- методы определения (Т = 77-125 К) параметров полупроводникового твердого раствора кадмий - ртуть - теллур (CdxHgi_xTe, где х ~ 0,2 мольный состав Cd) р-типа, основанные на измеренных магнитополевых зависимостях стационарной ФП в геометрии Фарадея. Предлагаются методы определения подвижности неосновных носителей заряда (электронов), отношения времени жизни носителей заряда в объеме пленки и концентрации рекомбинационных центров;
- методы определения параметров при азотных температурах в плёнках и гетероэпитаксиальных структурах (d < L, где d - толщина плёнки, L - длина диффузии неосновных носителей заряда) кадмий - ртуть - теллур (jc - 0,2) р-типа, основанные на совместном анализе магнитополевых зависимостей ФМЭ и стационарной ФП для геометрии Фойгта. Предлагаются методы определения времени жизни электронов в плёнке, скоростей поверхностной рекомбинации носителей заряда на свободной поверхности плёнки и на границе раздела плёнка - подложка;
- автоматизированный комплекс аппаратурных средств и методов определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров основных и неосновных носителей заряда в эпитаксиальных плёнках и плёночных структурах (d < L) кадмий - ртуть - теллур р-типа;
- результаты, полученные с использованием фотоэлектромагнитного комплекса, для гетероэпитаксиальных плёнок (с варизонными приграничными областями) кадмий - ртуть - теллур р-типа (х ~ 0,2), выращенных методом моле-кулярно-лучевой эпитаксии:
- зависимость подвижности неосновных носителей заряда (электронов) от температуры (Т = 77-300 К) описывается выражением in = A- (ТП7)~к, где А = (5-8 м2/Вс), к= 1,3-1,5. Такая зависимость обусловлена рассеянием ННЗ на колебаниях решётки;
- при смешанной проводимости (T = 135-175 К) на экспериментальных магнитнополевых зависимостях ФП в геометрии Фарадея наблюдает ся максимум (при В ¹ 0), обусловленный сильным магнитосопротив- лением равновесных носителей заряда;
- для пленок оценены значения энергии залегания рекомбинационных центров, коэффициенты захвата электронов и дырок на объёмные ре- комбинационные центры:
- по температурной зависимости времени жизни электронов;
- по зависимости отношения времени жизни носителей заряда от концентрации равновесных дырок;
- новый метод определения при температуре жидкого азота нормаль ной и латеральной компонент силы «темнового» тока n-p-фотодиодов (обратное смещение) в многоэлементных фотовольтаических фото приемниках по измерению зависимости величины тока от индукции магнитного поля, что также может быть использовано для исключе ния взаимного влияния фотодиодов;
- локальный бесконтактный магнитооптический метод регистрации ре-комбинационных центров и измерения их энергии ионизации в вырожденном InSb n-типа.
1.Kostuchenko, V.Ya. Magneto-Resonant Absorption from a Local Center in Degenerate n-InSb / V.Ya. Kostuchenko, E.M. Skok and S.A. Studenikin // Phys. Stat. Sol (b). - 1989. - Vol. 152. - Р. 59-62.
2.Фотомагнитный эффект и фотопроводимость тонких эпитаксиальных слоев CdxHg,x-x Te/CdTe I С.А. Студеникин, И.А. Панаев, В.Я. Костюченко, Х.-М. З. Торчинов// ФТП. - 1993. - Т. 27, № 5. - С. 600-612.
3.Костюченко, В.Я. Исследование фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в слоях p-CdHgTe / В.Я. Костюченко, Д.Ю. Протасов, С.А. Студеникин // Автометрия. - 1996. - № 4. - С. 77-81.
4.Characterization of MBE р-CdxHgi_xTe layers using the photoconductive effect in crossed ELB fields / S.А. Studenikin, D.Yu. Protasov, V.Ya. Kostuchenko, V.S. Varavin // Material Science Engineering B. - 1997. - Vol. 44. - P. 288-291.
5.Выбор экспериментальных условий для фотолюминесцентного контроля структур для гетеробиполярных транзисторов / К.С. Журавлев, Т.С. Шамирзаев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.Я. Костюченко // ЖТФ. - 1997. -Т. 67, № 12. - С. 26-30.
6.Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe / В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, В.Я. Костюченко, В.Н. Овсюк, Д.Ю. Протасов // ФТП. - 2004. - Т. 38, № 5. - С. 532-537.
