- Ge, Mn2P и MnP нитевидные нанокристаллы могут быть синтезированы с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии.
- Источником атомов In для роста МпРЯпР гибридных нанокристаллов, демонстрирующих ферромагнитное упорядочение до температур порядка 310К, может служить подложка InP, на поверхности которой осуществляется их непосредственный синтез.
- Использование в качестве катализатора роста Mn позволяет синтезировать (Са,Мп)А5нитевидные нанокристаллы, проявляющие ферромагнитные свойства до 70 К, с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии при условии стабилизации по элементам металлической группы.
- Возбуждение механических колебаний одиночных нитевидных нано-кристаллов и их непосредственная регистрация с помощью растрового электронного микроскопа позволяет определить значение модуля упругости исследуемых нитевидных нанокристаллов.
- Селективное легирование атомами Mn центральных частей полупроводниковых квантовых точек с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии позволяет получить структуры с высоким кристаллическим качеством.
А2. A.D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, K. Sato/ Self-assembled nanowhiskers grown by MBE on InP(001) surface// Phys. Stat. Sol. (a)203, 2793-2799 (2006).
A3. K. Sato, A. Bouravleuv, A. Koukitu, T. Ishibashi/ Self-Assembled Growth and Characterization of MnxP Nanowires// Jpn. J. Appl. Phys.47, 8214-8217 (2008).
A4. A.D. Bouravleuv, S. Mitani, R.M. Rubinger, M.C. do Carmo, N.A. Sobolev, T. Ishibashi, A. Koukitu, K. Takanashi, K. Sato/ Magnetic properties of MnP nanowhiskers grown by MBE// Physica E 40, 2037-2039 (2008).
A5. M.S. Reis, R. Rubinger, N. Sobolev, M.A. Valente, K. Yamada, K. Sato, Y. Todate, A. Bouravleuv, P.J. von Ranke, S. Gama/ Influence of strong magnetic anisotropy on the magnetocaloric effect of MnP single crystal// Phys. Rev. B77, 104439 (2008).
A6. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas/ Critical diameters and temperature domains for MBE growth of III–V nanowires on lattice mismatched substrates// Phys. Stat. Sol. RRL3, 112–114 (2009).
A7. U. Perinetti, N. Akopian, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, G.E. Cirlin, V. Zwiller/ Sharp emission from single InAs quantum dots grown on vicinal GaAs surfaces// Appl. Phys. Lett.94, 163114 (2009).
A8. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, A.D. Bouravleuv, Yu.B. Samsonenko, D.L. Dheeraj, H.L. Zhou, C. Sartel, J.C. Harmand, G. Patriarche, F. Glas// Role of nonlinear effects in nanowire growth and crystal phase// Phys. Rev. B80, 205305 (2009).
A9. A.D. Bouravleuv, N.V. Sibirev, G. Statkute, G.E. Cirlin, H. Lipsanen, V.G. Dubrovskii/ Influence of substrate temperature on the shape of GaAs nanowires grown by Au-assisted MOVPE// J. Cryst. Growth312, 1676–1682 (2010).
A10. B.V. Novikov, S.Yu. Serov, N.G. Filosofov, I.V. Strohm, V.G. Talalaev, O.F. Vyvenko, E.V. Ubyivovk, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii/ Photoluminescence properties of GaAs nanowire ensembles with zincblende and wurtzite crystal structure// Phys. Stat. Sol. RRL4, 175–177 (2010).
A11. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, K. Durose, Y.Y. Proskuryakov, B. Mendes, L. Bowen, M.A. Kaliteevski, R.A. Abram, D. Zeze/ Self-catalyzed, pure zincblende GaAs nanowires grown on Si(111) by molecular beam epitaxy// Phys. Rev. B82, 035302 (2010).
A12. Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, А.И. Хребтов, А.Д. Буравлев, Н.К. Поляков, В.П. Улин, В.Г. Дубровский, P. Werner/ Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии// ФТП45, 441-445 (2011).
A13. С.В. Карпов, Б.В. Новиков, М.Б. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, И.В. Штром, Г.Э. Цырлин, А.Д. Буравлев, Ю.Б. Самсоненко/ Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений A3B5// ФТТ53, 1359 – 1366 (2011).
