Трушин Владимир Николаевич
  1. Ученая степень
    доктор физико-математических наук
  2. Научное направление
    Физико-математические науки
  3. Регион
    Россия / Нижегородская область

Трушин Владимир Николаевич, 1957 г. рождения, в 1984 г. закончил физический факультет Горьковского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, получив диплом по специальности физик. Основную трудовую деятельность начал в 1981 году на кафедре Кристаллографии Горьковского госуниверситета в должности инженера, затем ассистента кафедры. В 1993 г. закончил аспирантуру при ННГУ им. Лобачевского, в 1994 г. защитил кандидатскую диссертацию «Исследование дифракции рентгеновского излучения в кристаллах подвергнутых обратимым внешним воздействиям», получив степень кандидата физ.-мат. наук. В 1997 г. перевелся в Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского на должность старшего научного сотрудника. В 2007 году закончил докторантуру при ННГУ им. Лобачевского. В 2009 году защитил докторскую диссертацию «Управление параметрами рентгеновских дифракционных максимумов воздействием на кристаллы тепловым и постоянным электрическим полем», получил ученую степень доктора физико-математических наук.

В.Н. Трушин имеет более 100 опубликованных научных работ, 6 авторских свидетельств и патентов на изобретение. Является автором монографии «Управляемая рентгеновская дифракционная оптика». (Издательство LAP LAMBERT Academic Publishing).

Полученные научные результаты имеют практическое значение в развитии управляемой рентгеновской оптики. Результаты работы используются в учебном процессе на физическом факультете ННГУ им. Н.И. Лобачевского.

В настоящее время В. Н. Трушин работает в ННГУ им. Лобачевского в должности ведущего научного сотрудника, читает курс лекций по рентгеновской оптике, является членом диссертационного совета ННГУ, членом ученого совета НИФТИ ННГУ.

Научные публикации

1. Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Хохлов А.Ф. Способ модуляции рентгеновского излучения. А.С. №1533495 от 1.09.1989г.

2. Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Хохлов А.Ф. Способ модуляции рентгеновского излучения. А.С. №1625199 от 1.10.1990г.

3. Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Хохлов А.Ф. Электрорентгеновский эффект в кристалле дигидрофосфата калия // Письма в ЖТФ. - 1988. -Т.14, вып.4. - С.307-310.

4. Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Хохлов А.Ф. Влияние лазерного излучения на дифракцию рентгеновских лучей в кристаллах // Письма в ЖТФ. - 1988. -Т.14, вып.19. - С.1749-1751.

5. В.Н.Трушин, Е.В.Чупрунов, А.Ф.Хохлов. Влияние лазерного излучения и электрического поля на дифракцию рентгеновских лучей в кристаллах KDP и ADP. Тезисы докладов XII Европейской конференции, Москва, 1989, С.239.

6. Жолудев А.А., Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Хохлов А.Ф. «Быстрые» изменения двулучепреломления и условий дифракции рентгеновских лучей в LiNbO3 // Письма в ЖТФ. - 1991. -Т.17, вып.9. - С.90-93.

7. Трушин В.Н., Рыжкова Т.М., Чистякова Е.Л., Чупрунов Е.В., Хохлов А.Ф. Особенности дифракции рентгеновских лучей на кристаллах группы KDP в электрическом поле // Докл.АН. - 1993. -Т.331, вып.3. - С.308-310.

8. Жолудев А.А., Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Хохлов А.Ф. Особенности влияния импульсного освещения на дифракцию рентгеновских лучей и фоторефрактивные свойства LiNbO3:Cu // Кристаллография. - 1993. -Т.38, вып.3. - С.140-144.

9. Трушин В.Н., Рыжкова Т.М., Фаддеев М.А., Чистякова Е.Л., Чупрунов Е.В., Хохлов А.Ф. Особенности дифракции рентгеновских лучей на кристаллах группы KDP при воздействии лазерного излучения малой мощности // Кристаллография. - 1993. -Т.38, вып.4. - С.213-218.

10. А.А.Жолудев, В.Н.Портнов, В.Н.Трушин, М.А.Фаддеев, Е.В.Чупрунов, А.Ф.Хохлов. Физические свойства кристаллов, связанные с неоднородными внешними воздействиями. Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 1994 г., С.36-42.

11. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, М.А.Фаддеев, Е.В.Чупрунов, А.Ф.Хохлов Формирование рентгеновских изображений воздействием оптического изображения на дифрагирующий кристалл // Письма в ЖТФ, 1995, Т.21, вып.9, С.72-75.

12. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, М.А.Фаддеев, Е.В.Чупрунов, А.Ф.Хохлов. Формирование рентгеновских изображений с использованием кристаллов LiNbO3. Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов. Тезисы докладов конференции 12-14 марта 1996 г., Н.Новгород, С.152-153.

13. А.А.Жолудев, В.Н.Трушин, М.А.Фаддеев, Е.В.Чупрунов, А.Ф.Хохлов. Влияние неоднородного поля температур на фоторефрактивные свойства кристаллов LiNbO3:Cu. Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов. Тезисы докладов конференции 12-14 марта 1996г., Н.Новгород, С.153-154.

14. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, Е.В.Чупрунов, А.Ф.Хохлов. Влияние лазерного излучения на изменение рентгенодифракционных параметров кристаллов LiNbO3, SBN, KDP и SiC//Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов. Сборник докладов, т.1., С. 293-298, Дубна 25-29 мая, 1997г.

15. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, Е.В.Чупрунов, М.А.Фаддеев, А.Ф.Хохлов. Формирование рентгеновских изображений воздействием лазерного излучения на кристаллы LiNbO3, ZnO2 и SBN. Научные чтения им. Академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции. Н.Новгород, 15-16 декабря 1997г., С.96-97.

16. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, Е.В.Чупрунов, М.А.Фаддеев, А.Ф.Хохлов. Влияние неоднородного температурного поля на оптические свойства кристаллов LiNbO3 и KDP. Научные чтения им. Академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции. Н.Новгород, 15-16 декабря 1997г., С.98-100.

17. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, М.А.Фаддеев, Е.В.Чупрунов, А.Ф.Хохлов Формирование рентгеновских изображений воздействием оптического изображения на дифрагирующий кристалл ниобата лития // "Журнал Технической Физики" (ЖТФ), 1997, T.67, №9, С.76-79.

18. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, М.А.Фаддеев, Е.В.Чупрунов, А.Ф.Хохлов. Формирование рентгеновских изображений воздействием оптического изображения на дифрагирующий кристалл ниобата лития. Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, серия физика твердого тела, вып.1.,1998 г., С.106-110.

