RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 15779 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Гаврилов Сергей Александрович


Гаврилов Сергей Александрович

Учёная степень: доктор технических наук

Научное направление: Технические науки

Регион: Московская область

Индекс цитирования научной биографии: 0 (по количеству внешних ссылок)

Рейтинг: 43 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Известные Ученые"

Проректор по научной работе Московского государственного института электронной техники (технический университет).

Выпускник МИЭТа (1994 г.).

Доктор технических наук (2002 г.).

В МИЭТе работает с 1994 года: аспирант кафедры физико-химических основ технологии микроэлектроники (1994-1997 гг.); заведующий кафедрой «Материаловедение и физическая химия» (с 2002 г.). Проректор по научной работе (с 2008 г.).

Ученый в области технологии наноматериалов. Подготовил 3-х кандидатов наук.

Научные публикации:

Автор свыше 100 научных и учебно-методических трудов.

Список опубликованных работ:

Гаврилов С.А., Белов А.Н. Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники // М: Высшее образование, 2008. 257 с.

Gavrilov S., Dittrich Th., Lim B., Belaidi A., Lux-Steiner M. Ultra-thin charge selective systems based on MeSxHy (Me = In, Cu, Pb) // Thin Solid Films, 2008. V.516, №20, P. 7051-7054.

Belov A.N., Gavrilov S.A., Shevyakov V.I. Formation of metal nanowires arrays by pulsed electrodeposition // Reviews and Short Notes to Nanomeeting – 2007 «Phisycs, chemistry and application of nanostructures».- Minsk.- Belarus.- 2007.- P. 447-450

Бритков О.М., Гаврилов С.А., Графутин В.И., Калугин В.В., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.Ф. Исследование пористого кремния методом позитронной аннигиляционной спектроскопии // Химия высоких энергий.- 2007.- том 41.- №1.- C.52-57.

Чаплыгин Ю.А., Поспелов А.С., Прокофьев А.А. Центры формирования компетенций как механизм реализации компетентностного подхода в подготовке и переподготовке инженерных кадров для инновационной экономики // Известия вузов. Электроника.- №6 2006, с.79-85.

Бритков О.М., Бугаенко В.Л., Гаврилов С.А., Графутин В.И., Гришкин В.Л., Калугин В.В., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Разинкова Т.Л., Фунтиков Ю.В. Исследование пористого кремния методом аннигиляции позитронов // Труды XVI Международного совещания "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 3 - 8 июля 2006 г.).- М.: ГНУ «НИИ ПМТ».- 2006.- C. 460-469.

Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Gavrilov S. Polaron effect on plasma resonance and raman scattering in porous nanostructured InAs // 5th Int. Conf. "Porous Semiconductors-Science and Technology" (PSST-2006) March 12-17 2006.-Barcelona.- P2-39.

Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Gavrilov S. Comparative raman and photoluminescence study of porous silicon-germanium superlattices // 5th Int. Conf. "Porous Semiconductors-Science and Technology" (PSST-2006) March 12-17 2006.-Barcelona.- P2-38.

Nosova L., Igamberdiev Kh.T., Gavrilov S., Dittrich Th., Urban I., Yuldashev Sh., Khabibullaev P.K. Thermal properties of CdS/Al2O3 nanostructures // 5th Int. Conf. "Porous Semiconductors-Science and Technology" (PSST-2006) March 12-17 2006.- Barcelona.- P1-01.

Белов А.Н., Гаврилов С.А., Шевяков В.И. Особенности получения наноструктурированного анодного оксида алюминия // Российские нанотехнологии. – 2006. – т.1.-№1-2.-С.223-227.

Гаврилов С.А., Шерченков А.А., Кравченко Д.А., Апальков А.Б. Оптоэлектронные свойства пленок CdS для солнечных элементов с тонким абсорбирующим слоем // Российские нанотехнологии.-2006.- т.1.-№1-2.- С.228-232.

