- Результаты исследований по изучению влияния различных видов ионизирующего облучения на дискретные элементы полупроводниковых структур, оценка основных электрофизических параметров, характеризующих их работоспособность в поле излучений и других дестабилизирующих факторов.
- Определение для каждого элемента полупроводниковых структур различного технологического происхождения пороговой дозы облучения, после достижения которой происходит изменение их рабочих параметров.
- Установление влияния поверхностных радиационных эффектов на функциональную деятельность полупроводниковых структур различных техно-логий, работающих в полях ионизирующих излучений.
- Экспериментальное обоснование эффекта защелкивания в полупроводниковых структурах при их работе в полях дестабилизирующих факторов (температура, радиация и др.) в зависимости от электрического режима.
- Разработка методики проведения экспериментов на лазерном имитаторе, которая позволяет надежно контролировать проявление эффекта защелкивания в многослойных полупроводниковых структурах в широком диапазоне интенсивности излучения и температуры, режимов работы ИМC и др.
1.Агаханьян Т.М. Интегральные микросхемы. М.:Энергоатомиздат, 1983.С. 464.
2.Аствацатурьян Е.Р., Никифоров А.Ю., Раткин А.В. Защёлкивания в интегральных микросхемах // Зарубежная электронная техника. 1989. Вып.10. С.22-27.
3.Аствацатурьян Е.Р., Ахабаев Б.А., Скоробогатов П.К. Исследование переходных эффектов // Зарубежная электронная техника. 1988. Вып.6. С. 64-66.
4.Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах // М.: Атомиздат. 1969. С.312.
5.Гадоев С.М., Головин А.В., Никифоров А.Ю. Схематическое моделирование базовых элементов ИС с учетом воздействия импульсного ионизирующего излучения// Проблемы создания полупроводниковых приборов ИС и РЭА. Петрозаводск. 1991. С.74.
6.Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы // Минск: Наука и техника. 1986. С.254.
7.Е.Р.Аствацатурьян, А.Ю.Никифоров, А.В.Раткин. Методы повышения стойкости ИМС к защелкиванию // Зарубежная электронная техника. 1989. Вып.10. С.71-74.
Список работ, опубликованных по теме диссертации
1.Головин А.В., Гадоев С.М., Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К. Схемотехническое моделирование базовых эммитеров ИС с учётом воздействия импульсного ионизирующего излучения // Тезисы докл. междунар. конф. «Проблемы создания полупроводниковых приборов, ИС и РЭА на их основе, стойких к ВВФ». Петрозаводск. 1991. С.22-23.
2.Скоробогатов П.К., Султонов Н.С., Гадоев С.М. Модель для расчёта вли-яния температуры на радиационное защёлкивание КМДП структур // Вестник Таджикского госуниверситета. Душанбе. № 5. 1991. С.168-172.
3.Скоробогатов П.К., Султонов Н.С., Гадоев С.М. Физические проблемы моделирования воздействия высокоэнергетического излучения лазером в широком диапазоне температур // Доклады АН РТ. 1992. Т.35(6). С.93-96.
4.Гадоев С.М. Методы повышения стойкости паразитной 4-слойной структуры // Тезисы докл. апрельской научно-теорет. конф. Профессор-ско-преподавательского состава ТГНУ. Душанбе. 1993. С.29.
5.Гадоев С.М. Паразитные эффекты в КМДП ИМС в широком диапазоне температур //Акт о внедрении работы. НИИТТ. Москва. 1993.
6.Гадоев С.М. Факторы, влияющие на возникновение эффекта защёлки-вания в КМДП ИС // Тезисы докл. Апрельской научно-теорет. конф. Про-фессорско-преподавательского состава ТГНУ. Душанбе. 1994. С.101.
7.Гадоев С.М. Экспериментальные методы возбуждения «latсh-up» в ИМС // Тезисы докл. респ. научно-теорет. конф. «Проблемы физики прочности и пластичности и физики жидкого состояния». Душанбе. 1995. С.86.
8.Гадоев С.М. Модель для расчёта воздействия температуры на радиационные защёлкивания КМОП структур // Материалы юбилейной научно-теор. конф. посвящённой 50-летию университета. Душанбе. 1995. С57.
9.Гадоев С.М., Скоробогатов П.К. Имитационные испытания ИМС на защелкивание // Тезисы докл. междунар. конф., посвящённой 50-летию ТГНУ и 70-летию проф. Назруллаева Б.Н. Душанбе. 1997. С.55.
10.Гадоев С.М. Методы повышение стойкости к защёлкиванию паразитной четырёхслойной структуры // Вестник ТГНУ. №5. 1997. С.26-29.