19. A.A. Zholudev, V.N. Trushin, Ye. V. Chuprunov, M.A. Faddeyev, A.F. Khokhlov. Investigation of external in inhomogeneity effects on the X-ray and optical parameters of LiNbO3 AND SBN crystals// Eighteenth European Crystallographic Meeting ECM-18, Praha, August 15-20, 1998. P.199-200.

20. V.N. Trushin, A.A. Zholudev, Ye. V. Chuprunov, M.A. Faddeyev, A.F. Khokhlov. Investigation of external in inhomogeneity effects on the X-ray and optical parameters of LiNbO3 AND SBN crystals// Materials Structure, vol.6, number 2, 1999. P.143-145.

21. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, Е.В.Чупрунов, А.Ф.Хохлов, Э.В. Доброхотов. Использование пространственной модуляции рентгеновских пучков для локализованного воздействия на биологическую ткань// “Конверсия приборостроение медицинская техника”. Материалы международной научно-технической конференции, Владимир, 6-8 октября, 1999г., С.76-78.

22. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, Е.В.Чупрунов, А.Ф.Хохлов Повышение контраста и информативности изображений дефектов в кристаллах. //Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов. Тезисы докладов, С. 254, Москва, ИК РАН, 23-27 мая, 1999г.

23. Е.Л. Ким, А.А. Кулагин.,.В.Н.Портнов, В.Н.Трушин. Изменение качества кристаллов NaNO3 и его определение рентгеновскими методами. Научные чтения им. Академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции. Н.Новгород, 14-15 декабря 2000г., С.97-98.

24. А.Л. Мизин, А.С. Маркелов,.А.А. Жолудев, В.Н.Трушин. Влияние температурного градиента на контраст изображения дефектов в кристаллах. Научные чтения им. Академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции. Н.Новгород, 14-15 декабря 2000г., С.99.

25. А.С. Маркелов,.А.Л. Мизин, А.А. Жолудев, В.Н.Трушин. Применение нейронных сетей для исследования кинетики термоиндуцированных изменений рентгенодифракционных параметров кристаллов. Научные чтения им. Академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции. Н.Новгород, 14-15 декабря 2000 г., С.100.

26. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, Е.В.Чупрунов, А.Ф.Хохлов Влияние температурного градиента на контраст и информативность изображений дефектов поверхности кристаллов. Материалы совещания “Рентгеновская оптика 2001”, Нижний Новгород 19-22 февраля 2001г., С.217-220.

27. Пат. 2182023 Россия, Способ формирования рентгеновского изображения для диагностики и дозированного воздействия на биологическую ткань и система для его осуществления / В.Н. Трушин, А.А. Жолудев, заявлено 20.07.2001; опубл. 10.05.2002, Бюл. № 13 – 7 с.

28. Е.Л. Ким, Е.В. Зайцева, В.Н. Портнов, В.Н.Трушин, Е.В.Чупрунов. Использование обратимых изменений интенсивности рентгеновских дифракционных максимумов водорастворимых кристаллов при лазерном нагреве для определения их качества. Материалы совещания “Рентгеновская оптика 2001”, Нижний Новгород 19-22 февраля 2001г., С.211-216.

29. Д.Л.Ким, В.Н.Портнов, В.Н.Трушин Качество кристаллов квасцов и нитрата натрия, определяемое по изменению рентгеновской дифракции в неоднородных тепловых полях. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед. 2001. Т.10, стр.79-82.

30. Горшков О.Н., Трушин В.Н. и др. Фотолюминесценция пленок Cr4+:Ca2GeO4, выращенных на аморфных и монокристаллических подложках. Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, серия физика твердого тела, вып.1(4).,2001 г., С.17-23.

31. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, А.С. Маркелов, Е.В.Чупрунов Кинетика термоиндуцирванных изменений смещений дифракционных максимумов в кристаллах CaCO3 и LiNbO3. Материалы совещания “Рентгеновская оптика 2002”, Нижний Новгород 18-21 марта 2002г., С.276-278.

32. Е.Л.Ким, Е.В.Зайцева, В.Н.Портнов, В.Н.Трушин, Е.В.Чупрунов Использование обратимых изменений интенсивности рентгеновских дифракционных максимумов при лазерном нагреве для определения качества кристаллов KDP.// Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед. 2002. Т.1, стр.73-76.

33. А.С. Маркелов, В.Н.Трушин, А.А. Жолудев, Е.В.Чупрунов. Влияние теплового воздействия светового пучка на дисперсионные свойства кристаллов. Научные чтения им. Академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции. Н.Новгород, 18-19 декабря 2003г., С.67-68.

34. А.С. Маркелов, В.Н.Трушин, А.А. Жолудев, Е.В.Чупрунов. Определение областей равного градиента деформации с использованием топографического метода. Материалы совещания “Рентгеновская оптика 2003”, Нижний Новгород 11-14 марта 2003г., С.296-298.

35. В.Н.Трушин, А.А. Жолудев, А.С. Маркелов, Е.В.Чупрунов. Термоиндуцированное изменение параметров рентгеновских дифракционных максимумов в кристаллах CaCO3 имеющих блочную структуру. Материалы совещания “Рентгеновская оптика 2003”, Нижний Новгород 11-14 марта 2003 г., С.266-269.

36. В.Н. Трушин, А.А. Жолудев, А.С. Маркелов. Исследование влияния неоднородного теплового воздействия светового пучка на параметры дифракционного максимума кристалла кальцита. Материалы XV Международного Совещания по Рентгенографии и Кристаллохимии Минералов Санкт-Петербург 15-19 сентября 2003 г., С.368-369.

37. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, А.С. Маркелов, Е.В.Чупрунов. Термоиндуцированная корректировка параметров рентгеновских дифракционных максимумов кристаллов. ЖТФ,2004, том 74, вып.7, С.121-122.

38. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, Е.В.Чупрунов, А.С. Маркелов. Термоиндуцированная корректировка параметров рентгеновских дифракционных максимумов кристаллов. //IV Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов. Тезисы докладов, Москва, ИК РАН, 17-22 ноября, 2003 г.

39. В.Н.Трушин, А.А. Жолудев, А.С. Маркелов, Е.В.Чупрунов. Термоиндуцированная корректировка волнового фронта рентгеновских дифракционных пучков. Материалы совещания “Рентгеновская оптика 2004”, Нижний Новгород 2-6 мая 2004 г., С.299-303.

40. V.N. Trushin, A.A. Zholudev, A.S. Markelov, E.V. Chuprunov. X-ray optical system of interactive management of a X-ray radiation. Single crystals and their application in the 20 century –2004. VNIISIMS, Alexandrov, Russia, 8-11 June 2004. pp.86-89. Тезисы доклада.

41. В.Н.Трушин, А.А.Жолудев, А.С. Маркелов, Е.В.Чупрунов. Термоиндуцированное управление угловым рассогласованием рентгеновских дифракционных максимумов кристаллов в кристалле кальцита. Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, серия физика твердого тела, вып.1(7).,2004 г., С.126-132.

