- Методы и режимы формирования полупроводниковых нанослоев Sn02-X с различной дефектностью по стехиометрии, регулируемой технологическими параметрами.
- Механизм окисления нанослоев олова, учитывающий немонотонные изменения величины межкристаллитных барьеров и степень дефектности S11O2 при увеличении температуры окислительного отжига.
- Модель электропроводности тонких пленок SnOx, включающая ионный, барьерный и прыжковый механизмы.
- Интерпретация особенностей оптических спектров нестехиометрического диоксида олова, основанная на поглощении УФ излучения состояниями, локализованными вблизи дна зоны проводимости, которые определяются объемными вакансиями кислорода.
- Модель электронно-энергетической структуры валентной, запрещенной зоны и зоны проводимости SnOx, построенная на основании рентгеновской спектроскопии XANES и XPS с использованием синхротронного излучения. Интерпретация вакансионной природы локального уровня в запрещенной зоне S11O2, обнаруженного в спектрах XANES и в оптических спектрах.
- Технологические режимы газотранспортного синтеза, позволяющие получать нитевидные кристаллы S11O2 с заданными свойствами и нитевидные гетероструктуры Ir^CVSnC^. Кристаллографические характеристики нитевидных кристаллов S11O2 и гетероструктур Ir^CVSnC^.
2. Ryabtsev S.V. Study of ZnO, S11O2 and ZnO/Sn02 Nanostractures synthesized by the gas- transport / S.V. Ryabtsev, N.M.A. Hadia, E.P. Domashevskaya // Конденсированные среды и межфазные границы. -2010. -Т.12. -№.1. -С.17 - 21.
3. Ryabtsev S.V. Synthesis and characterization of ГпгОз/ЗпОг hetero-junction beaded nanowires / S.V. Ryabtsev, N.M.A. Hadia, S.B. Kushev, S.A. Soldatenko, E.P. Domashevskaya // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2010. - Т.12. -№.1. -С. 5 - 8.
4.Рябцев СВ. Морфология нанокристаллов оксида олова, полученных методом газотранспортного синтеза / СВ. Рябцев, Н.М.А. Хадия, А.Е. Попов, Э.П. Домашевская // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Серия физико-математические науки. - 2010. -Т. 1. -Вып. 94. -С. 9 - 12.
5.Рябцев СВ. Морфология и кристаллография нитевидных монокристаллов SnC>2, ГП2О3 и гетероструктур I^CVSnC^ / СВ. Рябцев, СБ. Кущев, СА. Солдатенко, Н.М.А. Хадия, А.Е. Попов, Э.П. Домашевская // Конденсированные среды и межфазные границы. -2011. -Т.13. -№.1. -С.80-88
6.Hadia N.M.A. Structure and photoluminescence properties of SnC>2 nanowires synthesized from SnO powder / N.M.A. Hadia, S.V. Ryabtsev, E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin // Eur. Phys. J. Appl. Phys. - 2009. -V. 48. -10603. -P. 1-4.
7.Рябцев СВ. Кинетика резистивного отклика тонких пленок Sn02-x в газовой среде / СВ. Рябцев, А.В. Юкиш, СИ Ханго, Ю.А. Юраков, А.В. Шапошник, Э.П Домашевская // ФТП. -2008. -Т.42. -Вып. 4. -С. 491-495.
8. Домашевская Э.П. XPS-исследования нанослоев оксидов олова / Э.П. Домашевская, СВ. Рябцев, СЮ. Турищев, В.М. Кашкаров, О.А. Чувенкова, Ю.А. Юраков // Известия Российской академии наук. Серия физическая. -2008. -Т. 72. -№. 4. -С. 536-541.
9. Hadia N.M.A. Effect of the temperatures on structural and optical properties of tin oxide (SnOx) powder / N.M.A. Hadia, S.V. Ryabtsev, P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya // PhysicaВ. - 2010. - V. 405. Issue 1, - P. 313 - 317.
10. Юраков Ю. А. Формирование оксидов олова в тонкопленочных структурах Sn/C/KCl(100) / Ю.А. Юраков, СВ. Рябцев, О.А. Чувенкова, Э.П. Домашевская, А. С. Никитенко, СВ. Канныкин, СБ. Кущев // Кристаллография. -2009. -Т. 54.