A14. А.Д. Буравлев, Г.Э. Цырлин, В.В. Романов, Н.Т. Баграев, Е.С. Брилинская, Н.А. Лебедева, С.В. Новиков, H. Lipsanen, В.Г.Дубровский/ Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств// ФТП46, 188-193 (2012).
A15. V.N. Kats, V.P. Kochereshko, A.V. Platonov, T.V. Chizhova, G.E. Cirlin, A.D. Bouravleuv, Yu.B. Samsonenko, I.P. Soshnikov, E.V. Ubyivovk, J. Bleuse, H. Mariette/ Opticalstudyof Ga Asquantumdotsembeddedinto Al Ga Asnanowires// Sem. Sci. Tech. 27, 015009 (2012).
A16. А.Д. Буравлев, А.А. Зайцев, П.Н. Брунков, В.Ф. Сапега, А.И. Хребтов, Ю.Б.Самсоненко, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов/ Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As// ПЖТФ38, 21-27 (2012).
A17. А.Д. Буравлев, Г.О. Абдрашитов, Г.Э. Цырлин/ Молекулярно-пучковая эпитаксия (Ga,Mn)As нитевидных кристаллов на поверхности GaAs(100)// ПЖТФ38, 78-83 (2012).
A18. M. Tchernycheva, L. Rigutti, G. Jacopin, A. de Luna Bugallo, P. Lavenus, F.H. Julien, M. Timofeeva, A.D. Bouravleuv, G.E. Cirlin, V. Dhaka, H. Lipsanen, L. Largeau/ Photovoltaic properties of GaAsP core-shell nanowires on Si(001) substrate// Nanotechnology23, 265402 (2012).
A19. А.Д. Буравлев, Д.В. Безнасюк, Е.П. Гильштейн, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, И.В. Штром, М.А. Тимофеева, Ю.Б. Самсоненко, А.И. Хребтов, Г.Э.Цырлин / Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристалловGaAs:Be // ФТП47, 797-801 (2013).
A20. С.А. Блохин, А.М.Надточий, А.А. Красивичев, Л.Я. Карачинский, А.П. Васильев, В.Н. Неведомский, М.В. Максимов, Г.Э. Цырлин, А.Д. Буравлев, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов/ Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs// ФТП47, 87-91 (2013).
A21. A. Bouravleuv, G. Cirlin, V. Sapega, P. Werner, A. Savin, H. Lipsanen/ Ferromagnetic (Ga,Mn)As nanowires grown by Mn-assisted molecular beam epitaxy// J. Appl. Phys. 113, 144303 (2013).
A22. А.Д. Буравлев, В.Н. Неведомский, Е.В. Убыйвовк, В.Ф. Сапега, А.И. Хребтов, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов/ Квантовые точки (In,Mn)As: Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксиии оптические свойства// ФТП47, 1033-1036 (2013).
A23. Н.В. Сибирев, А.Д. Буравлев, Ю.М. Трушков, Д.В. Безнасюк, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин/ Влияние потока мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии самокаталитических нитевидных нанокристаллов (Ga,Mn)As// ФТП47, 1425-1430 (2013).
A24. А.Д. Буравлев, Н.В. Сибирев, Д.В. Безнасюк, N. Lebedeva, S.Novikov, H. Lipsanen, Г.Э. Цырлин/ Новый метод определения модуля Юнга (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов с помощью растрового электронного микроскопа// ФТТ55, 2118-2122 (2013).
A25. V.N. Trukhin, A.S. Buyskikh, N.A. Kaliteevskaya, A.D. Bourauleuv, L.L. Samoilov, Yu.B. Samsonenko, G.E. Cirlin, M.A. Kaliteevski, A.J. Gallant/ TerahertzgenerationbyGaAsnanowires// Appl. Phys. Lett. 103, 072108 (2013).
A26. А.Д. Буравлев, Н.В. Сибирев, Е.П. Гильштейн, П.Н. Брунков, И.С. Мухин, M. Tchernycheva, А.И. Хребтов, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин/ Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)Asнитевидных нанокристаллов// ФТП48, 358-363 (2014).
публикации в материалах научных мероприятий:
A27. A.D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, K.Sato/ MBE growth and properties of self-assembled nanowhiskers on InP(001) surface// Ext. abs. of the 66th Autumn Meeting of the Japan Society of Applied Physics, (7-11 September, 2005), Tokushima, Japan, No. 1, p. 361.