42. В.Н.Трушин, А.А. Жолудев, А.С. Маркелов, Е.В.Чупрунов. Термоиндуцированное изменение параметров рентгеновских дифракционных максимумов кристаллов кальцита с блочной структурой.// Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед. 2005. №.2, стр.84-86.

43. В.Н.Трушин, А.А. Жолудев, А.С. Маркелов, Е.В.Чупрунов. Термоиндуцированная корректировка волнового фронта рентгеновских дифракционных пучков.// Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед. 2005. №.8, стр.39-43.

44. В.Н. Трушин, А.С. Маркелов, А.А. Жолудев, Е.В. Чупрунов, Е.В. Зайцева, Е.Л. Ким. Термоиндуцированное управление параметрами рентгеновских дифракционных максимумов кристаллов KDP. //Материалы совещания “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 25-29 марта 2005 г., С.481, 482.

45. В.Н.Трушин, А.С. Маркелов, А.А. Жолудев, Е.В.Чупрунов. Экспериментальные методы термоиндуцированного управления параметрами рентгеновских дифракционных максимумов кристаллов.// Нано-и микросистемная техника. 2005. №.7, стр.2-8.

46. Трушин В.Н. Маркелов А.С. Чупрунов Е.В. Экспериментальные основы методов термоиндуцированного управления параметрами рентгеновских дифракционных максимумов кристаллов. Научные чтения им. Академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции. Н.Новгород, 19-20 декабря 2005г., С.34-35.

47. Денисов С.А. Шенгуров В.Г. Павлов Д.А. Трушин В.Н. и др. Свойства слоев кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Научные чтения им. Академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции. Н.Новгород, 19-20 декабря 2005г., С.94-96.

48. Смелова О.П. Трушин В.Н. Фаддеев М.А. Измерение коэффициента теплового расширения рентгенодифракционным методом. Научные чтения им. Академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции. Н.Новгород, 19-20 декабря 2005г., С.83-84.

49. В.Н.Трушин, А.С. Маркелов, А.А.Жолудев, Е.В.Чупрунов. Корректировка параметров дифракционных максимумов кристаллов тепловым воздействием и формирование рентгеновских изображений. //РСНЭ – НАНО – 2005. Тезисы докладов, Москва, ИК РАН, 14-19 ноября, 2005 г., C.419.

50. Трушин В.Н., Маркелов А.С. Чупрунов Е.В., Жолудев А.А. Управление дифракционными спектрами рентгеновского излучения и формирование пространственной структуры рентгеновских пучков//Материалы совещания “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 13-17 марта 2006г., С.44-46.

51. Трушин В.Н., Маркелов А.С. Чупрунов Е.В., Жолудев А.А. Термоиндуцированное управление дифракционными спектрами рентгеновского излучения // Письма в ЖТФ. - 2006. -Т.32, вып.11. - С.28 - 31.

52. В.Н. Трушин, А.С. Маркелов, А.А. Жолудев, Е.В. Чупрунов, Е.В. Зайцева, Е.Л., // Экспериментальные методы термоиндуцированного управления параметрами рентгеновских дифракционных максимумов кристаллов. Материалы третьего международного научного семинара по современным методам анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия), Великий Новгород 22 -25 мая 2006 г., С.267- 270.

53. Трушин В.Н., Жолудев А.А. Чупрунов Е.В. Способ управления потоком рентгеновского излучения и система для его осуществления. Патент на изобретение №2278432 от 20.06.2006г.

54. А.С. Маркелов, В.Н. Трушин, Е.Л. Ким. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ РЕНТГЕНОВСКИХ ИЗОБРАЖЕНИЙ ФОРМИРУЕМЫХ С ПОМОЩЬЮ ТЕПЛОВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ СВЕТОВОГО ПУЧКА НА ПОВЕРХНОСТЬ ДИФРАГИРУЮЩЕГО КРИСТАЛЛА. //Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, серия физика твердого тела, вып.1(9).,2006 г., С.40-45.

55. А.С. Маркелов, В.Н. Трушин, Е.В. Зайцева Управление смещениями угловых положений дифракционных спектров рентгеновского излучения и изменение дисперсионных свойств кристаллов.// Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, серия физика твердого тела, вып.1(9).,2006 г., С.48-55.

56. А.В. Марков, В.Н. Трушин, М.А. Фаддеев Зависимость теплового фактора дифрагирующего кристалла KDP от угла Брэгговского отражения// Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, серия физика твердого тела, вып.1(9).,2006 г., С.172-178.

57. С.А. Денисов, В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2005, № 11, с. 32 39.

58. Денисов С.А., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Планкина С.М., Трушин В.Н., Тихов С.В., Будеско Д.Г. Свойства слоев кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии //В сб. XXIV Научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова. Тезисы докладов конференции, 19-20 декабря 2005 г., Нижний Новгород, 2005, С. 94-96.

59. С.А. Денисов, В.Н. Трушин, Д.А.Павлов и др. Свойства слоев кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии// Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, серия физика твердого тела, вып.1(9).,2006 г., С.185-1909.

60. Денисов С.А., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Планкина С.М., Питиримова Е.А. Трушин В.Н., Тихов С.В., Будеско Д.Г. Свойства слоев кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Вестник Нижегородского университета им.Н.И.Лобачевского. - 2006. - С.185-190.

61. Павлов Д.А., Денисов С.А., Коротков Е.В., Питиримова Е.А., Светлов С.П., Треушников М.В., Трушин В.Н., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Шиляев П.А. Молекулярно-лучевая гетероэпитаксия кремния на пластины сапфира диаметром 100 мм //Тезисы докладов Российской конференции «Структура и свойства твёрдых тел», (г. Н. Новгород, Россия, 30-31 октября 2006г.), С. 36 37.

62. Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Павлов Д.А., Коротков Е.В., Питиримова Е.А. Структура и морфология поверхности плёнок кремния на сапфире //Тезисы докладов Российской конференции «Структура и свойства твёрдых тел», (г. Н. Новгород, Россия, 30-31 октября 2006г.), С. 78 79.

63. Трушин В.Н. Термоиндуцированное управление параметрами рентгеновских дифракционных максимумов кристаллов. Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники: физические свойства и применение. Сб. трудов 5-й Всероссийской молодежной научной школы Саранск, 3-6 октября 2006г. Изд-во МУ, с 55.

64. Трушин В.Н., Маркелов А.С. Чупрунов Е.В. Способ повышения контраста и разрешающей способности рентгеновских изображений Структура и свойства твердых тел. Тезисы докладов конференции. Н.Новгород, 30-31 октября 2006г., С.23-24.