7.Протасов, Д.Ю. Немонотонное поведение магнитофотопроводимости в HgCdTe / Д.Ю. Протасов, В.Я. Костюченко, В.Н. Овсюк // ФТП. - 2006. - Т. 40, вып. 6. - С. 663-665.
8.Подвижность неосновных носителей заряда в пленках МЛЭ p-HgCdTe, легированных мышьяком in situ / Д.Ю. Протасов, С.А. Дворецкий, В.Я. Костюченко, В.С, Крылов, Н.Н. Михайлов, Р.Н. Смирнов // Автометрия. - 2007. - Т. 42, № 6. - С. 86-91.
9.Определение времени жизни основных и неосновных носителей заряда в CdHgTe р-типа методом фотопроводимости в магнитном поле / Д.Ю. Протасов, В.Н. Овсюк, В.Я. Костюченко, В.С. Крылов // Прикладная физика. - 2007. -№ 6. - С. 27-30.
10.Протасов, Д.Ю. Эффективные темы оптической генерации и скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в варизонных плёночных фотоприемных структурах р-КРТ МЛЭ / Д.Ю. Протасов, В.Я. Костюченко // Автометрия. - 2008. - Т. 44, № 6. - С. 103-108.
11.Костюченко, В.Я. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в варизонных плёночных фотоприемных структурах р-CdHgTe I В.Я. Костюченко // Автометрия. - 2009. - Т. 45, № 4. - С. 41-48.
12. Определение нормальной и латеральной компонент темнового тока п- р-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур p-CdxHg!_xTe с х = 0,22 /В.Я. Костюченко, Д.Ю. Протасов и др. // Письма в ЖТФ. – 2009. – Т. 35, вып. 12. – С. 32-37.
13.Костюченко, В.Я. Влияние стационарных скрещенных электрического и магнитного полей на фотогенерированные носители заряда в эпитаксиальных плёнках кадмий-ртуть-теллур p-типа (обзор) / В.Я. Костюченко // Вестник НГУ. Сер. Физика. – 2010. – Т. 5, вып. 1. – С. 66–81.
14.Determination of Shockley-Read recombination center parameters in MBE p-Hg0.78Cd0.22Te/GaAs via photoconductivity in magnetic field / D.Yu. Protasov, V.Ya. Kostuchenko, V.S. Varavin, , S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov // Phys. Stat. Sol. (c). – 2010. – Vol. 7, № 6. – Р. 1633–1635.
15.Костюченко, В.Я. Фотоэлектромагнитный комплекс методов определения рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в эпитакси-альных плёнках кадмий-ртуть-теллур p-типа / В.Я. Костюченко, Д.Ю. Протасов // Вестник НГУ. Серия Физика. – 2011. – Т. 6, вып. 1. – С. 34–45.
16.Костюченко, В.Я. Влияние профиля варизонных приграничных областей гетероструктур кадмий-ртуть-теллур p-типа на скорость поверхностной рекомбинации / В.Я. Костюченко, Д.Ю. Протасов, А.В. Войцеховский // Изв. вузов. Физика. –Томск: ТГУ, 2011. – Т. 54, № 7. – С. 53–58.
17.Костюченко, В.Я. Автоматизированный комплекс для определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в плёнках кадмий-ртуть-теллур p-типа / В.Я. Костюченко, Д.В. Комба-ров, Д.Ю. Протасов // Автометрия. – 2011. – Т. 47, № 5. – С. 122–129.
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ В ДРУГИХ ИЗДАНИЯХ
1.Студеникин, С.А. Примесное магнитопоглощение в узкозонных полупроводниках / С.А. Студеникин, Е.И. Уваров, В.Я. Костюченко // Материалы 2-го Всесоюз. семинара по физике и химии полупроводников. – Павлодар, 1989. – Т. 3. – С. 19–23.
2.Фотоэлектромагнитная методика диагностики рекомбинационных параметров в пленочных структурах узкозонных полупроводников: отчет о НИР (промежуточ.) / Сиб. гос. геодез. акад.; рук. Костюченко В.Я.; исполн.: Крючков Ю.И., Комиссаров В.В., Протасов Д.Ю. – Новосибирск, 1995. – 27 с. – № ГР 0194.0008124. – Инв. № 02.960.006359.
3.Разработка методик контроля однородности по площади электрофизических параметров полупроводниковых пластин посредством спектрального анализа фотолюминесценции: отчет о НИР (заключит.) / Сиб. гос. геодез. акад.; рук. Костюченко В.Я.; исполн.: Носков М.Ф., Журавлев К.С., Шамирзаев Т.С., Чипкин С.С. – Новосибирск, 1995. – 27 с. – № ГР 0194.0008123. – Инв. № 02.960.0063600.