Белов А.Н., Гаврилов С.А., Путря М.Г., Шевяков В.И. Нанотехнологии на основе анодных оксидных материалов // Известия вузов. Электроника.- 2006.- №5.- С. 92-98.

Белов А.Н., Гаврилов С.А. Синтез полупроводниковых нитевидных нанокристаллов методом импульсного электрохимического осаждения с дальнейшей сульфидизацией // Известия вузов. Электроника.- 2006.- №1.- С. 31-35.

Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Гаврилов С.А. Колебательные процессы в нанокристаллах CdS, CdSe, и ZnSe: установление корреляции между геометрической формой и оптическими свойствами // Изв. Вузов. Материалы электронной техники.- №3.- 2006.- С.32-38. Белогорохов А.И., Белогорохов И.А., Василевский М.И., Гаврилов С.А., Миранда Р.П. Полярные оптические фононы в полупроводниковых нанокристаллах CdS // ЖЭТФ.- 2006.- т.103.- вып. 6(12).- С.1-10.

Громов Д.Г., Гаврилов С.А., Редичев Е.Н., Аммосов Р.М. Кинетика процесса плавления-диспергирования тонких пленок меди // ФТТ.- 2007.- т.49.- вып.1.- С.172-178.

Redichev E.N., Gromov D.G., Gavrilov S.A., Mochalov A.I., Ammosov R.M. Combined method of copper electroplating deposition and low temperature melting for damascene technology // Proceedings of SPIE.- 2006.- vol. 6260.- Р. 62601H-1 – 62601H-8

Barkhudarov A.V., Gavrilov A.S., Galishnikov A.A., Putrya M.G. Forming matrix nanostructures in silicon // Proceedings of SPIE.- 2006.- vol. 6260.- Р. 62600Z-1 – 62600Z-8.

Gromov D.G., Gavrilov S.A., Redichev E.N., Mochalov A.I., Ammosov R.M. Degradation of thin copper conductors because of low temperature melting // Proceedings of SPIE.- 2006- vol. 6260- Р. 62600H-1 – 62600H-8.

Belov A.N., Gavrilov S.A. Synthesis of nanowires by pulsed current electrodeposition // Proceedings of SPIE.- 2006.- vol. 6260.- Р. 62600Y-1 – 62600Y-8.

Kravchenko D.A., Gavrilov S.A., Zheleznyakova A.V., Vishnikin E.V. Synthesis of AIIBVI semiconductor nanocristals by electrochemical deposition and SILAR techniques // Proceeding of SPIE.-2006.- Vol. 6260.- Р.6260E-1 – 6260E-8.

Gavrilov S.A., Zheleznyakova A.V., Belov A.N., Barabanov D.Yu., Shevyakov V.I., Vishnikin E.V. Factors effected on nanoporous anodic alumina ordering // Proceeding of SPIE.- 2006,- Vol. 6260.- Р. 626011-1-626011-8.

Белогорохов А.И., Белогорохов И.А., Василевский М.И., Гаврилов С.А., Миранда Р.П., Диттрих Т., Хохлов Д.Р. Поглощение ИК излучения полярными оптическими фононами нанокристаллов CdS, состоящем из квантовых точек и квантовых нитей // ПЖЭТФ.- 2006.- Т.84.- вып.3.- С.152-155.

Belogorokhov A. I., Belogorokhov I. A., Vasilevskiĭ M. I., Gavrilov S. A., Miranda R. P., Dittrich Th., Khokhlov D. R. Infrared absorption by polar optical phonons in a CdS nanocrystal array consisting of quantum dots and quantum wires // JETP Letters.-Volume 84.-2006.- №3/ October.- Р. 1090-6487.

Gromov D. G., Gavrilov S. A., Redichev E. N., Klimovitskaya A. V., Ammosov R. M. The factors that determine the temperature of fusion of Cu and Ni thin films on inert surfaces // Rus. J. Phys. Chem.-Vol. 80.-2006.-№10 - Р. 1650-1655.