65. Трушин В.Н., Маркелов А.С. Чупрунов Е.В., Жолудев А.А.. Формирование рентгеновских изображений с помощью теплового воздействия света на поверхность дифрагирующего кристалла // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед. 2007. №.2, стр.44-48.

66. Маркелов А.С, Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Жолудев А.А.. Моделирование пространственной структуры рентгеновских пучков в условиях корректировки теплового потока падающего на кристалл// Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед. 2007. №.5, стр.1-5.

67. Трушин В.Н., Маркелов А.С, Чупрунов Е.В. Управление рентгеновским излучением с использованием воздействия электрических и тепловых полей на дифрагирующий кристалл. // Материалы электронной техники 2007. №.1, стр.76-80.

68. Марков А.В. В.Н.Трушин, А.С Маркелов А.С, Е.В. Зайцева, Чупрунов Е.В. Управление интенсивностью дифракционных максимумов пьезоэлектрических кристаллов путем формирования в них искусственных неоднородных структур. //Материалы 11 международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 10-14 марта 2007г., С.375-376.

69. Смелова О.П. Трушин В.Н., Маркелов А.С, Марков А.В, Чупрунов Е.В. Корректировка сходимости рентгеновских пучков путем управления профилем фокусирующих дифракционных элементов //Материалы 11 международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 10-14 марта 2007г., С.374-375.

70. Марков А.В, Зайцева Е.В., Трушин В.Н., Чупрунов Е.В. Моделирование неоднородных полей пьезодеформаций в модулях, составленных из кристаллов группы KDP //Вестник ННГУ. Серия Физика твердого тела. – 2007. - Вып.5. - с. 31-34.

71. В.Н.Трушин, А.С. Маркелов, Е.В.Чупрунов, А.В. Марков. Корректировка профиля изгиба поверхности фокусирующих элементов//РСНЭ 2007. Тезисы докладов, Москва, ИК РАН, 12-17 ноября, 2007 г., C.628.

72. Денисов С.А., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Коротков Е.В., Питиримова Е.А., Трушин В.Н. Структурное совершенство гетероэпитаксиальных слоёв кремния на сапфире, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии //Неорганич. матер.- 2007.- Т. 43, № 4.- С. 1-8.

73. Е.Л.Ким, В.И.Кацман, Воронцов В.В. Портнов В.Н., Трушин В.Н., Марков К.А. Качество кристаллов KDP, выращенных новым скоростным методом на точечной затравке //Неорганические материалы. – 2008. - Т.44. Вып.7- с. 1-6.

74. А.В. Марков, В.Н. Трушин, Е.В. Зайцева, Е.В. Чупрунов. Расчет изменений профилей кривизны модульных образцов при воздействии на них тепловыми и электрическими полями// Вестник ННГУ. Сер. физика твердого тела. – 2008. – вып. 3. – С. 47–53.

75. Марков А.В, Трушин В.Н., Е.В. Ким, Чупрунов Е.В. Изменение интенсивности дифракционного рентгеновского излучения от кристаллf ADP при воздействии на него электрическим полем. Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники: физические свойства и применение. Сб. трудов 7-й Всероссийской молодежной научной школы Саранск, 7-10 октября 2008г. Изд-во МГУ, с 75.

76. Маркелов А.С, Трушин В.Н., Чупрунов Е.В. Формирование рентгеновских изображений при дифракции рентгеновских лучей от поверхности кристаллов, имеющих колончатую структуру. Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники: физические свойства и применение. Сб. трудов 7-й Всероссийской молодежной научной школы Саранск, 7-10 октября 2008г. Изд-во МУ, с 92.

77. Маркелов А.С., Трушин В.Н., Чупрунов Е.В. Исследование возможности повышения разрешающей способности рентгеновских изображений. Сб. трудов третьей Всероссийской школы молодых ученых "Микро-, нанотехнологии и их применение" ИПТМ, Черноголовка, 18 – 19 ноября 2008г, с.58-59.

78. Марков А.В., Трушин В.Н., Ким Е.Л.. Особенности изменений параметров рентгеновских дифракционных максимумов кристаллов ADP при воздействии на них постоянным электрическим полем различной полярности. Сб. трудов третьей Всероссийской школы молодых ученых "Микро-, нанотехнологии и их применение" ИПТМ, Черноголовка, 18 – 19 ноября 2008г, с.60-61.

79. Трушин В.Н., Маркелов А.С., Чупрунов Е.В. Некоторые возможности решения задач управления параметрами рентгеновских пучков с использованием теплового воздействия света на кристалл. Научные чтения им. Академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции. Н.Новгород, 16-17 декабря 2008г., С.14.

80. А.С. Маркелов, В.Н.Трушин, Е.В.Чупрунов. Особенности формирования контраста рентгеновских изображений при дифракции рентгеновских лучей от поверхности кристаллов, имеющих колончатую структуру.// Нано-и микросистемная техника. 2009. №.1, стр.16-18.

81. Трушин В.Н., Маркелов А.С, Чупрунов Е.В. Формирований рентгеновских изображений при дифракции рентгеновских лучей от поверхности кристаллов, имеющих колончатую структуру // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед. 2009. №.7, стр.46-51.

82. Низкотемпературный рост слоев кремния на сапфире методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / С.А.Денисов, В.Г.Шенгуров, С.П.Светлов, В.Ю.Чалков, Е.А.Питиримова, В.Н.Трушин // Вестник ННГУ. Серия ФТТ. – 2009. – №2. – С.49-54.

83. В.Н. Трушин, А.С. Маркелов, Е.В. Чупрунов. Расчет частотноконтрастной характеристики рентгеновских изображений формируемых при дифракции рентгеновских лучей от поверхности кристаллов, имеющих колончатую структуру. //Материалы 13 международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 16-20 марта 2009г., С.223-224.

84. В.Н. Трушин, А.С. Маркелов, Е.В. Чупрунов. Управление дисперсионными свойствами кристаллов с помощью воздействия инфракрасного лазера. //Труды 14 международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 15-19 марта 2010 г., С.610-611.

85. В.Н. Трушин, А.С. Маркелов, Е.В. Чупрунов, Е.В. Зайцева Управление параметрами рентгеновских дифракционных пучков воздействием на кристаллы тепловым полем // Вестник ННГУ. Сер. Прикладная рентгеновская физика. – 2010. – вып. 65(2). – С. 214–223.

86. Электрофизические свойства тонких слоев кремния на сапфире, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии/ С.В. Тихов, В.Г. Шенгуров, Д.А. Павлов, П.А Шиляев, Е.А.Питиримова В.Н.Трушин Е.В. Коротков, С.А.Денисов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, // Вестник ННГУ. Серия ФТТ. – 2010. – №2(1). – С.60-65.

