RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 15692 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Бейсенханов Нуржан Бейсенханович


Бейсенханов Нуржан Бейсенханович

Учёная степень: доктор физ.-мат. наук

Академик Российской Академии Естествознания

Научное направление: Физико-математические науки

Регион: Казахстан

Индекс цитирования научной биографии: 1 (по количеству внешних ссылок)

Рейтинг: 37 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Известные Ученые"

Заслуженный деятель науки и образования РАЕ.

Бейсенханов Нуржан Бейсенханович родился 07.09.1961 г в г. Чарске Восточно-Казахстанской области. 21.06.1983 г. окончил физический факультет Казахского гос. университета. 21.10.1994 г защитил кандидатскую диссертацию в Институте проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (Московская обл., г.Черноголовка). 27.09.2011 г защитил докторскую диссертацию в ИПТМ РАН. Ведущий научный сотрудник Казахстанско-Британского технического университета (г.Алматы, Казахстан). Академик Российской Академии Естествознания, эксперт Всемирной конференции по материаловедению и инженерии (CMSE), иностранный эксперт диссертаций PhD Пакистанского Института инженерии и прикладных наук (Pakistan Institute of Engineering and Applied Sciences, Islamabad, 45650 Pakistan), член Американской ассоциации содействия развитию науки (AAAS), член американского химического общества (ACS), эксперт 4-х европейских научных журналов. Имеет 126 научных публикаций, включая 3 главы в книгах дальнего зарубежья, опубликованных издательством InTech, на которые зарегистрировано 8531 запросов специалистов из 194 стран (1588 - США, 585 - Китай, 257 - Германия, 195 – Япония, 165 – Россия и др.). Является руководителем гранта Комитета науки МОН РК. Индекс Хирша – 7 (Web of Science). Подготовлены 2 кандидата физ.-мат.наук и 1 PhD. Решением Европейского научно-промышленного консорциума за вклад в развитие технических и физико-математических наук награжден орденом Александра Великого “ЗА НАУЧНЫЕ ПОБЕДЫ И СВЕРШЕНИЯ”, медалью им. Вильгельма Лейбница («Wilhelm Leibniz») и золотой медалью «Европейское качество» («European Quality»). Женат, имеет троих детей.

Научные публикации:

Монография в Европе:

1. Нуржан Бейсенханов. Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx. Синтез и исследование различными методами // Palmarium Academic Publishing. ISBN: 978-3-8473-9067-1. Saarbrücken, Germany. 2012. 308 p. http://www.baspress.com/book.php?l=cqxicudz&id=244&t=lap)

Главы в европейских книгах:

1. Kair Nussupov and Nurzhan Beisenkhanov. The Formation of Silicon Carbide in the SiCx Layers (x = 0.03-1.4) Formed by Multiple Implantation of C Ions in Si. // In book: Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices. Moumita Mukherjee (Ed.). 2011. Chapter 4. InTech. P. 69-114. ISBN: 978-953-307-968-4. Available from: http://www.intechopen.com/books/silicon-carbide-materials-processing-and-applications-in-electronic-devices/the-formation-of-silicon-carbide-in-the-sicx-layers-x-0-03-1-4-formed-by-multiple-implantation-of-c- 3187 зарегистрированных InTech запроса специалистов из 194 стран мира (США - 606, Китай - 210, Германия - 105, Япония - 88, Россия – 81 и др.)

2. Daniya M. Mukhamedshina and Nurzhan B. Beisenkhanov. Influence of Crystallization on the Properties of SnO2 Thin Films. // In book: Advances in Crystallization Processes. Yitzhak Mastai (Ed.). 2012. Chapter 9. InTech. PP. 219-258. ISBN: 978-953-51-0581-7. Available from: http://www.intechopen.com/books/advances-in-crystallization-processes/influence-of-crystallization-on-the-properties-of-sno2-thin-films 4342 запросов специалистов из 105 стран мира, зарегистрированных InTech (729 - США, 329 - Индия, 119 – Германия, др.).

3. Kair Kh. Nussupov and Nurzhan B. Beisenkhanov. Ion Synthesis of SiC and Its Instability at High Temperatures // In book: Physics and Technology of Silicon Carbide Devices. Dr. Yasuto Hijikata (Ed.). 2013. Chapter 3. InTech. PP.47-96. ISBN: 978-953-51-0917-4. DOI: 10.5772/51389. Available from: http://www.intechopen.com/books/physics-and-technology-of-silicon-carbide-devices/ion-synthesis-of-sic-and-its-instability-at-high-temperatures, 1002 зарегистрированных запроса специалистов из 65 стран (233 из США).