Golovan L.A., Petrov G.I., Fang G.Y., Melnikov V.A., Gavrilov S.A., Zheltikov A.M., Timoshenko V.Y., Kashkarov P.K., Yakovlev V.V., Li C.F. The role of phase-matching and nanocrystal-size effects in three-wave mixing and CARS processes in porous gallium phosphide // Appl. Phys.- B 84.-2006.-С.303–308

Gavrilov S., Oja I., Lim B., Belaidi A., Bohne W., Strub E., Röhrich J., Lux-Steiner M.-Ch., Dittrich Th. Charge selective contact on ultra-thin In(OH)x Sy /Pb(OH)x Sy heterostructure prepared by SILAR // Physica Status Solidi (a) 2006 Vol. 203, No. 5, P. 1024 – 1029.

Гаврилов С.А., Рощин В.М., Шевяков В.И. Наноструктуры и элементы наноэлектроники на базе метода локального зондового окисления // Нанотехнологии в электронике. Под ред. Ю.А.Чаплыгина (Глава 3.) М.: Техносфера, 2005. – 448 с.

Гаврилов С.А., Путря М.Г., Шевяков В.И. Нелитографические методы формирования поверхностных периодических структур // Нанотехнологии в электронике. Под ред. Ю.А.Чаплыгина (Глава 4.) М.: Техносфера, 2005. – 448 с.

Гаврилов С.А., Графутин В.И., Илюхина О.В., Калугин В.В., Мясищева Г.Г., Разинкова Т.Л., Светлов-Прокопьев

Гаврилов С.А., Графутин В.И., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Прямое наблюдение атома позитрония в пористом кремнии методом позитронной аннигиляционной спектроскопии // Письма ЖЭТФ, 2005, т.81, вып.11, с.680-682.

Belogorokhov A. I., Gavrilov S. A., Kashkarov P. K., Belogorokhov I. A. FTIR investigation of porous silicon formed in deutrofluoric acid based solutions // Physica status solidi (a) 2005 Vol. 202, No. 8, p 1581-1585.

Gavrilov S., Nosova L., Sieber I., Belaidi A., Dloczik L., Dittrich Th. Synthesis of semiconductor nanowires by pulsed current electrodeposition of metal with subsequent sulfurization // Physica status solidi (a) 2005 Vol. 202, No. 8, p 1497-1501

Belogorokhov A. I., Gavrilov S. A., Belogorokhov I. A. Structural and optical properties of porous gallium arsenide // Physica status solidi © 2005, Vol. 2, No. 9, p 3491-3494

Melnikov V. A., Golovan L. A., Konorov S. O., Fedotov A. B., Petrov G. I., Li L., Yakovlev V. V., Gavrilov S. A., Zheltikov A. M., Timoshenko V. Yu., Kashkarov P. K. Porous gallium phosphide: challenging material for nonlinear-optical

Белогорохов А.И., Гаврилов С.А., Белогорохов И.А., Тихомиров А.А. Оптические свойства пористого наноразмерного GaAs // ФТП, 2005, т. 39, вып.2, с. 258-263.

Nosova L., Gavrilov S., Sieber I., Urban I., Belaidi A., Dloczik L., Dittrich Th., Yuldashev Sh.U., Khabibullaev P.K. Synthesis of metallic and semiconductor nanowires based on porous anodic alumina // Uzbek J. Phys. 6, 325-333 (2004).

Gavrilov S., Golishnikov D., Gordienko V., Savel’ev A., Volkov R… Efficient hard X-ray source using femtosecond plasma at solid targets with a modified surface // Laser and Particle Beams, 22 (2004), 3, 301-306

Gavrilov S.A., Belov A.N., Zheleznyakova A.V.,.Barabanov D.Yu, Shevyakov V.I., Vishnikin E.V. Technology and equipment for production of porous anodic alumina based nanostructures // Proceeding of III Russian-Japan seminar «Equipment and technologies for production of components of solid state electronics and nanomaterials» Moscow, MSIU, 2005, p.295-300.