87. С.А.Денисов, В.Ю.Чалков, В.Г.Шенгуров, Е.В.Коротков, Д.А.Павлов, Е.А.Питиримова, В.Н.Трушин "Влияние приложения потенциала к подложке на структуру и морфологию слоев Si на сапфире" Тезисы докладов III-й Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», Нижний Новгород, 26-29 октября 2010 г., стр.95-96.

88. Ким Е.Л., Трушин В.Н., Воронцов Д.А., Ершов В.П., Портнов В.Н. Рост и качество профилированных кристаллов KDP, выращенных скоростным методом. // Тезисы XIV Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2010), Москва. 610 декабря 2010. С. 98.

89. В.Н. Трушин, А.С. Маркелов, Е.В. Чупрунов, Термоиндуцированное управление дисперсионными свойствами кристаллов// Известия РАН. Сер. физическая. – 2011. – том.75.-№1. – С. 1110-1113.

90. А.В. Марков, В.Н. Трушин, Е.В. Зайцева. Корректировка профиля параболической поверхности модульных элементов. //Материалы 15 международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 14-18 марта 2011г., С.606.

91. Е.В. Зайцева, А.В. Маркелов, В.Н. Трушин, Е.В. Чупрунов. Особенности формирования светоиндуцированного температурного поля деформации и рентгеновских изображений в двулучепреломляющих кристалллах. //Материалы 15 международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 14-18 марта 2011г., С.625-626.

92. В.Н. Трушин. Управляемая рентгеновская дифракционная оптика. Издательство LAP LAMBERT Academic Publishing, 02, 03, 2011, 252 стр.

93. Воронцов Д.А., Ким Е.Л., Портнов В.Н., Трушин В.Н. Влияние состава раствора на скорость роста и качество кристаллов KH2PO4. // Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. - 2011. - Т. 5(1). - С. 50-54.

94. С.А. Денисов, С.А. Матвеев, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров, С.В. Тихов, В.Н. Трушин, Д.В. Шенгуров, Е.А. Питиримова Структурные и морфологические свойства эпитаксиальных слоев SiGe, выращенных на сапфире // Тезисы докладов VIII-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2011», Москва, НИТУ МИСИС, 5-8 июля 2011 г., стр.136.

95. В.Г. Шенгуров, С.А. Денисов, В.Ю. Чалков, Ю.Н. Бузынин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, Д.В. Шенгуров, В.Н. Трушин Эпитаксиальные слои Ge на Si с гладкой поверхностью и низкой плотностью дислокаций // Тезисы докладов VIII-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2011», Москва, НИТУ МИСИС, 5-8 июля 2011 г., стр.150.

96. Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Кривулин Н.О., Питиримова Е.А., Трушин В.Н., Шенгуров В.Г. "Структура и морфология слоев SiGe на подложках кремний-на-сапфире" // Сборник трудов конференции «ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова». Нижний Новгород, 20-21 декабря 2011 г., С.144.

97. Андреев П.В., Сомов Н.В. Трушин В.Н., Фаддеев М.А. "Исследование особенностей структуры кристалла легированного ниобата лития, подверженного лазерному воздействию" // Сборник трудов конференции «ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова». Нижний Новгород, 20-21 декабря 2011 г., с. 63.

98. Зайцева Е.В., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Чупрунов Е.В. "Влияние двулучепреломлени на разрешающую способность рентгеновских изображений" // Сборник трудов конференции «ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова». Нижний Новгород, 20-21 декабря 2011 г., с. 100-101.

99. Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин Н.П., Михайлов А.Н., Белов А. И., Королев Д.С., Трушин В.Н., Маркелов А.С. "Эволюция тонких слоев SiO2 c нанокристаллами золота при облучении ионами Ne+, Fe+, и Si+ // Сборник трудов конференции «ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова». Нижний Новгород, 20-21 декабря 2011 г., с. 129 - 130.

100. Марков А.В., Трушин В.Н. "Метод корректировки профиля параболической поверхности при помощи активных элементов" // Сборник трудов конференции «ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова». Нижний Новгород, 20-21 декабря 2011 г., с. 139 – 140.

101. Марков А.В., Зайцева Е.В., Трушин В.Н. "Особенности аппроксимации параболической поверхности модульных элементов" // Сборник трудов конференции «ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова». Нижний Новгород, 20-21 декабря 2011 г., с. 141 – 143.

102. С.А. Денисов, С.А. Матвеев, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров, В.Н. Трушин, Д.В. Шенгуров, Е.А. Питиримова “Структурные и морфологические свойства эпитаксиальных слоев SiGe, выращенных на сапфире” // Известия вузов. Материалы электронной техники. (направлена в печать).

103. О.Н. Горшков, Д.А. Павлов, В.Н. Трушин, И.Н. Антонов, М.Е. Шенина, А.И. Бобров, А.С. Маркелов, А.Ю. Юдин., А.П. Касаткин. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации// Письма в ЖТФ, 2012, том 38, вып.4.

104. Патент на изобретение № 2449394 от 07.10.2010. Опубликовано: 27.04.2012 Бюл. № 12, 12 стр. «Способ формирования рентгеновского излучения и рентгеновский монохроматор». Авторы Трушин В.Н., Маркелов А.С. Чупрунов Е.В.

105. Е.В. Зайцева, А.C. Маркелов, В.Н. Трушин, Е.В. Чупрунов Особенности формирования рентгеновских изображений в двулучепреломляющих кристаллах. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед. -2012, №7, с.55-58.

106. Markov A.V., Zaitseva E.V., Trushin V.N., Chuprunov E.V. The investigation of the feasibility of temperature management of surface profile x-ray optical elements //The 11th biennial conference on high resolution x-ray diffraction and imagine. Sanint-Peterburg, 14-20 September 2012, p.269.

107. Trushin V.N., Markelov A,C., Chuprunov E.V. The influence of thermo-induced effect of the light beam on the shift of X-ray diffraction maximum of crystals //The 11th biennial conference on high resolution x-ray diffraction and imagine. Sanint-Peterburg, 14-20 September 2012, p.271 - 272.

108. Д.И. Тетельбаум, А.Б. Костюк, М.П. Федонин, Д.В. Гусейнов, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.С. Королев, Д.А. Павлов, А.И. Бобров, В.Н. Трушин, А.С. Маркелов. Структурные аспекты ионно-лучевой модификации ансамбля наночастиц золота в оксидных матрицах //Материалы 16 международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 12-16 марта 2012г., С.402.

109. А.В. Марков, Е.В. Зайцева, В.Н. Трушин. Некоторые возможности корректировки профиля параболической поверхности рентгеновских зеркал и способы их аппроксимации //Материалы 16 международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 12-16 марта 2012г., С.571-572.

110. Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Особенности ионно-лучевого воздействия на структуру слоев оксидов кремния и алюминия, содержащих нанокластеры Au // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». . Новосибирск, 23-26 октября, 2012. С. 39.

