RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 15744 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Коноров Павел Павлович


Коноров Павел Павлович

Учёная степень: доктор физико-математических наук

Ученое звание: профессор

Научное направление: Физико-математические науки

Регион: Санкт-Петербург

Индекс цитирования научной биографии: 3 (по количеству внешних ссылок)

Рейтинг: 34 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Известные Ученые"

Павел Павлович Коноров родился 3 декабря 1926 г. в Казани. До 1948 г. проживал в пос. Санчурск Кировской области. Там окончил среднюю школу и в 1946 г. поступил на заочное отделение физико-математического факультета Казанского госуниверситета. В 1948 г. был принят в порядке перевода на третий курс физического факультета Ленинградского университета, который окончил с отличием в 1951 г. и был оставлен в аспирантуре при кафедре электрофизики. После защиты кандидатской диссертации в марте 1955 г. работал на этой кафедре (впоследствии — кафедра электроники твердого тела) в должности ассистента, старшего научного сотрудника, доцента. В 1970 г. защищал докторскую диссертацию по специальности «Физика твердого тела». С 1972 по 1992 г. профессор, заведующий кафедрой электроники твердого тела физического факультета ЛГУ—СПбГУ. Одновременно с 1973 по 1982 г. в трудное время переезда факультета из Ленинграда в Петродворец был деканом физического факультета. В 1976 г. избирался депутатом Петродворцового райсовета. С 1992 г. по настоящее время профессор кафедры электроники твердого тела. Научная деятельность П. П. Конорова в университете началась в период его дипломной работы, которую он выполнял в Физико-техническом институте РАН им. А. Ф. Иоффе под руководством крупного ученого и замечательного человека Бориса Иосифовича Болтакса. Эта работа была продолжена в аспирантуре под руководством академика А. А. Лебедева и была посвящена изучению электрофизических свойств полупроводников. В те годы фундаментальные исследования свойств полупроводников только начинали приобретать широкий размах. Изобретение в 1949 г. американцами В. Шокли, Дж. Бардиным и В. Братайном транзистора явилось крупнейшим открытием ХХ в. и показало важность и практическую значимость исследований электронных процессов в приповерхностных и приконтактных областях полупроводников, которые в дальнейшем легли в основу современной электроники и в значительной мере определили область научных интересов П. П. Конорова. В качестве направления своих дальнейших научных исследований им было выбрано изучение электрофизических процессов в полупроводниках на границе с электролитами. Эти исследования позволили сформировать новое научное направление «Физика поверхности полупроводниковых электродов», представляющее значительный научный и практический интерес. По результатам этих исследований П. П. Коноро-вым была защищена докторская диссертация. Ему была присуждена ученая степень доктора физико-математических наук (1971) и присвоено звание профессора (1973). П. П. Коноровым был предложен принципиально новый подход к изучению поверхностных явлений в полупроводниках, основанный на использовании границы полупроводник—электролит, позволяющий в широких пределах направленно модифицировать поверхность полупроводника и управлять такими важными ее характеристиками, как плотность и параметры поверхностных состояний, величина и знак области пространственного заряда у поверхности, характер переноса носителей тока через поверхность и т. д. Важным достижением в этой области явились разработка и обоснование новых методов изучения поверхности полупроводников, использующих контакт полупроводник—электролит, которые включали в себя метод эффекта поля в электролитах, поглощение ИК-излучения на свободных носителях, электроотражение, ряд фотоэлектрических и других методов. В результате исследований, выполненных на широком классе полупроводниковых материалов, включающих Ge, Si< соединения А3В5, А2В6 и другие, был обнаружен и исследован ряд новых эффектов, характерных для поверхности полупроводников, таких как эффект стационарного неравновесного обеднения, необычное поведение фотоэлектрических характеристик в условиях сильных приповерхностных изгибов зон и эффект появления гигантских поверхностных фотоэдс в условиях неравновесного обеднения. Выявлены важные закономерности в формировании поверхностных состояний и в ряде случаев установлена их физико-химическая природа. Продолжение и развитие этих исследований учениками П. П. Конорова (проф. О. В. Романов и проф. А. М. Яфясов) и распространение их на свойства узкозонных и бесщелевых полупроводников и полуметаллов выявили принципиально новые возможности системы полупроводник—электролит для изучения поверхностных явлений, которые невозможно было исследовать при существовавших подходах. К таким возможностям относятся возможности наблюдения и исследования эффектов вырождения и двумеризации электронного газа при комнатной температуре, плотности электронных состояний, законов дисперсии и эффективной массы в приповерхностной области полупроводника, влияния на электронные свойства поверхности неквадратичных законов дисперсии и т. д. Важным этапом в рамках этого направления стало изучение электрофизических свойств системы электролит—диэлектрик—полупроводник. Эти исследования показали уникальность такой системы для изучения электронных и ионных процессов в диэлектрических слоях на поверхности полупроводников за счет возможности создания в диэлектрических слоях сверхсильных электрических полей, реализации условий монополярной инжекции в диэлектриках, а также за счет возможностей широкого применения оптических методов исследования, обусловленных прозрачностью электролитического контакта (проф. А. П. Барабан). Высокая чувствительность поверхности полупроводника к составу электролита позволила предложить новые типы датчиков и сенсоров, имеющих применение в экологии, на разных стадиях технологических процессов в микроэлектронике, а обнаруженная необычность поведения поверхности полупроводников в органических растворах и электролитах, содержащих биологически активные вещества, показала большие возможности использования систем полупроводник—электролит в биологии, медицине, а также для моделирования различных биологических процессов (проф. А. М. Яфясов и доц. В. Б. Божевольнов). Основные результаты этих исследований были опубликованы в монографии П. П. Конорова (совместно с профессором А.М. Яфясовым) «Физика поверхности полупроводниковых электродов» (50 п. л.), выпущенной в Издательстве СПбГУ в 2003 г., которая была удостоена первой премии на конкурсе научных работ университета за 2005 г. Другая монография, посвященная этой тематике, — «Field E&#64256;ect in Semiconductor — Electrolyte Interface» (подготовленная совместно с проф. А. М. Яфясовым и доц. В. Б. Божевольным) в 2006 г. была опубликована на английском языке в издательстве «Princeton University Press» (США) и получила высокую оценку зарубежных специалистов. П. П. Коноровым организована лаборатория физики межфазовых процессов, которой он руководит более 40 лет. Исследования, выполненные в лаборатории за эти годы, внесли фундаментальный вклад в физику процессов в полупроводниковых структурах, составляющих основу элементной базы современной микро- и наноэлектроники. П. П. Коноров является автором более 250 научных работ и трех монографий. П. П. Коноровым разработаны и читаются основные спецкурсы кафедры, включая курс «Физика твердого тела», который является поточным для студентов IIIкурса «твердотельных» кафедр физического факультета. П. П. Коноров подготовил 27 кандидатов наук и принимал непосредственное участие в подготовке 7 докторов наук, из которых четверо являются его прямыми учениками, продолжающими научные исследования, начатые под руководством П. П. Коноро-ва. П. П. Коноров был дважды удостоен премии Ленинградского (Санкт-Петербургского) университета. В 2000 г. Павел Павлович Коноров был избран действительным членом Российской академии естественных наук. Он является членом Экспертного совета «Фундаментальные исследования новых материалов», программы «Университеты России» и членом редколлегии журнала «Известия вузов». П. П. Коноров заместитель председателя специализированного совета по присуждению докторских степеней. В 1999 г. П. П. Конорову присвоено почетное звание «Заслуженный работник высшей школы Российской Федерации».