Бархударов А.В., Гаврилов С.А., Голишников А.А., Путря М.Г. Получение наноразмерных матричных структур в кремнии // Известия вузов. Электроника. 2005. №4-5. с. 102-106.

Гаврилов С.А., Белов А.Н., Железнякова А.В., Вишникин Е.В., Кравченко Д.А. Электрохимические процессы формирования твердотельных наноструктур // Известия вузов. Электроника. 2005. №4-5. с. 94-97.

Громов Д.Г., Гаврилов С.А., Редичев Е.Н. Влияние толщины пленок меди в слоистых структурах Cu/W-Ta-N, Cu/C и C/Cu/C на тумпературу процесса плавления – диспергирования // ЖФХ, 2005, т.79, №9, с.1394-1401.

Gavrilov S.A., Chaplygin Yu.A., Pak A.S., Alekhin A.P., Il’ichev E.A., Poltoratcky E.A., Rychkov G.S. Planar elements based on carbon nanotubes for vacuum electronics // Reviews and Short Notes to Nanomeeting – 2005 «Phisycs, chemistry and application of nanostructures» Minsk, Belarus, 2005, p. 579-582.

Belov A.N., Gavrilov S.A., Zheleznyakova A.V., Kravtchenko D.A., Shevyakov V.I., Redichev E.N., Belogorokhov A.I., Dittrich Th. Nanocrystal synthesys within porous anodic alumina template // Reviews and Short Notes to Nanomeeting – 2005 «Phisycs, chemistry and application of nanostructures» Minsk, Belarus, 2005, p. 505-508.

Белов А.Н., Гаврилов С.А., Громов Д.Г., Малкова А.С., Кравченко Д.А., Тихомиров А.А. Исследование плавления нитевидных нанокристаллов индия в порах анодного оксида алюминия // Известия вузов. Электроника. 2004. №4. C. 3-6.

Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Miranda R.P., Vasilevskiy M.I., Gavrilov S.A. Mixed optical phonon modes in semiconductor nanocrystals synthesized in porous Al2O3 matrix // Phys. Stat. Sol. C. Vol. 1, 2004. P. 2638-2641

Gavrilov S.A., Kravtchenko D.A., Zheleznyakova A., Timoshenko V.Y., Kashkarov P.K., Melnikov V., Zaitsev G., Golovan L.A.Porous anodic alumina for photonics and optoelectronics // Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5401, p. 235-241 (2004).

Gavrilov S.A., Dzbanovsky N.N., Dvorkin V.V., Il’ichev E.A., Medvedev B.K., Poltoratsky E.A., Rychkov G.S., Suetin N.V. Selective growth of oriented carbon nanotubes // Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. Vol. 5401, p. 251-256 (2004).

Гаврилов С.А., Ильичев Э.А., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Дворкин В.В., Дзбановский Н.Н., Суетин Н.В Эмиттеры из углеродных нанотрубок для планарной эмиссионной вакуумной микро- и наноэлектроники // ПЖТФ. Т.30, вып.14, 2004, с.75-81.

Громов Д.Г., Редичев Е.Н., Гаврилов С.А. Оптические и электрофизические свойства периодических структур Cu/In2O3(Sn) // Известия вузов. Электроника, №2, 2004 с. 34-37

Гаврилов С.А., Ильичев Э.А., Козлитин А.И., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Дзбановский Н.Н., Дворкин В.В., Суетин Н.В. Латеральный эмиттер как базовый элемент интегральной эмиссионной электроники // ПЖТФ, 2004, т.30, вып.11, с.48-53.

Гаврилов С.А., Дзбановский Н.Н., Ильичев Э.А., Минаков П.В., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Суетин Н.В Усиление потока электронов с помощью алмазной мембраны // ЖТФ, 2004, т.74, вып.1, с.108-114.

