 2004. V.33. №7. P.815-818.

19.Гудков В.В., Лончаков А.Т., Соколов В.И., Жевстовских И.В., Суриков В.Т. Адиабатические модули упругости в кристаллах ZnSe:Mn2+ и ZnSe:V2+ // ФТТ. 2008. Т.50. №9. С.1707-1709.

20.Кулеев И.Г., Ляпилин И.И., Лончаков А.Т., Цидильковский И.М. Неупругое рассеяние электронов в кристаллах HgSe:Fe // ЖЭТФ. 1994. Т.106. № 4(10). С.1205-1218.

21.Okulov V. I., Govorkova T. E., Gudkov V. V., Zhevstovskikh I. V., Korolyev A. V., Lonchakov A. T., Okulova K. A., Pamyatnykh E. A., Paranchich S. Yu. Low-temperature effects of resonance electronic states at transition-element impurities in the kinetic, magnetic, and acoustic properties of semiconductors // Low Temp. Phys. 2007. V.33. № 2-3. P.207-213.

22.Lonchakov A.T., Okulov V. I., Paranchich S. Yu. Observation and interpretation of the low-temperature features of the phonon thermal conductivity of mercury selenide crystals doped with impurities of 3d transition elements // Low Temp. Phys. 2009. V.35. № 1. P.71-75.

23.Окулов В.И., Гудков В.В., Лончаков А.Т., Жевстовских И.В., Говоркова Т.Е., Паранчич С.Ю. Взаимодействие ультразвука с электронами в гибридизированных состояниях на примесях железа в кристалле селенида ртути //Письма в ЖТФ. 2007. Т.33. № 19. С.32-39.

24.Окулов В.И., Гудков В.В., Говоркова Т.Е., Жевстовских И.В., Лончаков А.Т., Паранчич С.Ю. Резонансные эффекты проявлений гибридизированных электронных состояний примесей железа в температурных зависимостях коэффициента поглощения и скорости распространения ультразвука в селениде ртути // ФТТ. 2007. Т.49. № 11. С.1971-1975.

А также в других изданиях:

25.Гудков В.В., Лончаков А.Т., Жевстовских И.В, Соколов В.И., Груздев Н.Б. Релаксационное поглощение и дисперсия скорости ультразвука в кристаллах ZnSe:Cr2+. XVI сессия Российского акустического общества. Физическая акустика. Распространение и дифракция волн. Геоакустика. (Москва, 14-18ноября 2005г.): сборник трудов / М.: ГЕОС, 2005. Т.1. С. 144-147.

26.Лончаков А.Т., Подгорных С.М., Дубинин С.Ф., Теплоухов С.Г., Пархоменко В.Д., Груздев Н.Б., Соколов В.И. Эффект Яна-Теллера в Zn1-xNixSe // Межвузовский сборник научных трудов “Проблемы спектроскопии и спектрометрии”. Екатеринбург: Издательство УМЦ УПИ. 2005. Вып.20. С.83-92.

27.Lonchakov A.T., Sokolov V.I., Gruzdev N.B. Some New Aspects of the Low-Energy Excited States Problem in II-VI Selenides Doped with 3d- Transition Metal Ions // 12 International conference on II-VI compounds (Warsaw, Poland, September 12-16, 2005): Program & Abstracts / Warsaw: Polish Academy of Sciences, 2005. P.93.

28.Лончаков А.Т., Подгорных С.М., Соколов В.И., Груздев Н.Б., Шакуров Г.С. Низкоэнергетические возбужденные состояния ионов 3d- переходных металлов в селениде цинка // VII Российской конференции по физике полупроводников (Москва- Звенигород, 18-23 сентября 2005 г.): тез. докл. / Москва: Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН, 2005. С.277.

29. Лончаков А.Т., Соколов В.И. Низкотемпературные аномалии фононной теплопроводности полупроводника ZnSe:Ni2+ и твердых растворов на его основе // 34-e Совещание по физике низких температур (Ростов-на-Дону- п.Лоо, 26-30 сентября 2006 г.) : сборник трудов / Ростов-на-Дону: Из-во РГПУ, 2006. Т.2. С.95- 96.