A28. K. Minami, A.D. Bouravleuv, Y. Sato, T. Ishibashi, K. Sato/ Preparation and characterization in MnGeP2 thin film// Proc. of Workshop on Ternary and Multinary Compounds, (25-26 November, 2005), Tokyo, Japan, pp. 193-196. (inJpn.)
A29. A.D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, K. Sato/ Self-assembled nanowhiskers on InP(001) surface// Proc. of Workshop on Ternary and Multinary Compounds, (25-26 November, 2005), Tokyo, Japan, pp. 181-184.
A30. K. Minami, A.D. Bouravleuv, Y. Sato, T. Ishibashi, K. Sato/ Fabrication and characterization of MnP// Ext. Abs. of Colloquium on “Future Nano-materials and Coherent Optical Science”, (December 10, 2005), Tokyo, Japan, p. 41. (inJpn).
A31. A.D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, K. Sato/ Self-assembled semiconductor nanowiskers on InP(001) surface// Ext. Abst. of COE meeting “Future Nano-materials and Coherent Optical Science”, (December 10, 2005), Tokyo, Japan, p. 38.
A32. A.D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, K. Sato/ MBE growth of Mn-based nanowhiskers on different semiconductor substrates// Ext. Abs. of Colloquium on “Future Nano-materials”, (February 23, 2006),Tokyo, Japan, p. 48.
A33. A.D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, K. Sato/ MnP and Ge self-assembled nanowhiskers on InP(001)// Proc. of the 14th Int. Symp. onNanostr.: Physics and Technology (NANO2006), (26-30 June 2006), St.Petersburg, Russia, p. 96-97.
A34. K. Sato, A. Bouravleuv, K. Minami, Y. Sato and T. Ishibashi/ Self-assembled MnP and Ge nanowhiskers: MBE growth and properties// The 36th National Conf. on Crystall Growth (NCCG36) of Jap. Assoc. for Cryst. Growth (JACG), (1-3 November 2006)Osaka, Japan, J. Jap. Assos.forCryst. Growth33, p. 104. (inJpn.)
A35. A.D. Bouravleuv, K. Minami, Y. Sato, T. Ishibashi, K. Sato: MBE growth and characterization of MnP and Ge nanowhiskers. Proc. of the 28th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (ICPS28), (July 24-28 2006), Vienna, Austria.Ed. by W. Jantsch and F. Schaffler.AIP Conf. Proc. 893, 57-58 (2007).
A36. A.D. Bouravleuv, H Sosiati, T Ishibashi, N Kuwano, K Sato/ MBE fabrication of MnxPnanowhiskes// Proc, of the Int. Conf. on Nano Science and Technology (ICN+T 2007), (July 1-6 2007), Stockholm, Sweden, J. Phys.: Conf. Series100, 052052 (2008).
A37. Г.Э. Цырлин, А.Д. Буравлев, Ю.Б. Самсоненко, G. Statkute, H. Lipsanen/ Рост А3В5 нитевидных нанокристаллов без внешнего катализатора// Труды XIII Межд. cимп. «Нанофизика и наноэлектроника», 16-20 марта 2009, Н.Новгород, с. 28-29.
A38. G.E. Cirlin, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.K. Polyakov, N.V. Sibirev, V.G. Dubrovskii, M. Tchernycheva, J.C. Harmand/ A3B5 coherentnanowiresonsiliconsubstrates: MBEgrowthandproperties// Proc.17thInt. Symp. “Nanost.: physics and technology” – June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.123-124.
A39. A.D. Bouravleuv, G. Statkute, G.E. Cirlin, H. Lipsanen/ Self-catalized MOVPE growth of GaAs whiskers// Proc.17th Int. Symp. “Nanostr.: physics and technology” – June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.125-126.
A40. B.V. Novikov, S.Yu. Serov, N.G. Filosofov, I.V. Shtrom, V.G. Talalalev, O.F. Vyvenko, E.V. Ubyivovk, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin/ Optical properties of GaAs nanowires studied by low temperature photoluminescence// Proc.17th Int. Symp. “Nanostr.: physics and technology” – June 22-26, 2009, Minsk, 2009, p.186-187.
A41. A.D. Bouravleuv, G.E. Cirlin, K. Sato, S. Novikov, N. Lebedeva, H. Lipsanen/ MBE growth of MnP and GaMnAsnanowhiskers// Abs. 4th Nanowire growth workshop, Paris, France, October 26-27, 2009, p.40.