4.Костюченко, В.Я. Определение рекомбинационных параметров пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с помощью фотоэлектромагнитной методики / В.Я. Костюченко, Д.Ю. Протасов, С.А. Сту-деникин // Материалы ХLVI научно-техн. конф. преподавателей СГГА, 15–18 апр. 1996 г., Новосибирск. – Новосибирск: СГГА, 1996. – С. 83–84.
5.Characterization of MBE CdxHg1-xTe layers via photoconductive effect in crossed E _L B fields / S.А. Studenikin, D.Yu. Protasov, V.Ya. Kostuchenko, G.Yu. Si-dorov, V.S. Varavin // Third International Workshop. Expert evolution and control of compound semiconductor materials and technologies (May 12-15, 1996). - Freiberg, Germany. - 1996. - P. 34.
6.Протасов, Д.Ю. Подвижность равновесных и неравновесных неосновных носителей заряда в p-Hg1-xCdxTe / Д.Ю. Протасов, В.Я. Костюченко // Вестник Сиб. гос. геодез. акад. - 2002. - Вып. 7. - С. 202-205.
7.Characterizaton of the recombination properties of MBE p-HgCdTe/GaAs structures by photo-eleсtromagnetics methods / V.S. Varavin, V.Ya. Kostuchenko, D.Yu. Protasov, V.N. Ovsyuk, E.M. Skok // Quantum-Hall Effect and Heterostruc-tures, (10-15 December 2001). - Wurzburg, Germany. - 2001.
8.Определение электрофизических параметров электронов, легких и тяжелых дырок методом спектр подвижности в плёнках HgxCd1-xTe р-типа / В.Я. Костюченко, Д.Ю. Протасов, В.Н. Овсюк, Н.Х. Талипов // Современные проблемы геодезии и оптики: тез. докладов Междунар. научно-техн. конф., по-свящ. 65-летию СГГА-НИИГАиК, 23-27 нояб. 1998 г., Новосибирск. - Новосибирск: СГГА, 1998. - С. 213-214.
9.Протасов, Д.Ю. Подвижность равновесных и неравновесных неосновных носителей заряда в МЛЭ p-Hg1-xCdxTe / Д.Ю. Протасов, В.Я. Костюченко // Современные проблемы геодезии и оптики: тез. докладов LI научно-техн. конф., 16-19 апр. 2001 г., Новосибирск. - Новосибирск: СГГА, 2001. - С. 208.
10. Костюченко, В.Я. Температурное линейное расширение АЬ/АТ п - InSb,
измеренное фотоэлектромагнитной модуляционной методикой / В.Я. Костюченко, Д.Ю. Протасов // Современные проблемы геодезии и оптики: тез докладов LI научно-техн. конф. 16-19 апр. 2001 г., Новосибирск. - Новосибирск: СГГА, 2001. - С. 209.
11.Костюченко, В.Я. Магнитно-оптическая методика измерения энергии залегания глубоких уровней / В.Я. Костюченко // Проблемы метрологического обеспечения топографо-геодезического производства и землеустроительных работ: материалы научно-техн. конф., 17-21 дек. 2001 г., Новосибирск. - Новосибирск: СГГА. - 2001. - С. 67.
12.Влияние серебра на фотоэлектрические свойства пленок МЛЭ HgCdTe / В.С. Варавин, В.Я. Костюченко и др. // 1-я Укр. научная конф. по физике полупроводников, 10-14 сент. 2002 г. - 2002. - Т. 2. - С. 250.
13.Длина диффузии в ГЭС КРТ МЛЭ р-типа проводимости / Д.Ю. Протасов, В.Я. Костюченко и др. // Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники: тез. докладов совещания «Фотоника-2003», 28-31 авг. 2003 г. -Новосибирск, 2003. - С. 60.
14.Protasov, D.Yu. Determination of Chorge Carriers Mobility in p-HgCdTe by Magnetophoto-conductivity Method / D.Yu. Protasov, V.Ya. Kostuchenko, V.N. Ovsyuk // 5 International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (1-5 July 2004). - Erlagol, Russia. - P. 54-57.
15.Protasov D.Yu. Influence of Traps on magnetophotoconductivity in p-HgCdTe / D.Yu. Protasov, V.Ya. Kostuchenko, V.N. Ovsyuk // 6th International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (1–5 July 2005). – Erlagol, Russia. – P. 47–48.