Белогорохов А.И., Гаврилов С.А., Белогорохова Л.И., Кравченко Д.А., Кобелева С.П.Синтез, оптические свойства, пространственно-ограниченные и смешанные моды решеточных колебаний нанокристаллов CdS, синтезированных в пористом Al2O3 // Известия вузов, Материалы электронной техники, 2003, No.4, с.65-70.

Dvorkin V.V., Dzbanovsky N.N., Suetin N.V., Poltoratsky E.A., Rychkov G.S., Il’ichev E.A., Gavrilov S.A. Secondary electron emission from CVD diamond films // Diamond and Related Materials 12 (2003) 22082218.

Lemeshko S., Bykov V., Gavrilov S., Roschin V., Saunin S., Shevyakov V. The Factors Influence Investigation on a Tip-induced Oxidation Process and Its Applications for Nanoscale Image Creation // AIP Conf. Proc. V. 696(1), 2003, p. 594.

Гаврилов С.А., Кравченко Д.А. Механизм катодного осаждения пленок CdS из водных растворов // Известия вузов. Электроника. – 2003. – № 4. – С. 37-43.

Gavrilov S.A., Dzbanovsky N.N., Dvorkin V.V., Il’ichev E.A., Poltoratsky E.A., Rychkov G.S., Suetin N.V. Nanoelectronic elements on the basis of selective grown oriented carbon nanotube // 11th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” St. Petersburg, Russia,2003, p.234-235.

Головань Л.А., Мельников В.А., Коноров С.О., Федотов А.Б., Гаврилов С.А., Желтиков А.М., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю., Петров Г.И., Ли Л., Яковлев В.В. Эффективная генерация второй гармоники при рассеянии в пористом фосфиде галлия // Письма ЖЭТФ, 2003. Т. 78, вып. 4, с.229-233.

Gavrilov S.A., Roschin V.M., Zheleznyakova A.V., Lemeshko S.V., Medvedev B.N., Lapshin R.V., Poltoratsky E.A., Rychkov G.S., Dzbanovsky N.N., Suetin N.N. AFM investigation of highly ordered nanorelief formation by anodic treatment of aluminum surface // Physics, chemistry and application of nanostructures, Reviews and Short Notes to Nanomeeting 2003. World Scientific Publ p.500-502.

Gavrilov S.A., Melnikov V.A., Zaitsev G.M., Golovan L.A., Timoshenko V.Yu., Kashkarov P.K., Kravtchenko D.A. Birefringence and photonic band gap in porous alumina films // Physics, chemistry and application of nanostructures, Reviews and Short Notes to Nanomeeting 2003. World Scientific Publ. p. 253-255.

Gavrilov S.A., Belogorokhova L.I., Belogorokhov A.I., Timoshenko V.Yu., Kashkarov P.K., Lisachenko M.G., Kobeleva S.P. Enhanced photoluminescence and structural properties of porous silicon formed in hydrofluoric–hydrochloric solutions // Phys. Stat. Sol. (a) Vol.197, (2003), p. 228–231.

Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Gavrilov S.A. Coupled polar optical vibrational modes of CdS semiconductor nanocrystals embedded in porous Al2O3 // Phys. Stat. Sol. (a) Vol. 197, (2003), p. 204–207.

Белый В.К., Варнин В.П., Гаврилов С.А., Ильичев Э.А., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Теремецкая И.Г. Использование тонких алмазных пленок для формирования интегральных схем // Письма в ЖТФ, 2003, Т.29, вып.9, с.64-68.

Chernoutsan K., Dneprovskii V., Gusev V., Muljarov E., Romanov S., Syrnicov A., Shaligina O., Zhukov E., Gavrilov S. Linear and nonlinear optical properties of excitons in semiconductors-dielectric quantum wires // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.15, 2002, p.111-117.

