RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 15779 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Богомолов Борис Константинович


Богомолов Борис Константинович

Учёная степень: кандидат физико-математических наук

Ученое звание: доцент

Научное направление: Физико-математические науки

Регион: Новосибирская область

Индекс цитирования научной биографии: 5 (по количеству внешних ссылок)

Рейтинг: 51 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Известные Ученые"

В 1974 году окончил Новосибирский электротехнический институт по специальности физическая электроника. С 1974 по 1979 год работал инженером, старшим инженером НИИ "Восток" в лаборатории вакуумной микроэлектроники. С 1979 по 1982 год служил в советской армии в должности заместитель командира роты по политической части. С 1982 по 1984 год учёба в очной аспирантуре Новосибирского электротехнического института по специальности 01.04.07 "физика твёрдого тела". Диссертационную работу выполнял в Институте физики полупроводников СО АН СССР. С 1984 по 1990 год работал младшим научным сотрудником, научным сотрудником в НИИ "Восток". Занимался проектированием и изготовлением СБИС. С 1991 по настоящее время доцент кафедры "Полупроводниковые приборы и микроэлектроника" Новосибирского государственного технического университета.

Научные публикации:

С П И С О К

ПУБЛИКАЦИЙ ДОЦЕНТА КАФЕДРЫ ПП и МЭ

БОГОМОЛОВА БОРИСА КОНСТАНТИНОВИЧА

за период с 1995-2011 гг.

1. Богомолов Б.К. Реактивное ионно плазменное травление алюминия для формирования коммутирующей разводки в СБИС / Сб. научных трудов «Радиотехника. Электроника. Физика», Новосибирск, НГТУ, 1996, с. 111-118.

2. Богомолов Б.К. Компьютерное моделирование поведения адатомов Si на поверхности (110) W / Российская научно-техническая конференция «Информатика и проблемы коммуникаций», т. 2, Новосибирск, 1996, с. 23.

3. Богомолов Б.К. Моделирование процессов упорядочения в адсорбированных поверхностных слоях методом Монте-Карло / Труды Третьей Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» АПЭП-96, Новосибирск, НГТУ, 1996, т. 1, с. 76-77.

4. Богомолов Б.К. Компьютерное моделирование двумерной системы частиц. Труды IV Междунар. конф. АПЭП-98, Новосибирск, т.2, с. 39.

5. Б.К.Богомолов. Компьютерное моделирование динамики системы многих частиц. Информатика и проблемы телекоммуникаций. Междунар. научн. техн. конф., Новосибирск, 1998., с. 134.

6. Bogomolov B.K. Computer modeling of system of particles // in 4th Inter conf. on Actual Prob. of Electr. Instr. Engin. Proc APEIE-98, vol.1, Novosibirsk, September 23-26, 1998, p.40-41.

7. B.K.Bogomolov. MODELING of CONDITION of PARTICLE SYSTEM: LIQUID GAS PLASMA. - ABSTRACTS. The Third Russian-Korean International Symposium on Science and Technology, June 22-25, 1999, Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, v.2, p.708.

8. Б.К Богомолов., Ю.А. Маркин Моделирование функции распределения электронов по энергиям для низкотемпературной плазмы газового разряда. // Труды 5 Международной конференции “Актуальные проблемы электронного приборостроения”, АПЭП-2000, т.2, Новосибирск, 26-28 сентября 2000г., с.17-19.

9. B.K Bogomolov., Yu.A Markin. Modeling of a cumulative distribution function of electrons on energy for gas plasma. // 5th International conference on actual promlems of electronic instrument engineering proceeding, APEIE-2000, September 26-28, v.1, Novosibirsk, 2000, p. 18-20.

10. Богомолов Б.К. Травление кремния в плазме CCl2F2O2 // В кн. : Информатика и проблемы телекоммуникаций. Материалы международной научно-технической конференции/ Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2001. – с. 109.

11. Bogomolov B.K. Silicon etching in CCl2F2/O2 plasma // In book: 5-th Korea-Russia international symposium on science and technology. June26-July3, Tomsk, Russia. 2001/ - P.146-150.

12. Богомолов Б.К. Начальный этап компьютеризации обучения // В кн.: Подготовка кадров для системы открытого и дистанционного образования. Международный научно-практический семинар: Тезисы докладов / Под ред. проф. Г.В.Майера.- Томск : Изд-во Том.ун-та, 2001. – С.128-131.