Статьи в европейских журналах:

1. Investigation of the formation of Si and SiC crystalline phases in room-temperature C+ implanted Si Nussupov, KK; Sigle, VO; Bejsenkhanov, NB. // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Vol. 82. Iss. 1. P. 69-79. 1993. Total Citations 16.

2. Optical, structural and electrical properties of tin oxide films prepared by magnetron sputtering Karapatnitski, IA; Mit´, KA; Mukhamedshina, DM; and Beisenkhanov, N.B. // Surface & Coatings Technology. Vol. 151. P. 76-81. 2002. Total Citations 15.

3. Study of structural, optical and electrical properties of ZnO and SnO2 thin films Mukashev, B. N.; Aimagambetov, A. B.; Mukhamedshina, D. M.; Beisenkhanov, N.B.; et al. // Superlattices and Microstructures, Vol. 42. Iss. 1-6. P. 103-109. 2007. Total Citations 13.

4. Investigation of structure and phase-transformations in silicon implanted with C-12(+) at room-temperature Nussupov, KK; Bejsenkhanov, NB; Tokbakov, J. // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Vol. 103. Iss. 2. P. 161-174. 1995. Total Citations 12.

5. Investigation of properties of thin oxide films SnOx annealed in various atmospheres Mukhamedshina, DM; Beisenkhanov, NB; Mit´, KA; et al. // Thin Solid Films, Vol. 495. Iss. 1-2. P. 316-320. 2006. Total Citations 11.

6. Influence of structure changes of oxide films on their physical properties Mukashev, BN; Tokmoldin, SZ; Beisenkhanov, NB; et al. // Materials Science and Engineering B. V.118. Iss. 1-3. P. 164-169. 2005. Total Citations 10.

7. Electrical and optical properties of zinc oxide thin films grown by reactive magnetron sputtering method Abdullin, KA; Aimagambetov, AB; Beisenkhanov, NB; et al. // Materials Science and Engineering B. Vol. 109. Iss. 1-3. P. 241-244. 2004. Total Citations 9.

8. Influence of plasma treatments on the properties of SnO(x) thin films Mukhamedshina, D. M.; Beisenkhanov, N. B.; Mit´, K. A.; et al. // High Temperature Material Processes. Vol. 10. Iss. 4. P. 603-615. 2006. Total Citations 5.

9. Influence of plasma treatments on the microstructure and electrophysical properties of SnO(x) thin films synthesized by magnetron sputtering and sol-gel technique Mukhamedshina, D. M.; Mit´, K. A.; Beisenkhanov, N. B.; et al. // Journal of Materials Science-Materials in Electronics. Vol. 19. Supplement: 1. P. S382-S387. 2008. Total Citations 3.

10. Influence of hydrogen plasma treatment on the structure and optical properties of tin oxide thin film produced by magnetron sputtering Mukhamedshina, DM; Beisenkhanov, NB; Mit, KA; et al. // High Temperature Material Processes. Vol. 9. Iss. 2. P. 307-319. 2005. Total Citations 3.

11. Structure properties of carbon implanted silicon layers Nussupov, K.Kh.; Beisenkhanov, N.B.; Valitova, I.V.; et al. // Journal of Materials Science-Materials in Electronics. Vol. 19. Supplement: 1. P. S254-S262. 2008. Total Citations 2.

12. Influence of treatment in the (O-2,H-2) plasma on the structure and physical properties of SnO (x) films Beisenkhanov, N. B. // Physics of the Solid State. Vol. 53. Iss. 2. P. 390-397. 2011. Total Citations 1.

13. Structure and composition of silicon carbide films synthesized by ion implantation Nussupov, K. Kh.; Beisenkhanov, N. B.; Zharikov, S. K.; et al. // Physics of the Solid State Vol. 56. Iss. 11. P. 2307-2321. 2014.

14. The effect of NH4F and NH4OH on the structure and physical properties of thin SnO2 films synthesized by the sol-gel method Dmitrieva, E. A.; Mukhamedshina, D. M.; Beisenkhanov, N. B.; et al. // Glass Physics and Chemistry. Vol. 40. Iss. 1. P. 31-36. 2014. Total Citations 0.

15. Crystallization of beta-SiC in Thin SiCx Layers (x=0.03-1.40) Synthesized by Multiple Implantation of Carbon Ions into Silicon Beisenkhanov, N. B. // Technical Physics. Vol. 56. Iss. 2. P. 274-281. 2011. Total Citations 0.

16. An influence of plasma treatment on structure properties of thin SiC films on Si Nussupov, K. Kh; Beisenkhanov, N. B.; Mit, K. A.; et al. // High Temperature Material Processes. Vol. 14. Iss. 1-2. P. 193-203. 2010. Total Citations 0.