-№. 1. -С. 116-121
11. Домашевская Э.П. Оптические свойства нанослоев Sn02-x / Э.П. Домашевская, СВ. Рябцев, Е.А. Тутов, Ю.А. Юраков, О.А. Чувенкова, А.Н. Лукин // ПЖТФ. -2006. -Т. 32. -Вып. 18. -С. 7-12.
12.Сидоркин А.С. Твердотельные наноструктуры для элетронной и оптической техники нового поколения / А.С.Сидоркин, Б.М. Даринский, С.А. Гриднев, Ю.Е. Калинин, О.В. Рогазинская, С.А. Запрягаев, А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, Л.Ю. Леонова, М.С. Смирнов, СВ. Рябцев, Э.П. Домашевская, В.А. Юкиш // Российские нанотехнологии. -2008. -Т.З. -№. 5-6. -С. 27-30
13.Домашевская Э.П. Фазовый состав и оптические свойства пленок олово-кислород, полученных термическим окислением тонких слоев металла на воздухе / Э.П. Домашевская, Ю.А.Юраков, А.Н.Лукин, СВ.Рябцев, О.А.Чувенкова, СБ.Кущев, СВ.Каныкин, СГ.Конников // Изв. Высших учебных заведений. Материалы электронной техники. -2006. -№.1. -С. 52-57.
14.Domashevskaya E.P. ТЕМ and XANES investigations and optical properties of SnO nanolayers / Domashevskaya E.P., Chuvenkova O.A., Kaskarov V.M., Kushev S.B., Ryabtsev S.V., Turishchev S.Yu., Yurakov Yu.A // Surf. Interface. Anal. -2006. -V. 38. -P. 514-517
15. Турищев СЮ. Синхротронные исследования образования окислов в нанослоях олова / СЮ. Турищев, Ю.А. Юраков, СВ. Рябцев, О.А. Чувенкова, В.М. Кашкаров, Э.П. Домашевская // Поверхность. Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования. -2007. -№.1. -С. 66-70.
16. Domashevskaya E.P. SnOx obtaining by thermal oxidation of nanoscale tin films in the air and its characterization E.P. Domashevskaya, S.V. Ryabtsev, Yu.A. Yurakov, O.A. Chuvenkova, V.M. Kashkarov, S.Yu. Turishchev, S.B. Kushev and A.N. Lukin // Thin Solid Films. -2007. -V. 515. -Issue 16. -P. 6350-6355
17.Domashevskaya E.P. Synchrotron investigations of the initial stage of tin nanolayers oxidation / E.P. Domashevskaya, Yu.A. Yurakov, S.V. Ryabtsev, O.A. Chuvenkova, V.M. Kashkarov, S.Yu. Turishchev // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. -2007. -V. 156-158. -P. 340-343
18.Каныкин СВ. Синтез пленок оксидов олова методом термической и импульсной фотонной обработки на воздухе / СВ. Каныкин, СБ. Кущев, Ю.А. Юраков, СВ. Рябцев, А.В. Кострюченко // Вестник Воронеж, гос.техн. ун-та. Сер. Материаловедение. -2004. -Вып.1. -С. 52-55.
19. Тутов Е.А. Функциональные свойства гетероструктур кремний/несобственный оксид / Е.А.Тутов, С.В.Рябцев, Е.А.Бормонтов // ПЖТФ. -1997. -Т. 23. -Вып. 12. -С. 7-13.
20. Тутов Е.А. Детектирование диоксида азота аморфными пленками триоксида вольфрама / Е.А.Тутов, С.В.Рябцев, А.Ю.Андрюков // ПЖТФ. -2000. -Т. 26. - Вып. 3. -С. 38-43.
21.Тутов Е.А. Неравновесные процессы в емкостных сенсорах на основе пористого кремния / Е.А.Тутов, С.В.Рябцев, А.Ю.Андрюков // ПЖТФ. -2000. -Т. 26. -Вып. 17. -С. 53-58.
22.Tutov Е.А. Functional applications of large-area heterostructures of monocrystalline silicon-disordered semiconductor / E.A.Tutov, A.A.Baev, S.V.Ryabtsev, A.V.Tadeev // Thin Solid Films. -1997. -V. 296. -P. 184-187.
