- физико-химическая модель процесса самоорганизации пористого оксида при анодном окислении металла, учитывающая соотношение скоростей окисления металла и травления оксида, описывающая характер зарождения пор и начальных стадий роста, а также эволюцию во времени геометрических размеров пор в анодных оксидах металлов;
- метод формирования оксида алюминия с повышенной степенью упорядоченности наноструктуры, основанный на согласованном управлении температурой протекания электрохимического процесса в зависимости от изменения электрофизических параметров анодного окисления;
- метод электрохимического осаждения металлов в поры оксида алюминия в режиме переменного тока, основанный на установленных закономерностях переходных процессов в системе электролит - пористый анодный оксид алюминия - алюминий;
- установленная зависимость температуры плавления от латеральных размеров металлических нанокристаллов, осажденных в матрицу пористого анодного оксида алюминия;
- метод формирования нанонитей халькогенидов металлов обработкой парами халькогена при температуре выше точки плавления металлических нанокристаллов в порах анодного оксида алюминия;
- метод формирования периодических наноструктур на поверхности полупроводников локальным плазменным травлением через маску пористого анодного оксида алюминия, учитывающий установленные закономерности процесса анодирования трехслойных структур: алюминий - тугоплавкий металл - кремний;
- установленные закономерности влияния технологических параметров анодного окисления тугоплавких металлов на строение формируемых пористых анодных оксидов;
- метод формирования высокоупорядоченного пористого оксида титана на основе многостадийного электрохимического окисления.
2.Гаврилов С.А., Белов А.Н., Кравченко Д.А., Железнякова А.В., Хлынов А.В. Синтез металлических нанонитей электрохимическим осаждением в режиме переменного тока. Сб. трудов 9-й международной технической конф. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог 2004. С. 102-105.
3.А.Н. Белов, С.А. Гаврилов, Д.А. Кравченко Особенности создания оптических элементов на основе композитов АIIBVI – Al2O3. Cб. материалов XVI научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов «Датчик – 2004» М. МГИЭМ. 2004. С. 204.
4.Белов А.Н., Гаврилов С.А., Железнякова А.В. Кравченко Д.А., Пак А.С., Хлынов А.В. Синтез полупроводниковых на-нокристаллов в порах анодного оксида алюминия. Сб. трудов 6-й международной конф. Опто-,наноэлектроника, нанотех-нологии и микросистемы. Ульяновск 2004. С. 141.
5.Белов А.Н., Гаврилов С.А., Тихомиров А.А., Шевяков В.И. АСМ диагностика структуры пористого анодного оксида алюминия. Cб. материалов симпозиума «Нанофизика и нано-электроника», Нижний Новгород 2005г. С. 450-451.
6.S.A.Gavrilov, A.N.Belov, A.V.Zheleznyakova, D.Yu.Barabanov, V.I.Shevyakov, E.V. Vishnikin Technology and equipment for production of porous anodic alumina based nanostructures. Proceeding of III Russian-Japan seminar «Eqvipment and technologies for production of components of solid state electronics and nanomaterials» Moscow, MSIU, 2005. Р. 295-300.
7.A.N. Belov Gavrilov, A.V. Zheleznyakova, D.A. Kravtchenko, V.I. Shevyakov, E.N. Redichev, A.I. Belogorokhov, Th. Dittrich Nanocrystal synthesys within porous anodic alumina template. Reviews and Short Notes to Nanomeeting – 2005 «Phisycs, chemistry and application of nanostructures» Minsk, Belarus, 2005. Р. 505-508
8.А.Н. Белов, С.А. Гаврилов, А.В. Кравченко, А.В. Железняко-ва Е.Н. Редичев Синтез нитевидных нанокристаллов ZnSe импульсным электрохимическим осаждением с дальнейшей селенизацией Сб. материалов конф. «Научная сессия МИФИ – 2005» М. МИФИ, 2005, том 9. С. 204-205
9.С.А.Гаврилов, А.Н.Белов А.В.Железнякова, Е.В.Вишникин, Д.А.Кравченко Электрохимические процессы формирования твердотельных наноструктур. Известия вузов. Электроника. 2005. №4-5. С. 94-97
10.А.Н.Белов, В.М.Рощин, В.И.Шевяков Элементы микро- и на-носистем в сканирующей зондовой микроскопии Известия вузов. Электроника. 2005. №4-5. С. 120-124.