A42. Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин, А.Д. Буравлев, М.В. Назаренко, Ю.Б. Самсоненко, М.А. Тимофеева, В.Г. Дубровский/ Поверхностная энергия III-V соединений и нелинейные эффекты роста полупроводниковых нитевидных кристаллов// Труды XIV международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника», Н.Новгород, 15 – 19 марта, 2010, с. 527-528.
A43. B.V. Novikov, S.Yu. Serov, N.G. Filosofov, I.V. Strohm, V.G. Talalaev, O.F. Vyvenko, E.V. Ubyivovk, A.S. Bondarenko, Yu.B. Samsonenko, A.D .Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin/ Photoluminescence study of GaAs nanowires of different crystal structures// Proc.18th International Symposium “Nanostructures: physics and technology” – June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.234-235.
A44. A. Bouravleuv, S. Novikov, N. Lebedeva, N. Sibirev, G. Cirlin, H. Lipsanen/ (GaMn)As nanowiskers grown by molecular beam epitaxy// Proc.18th International Symposium “Nanostructures: physics and technology” – June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.331-332.
A45. Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, N.K. Polyakov, V.P. Ulin, A.G. Gladyshev, G.E. Cirlin/ Self-catalysed molecular beam growth of III-V nanowires on different substrates// Proc.18th International Symposium “Nanostructures: physics and technology” – June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.341-342.
A46. I.P. Soshnikov, A.G. Gladushev, Dm. Afanasyev, G.E. Cirlin, A.D. Bouravlev, Yu.B. Samsonenko/ Growth of ordered III-V nanowiskersusinf electron lithography// Proc.18th International Symposium “Nanostructures: physics and technology” – June 21-26, 2010, St.Petersburg, Russia, 2010, p.347-348.
A47. А. Буравлев, Г. Цырлин, В. Романов, Н. Баграев, Е. Брилинская, Н. Лебедева, С. Новиков, H. Lipsanen, В. Дубровский/ Магнитные нановискеры на основе MnP и (GaMn)As// Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника», Н.Новгород, 14 – 18 марта, 2011, с. 270-271.
A48. A. Bouravleuv, G. Cirlin, V. Sapega, P. Werner, A. Savin, H. Lipsanen/ (Ga,Mn)As nanowires: MBE growth and magnetic properties// Proc. 6th Nanowire Growth Workshop, St.Petersburg, Russia, June 4-6, 2012, p. 64.
A49. S.V. Zaitsev, A.D. Bouravleuv, G. Cirlin/ Optical characterization of GaAs and (GaMn)As nanowires// Proc. 6th Nanowire Growth Workshop, St.Petersburg, Russia, June 4-6, 2012, p.89.
A50. A.D. Bouravleuv, P.N. Brunkov, V.F. Sapega, A.I. Khrebtov, Yu.B. Samsonenko, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov/ MBE growth of (In,Mn)As quantum dots// Proc. 3d Int. Conf. “State-of-art trends of scientific research of artificial and natural nanoobjects” (STRANN’12), St.Petersburg, Russia, October 10-12, 2012, p. 62-63.
A51. А.Д. Буравлев/ Наноструктуры на основе разбавленных магнитных полупроводников// Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника», Н.Новгород, 11 – 15 марта, 2013, с. 374-375.
A52. I.M. Trushkov, N.V. Sibirev, A.D. Bouravleuv, D.V. Beznasyuk, G.E. Cirlin/ The influence of As flux on the self-catalyzed III-As nanowires growth// Proc.21st Int. Symp. “Nanostructures: physics and technology” – June 24-28, 2013, St.Petersburg, Russia, 2013, p.208-209.
A53. А.Д. Буравлев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самосоненко, А.И. Хребтов, В.Н. Неведомский, П.Н. Брунков, В.Ф. Сапега, В.М. Устинов/ МП Эрости свойства квантовых точек на основе (In,Mn)Asполупроводниковых соединений// Тезисы докладов XI Российской конференции п физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16 – 20 сентября, 2013, с. 320.
A54. А.Д. Буравлев, Н.В. Сибирев, Д.В. Безнасюк, Н. Лебедева, С. Новиков, Х. Липсанен, Г.Э. Цырлин/ Определение модуля Юнга (Ga,Mn)As ННК// Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16 – 20 сентября, 2013, с. 461.