Гаврилов С.А., Кравченко Д.А., Головань Л.А., Зайцев Г.М., Ефимова А.И., Жуков Е.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю., Белогорохов А.И. Пористый анодный оксид алюминия для оптоэлектроники и интегральной оптики // Тр. Восьмой межд. науч.-техн. Конф. «Актуадьные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Дивноморское, Россия, 2002, с.16-19.

Днепровский В.С., Жуков Е.А., Гаврилов С.А., Шалыгина О.А., Лясковский В.Л., Муляров Е.А., Масумото И. Экситоны в полупровод-никовых квантовых нитях CdS и CdSe с диэлектрическими барьерами // ЖЭТФ, т.121, вып.6, 2002, с.1362-1369.

Гаврилов С.А., Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Механизм кислородной пассивации пористого кремния в растворах HF: HCl: C2H5OH // ФТП, 2002, т. 36, вып. 1, с.104-108.

Parbukov A.N., Beklemyshev V.I., Gontar V.M., Makhonin I.I., Gavrilov S.A., Bayliss S.C. The production of a novel stain-etched porous silicon, metallization of the porous surface and application in hydrocarbon sensors // Materials Science and Engineering: C, V. 15, № 1-2, 2001, p. 121-123.

Волков Р.В., Голишников Д.М., Гаврилов С.А., Гордиенко В.М., Михеев П.М., Савельев А.Б., Серов А.А. Генерация горячих частиц в фемтосекундной лазерной плазме с использованием твердотельных модифицированных мишеней // Квантовая электроника, Т.31, вып.3, 2001, с.241-246.

Гаврилов С.А., Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. Возможности наблюдения позитронных состояний и фазовых переходов на поверхности пористого кремния // Укр. физ. журн. 2001. Т.46, №8, с.870-877.

Dneprovskii V., Muljarov E., Syrnikov A., Zhukov E. Gavrilov S. Optical properties of CdS nanostructures crystallized in the pores of insulating template // 9th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” St.Petersburg, June 18-22, 2001, p.131-134.

Gavrilov S.A., Kravtchenko D.A., Belogorokhov A.I., Zhukov E.A., Belogorokhova L.I. Features of luminescent semiconductor nanowire array formation by electrodeposition into porous alumina // Physics, chemistry and application of nanostructures: Reviews and short notes to Nanomeeting ‘2001 (Minsk, Belarus, 2001), World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., p.316-319.

Gavrilov S.A., Lemeschko S.V., Shevyakov V.I., Roschin V.M. Kinetics of tip induced oxidation by scanning probe microscope // Physics, chemistry and application of nanostructures: Reviews and short notes to Nanomeeting ‘2001 (Minsk, Belarus, 2001), World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., p.313-316.

Lemeshko S., Gavrilov S., Shevyakov V., Roschin V., Solomatenko R. Investigation of tip induced ultrathin Ti film oxidation kinetics // Nanotechnology, Vol.12, 2001, p.273-276.

Bykovski Yu.A., Karavanski V.A., Kotkovski G.E., Kuznetsov M.B., Chistyakov A.A., Lomov A.A., Gavrilov S.A. Photophysical Processes Stimulated in Nanoporous Silicon by High-Power Laser Radiation // JETP 90, 121-128 (2000).

Варанавичюс А., Власов Т.В., Волков Р.В., Гаврилов С.А., Гордиенко В.М., Дубетис А., Жеромскис Э., Пискарскас А., Савельев А.Б., Тамошаускас Г. Зависимость выхода жесткого рентгеновского из лучения из плотной плазмы от длины волны греющего сверхкороткого лазерного импульса // Квантовая электроника, 2000. Т. 30. No. 6. С. 523-528.

Гаврилов С.А., Лемешко С.В., Рощин В.М., Соломатенко Р.В., Шевяков В.И. Исследование особенностей процесса локального окисления пленок титана на основе сканирующей зондовой микроскопии // Изв. вузов. Электроника, №3, 2000, с. 27-33.