11.A.N. Belov, S.A.Gavrilov Synthesis of nanowires by pulsed current electrodeposition Abstracts of International conference “IC Micro- and nanoelectronics” Moscow-Zvenigorod. 2005. Р. O3-03.
12.A.N. Belov, S.A.Gavrilov, D.A. Kravtchenko D.G. Gromov, A.S. Malkova, A.A. Tikhomirov Melting behavior of metals in matrix of porous anodic alumina Abstracts of International conference “IC Micro- and nanoelectronics” Moscow-Zvenigorod. 2005. Р. O3-08.
13.S.A.Gavrilov, A.N. Belov, A.V.Zheleznyakova, D.Yu.Barabanov, V.I.Shevyakov, E.V. Vishnikin Factors effected on nanoporous anodic alumina Abstracts of International conference “IC Micro-and nanoelectronics” Moscow-Zvenigorod. 2005. Р. P2-03.
14.Гаврилов С.А., Белов А.Н., Железнякова А.В., Вишникин Е.В., Кравченко Д.А., Набокин А.М. Электрохимические процессы формирования твердотельных наноструктур Сб. тез. докл. 5-й международной научно-технической конф. «Микроэлектроника и информатика – 2005» М. МИЭТ. 2005. С. 109-110.
15.А.Н.Белов, С.А.Гаврилов Синтез полупроводниковых нитевидных нанокристаллов методом импульсного электрохимического осаждения с дальнейшей сульфидизацией Известия вузов. Электроника. 2006. №1. С. 31-35.
16.A.N. Belov, S.A.Gavrilov Synthesis of nanowires by pulsed current electrodeposition Proceedings of SPIE, 2006, vol. 6260. Р. 62600Y-1 – 62600Y-8.
17.S.A.Gavrilov, A.N. Belov, A.V.Zheleznyakova, D.Yu.Barabanov, V.I.Shevyakov, E.V. Vishnikin A.V. Khlynov Factors effected on nanoporous anodic alumina Proceedings of SPIE, 2006, vol. 6260. Р. 626011-1 – 626011-8.
18.А.Н. Белов, С.А. Гаврилов, М.Г. Путря, В.И. Шевяков Нано-технологии на основе анодных оксидных материалов Известия вузов. Электроника. 2006. №5. С. 93-98.
19.А.Н. Белов, С.А.Гаврилов, Ю.А. Демидов, И.Ю. Орлов, В.И. Шевяков. Формирование периодических наноразмерных структур в кремнии с использованием твердой маски пористого анодного оксида алюминия. Тезисы доклада Третьей Всероссийской конференции с международным участием «Химия поверхности и нанотехнология», Санкт – Петербург, 2006. С. 79-80.
20.Белов А.Н. Факторы, определяющие степень упорядоченности пористого анодного оксида алюминия // Материалы международной научно-технической конференции ПЭМ-2006, Таганрог, 2006. С. 197-200.
21.А.Н. Белов, С.А. Гаврилов, В.И. Шевяков Особенности получения наноструктурированного анодного оксида алюминия Российские нанотехнологии, т.1, № 1-2, 2006. С. 223-227.
22.А.Н. Белов, С.А. Гаврилов, Ю.А. Демидов, В.И. Шевяков Нелитографический метод формирования нанорельефных упорядоченных структур в полупроводниках II Всероссийская конференция по наноматериалам «НАНО-2007». Новосибирск. 2007 г. С.353.
23.A. N. Belov, S. A. Gavrilov, V. I. Shevyakov Formation of metal nanowires arrays by pulsed electrodeposition Reviews and Short Notes to Nanomeeting – 2007 «Phisycs, chemistry and application of nanostructures» Minsk, Belarus, 2007. Р. 447-450.
24.Ю.А. Демидов, И.Ю. Орлов, А.В. Хлынов, С.А. Гаврилов, А.Н. Белов Формирование пористых слоев анодного оксида титана для солнечных элементов Сборник научных трудов «Нанотехнологии в электронике» М. МИЭТ. 2007. С. 52-57.
25.С.А. Гаврилов, А.Н. Белов, А.В. Железнякова, Е.Н. Вишни-кин, В.К. Тузовский Пути повышения эффективности фотоэлектрического преобразования солнечной энергии солнечными элементами с экстремально тонкими поглощающими слоями Сборник научных трудов «Нанотехнологии в электронике» М. МИЭТ. 2007. С. 58-68.
26.A. Belov, S. Gavrilov, A. Tikhomirov, Yu. Chaplygin, and V. Shevyakov The investigation and development of the test structures for scanning probe microscopy Abstracts of International conference “IC Micro- and nanoelectronics” Moscow-Zvenigorod. 2007. Р. P2-41.