11.Скоробогатов П.К., Гадоев С.М. Паразитные эффекты в металл-диэлек-трик-полупроводниковых интегральных микросхемах // Монография. Душанбе: Сино. 1998. 64 с.
12.Скоробогатов П.К., Гадоев С.М. Влияние дестабилизирующих факторов на параметры защёлкивания КМДП-структур // Вестник ТГНУ. 2000. Вып.1. С.22-24.
13.Гадоев С.М. Воздействие ИИ на работу микроэлектронных схем и их компонентов // Материалы конф. «Координационные соединения и аспекты их применения». Вестник ТГНУ. 2000. Вып.4. С.38-41.
14.Гадоев С.М. Проблемы моделирования влияния ионизирующего лазер-ного излучения на ИМС в широком диапазоне температур // Тезисы докл. на междунар. конф. «Физика конденсированных систем». ФТИ им.С.У. Умарова АН РТ. Душанбе. 2001. С. 26.
15.Гадоев С.М. Изучение переходных ионизационных эффектов в ИМС // Вестник ТГНУ. 2001. Вып.5. С. 44-46.
16.Гадоев С.М. Аттестационные испытания КМОП ИС на защёлкивания в условиях повышенной температуры //Вестник ТГНУ.2001. Вып.1.С.51-54.
17.Гадоев С.М. Влияние равномерного излучения на параметры ИМС// Вестник ДГПУ. 2001. Вып.1. С.41-46.
18.Гадоев С.М. Исследование паразитных КМДП-структур в широком диапазоне температур // Вестник ТГНУ. 2001. Вып. 5. С. 53-56.
19.Гадоев С.М. Выявление катастрофических отказов ИМС с использо-ванием лазерных имитаторов // Вестник ТГНУ. 2001. Вып.5. С.46-49.
20.Гадоев С.М. Об эффекте защёлкивания в КМДП ИМС в широком диапазоне температур // Материалы международный научной конф., пос-вященной 70-летию академика Б.Г. Гафурова. Худжанд. 2002. С.50.
21.Гадоев С.М. Температурная зависимость параметров физического уровня паразитных 4-слойных структур КМДП ИМС // Материалы межд. конф. по физике конденсированного состояния и экологических систем. ФТИ им. Умарова АН РТ. Душанбе. 2002. С.59-61.
22.Гадоев С.М., Скоробогатов П.К. Влияние температуры и уровня леги-рования на параметры лазерного имитационного моделирования иони-зационных эффектов в кремниевых ИС // Микроэлектроника. 2005. том34. №6. С.451-454.
23.Гадоев С.М., Гафуров О.В. К вопросу воздействия гамма-облучения на естественные и стимулированные процессы старения в сложных полупро-водниках // Вестник ТГНУ. 2006. №2. C. 66-70.
24.Гадоев С.М. Влияние гамма облучения на стимулированные процессы в полупроводниковых структурах // Наука и новые технологии. 2007. №1.C. 202-203.
25.Гадоев С.М. Влияние ионизирующего излучения на полупроводиковые изделия // Библиограф., 7.- Рус. Деп. В НПИ центре. №21 (1810) от 26.06.2009. Душанбе. 23с.
26.Гадоев С.М. Радиационно-стимулированные отказы ИС в зависимости от дозы ионизирующего излучения // Библиограф., 7.- Рус. Деп. В НПИ центре. №21 (1810) от 26.06.2009. Душанбе. 3с.
27.Гадоев С.М. Эффект защёлкивания в комплементарных металл – окисел полупроводник интегральных микросхемах // Современные наукоемкие технологии. 2011. № 2. С.58-61.
28.Гадоев С.М. Исследование влияния лазерного излучения на параметры 4-слойных КМДП ИМС //Современные наукоемкие технологии. 2011. № 3. С. 44-48.
29.Гадоев С.М., Ходжаев Т.А., Гафуров О.В. Исследование влияния радиации на электрофизические параметры терморезисторов (тр) // Сов-ременные наукоемкие технологии. 2011. № 2. С. 56-57.
30.Гафуров О. В., Ходжаев Т.А., Гадоев С.М. Радиационное дефекто-образование и энергетический спектр образующихся в n и р–кремнии при облучении альфа-частицами и нейтронами // ТДУ. Вестник. 2014. Дангара. С.16-20.
31.Гадоев С.М.,Гафуров О.В. Особенности технического и математического обеспечения средств контроля интегральных схем при воздействии различных дестабилизирующих факторов // Научный журнал «Наука и инновация».2014. №1. Душанбе. С.69-71.