111. IV Всероссийская конференция «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международная молодежная конференция «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Всероссийская конференция, Новосибирск). Стендовый доклад; Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С.

112. Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Трушин В.Н., Тихов С.В., Питиримова Е.А., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Выращивание эпитаксиальных слоев Si1-XGeX и Ge на КНС-подложках и их свойства // Тезисы докладов IX-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2012». . Санкт-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 9-13 июля 2012 г. 2012. С. 285.

113. Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Питиримова Е.А., Бузынин Ю.Н. Низкотемпературный эпитаксиальный рост толстых слоев Ge на Si(100) // Тезисы докладов IX-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2012». . Санкт-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 9-13 июля 2012 г. 2012. С. 286.

114. Маркелов А.С. Зайцева Е.В., Трушин В.Н. , Чупрунов Е.В. Использование теплового воздействия света на кристалл в решении задач управления параметрами рентгеновских пучков. Тезисы докладов научной конференции «Лауэ 100», Нижний Новгород, 27-28 ноября 2012 г. С.39-41.

115. Лабутина Ю.Л., Трушин В. Н., Ким Е.В. Влияние температуры отжига На плотность дислокаций кристаллов KDP. Тезисы докладов научной конференции «Лауэ 100», Нижний Новгород, 27-28 ноября 2012 г. С.79-81.

116. А.В. Марков, Е.В. Зайцева, В.Н. Трушин Некоторые возможности корректировки профиля параболической поверхности рентгеновских зеркал и способы их аппроксимации // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед. . -2013, №7, с.1-5.

117. E. V. Zaitseva, A. S. Markelov, V. N. Trushin, and E. V. Chuprunov. Formation of Temperature Fields in Doped Anisotropic Crystals under Spatially Inhomogeneous Light Beams Passing through Them// Crystallography Reports, 2013, Vol. 58, No. 7, pp. 1048–1052.

118. A. V. Markov, E. V. Zaitseva, V. N. Trushin, and E. V. Chuprunov. Study of the Possibility of Interactive Control of the Surface Profile of X_Ray Optical Elements// Crystallography Reports, 2013, Vol. 58, No. 7, pp. 1043–1047

119. Matveev S.A., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Trushin V.N., Pitirimova E.A. Structure and surface morphology of Si(1–x)Ge(x) layers grown on Si/Sapphire by Molecular Beam Epitaxy using a sublimation silicon source and gaseous germanium source// Inorganic Materials. V. 49. 2013. P. 749-753.

120. Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Трушин В.Н., Питиримова Е.А. Структура и морфология поверхности слоев твердого раствора Si(1-X)Ge(X), выращенных на КНС-подложках методом МЛЭ с сублимационным кремниевым и газовым германиевым источниками // Неорганические материалы. Т. 49. № 7. 2013. С. 805-809.

121. А.С. Маркелов, Е.В. Зайцева, В.Н. Трушин, Е.В. Чупрунов. Формирование пространственной структуры рентгеновских пучков с использованием легированных кристаллов //Материалы 17 международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 11-15 марта 2013г., С.327-328.

122. А.С. Маркелов, Трушин, Е.В. Чупрунов. Управления полушириной и угловым положением кривой качания кристалл-монохроматора //Материалы 17 международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 11-15 марта 2013г., С.325-326.

123. А.С. Маркелов, В.Н. Трушин, Е.В. Чупрунов. Особенности управление дисперсионными свойствами легированных кристаллов //Материалы 18 международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 10-14 марта 2014г., С.327-328.

124. А.С. Маркелов, В.Н. Трушин, Е.В. Чупрунов. Рентгенодифракционные исследования массивов монокристаллических островков GаAs в условиях облучения их лазерным излучением // Материалы 18 международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород 10-14 марта 2014г., С.329-330.

125. А.С. Маркелов, В.Н. Трушин, Е.В. Чупрунов. Исследование возможности решения задач управления параметрами рентгеновских пучков с использованием теплового воздействия света на кристалл Международная конференция 16 Харитоновские научные чтения «Мощная импульсная электрофизика», Саров РФЯЦ-ВНИИЭФ 121-25 апреля 2014г., С.125-126.

126. Маркелов А.С., Трушин В.Н., Грибко В.В. Формирование неоднородных рентгеновских пучков с помощью массива монокристаллических островков GaAs // Третья школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. : Нижний Новгород, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 15-17 мая 2014 г.. 2014. С. 130-131.

127. Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Нежданов А.В., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Низкотемпературная гетероэпитаксия слоев германия на Si(100) с использованием метода горячей проволоки // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. : Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 551-552.

128. Гусейнов Д.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Иванова М.М., Волкова Н.С., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Трушин В.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотодетекторы на базе гетероэпитаксиальных слоёв Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. : Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 684-685.

129. Matveev S.A., Denisov S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Shengurov V.G. Low temperature growth of the epitaxial Ge layers on Si(100) by Hot Wire Chemical Vapor Deposition // Book of abstracts of Saint-Petersburg OPEN 2014, March 25-27, 2014. : ISBN 978-5-906433-10-7 Published by St. Petersburg Academic University RAS. 2014. P. 107-108.

131. А.С. Маркелов, Трушин, Е.В. Чупрунов. Исследование возможности формирования пространственной структуры рентгеновских пучков с использованием легированных кристаллов // Нано-и микросистемная техника. 2014. №.4, стр.40-42.

132. Matveev S.A., Denisov S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Shengurov V.G. Low temperature growth of the epitaxial Ge layers on Si(100) by Hot Wire Chemical Vapor Deposition // Journal of Physics: Conference Series. V. 541. 2014.

133. Filatov D.O., Antonov D.A., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Trushin V.N., Antonov I.N., Shenina M.E. Atomic force microscopy. Principles, modes of operation and limitations. New York: NOVA Science Publishers Inc. , p.372. 2014.

134. Устройство для формирования управляемого потока рентгеновского излучения (варианты). Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Маркелов А.С. Заявка на полезную модель № 20141340002 от 19.08.2014. Решение о выдаче патента от 2014.10.21.

135. «Устройство для управления кривой качания рентгеновского кристалла-монохроматора» (патент №149892, дата приоритета 19.08.2014 г., дата регистрации 17.12.2014 г., опубл. 20.01.2015). Авторы Трушин В.Н., Маркелов А.С. Чупрунов Е.В. (Полезная модель)

136. «Устройство для формирования пространственно-модулированного рентгеновского пучка» (патент №155934, дата приоритета 20.04.2015 г., опубл. 20.10.2015, бюл.№29). Авторы: Чупрунов Е.В., Трушин В.Н., Маркелов А.С. (Полезная модель)

137. Золотарева Н. В., Семенов В.В., Мяков В.Н., Куликова Т.И., Арапова А.В., Фаерман В.И., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Котомина В.Е., Круглов А.В., Трушин В.Н., Треушников В.В., Треушников В.М. Формирование микроканалов в термоотверждаемом силиконовом каучуке с помощью нитевидных кристаллов n-аминобензойной кислоты // Известия Академии наук. Серия химическая. Т. 1. 2015. С. 189-195.