16.Определение времени жизни основных и неосновных носителей заряда в HgCdTe р-типа методом фотопроводимости в магнитном поле / Д.Ю. Протасов, В.Н. Овсюк, В.Я. Костюченко, В.С. Крылов // XIX Междунар. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 23–26 мая 2006 г. – М., 2006. – С. 93.
17.Крылов, В.С. Исследование зависимости подвижности электронов от мольного содержания x в эпитаксиальных слоях МЛЭ р-КРТ / В.С. Крылов, В.Я. Костюченко // ГЕО-Сибирь-2006. Т. 4: Специализированное приборостроение, метрология, теплофизика, микротехника: сб. материалов Междунар. науч. конгр., 24–28 апр. 2006 г., Новосибирск. – Новосибирск: СГГА, 2006. – С. 134–136.
18.Протасов, Д.Ю Фотомагнитный эффект и фотопроводимость в магнитном поле в геометрии Фойгта, исследованные на эпитаксиальных слоях МЛЭ HgCdTe р-типа при доминирующей рекомбинации Шокли – Рида / Д.Ю. Протасов, В.Я. Костюченко // ГЕО-Сибирь-2006. Т. 4: Специализированно приборостроение, метрология, теплофизика, микротехника: сб. материалов междунар. науч. конгр., 24-28 апр. 2006 г., Новосибирск. – Новосибирск: СГГА, 2006. – С. 117-122.
19.Protasov D.Yu. Surface Recombination and Charge Carriers Generation by Radiations in MBE p-HgCdTe films with Graded – Gap Near –Border Layers / D.Yu. Protasov, V.Ya. Kostuchenko // 8th International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (1–5 July 2007). – Erlagol, Russia. – P. 54–57.
20.Photomagnetic Effect and Photoconductivity in Magnetic Field in Ag-Doped MBE p-HgCdTe / D.Yu. Protasov, V.Ya. Kostuchenko, V.S. Krylov, V.N. Ov-syuk // 7th International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (1-5 July 2006). – Erlagol, Russia. – P. 42–47.
21. Костюченко, В.Я. Фотоэлектромагнитные методы исследования и кон троля рекомбинационных параметров полупроводниковых материалов ИК- техники / В.Я. Костюченко, В.Н. Москвин, Д.Ю. Протасов // Труды VIII Все российской научно-технической конференции, посвященной 50-летию СО РАН, 18–20 апр. 2007 г. – Новосибирск, 2007. – С. 305–310.
22. Протасов, Д.Ю. Фотомагнитный эффект и фотопроводимость в магнит ном поле на варизонных гетероэпитаксиальных структурах МЛЭ КРТ р-типа / Д.Ю. Протасов, В.Я. Костюченко, В.Н. Москвин // ГЕО-Сибирь-2007. Т. 4: Специализированное приборостроение, метрология, теплофизика, микротехни ка. Ч. 1: сб. материалов III междунар. науч. конгр., 25–27 апр. 2007 г., Новоси бирск. – Новосибирск: СГГА, 2007. – С. 226–231.
23. Костюченко, В.Я. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнит ный эффект в плёнках p -CdxHg1-xTe с x » 0.2 , выращенных методами ЖФЭ и МЛЭ / В.Я. Костюченко, Д.Ю. Протасов // Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники: тез. докладов совещания «Фотоника-2008», 19– 23 авг. 2008 г. – Новосибирск: Академгородок, 2008. – С. 66.
24.Концентрация рекомбинационных центров в вакансионно-легированных ГЭС МЛЭ р-КРТ / Д.Ю. Протасов, В.Я. Костюченко и др. // Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники: тез. докл. совещания «Фотоника-2008», 19–23 авг. 2008 г. – Новосибирск: Академгородок, 2008. – С. 69.
25.Нормальная и латеральная компоненты обратного тока n-p фотодиодов на основе ГЭС МЛЭ КРТ / Д.Ю. Протасов, В.Я. Костюченко и др. // Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники: тез. докладов совещания «Фотоника-2008», 19–23 авг. 2008 г. – Новосибирск: Академгородок, 2008. – С. 68.
26.Костюченко, В.Я. Фотомагнитный эффект в эпитаксиальных плёнках CdxHg1-xTe ( x » 0,22) с приграничными варизонными слоями / В.Я. Костючен-ко, Д.Ю. Протасов // ГЕО-Сибирь-2009. Т. 5: Специализированное приборостроение, метрология, теплофизика, микротехника. Ч. 1: сб. материалов V Ме-ждунар. науч. конгр., 20–24 апр. 2009 г., Новосибирск. – Новосибирск: СГГА, 2009. – С. 215–218.