27.A. Belov, A. Dronov, and M. Nazarkin Features of porous anodic titania formation Abstracts of International conference “IC Micro-and nanoelectronics” Moscow-Zvenigorod. 2007. Р. P2-53
28.А.Н. Белов, С.А. Гаврилов, В.И. Шевяков Формирование пористых наноструктур в полупроводниках Сб. трудов 9-й международной конф. Опто-,наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы. Ульяновск 2007. С. 132.
29.А.А. Дронов, Белов А.Н. Аммосов Р.М. Исследование процесса формирования наноструктурированного анодного оксида титана в безводных фторосодержащих растворах. Сб. тезисов 10-й международной конф. Опто-,наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы. Ульяновск. 2008. С. 118.
30.A. N. Belov Local etching of silicon using a solid mask from porous aluminum oxide // Semiconductors.– 2008.– Vol. 42.– No. 13.–P.1519-1521
31.Лимонов А.Г., Гаврилов С.А., Альшина Е.А., Альшин А.Н., Белов А.Н. Численное моделирование процесса образования нанопор на поверхности оксида алюминия Сб. тез. докл. международной научно-технической конф. «Микроэлектроника и наноинженерия – 2008» М. МИЭТ. 2008. С. 10.
32.А.Н. Белов, С.А. Гаврилов Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники, М. Высшее образование.– 2009. – 257с.
33.А.Н. Белов, А.А. Дронов, И.Ю. Орлов Особенности электрохимического формирования слоев оксида титана с заданными геометрическими параметрами структуры. Известия вузов. Электроника. 2009. №1. С. 16-21.
34.С.А.Гаврилов, А.А.Дронов, В.И.Шевяков, А.Н.Белов, Э.А.Полторацкий. Пути повышения эффективности солнечных элементов с экстремально тонкими поглощающими слоями. Российские нанотехнологии. 2009.–Т.4.–№ 3-4. С. 103–109.
35.A. N. Belov, Yu. A. Demidov, V. I. Shevyakov, E. N. Redichev Features of non-lithographic formation of periodical nanostruc-tures on silicon Reviews and Short Notes to Nanomeeting – 2009 «Phisycs, chemistry and application of nanostructures» Minsk, Belarus, 2009. Р. 83-87.
36.A. N. Belov, S. A. Gavrilov, V. I. Shevyakov, A. A. Tihomirov Test structure for spm tip shape deconvolution Reviews and Short Notes to Nanomeeting – 2009 «Phisycs, chemistry and application of nanostructures» Minsk, Belarus, 2009. Р. 102-106.
37.A. N. Belov, Yu. A. Demidov, M. G. Putrya, A. A. Golishnikov, and A. A. Vasilyev Silicon nanoprofiling with the use of a solid aluminum oxide mask and combined “dry” etching // Semicon-ductors.–V. 43.–N. 13.– 2009.–P.1660-1662.
38.Белов А.Н. Физико-технологические основы процессов формирования наноструктур на основе анодных оксидов металлов // Сб. трудов Всероссийской научно-технической конференции . Нанотехнологии и наноматериалы: современное состояние и перспективы развития».– Волгоград. ВолГУ.– 2009. – С. 81-94.
39.А.Н.Белов, С.А.Гаврилов, И.В. Сагунова, А.А. Тихомиров, Ю.А. Чаплыгин В.И.Шевяков Тестовая структура для определения радиуса кривизны микромеханических зондов сканирующей силовой микроскопии. // Российские нанотехно-логии.– 2010.–Т. 5.–№5-6.–С. 95-98.
40.А.Н. Белов Формирование наноструктурированного оксида титана методом анодного окисления двухслойных структур алюминий–титан // Нанотехника.–2010.– Т. 21.– № 1.– С. 78-81.
41.Белов А.Н. Методы создания периодических наноструктур на основе пористых анодных оксидов металлов // Сб. тез. Докладов 2-й международной школы-семинара «Наноструктури-рованные оксидные пленки и покрытия».–Петрозаводск, КГПА.–2010.–С.52-53.
42.I. V. Sagunova, V. I. Shevyakov, S. A. Gavrilov, and A. N. Be-lov. Kinetics of Local Probe Oxidation of Ultrathin V, Nb, Ta, Ti, TiN, and W Metal Films // Semiconductors.– 2010.– V.44.– N.13.– Р. 1709–1713.