Gavrilov S.A., Tikhonova S.Yu., Lemeshko S.V., Zhukov E.A., Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I. Principles of CdS nanowire array formation by electrodeposition into porous anodic alumina // Proc. 25th Int. Conf. Phys. Semicond., Osaka 2000 (Eds. N.Miura, T.Ando), p. 1745-1746.

Гаврилов С.А., Сорокин И.Н. Электрохимический анализ строения и кинетики образования пористого анодного оксида алюминия // Электрохимия. 2000, т. 36, №5, с. 618-622.

Громов Д.Г., Гаврилов С.А., Данилевич О.В., Мочалов А.И. Разработка селективного тра-вителя для самосовмещенного формирования систем ме-таллизации на основе пленок сплава Ti-Co-N // Изв. вузов. Электроника, №2, 2000, с. 33-36.

Golishnikov D.M., Gordienko V.M., Gavrilov S.A., Mikheev P.M., Shashkov A.A., Volkov R.V. Hard X-ray production from femtosecond plasma induced in cluster-like solids // ALT'99 Int. Conf. on Adv. Laser Techn., Proc. SPIE 4070, p.206-214.

Гаврилов С.А., Карарванский В.А., Ломов А.А., РаковаЕ.В., Мельник Н.Н., Заварицкая Т.Н., Бушуев В.А. Диагностика субмикронных люминесцентных пленок пористого кремния // Поверхность. 1999, №12, с.32-39.

Gavrilov S.A., Gusev V.V., Dneprovskii V.S., Zhukov E.A., Syrnikov A.N., Yaminskii I.V., Muljarov E.A. Optical properties of excitons in CdS semiconductor-insulator quantum wires // JETP Lett. V.70, No.3, 1999, p.216-221.

Гаврилов С.А., Гусев В.В., Днепровский В.С., Жуков Е.А., Муляров Е.А., Сырников А.Н., Яминский И.В. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (CdS) – диэлектрик // Письма ЖЭТФ, 1999. Т.70, вып.3, с. 216-220.

Гаврилов С.А., Коркишко Ю.Н., Федоров В.А., Караванский В.А. Двулучепреломление в планарных волноводах на основе термически окисленного пористого кремния // Известия вузов. Электроника, 1999, №1-2, с. 3-7.

Korkishko Yu.N., Fedorov V.A., Karavanskii V.A. Structure of pores in thermally oxidized porous silicon waveguides // Physics, chemistry and application of nanostructures: Reviews and short notes to Nanomeeting ‘99 (Minsk, Belarus, 1999), World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd. P. 378-381.

Gavrilov S.A., Karavanskii V.A., Sorokin I.N. Effect of the electrolyte composition on properties of porous silicon layers // Russian Journal of Electrochemistry. Vol. 35, No. 7, 1999, p.729-734.

Гаврилов С.А., Сорокин И.Н., Караванский В.А. Влияние состава электролита на свойства слоев пористого кремния // Электрохимия. Т. 35, № 7, 1999, с. 817-822.

Gavrilov S., Lemeshko S., Shevyakov V., Roschin V. A study of the self-aligned nanometre scale palladium clusters on silicon formation process // Nanotechnology. V.10, №2, 1999, p. 213-216.

Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Gavrilov S.A. Investigation of properties of porous silicon embedded with ZnSe and CdSe // Journal of Crystal Growth. V.197. 1999, p. 702-706.

Dzhidzhoev M.S., Gordienko V.M., Gavrilov S.A., Mikheev P.M., Savel’ev A.B., Shashkov A.A., Vlasov T.M., Volkov R.V. Overheated femtosecond plasma in highly porous silicon // Proc. of SPIE, ICONO'98, “Ultrafast Phenomena and Interaction of Superstrong Laser Fields with Matter: Nonlinear Optics and High-Field Physics”. V.3735. 1998, p. 249-251.

Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Perez-Rodriguez A., Morante J.R., Gavrilov S.A. Optical characterization of porous silicon embedded with CdSe nanoparticles // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol.73, No.19, p.2766-2768.