Научные публикации:

Photoinjection from Si into SiO2 After Irradiation Oxidized Si with Electrons or Positive Ions of Nit-rogen // Radiation E&#64256;ects. 1985. Vol. 90. N 1–2 (в соавторстве).

Эллипсометрические исследования пассивиру-ющей пленки на железе в кислых сульфатных растворах. Влияние потенциала и рН // Электрохимия. 1986. Т. 22. № 7 (в соавторстве).

Электролюминесценция пленок SiN x // Физика твердого тела. 1987. Т. 29. № 11 (в соавтор-стве).

Изучение процессов деградации структур кремний—двуокись кремния в системе электролит—диэлектрик—полупроводник // Микроэлектроника. 1987. Т. 16. № 4 (в соавторстве).

Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л., 1988 (в соавторстве).

Параметры разогрева электронов в слоях SiO2 в кремнии // Письма в журнал технической физики. 1988. Т. 14. Вып. 5 (в соавторстве).

Dimentional E&#64256;ects in Electron Heating and Defect Formation Processes in SiO2 Layers on Silicon // Physics of Low Dimentional Structures. 1994. Vol. 4–5 (в соавторстве).

Low Dimentional E&#64256;ects on the GaSb Semicondac-tor Interface// Low Dimentional Structures. 1995. Vol. 2–3 (в соавторстве).

Электролюминесценция ионноимплантированных структур кремний—двуокись кремния // Журнал технической физики. 2000. Т. 70. Вып. 8 (в соавторстве).

Явления пространственной и временной самоорганизации в системе полупроводник— электролит // Неорганические материалы. 2001. Т. 37. № 1 (в соавторстве).

Физика поверхности полупроводниковых электродов. СПб., 2003 (в соавторстве).

Эффекты самоорганизации при формировании твердофазных наноструктур на поверхности CdHgTe материалов // Физическая мысль России. 2003 (в соавторстве).

Электролюминесценция в слоях SiO2 в различных структурах // Физика твердого тела. 2004. Т. 46. № 4 (в соавторстве).

Формирование двумерных и одномерных твердофазных квантовых наноструктур в системе CdHgTe—электролит // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. Вып. 11 (в со-авторстве).

Field E&#64256;ect in Semiconductor—Electrolyte inter-face. Princeton, 2006 (в соавторстве).

 

Последняя редакция анкеты: 30 мая 2010, 16:54

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания”
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Современные проблемы науки и образования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.953

«Фундаментальные исследования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 1.094

«Современные наукоемкие технологии» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.725

«Успехи современного естествознания» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.869

«Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований», ИФ РИНЦ = 0.800

«Международный журнал экспериментального образования», ИФ РИНЦ = 0.469

«European journal of natural history», ИФ РИНЦ = 0.864

«Международный студенческий научный вестник», ИФ РИНЦ = 0.445

«Рациональное питание, пищевые добавки и биостимуляторы»

Издание научной и учебно-методической литературы, ISBN, РИНЦ, DOI