43.Белов А.Н., Гаврилин И.М., Дронов А.А. Исследование особенностей получения нанопрофилированных слоев оксида титана методом вытягивания из раствора // материалы международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотех-нологии и микросистемы».–УлГУ.–2010.– С. 14.
44.Белов А.Н., Гаврилов С.А., Демидов Ю.А.,Шевяков В.И. Особенности формирования наноразмерной периодической маски для локальной модификации поверхности полупроводников // Международная научно-техническая конференция и молодежная школа-семинар «Нанотехнологии-2010».– Таганрог. -ТТИ-ЮФУ.–2010.–С.180-182.
45.A.N. Belov • S.A. Gavrilov • V.I. Shevyakov • E.N. Redichev Pulsed electrodeposition of metals into porous anodic alumina // Appl. Phys. A.– 2011.–V. 102.–N. 1.–P. 219-223
46.Белов А.Н., Гаврилин И.М., Гаврилов С.А., Дронов А.А., Шулятьев А.С. Высокоупорядоченные массивы нанотрубок TiO2 в фотоэлектрических преобразователях на гибком носителе// Известия вузов. Электроника.– 2011.–№2.–С. 38-42
47.Белов А.Н., Гаврилов С.А., Назаркин М.Ю., Шевяков В.И., Лемешко С.В. Исследование функциональных возможностей сканирующей электропроводящей микроскопии// Известия вузов. Электроника.– 2011.– № 3.– С. 75- 81
48.А.Н. Белов, Ю.В. Волосова С.А. Гаврилов, А.В. Железнякова М.Ю.Назаркин, В.И. Шевяков Низкотемпературные методы создания наноструктурированных оксидов титана и цинка с заданной морфологией // Известия вузов. Электроника.– 2011.– № 5.– С. 62- 68.
49.А.Н. Белов, С.А. Гаврилов, Ю.А. Демидов, В.И. Шевяков Особенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния // Российские нанотехнологии.–2011.–Т. 6.–.№1 1-12.–С. 6-10.
50.А.Н.Белов, М.И.Воробьев, С.А.Гаврилов Моделирование процесса образования пористых анодных оксидов металлов // Сб. трудов 13-й международной конф. Опто-,наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы. Ульяновск 2011. С. 9-10.
51.Гаврилов С.А., Белов А.Н., Железнякова А.В. Низкотемпературные процессы в технологии наноэлектроники и наноси-стем. М.: МИЭТ. - 2011. - 172 с.
52.A. N. Belov, I. M. Gavrilin, S. A. Gavrilov, and A. A. Dronov Specific Features of the Morphology of Titanium Oxide Films Prepared by Pulling Silicon Substrates from a Solution // Semi-conductors.– 2011.– V.45.– N.13.– Р. 33–35.
53.Белов А.Н., Волосова Ю.В., Гаврилов С.А., Редичев Е.Н., Шевяков В.И. Электрохимический реактор для получения пористых анодных оксидов металлов и полупроводников // Нанотехника. – 2011. - № 4. – С. 42 – 49.
54.Белов А.Н. Волосова Ю.В., Гаврилов С.А. Влияние геометрических параметров пористых слоев оксида алюминия на характеристики влагочувствительной структуры на его основе// Известия вузов. Электроника.– 2012.– № 1.– С. 11- 15.
55.Патент РФ № 2324015. Белов А.Н., Гаврилов С.А., Железня-кова А.В., Тихомиров А.А., Тузовский В.К Шевяков В.И. Способ получения пористого анодного оксида алюминия,. 2008.
56.Патент РФ № 2332528. Белов А.Н., Гаврилов С.А., Демидов Ю.А., Железнякова А.В., Шевяков В.И. Электрохимическая ячейка для получения пористых анодных оксидов металлов и полупроводников. 2008.
57.Патент РФ № 2335735 Белов А.Н., Гаврилов С.А., Орлов И.Ю., Тихомиров А.А., Шевяков В.И. Тестовая структура для оценки радиуса кривизны острия иглы кантилевера сканирующей зондовой микроскопии. 2008.
58.Патент РФ № 2404486 Белов А.Н., Гаврилов С.А., Дронов А.А., Назаркин М.Ю., Шевяков В.И. Твердотельный солнечный элемент на гибком носителе 2011.
59.Патент РФ № 2425182 Белов А.Н., Гаврилов С.А., Шевяков В.И. Электрохимическая ячейка для получения пористых анодных оксидов металлов и полупроводников 2011.