13. Богомолов Б.К. Разработка учебного пособия по проектированию и расчету электронных схем для дистанционного образования.// В кн.: Открытое и дистанционное образование: организация, технология, качество: Материалы Всероссийской научно-методич. конф. / Новосибирский гос. техн. ун-т – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2001. - С.108-109.

14. Богомолов Б.К. Управление процессом плазменного травления // В кн.: Информатика и проблемы телекоммуникаций. Материалы международной научно-технической конференции – Новосибирск, 2002. – с.171.

15. Богомолов Б.К. Роль добавки кислорода при плазменном травлении кремния // В кн.: Материалы VI международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения». АПЭП-2002, 23-26 сентября 2002 г., том 2, НГТУ, Новосибирск, 2002. – с.56-58.

16. Bogomolov B.K. Management of process of plasma etching of silicon // In Abstracts. 6th Russian – Korean international symposium on science and technology, June 24 – 30, vol.1, NSTU, Novosibirsk, 2002. - p. 389-392.

17. Bogomolov B.K. Losing of the chemically active particles in plasma CF2Cl2/O2 // In Abstracts. Third Siberian russian workshop on electron devices and materials EDM’2002, July 1-5, vol.1, NSTU, Novosibirsk, 2002. – p.128-129.

18. Bogomolov B.K. Role of the additive of oxygen at plasma etching of silicon // In Abstracts. 2002 6th international conference on actual problems of electronic instrument engineering proceeding, APEIE – 2002, September 23-26, vol.1, NSTU, Novosibirsk, 2002. – P. 33-35.

19. Богомолов Б.К. Моделирование низкотемпературной плазмы газового разряда низкого давления // В кн.: Информатика и проблемы телекоммуникаций: Тезисы докладов междун.науч.-технич.конф. – Новосибирск, СибГУТИ, 2003. – с. 211- 212.

20. Bogomolov B.K. Modeling of a cumulative distribution function oscillatory-active molecules in plasma // Proceedings. The 7th Korea - Russia international symposium on science and technology, June 28 – July 6, vol.3, University of Ulsan, Ulsan, 2003. - p. 99-104.

21. Богомолов Б.К. Исследование плазмы при помощи датчика эмиссионно-спектрального типа. // «Актуальные проблемы электронного приборостроения» АПЭП-2004: Тр. VII Междунар. конф., Новосибирск, 22-25 сент., 2004 - Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2004. - Т. 2. - С.79 - 85.

22. Богомолов Б.К. Колебательные состояния молекулы О2 в приближении ангармонического осциллятора. // Информатика и проблемы телекоммуникаций: Тез. Всерос. науч.- технич. конф. – Новосибирск: Изд-во СибГУТИ, 2004. - С. 149.

23. Bogomolov B.K. Plasma chemical etching of silicon in MEMS - technology. // Proc. 8th Korea - Russia Intern. Symp. On Science and Technology, June 26 - 29, 2004, v.1, Tomsk, p. 203 - 206 .

24. Богомолов Б.К. Оптимизация процесса плазмохимического травления кремния. // Материалы междунар. конф. Современные проблемы радиоэлектроники, Институт радиоэлектроники КГТУ, май 6-7, 2004, Красноярск, с. 162 - 164.

25. Б.К. Богомолов. Исследование плазмы при плазмохимическом травлении кремния. В сб. научн. тр. Современные проблемы радиоэлектроники / Под ред. А. И. Громыко, А. В. Сарафанова; Отв. за вып. В. И. Ризуненко. Красноярск: ИПЦ КГТУ, 2005. -с.392-394.

26. B.K.Bogomolov. PLASMA CHEMICAL ETCHING OF SILICON (OPTIMIZATION OF PROCESS). Proc. 9th Russian-Korean International Symposium on Science and Technology, Novosibirsk, NSTU, 26th June – 2nd July, 2005, p.52 – 53.

27. Б.К. Богомолов. Плазмохимическое травление кремния. // Информатика и проблемы телекоммуникаций: Тез. Всерос. науч.- технич. конф. – Новосибирск: Изд-во СибГУТИ, 2006. -с.238-239.

28. Богомолов Б. К. Плазмохимическое травление кремния / Б. К. Богомолов // Материалы VIII Международной конференции актуальные проблемы электронного приборостроения, АПЭП-2006, том 2.

