- Многообразие форм организации наноматериала количественно характеризуется мультифрактальными параметрами, такими как степень упорядоченности Ар (нарушение локальной симметрии), нарушение общей симметрии Ас, размерность Реньи D (уровень самоорганизации), что позволяет идентифицировать, не диагностируемые традиционными методами различия в структуре наноматериалов, и связать эти различия с изменением физических свойств полупроводниковых слоев и гетероструктур, полученных в режимах самоорганизации.
- Разные формы организации наноматериала слоев и гетероструктур нитридов Ш-группы, количественно охарактеризованные мультифрактальными параметрами, отличаются между собой соотношением дилатационных и дислокационных границ, а также характером распределения дислокаций и их скоплений, что и предопределяет взаимосвязь электрических и оптических свойств с формой организации наноматериала.
- Взаимосвязь внешней квантовой эффективности (ВКЭ) светоизлучающих структур на основе InGaN/GaN с уровнем самоорганизации и степенью упорядоченности наноматериала носит пороговый характер и свидетельствует о том, что для получения ВКЭ выше 10% при плотностях тока меньше 10А/см необходимым условием является получение наноматериала с Ар< 0.340 , D< 1.60. Характер зависимости ВКЭ светодиодов от плотности тока определяется соотношением рекомбинации локализованных и делокализованных носителей. При этом по мере увеличения D и Ар возрастает вклад рекомбинации делокализованных носителей.
- Механизм релаксации напряжений путем образования гофрированной поверхности является одним из основных в многослойных гетероструктурах InGaAs/GaAs, AlGaAs/ GaAs, в том числе, с квантовыми точками InAs и приводит к кооперативным явлениям в системе матрица -квантовые точки, а также к изменению степени упорядоченности и уровня самоорганизации наноматериала и, как следствие этого, к изменению электрических и оптических свойств гетероструктур. Количественное определение D, Ар и Ас позволяет контролировать воспроизводимость технологии на всех стадиях процесса роста.
[A3] Polyakov A.Y.,Smirnov N.B.,Govorkov A.V.,Usikov A.S., Shmidt N.M., Pushnyi B.V.,TsvetkovD.V., Stepanov S.I., Dmitriev V.A., Mil´vidskii M.G.,"Deep centers and persistent photoconductivity studies in variously grown GaN films" MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 5S1 (1998).
[A4] PolyakovA.Y., UsikovA.S., Theys В., Govorkov A.V., Shmidt N.M., Lundin W.V. /´Effects of proton implantation on electrical and recombination properties of «-GaN" Solid-State Electronics, 44, 1971-1983 (2000).
[A5] Shmidt N.M., Lundin W.V., Sakharov A.V., Usikov A.S., Zavarin E.E., Govorkov A.V., Polyakov A.Ya., Smirnov N.B., "Ultra-violet photodetectors based on GaN and AlxGai_xN epitaxial layers" Proceedings of SPIE, 4340, 92-96 (2000).
[A6] Shmidt N.M.,Emtsev V.V.,Kolmakov A.G.,Kryzhanovsky A.G.,Lundin W.V., Poloskin D.S., Ratnikov V.V., Titkov A.N., Zavarin E.E., "Correlation of mosaic structure peculiarities with electric characteristics and surface multifractal parameters for GaN epitaxial layers" Nanotechnology, 12, 471-474 (2001).
[A7] Busov V.M., Emtsev V.V., Kyutt R.N., Lundin V.V.,Poloskin D.S., Ratnikov V.V., Sakharov A.V., Shmidt N.M., "Silicon impurity-related effects on structural defects in III-V nitrides" Solid State Phenomena, 69-70, 525-530 (1999).
[A8] Emtsev V.V., DavydovYu., Kozlovskii V.V., Poloskin D.S., Smirnov N.B., Shmidt N.M., Usikov A.S., "Behavior of electrically active point defects in irradiated MOCVD n-GaN" Physica B, 273-274, 101-104 (1999).
[A9] Shmidt N.M., Kolmakov A.G., Kryzhanovsky A.S., Ratnikov V.V., Titkov A.N., "Multifractal analysis of GaN epilayer surface structure" Inst. Phys. Conf. 169, 303-306 (2001).
[А10] Shmidt N.M., Kolmakov A.G., Dunaevsky M.S., Emtsev V.V., Kryzhanovsky A.S., Lundin W.V., Poloskin D.S., Ratnikov V.V., Titkov A.N., Usikov A.S., Zavarin E.E., "Variations in the degree of order index of GaN epilayer mosaic structure after Si doping" Inst. Phys. Conf. 169, 341-344 (2001).
[All] Kolmakov A.G., Emtsev V.V., Lundin W.V., Ratnikov V.V., Shmidt N.M., Titkov A.N., Usikov A.S., "A new approach to analysis of mosaic structure peculiarities of gallium nitride epilayers" Physica B: Physics of Condensed Matter, 308-310, 1141-1144 (2002).