Gavrilov S.A., Korkishko Yu.N., Fedorov V.A., Karavanskii V.A… Birefringent oxidized porous silicon based optical waveguides // Proc. Integrated Photonics Research. Victoria. Canada. 1998. March 30-April 3. IMC3-1. Р.30-32.

Гаврилов С.А., Караванский В.А., Сорокин И.Н., Чегнова О.И. Механизм формирования геометрической структуры нанопористого кремния // Труды отделения микроэлектроники и информатики Между-народной академии информатизации. Вып.2, 1997. С.269-273.

Гаврилов С.А., Емельянов А.В., Рябоконь В.Н., Самсонов Н.С., Чегнова О.И. Формирование наноструктурированных материалов в условиях ограниченного объема нанометровых размеров // Труды отделения микроэлектроники и информатики Международной академии информатизации. Вып.2, 1997. С.264-268.

Gavrilov S.A., Sorokin I.N., Karavanskii V.A., Zavaritskaya T.N, Melnik N.N., Podzorov V.V. The change in the mechanism of the porous silicon formation during anodic polarization // Rus. J. Electrochem. Vol.33, No.9, 1997 p.985-989.

Гаврилов С.А., Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Мельник Н.Н., Подзоров В.В., Сорокин И.Н. Изменение механизма формирования слоев пористого кремния при анодной поляризации // Электрохимия, 1997, т. 33, № 9, с. 1064-1068.

Гаврилов С.А., Сорокин И.Н., Гревцева Н.Ф., Исаева И.А., Петров О.В. Влияние процессов массопереноса при формировании пористого кремния на его структур-ные свойства // Сб. науч. тр. МИЭТ “Технологические процессы и материалы компонентов электронных устройств” под ред.И.Н.Сорокина. М.:МИЭТ, 1996, с. 10-18.

Гаврилов С.А., Сорокин И.Н., Громов Д.Г. Фотовольтаический эффект на пористом кремнии // Сб. науч. тр. МИЭТ “Технологические процессы и материалы компонентов электронных устройств” под ред.И.Н.Сорокина. М.:МИЭТ, 1996, с. 19-23.

Гаврилов С.А., Сорокин И.Н., Гревцева Н.Ф. Пористый кремний для фотоустройств // Электронная промышленность, вып.4-5, 1995, с.72.

Сорокин И.Н., Щербачев Д.Р., Гаврилов С.А. Получение однородных по толщине анодных оксидных пленок на поверхности полуизолирующего арсенида галлия // Элементная база микро- и наноэлектроники: Физика и технология. Сб. научн. тр. М.:МИЭТ(ТУ), 1994. С.102-110.

Гаврилов С.А., Сорокин И.Н., Сосновских Ю.Н. Фотолюминесценция пористого кремния при фотовозбуждении // Сб. науч. тр. МИЭТ “Активируемые процессы технологии микроэлектроники” под ред.И.Н.Сорокина. М.:МИЭТ, 1994, с. 156-160.

Щербачев Д.Р., Сорокин И.Н.,Гаврилов С.А., Левченко В.М., Гулидов Д.Н. Анодное окисление поверхности арсенида галлия, нарушенной абразивной обработкой // Электрохимия, т.28, 1992. С.1806-1811.

 

Последняя редакция анкеты: 18 марта 2010, 12:57

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания”
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Современные проблемы науки и образования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.953

«Фундаментальные исследования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 1.094

«Современные наукоемкие технологии» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.725

«Успехи современного естествознания» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.869

«Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований», ИФ РИНЦ = 0.800

«Международный журнал экспериментального образования», ИФ РИНЦ = 0.469

«European journal of natural history», ИФ РИНЦ = 0.864

«Международный студенческий научный вестник», ИФ РИНЦ = 0.445

«Рациональное питание, пищевые добавки и биостимуляторы»

Издание научной и учебно-методической литературы, ISBN, РИНЦ, DOI