17. Structural studies of thin silicon layers repeatedly implanted by carbon ions Nusupov, K. Kh.; Beisenkhanov, N. B.; Valitova, I. V.; et al. // Physics of the Solid State. Vol. 48. Iss. 7. P. 1255-1267. 2006. Total Citations 0.

18. Structural and optical properties of thin metal-oxide films (ZnO and SnOx) deposited on glass and silicon substrates Tokmoldin, SZ; Mukashev, BN; Beisenkhanov, NB; et al. // Edited by: Ashok, S; Chevallier, J; Sopori, BL; et al. Book Series: Materials Research Society Symposium Proceedings. Vol. 864. P. 39-44. 2005. Total Citations 0.

19 Nurzhan B. Beisenkhanov. An influence of hydrogen glow discharge plasma treatment on structural properties of SnOx and SiC1.4 thin films. // Non-ferrous metals. 2011. 1. P. 24-27.

20 Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Дощанов А.М., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х. Синтез β-SiC в слоях SiCx (x = 0,03-1,4) многократной имплантацией ионов С в Si // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2011. 2. С. 38-45.

21 Бейсенханов Н.Б. Структурный анализ слоев кремния имплантированных углеродом // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2010. 1. С. 46-56.

22. И.К.Бейсембетов, К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, Т.К.Ахметов, Р.Ивлев. Структура наноразмерных пленок углерода и карбида кремния на кремнии, полученных магнетронным и ионно-лучевым распылением мишени // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. Изд. "Радиотехника" (Москва). 2012. 3(4). С. 30-35.

23. Мухамедшина Д.М., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Дмитриева Е.А. Медетов Н. Применение термических и плазменных обработок для модификации свойств тонких пленок SnO2 // Перспективные материалы. 2012. 1. С. 35-42.

24. И.К.Бейсембетов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, К.Х.Нусупов, Т.К.Ахметов, Б.Ж.Сеитов. Инфракрасная спектроскопия ионно-синтезированных тонких пленок карбида кремния // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2013. 4(1). С. 42-55.

25. Бейсенханов Н.Б. Кристаллизация слоев карбида кремния, полученных методом ионной имплантации // Поверхность. Рент.синх.нейт.иссл. Москва. 2010. 10. С.73−78.

26. Бейсенханов Н.Б. Исследования тонких слоев кремния с низкой концентрацией имплантированного углерода (SiC0,03 и SiC0,12) //Известия высших учебных заведений. Физика. Томск. госун-т. РФ. 2008. 51 (11/3). С.3-10.

27. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Дощанов А.М., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х. Синтез пленок со структурой типа алмаза (С, SiC) на кремнии осаждением либо имплантацией ионов 12C // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2011. 3(1). С. 50-55.

28. Бейсенханов Н.Б., Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Токмолдин С.Ж., Валитова И.В., Глазман В.Б., Аймагамбетов А.Б., Дмитриева Е.А. Исследование структурных превращений в тонких пленках SnOx // Поверхность. 10. Москва. 2005. С.93-100.

29 Нусупов К.Х., В.О.Сигле, Бейсенханов Н.Б., Токбаков Дж. Неразрушающий метод измерения концентрации электрически активных центров в области p-n перехода.- Электронная техника. 1990, серия 7, ТОПО, вып.5 (162), С. 67-70.

30 И.К.Бейсембетов, К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, Т.К.Ахметов, Б.Ж.Сеитов. Формирование и структура наноразмерного слоя карбида кремния на кремнии при имплантации ионов углерода высоких доз // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. – Изд. "Радиотехника" (Москва). 2013. 4(2). С. 36-42.

и другие.

Бейсенханов Нуржан Бейсенханович имеет награды:

Почетное звание "Заслуженный деятель науки и образования РАЕ"
Gold medal "European Quality" (Золотая медаль «Европейское качество»)
Медаль имени В. Лейбница
Награда «Орден Александра Великого «ЗА НАУЧНЫЕ ПОБЕДЫ И СВЕРШЕНИЯ»

 

Публикации в изданиях Российской Академии Естествознания: 1 / перечень публикаций

Последняя редакция анкеты: 25 мая 2015, 17:06

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания”
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Современные проблемы науки и образования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.953

«Фундаментальные исследования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 1.094

«Современные наукоемкие технологии» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.725

«Успехи современного естествознания» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.869

«Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований», ИФ РИНЦ = 0.800

«Международный журнал экспериментального образования», ИФ РИНЦ = 0.469

«European journal of natural history», ИФ РИНЦ = 0.864

«Международный студенческий научный вестник», ИФ РИНЦ = 0.445

«Рациональное питание, пищевые добавки и биостимуляторы»

Издание научной и учебно-методической литературы, ISBN, РИНЦ, DOI