138. Маркелов А.С., Трушин В.Н., Чупрунов Е.В. Рентгеновский кристалл-монохроматор с управляемой полушириной кривой качания // Приборы и техника эксперимента. № 2. 2015. С. 110-117.

139. Markelov A.S., Trushin V.N., Chuprunov E.V. X-Ray Crystal Monochromator with the Controllable Rocking Curve FWHM // Instruments and Experimental Techniques. V. 58. № 2. 2015. P. 272-278.

140. Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Горшков А.П., Волкова Н.С., Иванова М.М., Круглов А.В., Филатов Д.О. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Физика и техника полупроводников. Т. 49. № 10. 2015. С. 1411-1414.

141. Трушин В.Н., Маркелов А.С., Чупрунов Е.В. Особенности управления дисперсионными свойствами легированных кристаллов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 4. 2015. С. 109-112.

142. Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Ivanova M.M., Kruglov A.V., Filatov D.O. Photodetectors on the Basis of Ge/Si(001) Heterostructures Grown by the HotWire CVD Technique // Semiconductors. V. 49. № 10. 2015. P. 1365-1368.

143. Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Смирнов А.Е., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Трушин В.Н., Маркелов А.С., Нежданов А.В. Ионно-лучевой синтез GaN в кремнии // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. : Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 663-664.

144. Демидов Е.С., Подольский В.В., Лесников В.П., Карзанов В.В., Тронов А.А., Трушин В.Н. Свойства высокотемпературного алмазоподобного ферромагнетика на основе кремния с самоорганизованным сверхрешеточным распределением примеси марганца // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума, Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г. : Нижний Новгород: Изд. ННГУ им Н.И.Лобачевского, т.1, 2. 763 с. 2015. С. 162-163.

145. Маркелов А.С., Трушин В.Н., Котомина В.Е., Антонов И.Н., Веселова Л.П., Грибко В.В., Чупрунов Е.В. Формирование массивов монокристаллических островков Si для решения задач управления параметрами рентгеновских пучков // Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». : 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород, Том 1, Издательство ННГУ. 2015. С. 382-383.

146. Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Guseinov D.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Tetelybaum D.I. Ion synthesis of GaN nanocrystals in silicon // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. : Book of abstracts, St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 237-238.

147. Грибко В.В., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Котомина В.Е., Антонов И.Н., Веселова Л.П., Чупрунов Е.В. Формирование массива монокристаллических островков с малой угловой дисперсией // Материалы нано-,микро-,оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: прог. и материалы 14-й Междунар. науч. конф.-шк.. : Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2015. - 232 с.. 2015. С. 113, 135.

148. Денисов С.А., Нежданов А.В., Трушин В.Н., Машин А.И., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г. Низкотемпературный рост эпитаксиальных слоев германия на Si(100) методом газофазного осаждения, усиленного разложением моногермана на горячей проволоке // XV Всероссийская конференция и VIII Школа молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». : Нижний Новгород, Россия, 26-29 мая 2015 г.. 2015. С. 110.

149. Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Юнин П.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Имплантируемые ионами P+ слои германия на Si(100) для светоизлучающих приборов // XXII международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2015)». : Москва, Россия, 20-24 августа 2015, Т.2. 2015. С. 120-123.

150. Денисов С.А., Нежданов А.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г. Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки // XII Российская конференция по физике полупроводников. : Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 154.

151. Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и Si1-xGex: получение и свойства // XII Российская конференция по физике полупроводников. : Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 159.

152. Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Грибко В.В., Маркелов А.С. УПРАВЛЕНИЕ КРИВИЗНОЙ ПРОФИЛЯ ДИФРАКЦИОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед.. 2016. [Принято к печати].

153. Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Маркелов А.С., Грибко В.В., Котомина В.Е., Антонов И.Н., Веселова Л.П. ФОРМИРОВАНИЕ МАССИВОВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОСТРОВКОВ SI С МАЛОЙ УГЛОВОЙ ДИСПЕРСИЕЙ // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед.. 2016. [Принято к печати].

154. Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si1-xGex: получение и некоторые свойства // Физика и техника полупроводников. Т. 50. № 3. 2016. С. 350-353.

155. Detochenko A.P., Denisov S.A., Drozdov M.N., Mashin A.I., Gavva V.A., Bulanov A.D., Nezhdanov A.V., Ezhevskii A.A., Stepikhova M.V., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Shengurov D.V., Shengurov V.G., Abrosimov N.V., Riemann H. Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si1 – xGex alloy layers: production and some properties // Semiconductors. V. 50. № 3. 2016. P. 345-348.

156. Трушин В.Н., Грибко В.В., Маркелов А.С., Чупрунов Е.В. Управление профилем кривизны дифракционных элементов // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г. Изд. ННГУ им Н.И. Лобачевского, т.1,. 839 с. 2016. С. 417-418.

157. Трушин В.Н., Грибко В.В., Маркелов А.С. Интерактивное управление кривизной профиля поверхности дифракционных элементов // Материалы XV Российской научной студенческой конференции по физике твердого тела ,18 - 20 мая 2016. : Изд. Томский государственный университет г. Томск. 2016. С. 142-144.

158. А.П. Деточенко, С.А. Денисов, М.Н. Дроздов, А.И. Машин, В.А. Гавва, А.Д Буланов, А.В. Нежданов, А.А, Ежевский, М.П., Степихова, В.Ю. Чалков, В.Н.Трушин, Д.В. Шенгуров, В.Г. Шенгуров, N.V. Abrosimov, H. Riemann. Эпитаксиальные моноизотопные слои Si, Ge, и Si1-xGe // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г. Изд. ННГУ им Н.И. Лобачевского, т. 2. 839 с. 2016. С. 561-563.

159. Nokhrin A.V., Chuvilydeev V.N., Blagoveshchenskii Yu.V., Boldin M.S., Sakharov N.V., Isaeva N.V., Shotin S.V., Trushin V.N., Smirnova E.S. The effect of grain growth on sintering of ultrafine-grained tungsten carbide with high hardness and fracture toughness // XV International Conference on Intergarnular and Interphase Boundaries in Materials (iib-2016). : Москва: НИТУ "МИСИС". 2016. [Принято к печати].