23. Тутов Е.А. Кремниевые МОП-структуры с нестехиометрическими металлоксидными полупроводниками / Е.А. Тутов, СВ. Рябцев, Е.Е. Тутов, Е.Н. Бормонтов //ЖТФ. -2006. -Т. 76. - Вып. 12. -С. 65-68.
24. Рябцев СВ. Взаимодействие металлических наночастиц с полупроводником в поверхностно-легированных газовых сенсорах / С.В.Рябцев, Е.А.Тутов, Е.Н.Бормонтов, А.В.Шапошник, А.В.Иванов // ФТП. -2001. -Т. 35. -Вып. 7. -С. 869-873.
25. Домашевская Э.П. XPS и XANES исследования нанослоев SnOx / Э.П. Домашевская, СВ. Рябцев, СЮ. Турищев, В.М. Кашкаров, Ю.А. Юраков, О.А. Чувенкова, А.В.Щукарев // Журнал структурной химии. -2008. -Т.49. -№.7. -С. 56-63
26.Ryabtsev S.V. Application of semiconductor gas sensors for medical diagnostics/ S.V.Ryabtsev, A.V.Shaposhnick, A.N.Lukin, E.P.Domashevskaya // Sensor and Actuators B. -1999. -V. 59. -P. 26-29.
27.Gutman E.E. The Determination Effect of Ultralow Metal Addition on the Response of the Semiconductor Gas Sensor of the Mars Atmosphere / E.E. Gutman, S.V.Ryabtsev, E.A.Kazachkov, M.V.Gerasimov // Sensors and Actuators B. -1993. -V. 15-16. -P. 338-343.
28.Звягин А.А. Определение паров ацетона и этанола полупроводниковыми сенсорами / А.А.Звягин, В.А.Шапошник, С.В.Рябцев, Д.А.Шапошник, А.А.Васильев, И.Н.Назаренко // Журн. аналитической химии. -2010. -Т.65. №.1. -С. 96-100.
29. Шапошник А.В. Определение газов при совместном исследовании резистивных и шумовых характеристик полупроводниковых сенсоров / А.В .Шапошник, Р.Б.Угрюмов, В.С.Воищев, С.В.Рябцев // Журн. аналитической химии. -2005. -Т. 60. -№. 4. -С. 420-424.
30. Шапошник А.В. Определение паров органических веществ на примере ацетона, толуола и м-динитробензода системой полупроводниковых сенсоров / А.В.Шапошник, П.В.Яковлев, А.А.Васильев, С.В.Рябцев, Д.А.Кирнов, И.С.Воищев // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. -2007. -Т. 73. - №8. -С.7-10.
31. Шапошник А.В. Селективность полупроводниковых сенсоров с мембранными покрытиями / А.В.Шапошник, Н.С.Демочко, А.Г.Буховец, В.В.Котов, С.В.Рябцев // Сорбционные и хроматографические процессы. -2005. -Т. 5. -Вып. 5. -С. 712-718.
32. Шапошник А.В. Условия возникновения автоколебательных процессов при адсорбции газов на каталитических поверхностях / А.В.Шапошник, Р.Б.Угрюмов, В.С.Воищев, А.М.Слиденко, С.В.Рябцев // Сорбционные и хроматографические процессы. -2004, -Т. 4. -Вып. 2. -С. 176-181.
33. Шапошник А.В. Распознавание запахов чая при термосканировании полупроводникового сенсора / А.В.Шапошник, Н.С.Демочко, Р.Б.Угрюмов, С.В.Рябцев, А.В.Калач, И.Н.Назаренко // Сорбционные и хроматографические процессы. -2005. -Т. 5. -Вып. 4. -С. 561-567.
Учебные пособия, патенты
34. Е.А. Тутов, СВ. Рябцев, А.В. Шапошник, Э. П. Домашевская. Твердотельные сенсорные структуры на кремнии. Учебное пособие (гриф УМО МГУ). Изд. ВГУ, 2010, с.231.
35. Рябцев СВ., Шапошник А.В. Способ изготовления полупроводникового чувствительного элемента. Патент РФ № 2096775, 6G01N27/12 / СВ. Рябцев, А.В. Шапошник// Заявл. 04.05.95, опубл. 20.11.97