29. Bogomolov B.K. Plasma chemical etching of silicon / Bogomolov B.K. // 8 International Conference on Actual Problems of Electronic Instrument engineering proceedings, APEIE’2006.

30. Богомолов Б. К. Особенности травления кремния в плазме / Б. К. Богомолов // Современные проблемы радиоэлектроники : сб. науч. тр. / Сиб. федерал. ун-т, Политехн. ин-т. –- Красноярск : ФГОУ ВПО СФУ, 2007. – С. 412–413.

31. Богомолов Б. К. Аномально высокая скорость травления кремния в плазме / Б. К. Богомолов // Информатика и проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., [Новосибирск, 26–28 апр. 2007 г.] – Новосибирск : [СибГУТИ], 2007. – Т. 1. – С. 199–200.

32. Богомолов Б. К. Развитие кремниевых нанотехнологий и технологии плазменного травления кремния / Б. К. Богомолов // Материалы IX Международной конференции актуальные проблемы электронного приборостроения, АПЭП-2008, том 2, 24-26 сентября, Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2008, с. 31-34.

33. Богомолов Б. К. Перспективы развития электронной техники / Б. К. Богомолов // Современные проблемы радиоэлектроники: сборник научных трудов. Под ред. А. И. Громыко, А. В. Сарафанов. - Красноярск: ИПК СФУ, 2008. - с. 165 – 167.

34. Богомолов Б. К. Перспективы развития наноэлектроники / Б. К. Богомолов // Материалы Российской научн.-технич. конф. информатика и проблемы телекоммуникаций, том 1, 24-25 апреля, Новосибирск: Изд-во СибГУТИ, 2008. – с. 339 – 340.

35. Bogomolov B.K. Nanoelectronics and nanotechnology – basis of information a society /Bogomolov B.K. // Proceedings of IFOST’2008. The third international forum on strategic technology. June 23-29, 2008. Novosibirsk – Tomsk, Russia. – Novosibirsk: NSTU, 2008, p.264-265.

36. Bogomolov B.K. Development silicon of nanotechnology and technology of plasma etching silicon / Bogomolov B.K. // 2008 9th International conference on actual problems of electronic instrument engineering proceeding, APEIE’2008, Novosibirsk, NSTU, 2008, v.1, p.22-25.

37. Богомолов Б. К. Высокоскоростной процесс плазменного травления кремния / Б. К. Богомолов // Материалы Российской научн.-технич. конф. информатика и проблемы телекоммуникаций, том 1, 27-28 апреля, Новосибирск: Изд-во СибГУТИ, 2009. – с. 309.

38. Bogomolov B.K. Plasma etching of silicon – basiс silicon nano- and micro technologies / Bogomolov B.K.// Proceedings of IFOST’2009. The fourth international forum on strategic technology. October 21-23, 2009. Ho Chi Minh city, Vietnam, p.100-105.

39. Богомолов Б. К. Плазмохимическое травление кремния в хлорсодержащей плазме, используемое в наноэлектронике / Bogomolov B.K. // 10th International conference on actual problems of electronic instrument engineering proceedings. APEIE–2010 = Материалы 10 международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения». АПЭП–2010, Новосибирск, 2010 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2010. – Т. 2. – С. 64-69.

40. Богомолов Б. К. Плазмохимическое травление кремния в наноэлектронике / Б. К. Богомолов // Информатика и проблемы телекоммуникаций: Рос. науч.-техн. конф. : материалы конф., – Новосибирск, 2010. – Т. 1. – С. 383–384.

41. Bogomolov B.K. Plasma Chemical Etching of Silicon in Chlorine to Containing Plasma, Used in Nanoelectronics / Bogomolov B.K. // 10th International conference on actual problems of electronic instrument engineering proceedings. APEIE–2010 = Материалы 10 международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения». АПЭП–2010, Новосибирск, 2010 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2010. – Т. 1. – С. 23-30.

42. Богомолов Б. К. Плазмохимическая технология - основное направление развития нанотехнологии / Б. К. Богомолов // Материалы Российской научн.-технич. конф. Информатика и проблемы телекоммуникаций, том 1, 21-22 апреля, Новосибирск: Изд-во СибГУТИ, 2011. C. 441-442.

43. Bogomolov B.K. Plasma Chemical Etching of Silicon in Chlorine to Containing Plasma / Bogomolov B.K. // Proceedings of IFOST’2011. The 6 th international forum on strategic technology. vol.1, August 22-24, 2011, Harbin, Chine, p. 205 - 210.