27.Костюченко, В.Я. Параметры рекомбинационных центров в плёнках p - Hg1-xCdxTe с x » 0,22, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитак-сии / В.Я. Костюченко, Д.Ю. Протасов // ГЕО-Сибирь-2009. Т. 5: Специализированное приборостроение, метрология, теплофизика, микротехника. Ч. 2: сб. материалов V Междунар. науч. конгр., 20–24 апр. 2009 г., Новосибирск. – Новосибирск: СГГА, 2009. – С. 3–7.
28.Костюченко, В.Я. Метод контроля параметров рекомбинационных центров в плёнках р-CdxHg1-xTe с x » 0.2 / Труды X Всероссийской научно-технической конференции, посвященной 50-летию факультета летательных аппаратов НГТУ, 22–24 апр. 2009 г. – Новосибирск, 2009. – С. 191–193.
29.Protasov D.Yu. Determination of Shockley-Read recombination center parameters in MBE p Hg0.78Cd0.22Te/GaAs via photoconductivity in magnetic field / D. Yu. Protasov, V.Ya. Kostuchenko, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov // 14th International Conference on II-VI compounds (August 23–28). Russia: St. Petersburg, 2009. – Р. 315.
30.Фотомагнитный эффект и фотопроводимость в магнитном поле в гете-роструктурах p-Hg0.7Cd0.3Te/GaAs со встроенными нанослоями / В.Я. Костю-ченко, Д.Ю. Протасов, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // Тезисы докл. XXI Междунар. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. – М.: ФГУП «НПО Орион», 25–28 мая 2010. – С. 173–174.
31.Фотомагнитный эффект и фотопроводимость в магнитном поле в гете-роструктурах p-Cd0.3Hg0.7Te/GaAs со встроенными нанослоями / В.Я. Костю-ченко, Д.Ю. Протасов, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. – 2010. – Т. 7, № 4. – С. 98–103.
32.Войцеховский, А.В. Экспериментальная установка для исследования фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в магнитном поле на плёнках узкозонных полупроводников р-типа / А.В. Войцеховский, В.Я. Костюченко, Д.Ю. Протасов // ГЕО-Сибирь-2011. Т. 5: Специализированное приборостроение, метрология, теплофизика, микротехника. Ч. 2: сб. материалов VII Между-нар. науч. конгр., 19–29 апр. 2011 г., Новосибирск. – Новосибирск: СГГА, 2011. – С. 25–28.
33.Войцеховский, А.В. Фотопроводимость в магнитном поле для плёнок кадмий-ртуть-теллур р-типа, выращенных методом жидкофазной эпитак-сии / А.В. Войцеховский, В.Я. Костюченко, Д.Ю. Протасов // ГЕО-Сибирь-2011. Т. 5: Специализированное приборостроение, метрология, теплофизика, микротехника. Ч. 2: сб. материалов VII Междунар. науч. конгр., 19–29 апр. 2011 г., Новосибирск. – Новосибирск: СГГА, 2011. – С. 29–32.
34.Kombarov, D.V. The influence of low-temperature annealing on properties of heterostructures p-HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy / D.V. Kombarov, D.Yu. Protasov, V.Ya. Kostyuchenko // 12th International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (30 June - 4 July 2011). – Erlagol, Russia. – P. 50–53.
35.Комбаров, Д.В. Влияние низкотемпературных отжигов на свойства ГЭС КРТ МЛЭ p-типа / Д.В. Комбаров, В.Я. Костюченко и др. // Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофо-тоэлектроники: тез. докл. «Фотоника-2011», 22–26 авг. 2011 г. – Новосибирск: Академгородок, 2011. – С. 109.
36.Костюченко, В.Я. Автоматизированный комплекс определения реком-бинационно-диффузионных параметров в плёнках узкозонных полупроводников p-типа / В.Я. Костюченко, А.В. Трифанов, Д.Ю. Протасов, А.В. Войцехов-ский // Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники: тез. докл. «Фотоника-2011», 22–26 авг. 2011 г. – Новосибирск: Академгородок, 2011. – С. 110.
37.Костюченко, В.Я. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект на пленках ГЭС ЖФЭ р-КРТ / В.Я. Костюченко, Д.Ю. Протасов, А.В. Войцеховский, Ю.Б. Андрусов, И.А. Денисов // Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники: тез. докл. «Фотоника-2011», 22–26 авг. 2011 г. – Новосибирск: Академгородок, 2011. – С. 116.