160. Нохрин А.В., Чувильдеев В.Н., Благовещенский Ю.В., Сахаров Н.В., Болдин М.С., Исаева Н.В., Шотин С.В., Трушин В.Н., Попов А.А., Смирнова Е.С. Исследование структуры и механических свойств ультрамелкозернистых керамик на основе карбида вольфрама, полученных методом электроимпульсного плазменного спекания // LVII Международная конференция «Актуальные проблемы прочности». : Севастополь: СевФУ. 2016. [Принято к печати].

161. Трушин В.Н., Грибко В.В., Маркелов А.С. Интерактивное управление кривизной профиля поверхности дифракционных элементов // Материалы XV Российской научной студенческой конференции по физике твердого тела, 18 - 20 мая 2016. : Изд. Томский государственный университет г. Томск. 2016. [Принято к печати].

162. Грибко В.В., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Управление кривизной профиля рентгенооптических элементов // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: прогр. и материалы 15-й Междунар. науч. конф.-шк., Саранск, 11 окт. – 14 окт. 2016 г. : Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2016. - 232 с.. 2016. С. 105, 134.

163.

Нохрин А.В., Чувильдеев В.Н., Болдин М.С., Сахаров Н.В., Баранов Г.В., Белов В.Ю., Трушин В.Н., Попов А.А., Мелехин Н.В. Получение и исследование мелкозернистых тяжелых вольфрамовых сплавов с использованием технологии «Spark Plasma Sintering» // Сборник трудов 5-ого международного научного семинара «Перспективные технологии консолидации материалов с применением электромагнитных полей». : Москва, НИЯУ «МИФИ». 2016. С. 28.

164. Нохрин А.В., Чувильдеев В.Н., Благовещенский Ю.В., Болдин М.С., Сахаров Н.В., Исаева Н.В., Попов А.А., Трушин В.Н., Шотин С.В., Смирнова Е.С. Исследование ультрамелкозернистых твердых сплавов WC-Co с высокими механическими свойствами, полученных методом плазмохимического синтеза и электроимпульсного плазменного спекания // Сборник трудов 5-го международного научного семинара «Перспективные технологии консолидации материалов с применением электромагнитных полей». : Москва, НИЯУ «МИФИ». 2016. С. 33.

165. Нохрин А.В., Чувильдеев В.Н., Болдин М.С., Сахаров Н.В., Баранов Г.В., Белов В.Ю., Мелехин Н.В., Сысоев А.Н., Попов А.А., Трушин В.Н., Смирнова Е.С. Получение и исследование ультрамелкозернистых тяжелых вольфрамовых сплавов с высокой прочностью методом электроимпульсного плазменного спекания // Сборник трудов VI Международной конференции с элементами научной школы для молодежи «Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества» (3-7 октября 2016 г., Суздаль). : Москва: ИМЕТ РАН. 2016. С. 145.

166. Нохрин А.В., Чувильдеев В.Н., Благовещенский Ю.В., Сахаров Н.В., Болдин М.С., Исаева Н.В., Шотин С.В., Смирнова Е.С., Попов А.А., Белкин О.А., Трушин В.Н. Эффект ускорения спекания карбида вольфрама в условиях аномального роста зерен // Сборник трудов VI Международной конференции с элементами научной школы для молодежи «Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества» (3-7 октября 2016 г., Суздаль).. : Москва: ИМЕТ РАН. 2016. С. 147.

167. Нохрин А.В., Чувильдеев В.Н., Болдин М.С., Сахаров Н.В., Баранов Г.В., Белов В.Ю., Трушин В.Н., Попов А.А., Мелехин Н.В. Исследование влияния структурно-фазового состояния границ зерен на спекание и механические свойства мелкозернистых вольфрамовых сплавов // Сборник трудов V международной открытой школы-семинара стран СНГ «Ультрамелкозернистые и наноструктурные материалы (УМЗНМ-2016)» (3-7 октября 2016 г., г. Уфа, ИПСМ РАН). : Уфа: ИПСМ РАН. 2016. С. 279.

168. Нохрин А.В., Чувильдеев В.Н., Болдин М.С., Сахаров Н.В., Баранов Г.В., Белов В.Ю., Мелехин Н.В., Сысоев А.Н., Попов А.А., Трушин В.Н., Ланцев Е.А. Получение и исследование мелкозернистых тяжелых вольфрамовых сплавов с высокой прочностью методом электроимпульсного плазменного спекания // Сборник трудов IX международной конференции «Фазовые превращения и прочность кристаллов (ФППК-2016)» памяти академика Г.В. Курдюмова (7-11 ноября 2016 г., г. Черноголовка, ИФТТ РАН). : Черноголовка: ИФТТ РАН. 2016. С. 77.

169. Нохрин А.В., Чувильдеев В.Н., Благовещенский Ю.В., Болдин М.С., Сахаров Н.В., Исаева Н.В., Попов А.А., Трушин В.Н., Шотин С.В., Смирнова Е.С. Исследование структуры и свойств ультрамелкозернистых твердых сплавов WC-Co, полученных методом плазмохимического синтеза и электроимпульсного плазменного спекания // Сборник трудов V международной открытой школы-семинара стран СНГ «Ультрамелкозернистые и наноструктурные материалы (УМЗНМ-2016)» (3-7 октября 2016 г., г. Уфа, ИПСМ РАН).. : Уфа: ИПСМ РАН. 2016. С. 239.

170. Болдин М.С., Нохрин А.В., Сахаров Н.В., Чувильдеев В.Н., Благовещенский Ю.В., Исаева Н.В., Шотин С.В., Трушин В.Н., Смирнова Е.С., Попов А.А., Ланцев Е.А. Электроимпульсное плазменное спекание керамик и твердых сплавов на основе карбида вольфрама из нанопорошков, полученных методом плазмохимического синтеза // Сборник трудов Шестой Всероссийской конференции по наноматериалам с элементами научной школы для молодежи НАНО-2016 (22-25 ноября 2016 г., Москва, ИМЕТ РАН). : Москва: ИМЕТ РАН. 2016. С. 54.

171. Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Маркелов А.С., Грибко В.В., Котомина В.Е., Антонов И.Н., Веселова Л.П. Формирование массивов монокристаллических островков Si с малой угловой дисперсией // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед.. № 2. 2017. С. 36-39.

172. Gribko V.V., Trushin V.N., Markelov A.S., Chuprunov E.V. Possibilities of X-ray optical elements surface profiles formation // "Saint Petersburg OPEN 2017" BOOK of ABSTRACTS. St. Petersburg Academic University, 2017, -640 p.. 2017. P. 587.

173. Шенгуров В.Г., Бузынин Ю.Н., Бузынин А.Н., Байдусь Н.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Сушков А.А., Павлов Д.А., Дроздов М.Н., Нежданов А.В., Юнин П.А., Трушин В.Н. Эпитаксиальные подложки GaAs/Ge/Si // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 770-771.


Последняя редакция анкеты: 14 апреля 2015