44. Богомолов Б. К. Проблемы плазмохимического травления Si при формировании 3D структур (технология Tri-Cate нанотранзисторов) / Б. К. Богомолов // 11 International conference on actual problems of electronic instrument engineering proceedings. APEIE–2011 = Материалы 11 международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения». АПЭП–2012, Новосибирск, 2–4 окт., 2012 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2012. – Т. 2. – С. 31–36.

45. Богомолов Б. К. Особенности плазмохимического травления в плазме CCl2F2/O2 / Б. К. Богомолов // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., Новосибирск, 26–27 апр. 2012 г. – Новосибирск, 2012. – С. 239–240.

46. Bogomolov B. К. Problems of Plasmochemical Etching of Si in Case of Formation 3D Structures (Tri-Gate Technology of Nanotransistors) /Bogomolov B. К. // 11 International conference on actual problems of electronic instrument engineering proceedings. APEIE–2011 = Материалы 11 международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения». АПЭП–2012, Новосибирск, 2–4 окт., 2012 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2012. – Т. 1. – С. 15–20.

47. Bogomolov B. К. Model of plasmochemical etching of Si in CCl2F2/O2 plasma /Bogomolov B. К. // The 7th International forum on strategic technology: proc. of IFOST 2012, Tomsk Polytechnic University, 17-21 september 2012, 2012. - V. 1, P. 399-404.

48. Богомолов Б. К. Механизм травления Si в плазме CCL2F2/O2 / Б. К. Богомолов // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., [Новосибирск, 25–26 апр. 2013 г.]. – Новосибирск, 2013. – С. 259–260.

49. Богомолов Б. К. Проблемы переноса рисунка топологии при формировании 3D структур (технология FinFET-транзисторов) / Б. К. Богомолов // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 2. – С. 123-127. – 100 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2507-7.

50. Богомолов Б. К. О технологии формирования одноатомного транзистора / Б. К. Богомолов // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф. [Новосибирск, 24–25 апр. 2014 г.]. – Новосибирск : СибГУТИ, 2014. – С. 228-229.

51. Богомолов Б. К. Исследование проблем проектирования АЛУ при помощи САПР БИС «Ковчег 2.2» / Б. К. Богомолов, В. В. Гильгенберг // Актуальные проблемы электронного приборостроения = Actual problems of electronic instrument engineering : тр. 12 междунар. конф. АПЭП-2014, Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 2. – С. 128-131. – 100 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2507-7.

52. Bogomolov B. K. Problems of transfer of a figure of topology when forming 3D structures (the FinFET-technology of transistors) / B. K. Bogomolov // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 1. – С. 79-83. – 250 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2506-0. - DOI: 10.1109/APEIE.2014.7040772

53. Bogomolov B. K. ALU design problems research with VLSI CAD “Kovcheg 2.2” / B. K. Bogomolov, V. V. Gilgenberg // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 1. – С. 84-87. – 250 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2506-0.

54. Богомолов Б. К. Технология Tri-Gate и FinFET транзисторов (плазмохимичекое травление Si) = Technology of Tri-Gate and FinFET of Transistors (Plasma Chemical Etching of Si) / Б. К. Богомолов // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч. конф. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2015. – Т. 2. – С. 491–500. – 60 экз. – ISBN 978-5-91434-028-2.

55. Богомолов Б. К. Исследование проблем проектирования АЛУ при помощи Verilog описания в САПР БИС «Ковчег 3.02» = Research problems ALU design using Verilog description VLSI CAD «Kovcheg 3.02» / Б. К. Богомолов, В. В. Гильгенберг // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., Новосибирск, 21–22 апр. 2016 г. – Новосибирск : Изд-во Сиб ГУТИ, 2016. – С. 765–774. - 32 экз. - ISBN 978-5-91434-032-9.

56. Богомолов Б. К. Verilog-модель АЛУ микропроцессора 6502 на базе БМК 5503ХМ5(САПР БИС Ковчег 3.02) = Verilog-Model ALU Microprocessor 6502 at the Base MPGA 5503HM5 (CAD VLSI Kovcheg 3.02), Novosibirsk, Russia / Б. К. Богомолов // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2016) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2016) : тр. 13 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 3–6 окт. 2016 г. : в 12 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – Т. 2. – С. 27–33. - 74 экз. - ISBN 978-5-7782-2991-4, 978-5-7782-2993-8 (т. 2).