30.Гудков В.В., Лончаков А.Т., Жевстовских И.В, Соколов В.И., Суриков В.Т. Ультразвуковые исследования низкотемпературной релаксации в кристалле ZnSe:V2+ // VIII Российская конференция по физике полупроводников (Екатеринбург, 30 сентября –5 октября 2007 г.):тез.докл. / Екатеринбург: Из-во ИФМ УрО РАН, 2007. С.377.

31.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Zhevstovskikh I.V., Sokolov V.I., Korostelin Yu.V., Landman A.I., Surikov V.T. Giant ultrasonic attenuation in ZnSe:Cr2+ and its possible application in crystal charactirezation // 14 International Conference on II-VI Compounds (St Petersburg, Russia, August 23-28, 2009): Program and Abstracts / St Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute of Russian Academy of Sciences, 2009. P.291.

32.Лончаков А.Т. Спин-решеточная релаксации и параупругая восприимчивость в ультразвуковых свойствах кубических кристаллов AIIBVI:3d // IX Российская конференция по физике полупроводников (Новосибирск-Томск, 28сентября – 3октября 2009г.): тезисы / Новосибирск-Томск, 2009. С.236 .

33.Лончаков А.Т. О природе низкотемпературных аномалий поглощения ультразвука и динамических модулей упругости в кубических кристаллах А2В6 с примесями переходных металлов // XVIII Уральская Международная зимняя школа по физике полупроводников. (Екатеринбург-Новоуральск, 15-20 февраля 2010г.): Программа и тезисы докладов / Екатеринбург: Из-во Института физики металлов УрО РАН, 2010. С.171-172.

34.Lonchakov A.T., Gruzdev N.B., Sokolov Victor I. An extraordinary strong resonant character of low temperature thermoconductivity in zinc selenide crystals doped with 3d– transition metal impurities // ХI Feofilov symposium on spectroscopy of crystals activated by rare earth and transition metal ions (Kazan, September 24-28, 2001): Abstracts / Kazan: 2001. Р.94.

35. Lonchakov A.T., SokolovV.I., Gruzdev N.B. Some new effects in phonon heat conductivity of II-VI semiconductors containing 3d transition elements // XII Feofilov symposium on spectroscopy of crystals activated by rare earth and transition metal ions (Ekaterinburg - Zarechnyi, Russia. September 22-25, 2004): Abstracts and Program / Ekaterinburg: Ural State Technical University-UPI, 2004. P.110.

36.Лончаков А.Т., Соколов В.И., Груздев Н.Б. Низкотемпературные аномалии фононной теплопроводности полупроводников АII-BVI, легированных примесями переходных 3d- элементов // XV Уральская Международная зимняя школа по физике полупроводников. (Екатеринбург-Кыштым, 16-21 февраля 2004 г.): Программа и тезисы докладов / Екатеринбург: Из-во Института физики металлов УрО РАН, 2004. С.113-114.

37.Lonchakov A.T., Sokolov V.I., Gruzdev N.B. An unusually strong resonant phonon scattering by 3d - impurities in II-VI semiconductors // 11th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter ( St Petersburg, Russia, July 25-30, 2004): Book of Abstracts / St. Petersburg: Ioffe Institute, 2004. Р.222-223.

38.Соколов В.И., Лончаков А.Т., Груздев Н.Б., Широков Е.А., Старовойтова В.Н., Соколов А.В. Экспериментальное наблюдение ангармонических мод, индуцированных заряженными 3d- примесями в полупроводниках А2В6 // V Российская конференция по физике полупроводников (Н-Новгород, 10-14 сентября 2001г.): тез. докл. / Н-Новгород: Из-во Института физики микроструктур РАН, 2001. Т.2. С.372.

39.Lonchakov A.T., Gruzdev N.B., Shirokov E.A., Starovoitova N.V., Sokolov A.V., Sokolov Victor I. Phonon thermoconductivity measurements and Field Exciton-Vibration Spectroscopy of anharmonic modes induced by charged nickel impurities in II-VI Semiconductors // Х International conference on II-VI compounds (Bremen, Germany, September 9-14, 2001): Abstracts / Bremen: UNIversum Convention Center, 2001. P. Мо-Р43.