[A12] Shmidt N.M., Aliev G., Besyul´kin A.N., Davies J., Dunaevsky M.S. , Kolmakov A.G. , Loskutov A.V. , Lundin W.V. , Sakharov A.V. , Usikov A.S. , Wolverson D., E.E. Zavarin E.E. , "Mosaic structure and optical properties of III-nitrides", physica status solidi(c)0, 558-562 (2002).
[A13] Shmidt N.M., Besyul´kin A.N., Kolmakov A.G., Lundin W.V., Usikov A.S. , Yakimov E.B.,Zavarin E.E.,"EBIC characterization of III nitride structures using multifractal parameterization", physica status solidi (c)0, 457-460 (2002).
[A14] Андрианов A.B., Некрасов В.Ю., Заварин E.E., Шмидт Н.М., Низкотемпературная время- разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN ФТП, 36, 679-684 (2002).
[А15] Besyul´kin A.N., Dunaevsky M.S., Kolmakov A.G., Shmidt N.M., Mosaicity and electrical and optical properties of group III nitrides Journal of Physics: Condensed Matter, 14, 13025-13030( 2002).
[A16] Soltanovich O.A., Usikov A.S., Yakimov E.B., Shmidt N.M., High-resolution electron-beam- induced-current study of the defect structure in GaN epilayers Journal of Physics: Condensed Matter, 14, 13285-13290( 2002).
[A17] Besyul´kin A.N., Dunaevsky M.S., Kolmakov A.G., Shmidt N.M., Yakimov E.B., EBIC characterization of Ш-nitride structures using multifractal parameterization physica status solidi (c), 0, 457-460( 2002).
[A18] Aliev G., Wolverson D., Usikov A.S., Lundin W.V., Shmidt N.M., Mosaic structure and optical properties of Ill-nitrides, 0, 558-562( 2002).
[A19] Girard P., Cadet Ph., Ramonda M., Shmidt N.M., Usikov A.S., Lundin W.V., Dunaevskii M.S., Titkov A.N.,Atomic and electrostatic force microscopy observations on gallium nitride, Phys. Stat. Sol. (a) 195, 508-515 (2003).
[A20] Polyakov A.Y., Smirnov N.B.,Shmidt N.M., Govorkov A.V.,Pearton S.J., New type of defects related to nonuniform distribution of compensating centers in p-GaN films, Electronics 47, 10(2003).
[A21] Бенеманская Г.В., Бесюлькин А.И., Шмидт Н.М., Термостабильность эпитаксиальных слоев GaN с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры, ФТТ 45, 980-983 (2003).
[A22]KolmakovA.G.,LoskutovA.V.,Polyakov A.Y. , Smirnov N.B., Shmidt N.M., Govorkov A.V., Pearton S.J.,Osinsky A.V., Effect of mosaic structure on mobilities in p-GAN films and superlattices, Solid-State Electronics 47,1003-1008 ( 2003). [A23]AnkudinovA.V.,BesyulkinA.I.,KolmakovA.G.LundinW.V.,RatnikovV.V., A.A.Sitnikova,Titkov A.N.,A.S.Usikov ,E.B.Yakimov, E.E.Zavarin, Zolotareva R.V., Shmidt N.M., Peculiarities of extended defect system in Ш-nitrides with different degrees of order of mosaic structure, Physica В 340-342, 462-465 (2003).
[А24] Soltanovich O.A., Yakimov E.B., Usikov A.S., Lundin W.V., Shmidt N.M., Correlation of diffusion length and trap concentration with dislocation density in MOCVD-grown GaN, Physica B340-342, 479-483( 2003).
[A25] Shmidt N.M., Aliev G.F., Wolferson D., Yakimov E.B., Zavarin E.E., Photoluminescence mapping of GaN epilayers with different degrees of order of mosaic structure, Institute of Physics Conf. Series 180 , 333-336(2003).
[A26] Dunaevsky M.S., Soltanovich O.A., Zolotareva R.V., E.B.Yakimov E.B., Shmidt N.M.,SEM investigations of individual extended defects in GaN epilayers, Physics Conf. Series .180 , 597-600(2003).
[A27] Лундин B.B., Заварин E.E., Бесюлькин А.И., Гладышев А.Г., Сахаров А.В., Кокорев М.Ф., Леденцов Н.Н., Алфёров Ж.И., Каканаков Р., Шмидт Н.М., Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, ФТП38, 1364-1367(2004).
[А28] Левинштейн М.Е., Лундин В.В.,Бесюлькин А.И., Копьев П.С., Rumyantsev S.L., Pala N., Shur M.S., Шмидт H.M., Низкочастотный шум в эпитаксиальных слоях нитрида галлия с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры,ФТП 38, 1036-1038 (2004).