57. Bogomolov B. K. Verilog-model ALU microprocessor 6502 at the base MPGA 5503HM5 (CAD VLSI Kovcheg 3.02) / B. K. Bogomolov // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2016) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2016) : тр. 13 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 3–6 окт. 2016 г. : в 12 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – Т. 1, ч. 1. – С. 27–33. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-2991-4 .

58. Bogomolov B. K. Plasma chemical etching of silicon: basic technology production of tri-gate and finfet of transistors / B. K. Bogomolov // 11 International forum on strategic technology (IFOST 2016) : proc., Novosibirsk, 1–3 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – Pt. 1. – P. 178 - 181. - ISBN 978-1-5090-0853-7.

Учебно-методические:

1. Богомолов Б. К. Электронно-ионные процессы при формировании МДП структур. Часть 1 : учебное пособие / Б. К. Богомолов, Н. И. Фирсов, И. Л. Новиков. - НГТУ, 1995. - 36 c.

2. Богомолов Б. К. Электронно-ионные процессы при формировании МДП структур. Часть 2 : учебное пособие / Б. К. Богомолов, Н. И. Фирсов, И. Л. Новиков. - НГТУ, 1996. - 44 c.

3. Информатика. Программа, методические указания и контрольные задания для студентов специальностей 2002, 2003 заочной формы обучения. : учебно-методическое пособие / Новосиб. гос. техн. ун-т ; сост.: Б. К. Богомолов, И. М. Козлов, Н. В. Усольцев. - НГТУ, 1996. - 16 c.

4. MS Fortran. Описание языка и методические указания по составлению программ. : учебно-методическое пособие / Новосиб. гос. техн. ун-т ; сост.: Б. К. Богомолов, И. М. Козлов. - НГТУ, 1998. - 54 c.

5. Физика полупроводников : учебно-методическое пособие / Новосиб. гос. техн. ун-т ; сост.: А. А. Величко, Б. К. Богомолов. - НГТУ, 1999. - 17 c.

6. Б.К Богомолов., И.М Козлов. Информатика. Методические указания к лабораторным работам и расчетно-графическому заданию для студентов 1 курса по направлению 550700 очной формы обучения. 1 семестр. — НГТУ — 2000. — №2038. — 23 с

7. Б.К.Богомолов. Проектирование ИС. Разработка топологии. Программа курса и методические указания. НГТУ. Новосибирск. 2001. 41 с.

8. Богомолов Б.К., Фадеева Л.В., Зотов Л.Г. Проектирование и расчет электронных схем. Компьютерный учебник. Институт дистанционного образования, 2002.

9. Б.К.Богомолов. Система автоматизированного проектирования БИС «КОВЧЕГ 2.2». Метод. пособие для студентов III-IV курсов факультета РЭФ (специальности 200100 и 201500). – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2005. – 76 с.

10. Введение в микросхемотехнику : учебно-методическое пособие / Новосиб. гос. техн. ун-т ; сост. Б. К. Богомолов. - Изд.-во НГТУ, 2006. - 24 c.

11. Проектирование БИС. Лабораторный практикум : учебно-методическое пособие / Новосиб. гос. техн. ун-т ; сост. Б. К. Богомолов. - НГТУ, 2010. - 35 c.

12. Богомолов Б. К. Основы проектирования электронной компонентной базы. Лабораторный практикум : учеб. пособие / Б. К. Богомолов. - Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2015. - 59 с. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-2680-7.

Препринт

1. Богомолов Б.К. Плазмохимическое травление кремния. - Препринт.- Новосибирск, 2003. – С. 64.

 

Последняя редакция анкеты: 22 ноября 2016, 17:26

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания”
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Современные проблемы науки и образования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.953

«Фундаментальные исследования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 1.094

«Современные наукоемкие технологии» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.725

«Успехи современного естествознания» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.869

«Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований», ИФ РИНЦ = 0.800

«Международный журнал экспериментального образования», ИФ РИНЦ = 0.469

«European journal of natural history», ИФ РИНЦ = 0.864

«Международный студенческий научный вестник», ИФ РИНЦ = 0.445

«Рациональное питание, пищевые добавки и биостимуляторы»

Издание научной и учебно-методической литературы, ISBN, РИНЦ, DOI