40.Lonchakov A.T., Sokolov V.I., Gruzdev N.B., Shakurov G.S. Low-energy exited states of 3d transition metal ions in zinc selenide // 2 International Conference on Physics of Laser Crystals (Yalta, Crimea, Ukraine, September 25-30, 2005): Book of Abstracts and Program / Yalta: National Academy of Sciences of Ukraine, 2005. P.SC4.

41.Гудков В.В., Груздев Н.Б., Жевстовских И.В, Лончаков А.Т., Соколов В.И., Ткач А.В. Температурные аномалии поглощения и скорости ультразвука в кристаллах ZnSe:Ni // 33 Всероссийское Совещания по физике низких температур (Екатеринбург, 17-20 июня 2003г.): тез. докл. / Екатеринбург: 2003. Секции S и N. С.291-292.

42.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Zhevstovskikh I.V., Sokolov V.I. Temperature dependences of relaxation time, adiabatic and isothermal elastic moduli in ZnSe:Ni and ZnSe:Cr crystals obtained in ultrasonic experiment // World Congress on Ultrasonics – Ultrasonics International (WCU-UI 2005) (Bejing, China, 29 August - 1 September 2005): Program and Paper Abstracts / Bejing, China, 2005. P.32.

43.Гудков В.В., Лончаков А.Т., Жевстовских И.В, Соколов В.И., Груздев Н.Б. Ультразвуковое исследование эффекта Яна-Теллера в селениде цинка, легированном хромом // VII Российская конференция по физике полупроводников (Москва-Звенигород, 18-23 сентября 2005 г.):тез. докл ./ Москва: Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН, 2005. С.295.

44.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Zhevstovskikh I.V., Sokolov V.I., Korostelin Yu.V., Landman A.I., Surikov V.T. Characterization of II-VI:3d crystals with the help of ultrasonic technique // 25th International conference on Defects in Semiconductors (St.Petersburg, Russia, July 20-24, 2009): Book of Abstracts / St Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute of Russian Academy of Sciences, 2009. P.334.

45.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Zhevstovskikh I.V., Sokolov V.I. Low temperature relaxation in ZnSe:V2+ and ZnTe:Ni2+ crystals // 13 International Conference on II-VI Compounds (Jeju, Korea, September 10-14, 2007): Handbook & Abstract / The Korean Physical Society: Jeju, Korea, 2007. P.312.

46.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Zhevstovskikh I.V., Sokolov V.I., Surikov V.T. Low temperature relaxation in ZnSe:V2+ crystal // XIII Feofilov symposium on spectroscopy of crystals doped by rare earth and transition metal ions (Ircutsk, July 9-13, 2007): Book of Abstracts / Ircutsk: Publ. by Geography Institute, 2007. P. 44.

47.Gudkov V.V., Lonchakov A.T., Zhevstovskikh I.V., Sokolov V.I., Surikov V.T. The Jahn-Teller effect in ZnSe:Fe2+ // 25 International Conference on Low Temperature Physics (Amsterdam, Netherlands, 6-13 August 2008.): Abstracts / Amsterdam: RAI Convention Centre, 2008. P.323.

48.Лончаков А.Т., Окулов В.И., Паранчич С.Ю. Аномалия температурной зависимости электронной теплопроводности селенида ртути, обусловленная резонансным рассеянием электронов на примесях железа // XVI Уральская международная зимней школы по физике полупроводников (Екатеринбург-Кыштым, 27февраля – 4марта 2006г.): Программа и тез.докл. / Екатеринбург: Из-во ИФМ УрО РАН, 2006. С.179-180.

49.Окулов В.И., Говоркова Т.Е., Гудков В.В., Жевстовских И.В., Лончаков А.Т., Паранчич С.Ю. Низкотомпературные резонансные эффекты гибридизированных электронных состояний примесей железа в селениде ртути // 34-е совещание по физике низких температур (Ростов-на-Дону – п.Лоо, 26-30 сентября 2006г.): материалы / Ростов-на- Дону: Из-во РГПУ, 2006. Т.2. С.100–102.

50.Лончаков А.Т., Окулов В.И., Паранчич С.Ю. Низкотемпературные аномалии электронной и фононной теплопроводности селенида ртути с примесями 3d-переходных металлов // IX Российская конференция по физике полупроводников (Новосибирск-Томск, 28сентября – 3октября 2009г.): тезисы / Новосибирск-Томск, 2009. С.218.