[А29] A.I.Besyulkin A.I., Kartashova А.Р., Kolmakov A.G., Lundin W.V., Shmidt N.M., Mezdrogina M.M., Sakharov A.V., Sitnikova A.A., Zakgeim A.L., Zavarin E.E., Zolotareva R.V., N.M.Shmidt N.M., Surface control of light-emitting structures based on Ш-nitrides, phys. stat. sol. (c) 2, 837-840 (2005).
[A30] Бланк T.B., Гольдберг Ю.А.,Заварин E.E., Константинов О.В., Шмидт Н.М., Термополевой прямой ток в поверхностно-барьерных структурах на основе GaN, ФТП 39, 705-709 (2005).
[А31] Sirotkin V.V., Sitnikova А.А., Soltanovich О.A., Zolotareva R.V., Yakimov Е.В., Shmidt N.M.,SEM/EBIC investigations of extended defect system in GaN epilayers, phys. stat. sol. (c) 2, 1797-180Ц 2005).
[A32] Baranov E.E., Gladyshev A.G., Kamanin A.V., Kolmakov A.G., Kryzhanovskaya N.V., Musikhin Yu.G., Petrov V.N., Sedova I.V., Titkov A.N., Shmidt N.M., Surface of control of cooperative phenomena in nanostructured materials with quantum dots, phys. stat. sol. (c) 2, 1912-1916 (2005).
[A33] Kamanin A.V. , Kolmakov A.G. , Kopev P.S., Onushkin G.A., Sakharov A.V., Shmidt N.M., Sizov D.S., Sitnikova A.A., Zakgeim A.L.and R.V. Zolotareva R.V., Usikov A.S., Degradation of blue LEDs related to structural disorder, Phys.stat.sol.(c) 3, 2129-2132 (2006).
[A34] Greshnov A.A., Chernyakov A.A., Ber B.Y., Davydov D.VKovarskyi A.P., Shmidt N.M., Soltanovich O.A., Vergeles P.S., Yakimov E.B. and Zakgeim A.L., Comparative Study of Quantum Efficiency of Blue LED with Different Nanostructural Arrangement, Phys.stat.sol.(c) 3, 2136-2139 (2006).
[A35] Шмидт H.M., Якимов Е.Б., Диффузионная длина неравновесных носителей заряда и ее связь со структурной организацией нитридов Ш-группы, Поверхность 101, 61-65, (2006).
[А36] Davydov D. V., Zakgeim D. V., Snegov F. M., Sobolev M.M., Chernyakov A. E., Usikov A. S., and Shmidt N. M., Localized States in the Active Region of Blue LEDs Related to a System of Extended Defects,Technical Physics Letters 33, 143-146 (2007).
[A37] Shmidt N.M., Vergeles H.S., Shmidt N.M., and E.B. Yakimov E.B., EBIC Characterization of Light-Emitting Structures Based on GaN, Semiconductors 41, 491-494 (2007).
[A38] Васильев А.П, Гладышев А.Г., Жуков A.E., Крыжановская Н.В., Михрин B.C., Мусихин Ю.Г., Петров B.C., Ратников В.В., Шмидт Н.М., Особенности фотолюминесценции метаморфных квантовых точек InAs, связанные с кооперативными явлениями в системе квантовые точки -матрица , Письма в ЖТФЗЗ, 10 (2007).
[А39] Васильева Е.Л., Закгейм А.Л., Снегов Ф.М.,Черняков А.Е., Шмидт Н.М., Якимов Е.Б., Некоторые закономерности деградации синих светодиодов на основе InGaN/GaN, Светотехника, 30-33(2007).
[А40] Shmidt N.M., Yakimov Е.В., Diffusion length and effective carrier lifetime in III- nitrides, International Journal of Nanoscience 6, 323 - 326 (2007). [A41] Chernyakov A.E., Sobolev M.M., Ratnikov V.V., Shmidt N.M., Yakimov E.B., Nonradiative recombination dynamics in InGaN/GaN LED defect system Superlattices and Microstructures 45, 301-307 (2009).
[A42] Baranov E. I., Ber B.Y., Chernyakov A.E., Kolmakov A.G., Maleev N.A., Shmidt N.M, Yakimov E.B., Surface Monitoring of HEMT Structures Superlattices and Microstructures 45, 332-336 (2009).
[A43] Аверкиев H.C., Левинштейн M.E., Петров П.В., A.E. Черняков A.E., Шабунина Е.И., Шмидт Н.М. ,Особенности рекомбинационных процессов в светоизлукчающих структурах на основе InGaN/GaN при больших плотностях инжекционных токов , Письма в ЖТФ 35, 97-102 (2009).